亚洲狠狠干,亚洲国产福利精品一区二区,国产八区,激情文学亚洲色图

一種水合肼輔助多元醇基溶液合成β相硒化銦片狀納米晶的方法

文檔序號(hào):5269461閱讀:688來(lái)源:國(guó)知局
一種水合肼輔助多元醇基溶液合成β相硒化銦片狀納米晶的方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種水合肼輔助多元醇基溶液合成β相硒化銦片狀納米晶的方法,先稱(chēng)取0.1mol四水合氯化銦溶解于10ml三乙二醇中,得到陽(yáng)離子前驅(qū)體溶液;另在三口圓底燒瓶中加入40ml三乙二醇,添加0.15mmol硒粉,再添加水合肼0.1ml,通入氮?dú)猓玫疥庪x子源反應(yīng)基液。將三口瓶置于熱式反應(yīng)回流裝置中,通入氮?dú)?,緩慢加熱陰離子源反應(yīng)基液,至注入溫度/回流溫度為250/250℃~270/270℃時(shí)快速注入陽(yáng)離子前驅(qū)體溶液,得到含有硒化銦納米晶的反應(yīng)溶液,再將反應(yīng)溶液離心分離和純化,制得In2Se3納米晶。本發(fā)明的整個(gè)反應(yīng)條件溫和,安全低毒,操作簡(jiǎn)便,成本低,產(chǎn)物物相單一穩(wěn)定,化學(xué)計(jì)量比符合標(biāo)準(zhǔn)比例,重復(fù)性較好。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種水合肼輔助多元醇基溶液合成P相硒化銦片狀納米 晶的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是關(guān)于納米材料的,特別涉及一種多元醇基溶液合成0相硒化銦片狀納 米晶的方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 硒化銦(In2Se3)作為一種III - VI族的金屬硫族化合物,具有優(yōu)良的可見(jiàn)光吸收 性能以及相變存儲(chǔ)性能,在光探測(cè)器、濾光設(shè)備、傳感器、太陽(yáng)能電池和光解水組件、以及相 變存儲(chǔ)器等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。硒化銦是一種n型半導(dǎo)體,具有直接帶隙。111 2563具 有雙層結(jié)構(gòu),其層內(nèi)較強(qiáng)的化學(xué)鍵作用力和層與層間較弱的范德華力使得硒化銦具有各向 異性結(jié)構(gòu),進(jìn)而擁有優(yōu)良的電學(xué)、光學(xué)、磁學(xué)性能。
[0003] In2Se3具有多種晶體結(jié)構(gòu),分別為a,@,y,S,k,其中a,@,y相為其常見(jiàn) 結(jié)構(gòu)。a相In2Se3被認(rèn)為在常溫下穩(wěn)定存在,具有a (3R)和a (2H)兩種晶格結(jié)構(gòu),其禁 帶寬度為1. 36eV,在200°C可以轉(zhuǎn)變?yōu)?相。a (3R)是三層的菱方結(jié)構(gòu),晶格點(diǎn)陣為R3m ; 而a (2H)的晶格點(diǎn)陣為P63,具有兩層的六方結(jié)構(gòu)。@相與a相In2Se3類(lèi)似,具有M3R) 和@ (2H)兩種晶格結(jié)構(gòu),但是相應(yīng)結(jié)構(gòu)的晶格常數(shù)發(fā)生變化,禁帶寬度也由1.36eV轉(zhuǎn)變 為1. 55eV。Y相In2Se3被認(rèn)為是一種具有有序空間缺陷的纖鋅礦晶體,六方晶體構(gòu)型,其 1/3的空位缺陷沿C軸有序螺旋排布.其禁帶寬度為1. 8eV,大致在350°C時(shí)由低溫相轉(zhuǎn)變 得到。
