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曝光方法、掩膜及芯片基板的制作方法

文檔序號:9234570閱讀:431來源:國知局
曝光方法、掩膜及芯片基板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明是有關于一種芯片基板、曝光方法及掩膜。
【背景技術】
[0002]在半導體工藝中,光刻工藝(photolithography)對于所產(chǎn)生的芯片的品質而言占了決定性的影響因素之一。在光刻工藝中,掩膜上的圖案并無法百分之百無誤差地被復制成光刻膠圖案,這是受到光學上的因素與光刻膠顯影時角緣圓化的因素等影響。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明實施例提供一種曝光方法、掩膜以及芯片基板(chip substrate),可使各晶粒的線路布局的線寬較為一致。
[0004]本發(fā)明的一實施例提供一種曝光方法,其包括:提供一基板;在基板上形成一光刻膠層;以及通過一成像鏡頭將一掩膜上的多個圖案成像于光刻膠層上,以對光刻膠層進行曝光。其中,掩膜具有多個芯片區(qū),每一芯片區(qū)包括該圖案,這些芯片區(qū)的這些圖案彼此實質上相同,且這些芯片區(qū)的這些圖案的線寬由位于掩膜的邊緣往位于掩膜的中央呈現(xiàn)增加的趨勢。
[0005]本發(fā)明的一實施例還提供一種掩膜,其包括多個芯片區(qū),每一芯片區(qū)包括一圖案,且這些芯片區(qū)的這些圖案彼此實質上相同。這些芯片區(qū)的這些圖案的線寬由位于掩膜的邊緣往位于掩膜的中央呈現(xiàn)增加的趨勢。
[0006]本發(fā)明的一實施例還提供一種曝光方法,其包括:提供一基板;在基板上形成一光刻膠層;以及通過一成像鏡頭將一掩膜上的圖案成像于光刻膠層上,以對光刻膠層進行曝光,其中掩膜具有多個芯片區(qū),且至少有兩個芯片區(qū)具有實質相同的圖案,但這些實質相同的圖案分別具有不同的線寬。
[0007]本發(fā)明的一實施例再提供一種芯片基板,其包括多個晶粒,這些晶粒排列成陣列,且每一晶粒包括一線路布局。這些晶粒的這些線路布局彼此實質上相同,且這些晶粒的這些線路布局的線寬之間的差異小于2%。
【附圖說明】
[0008]圖1A與圖1B為用以繪示本發(fā)明的一實施例的曝光方法的流程的示意圖。
[0009]圖2A為圖1B中的掩膜的正視示意圖。
[0010]圖2B為圖1B中的基板的正視示意圖。
[0011]圖2C為圖2B中的基板受到一次曝光的區(qū)域的正視示意圖。
[0012]圖3A為圖2A的掩膜中的位于邊緣的芯片區(qū)中的圖案的局部正視示意圖。
[0013]圖3B為圖2A的掩膜中的位于中央的芯片區(qū)中的圖案的局部正視示意圖。
[0014]圖4A為圖2B的基板在經(jīng)過半導體工藝后所制成的芯片基板的部分的正視圖,其中此部分對應于基板的區(qū)域A。
[0015]圖4B為圖4A中的晶粒中的部分線路布局的正視圖。
[0016]主要元件符號說明
[0017]110:基板
[0018]112:晶粒區(qū)
[0019]120:光刻膠層