[0004] 對(duì)于In2Se3納米材料的合成仍然處于探索階段,其合成方法主要有液相法和氣相 法兩類(lèi)。氣相法制備In 2Se3m米材料存在工藝復(fù)雜、成本高昂、需要高度的真空環(huán)境、大 面積沉積時(shí)不均勻及化學(xué)計(jì)量較難控制等缺點(diǎn),限制了其規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展。液相法制備 In 2Se3納米材料大多采用水熱法、加壓溶劑熱法,并且大多使用三正辛基膦、油胺等有機(jī)溶 劑作為反應(yīng)劑,用以促進(jìn)硒粉溶解。但是,上述有機(jī)溶劑反應(yīng)成本較高,易產(chǎn)生一定污染,實(shí) 驗(yàn)需要采取持續(xù)性保護(hù)措施,伴隨溶液加熱揮發(fā)有害氣體,難以進(jìn)行規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
[0005] 為此,開(kāi)發(fā)一種成本低廉、工藝簡(jiǎn)便的綠色合成方法制備In2Se 3納米晶材料以及 推廣其應(yīng)用有著重要的意義和實(shí)用價(jià)值。本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有制備技術(shù)的缺點(diǎn),采用少污染、低 毒性、高沸點(diǎn)、低成本的低碳鏈多元醇溶劑作為反應(yīng)介質(zhì),采用多元醇基溶液化學(xué)合成法, 以水合肼為反應(yīng)輔助劑,制備此前未有報(bào)道的0相〗!!#%片狀納米晶。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的成本高、存在污染的缺點(diǎn),采用少污染、低毒性、高沸點(diǎn)、低 成本的低碳鏈多元醇溶劑作為反應(yīng)介質(zhì),采用多元醇基溶液化學(xué)合成法,以水合肼為反應(yīng) 輔助劑,提供一種工藝安全、綠色無(wú)毒、操作簡(jiǎn)單、成本低、合成產(chǎn)物物相穩(wěn)定單一、可利于 產(chǎn)物純度與化學(xué)計(jì)量控制的制備In 2Se3片狀納米晶的方法。
[0007] 本發(fā)明通過(guò)如下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)。
[0008] -種水合肼輔助多元醇基溶液合成0相硒化銦片狀納米晶的方法,具有如下步 驟:
[0009] (1)配制前驅(qū)體溶液
[0010] 稱(chēng)取〇? lmol四水合氯化銦即0? 0293g,將原料溶解于10ml三乙二醇中,30°C條件 下攪拌30min溶解,得到穩(wěn)定的陽(yáng)離子前驅(qū)體溶液;
[0011] 在三口圓底燒瓶中加入40ml三乙二醇,并添加0. 15mmol硒粉即0.0118g,再添加 水合肼N2H4 ? H20為0? lml,通入氮?dú)?,磁力攪?min,得到陰離子源反應(yīng)基液;
[0012] (2)回流反應(yīng)合成In2Se3納米晶
[0013] 將三口瓶置于熱式反應(yīng)回流裝置中,向三口瓶?jī)?nèi)通入氮?dú)猓徛訜彡庪x子源反 應(yīng)基液,至注入溫度/回流溫度為250/250°C?270/270°C時(shí)快速注入陽(yáng)離子前驅(qū)體溶液, 觸發(fā)反應(yīng)進(jìn)行;繼續(xù)加熱使回流溫度保持在注入溫度下回流,回流時(shí)間為10?40min,即得 到含有硒化銦納米晶的反應(yīng)溶液;
[0014] (3)將步驟(2)得到的含有硒化銦納米晶的反應(yīng)溶液進(jìn)行高速離心分離,得到納 米晶,再對(duì)納米晶用乙醇溶劑稀釋、超聲清洗、離心提取,反復(fù)4?6個(gè)循環(huán)完成純化,制得 In 2Se3納米晶。
[0015] 所述步驟(2)的注入溫度/回流溫度為270/270°C。
[0016] 所述步驟⑵的回流時(shí)間為30min。
[0017] 本發(fā)明的有益效果:提供了一種以無(wú)機(jī)鹽為先質(zhì),多元醇為溶劑,水合肼為輔助劑 的制備In2Se3片狀納米晶的方法,整個(gè)反應(yīng)條件溫和,安全低毒,操作簡(jiǎn)便,成本低。在優(yōu)化 條件下,按照In2Se3的化學(xué)計(jì)量比投料,產(chǎn)物物相單一穩(wěn)定,化學(xué)計(jì)量比符合標(biāo)準(zhǔn)比例,重 復(fù)性較好。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018] 圖1是實(shí)施例6合成產(chǎn)物的XRD圖譜;
[0019] 圖2是實(shí)施例6合成產(chǎn)物的SEM圖片;
[0020] 圖3是實(shí)施例6合成產(chǎn)物的EDS譜圖;
[0021] 圖4是實(shí)施例6合成產(chǎn)物的光吸收譜。

【具體實(shí)施方式】
[0022] 本發(fā)明所用原料均為分析純?cè)?,具體實(shí)施例如下:
[0023] 首先稱(chēng)取0. lmol四水合氯化銦即0. 0293g,將原料溶解于10ml三乙二醇中,30°C 條件下攪拌30min溶解,得到穩(wěn)定的陽(yáng)離子前驅(qū)體溶液。在三口圓底燒瓶中加入40ml三乙 二醇,并添加0. 15mmol硒粉即0. 0118g,再添加0?0. lml水合肼(N2H4.H20),通入氮?dú)猓?磁力攪拌5min,得到陰離子源反應(yīng)基液。
[0024] 將三口瓶置于熱式反應(yīng)回流裝置中,向三口瓶?jī)?nèi)通入氮?dú)?,緩慢加熱陰離子源反 應(yīng)基液,至170?270°C時(shí)快速注入陽(yáng)離子前驅(qū)體溶液,觸發(fā)反應(yīng)進(jìn)行;繼續(xù)加熱使回流溫 度保持在注入溫度下反應(yīng)回流0?40min,即得到含有In 2Se3片狀納米晶的合成反應(yīng)溶液。
[0025] 將上述含有In2Se3片狀納米晶的合成反應(yīng)溶液進(jìn)行高速離心分離,得到納米晶, 再對(duì)納米晶用乙醇溶劑稀釋、超聲清洗、離心提取,反復(fù)4?6個(gè)循環(huán)完成純化,制得In 2Se3 片狀納米晶。
[0026] 本發(fā)明具體實(shí)施例的有關(guān)反應(yīng)溫度、回流時(shí)間以及水合肼添加量詳見(jiàn)表1。
[0027]表1

【權(quán)利要求】
1. 一種水合肼輔助多元醇基溶液合成β相硒化銦片狀納米晶的方法,具有如下步驟: (1) 配制前驅(qū)體溶液 稱(chēng)取0. lmol四水合氯化銦即0. 0293g,將原料溶解于10ml三乙二醇中,30°C條件下攪 拌30min溶解,得到穩(wěn)定的陽(yáng)離子前驅(qū)體溶液; 在三口圓底燒瓶中加入40ml三乙二醇,并添加0. 15mmol硒粉即0. 0118g,再添加水合 肼Ν2Η4 · H20為0· lml,通入氮?dú)猓帕嚢?min,得到陰離子源反應(yīng)基液; (2) 回流反應(yīng)合成In2Se3納米晶 將三口瓶置于熱式反應(yīng)回流裝置中,向三口瓶?jī)?nèi)通入氮?dú)?,緩慢加熱陰離子源反應(yīng)基 液,至注入溫度/回流溫度為250/250°C?270/270°C時(shí)快速注入陽(yáng)離子前驅(qū)體溶液,觸發(fā) 反應(yīng)進(jìn)行;繼續(xù)加熱使回流溫度保持在注入溫度下回流,回流時(shí)間為10?40min,即得到含 有硒化銦納米晶的反應(yīng)溶液; (3) 將步驟(2)得到的含有硒化銦納米晶的反應(yīng)溶液進(jìn)行高速離心分離,得到納米晶, 再對(duì)納米晶用乙醇溶劑稀釋、超聲清洗、離心提取,反復(fù)4?6個(gè)循環(huán)完成純化,制得In 2Se3 納米晶。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種水合肼輔助多元醇基溶液合成β相硒化銦片狀納米晶 的方法,其特征在于,所述步驟(2)的注入溫度/回流溫度為270/270°C。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種水合肼輔助多元醇基溶液合成β相硒化銦片狀納米晶 的方法,其特征在于,所述步驟(2)的回流時(shí)間為30min。
【文檔編號(hào)】B82Y30/00GK104291278SQ201410498541
【公開(kāi)日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月25日
【發(fā)明者】靳正國(guó), 李彤霏, 王健, 賴(lài)俊云 申請(qǐng)人:天津大學(xué)
網(wǎng)友詢(xún)問(wèn)留言 已有0條留言
  • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1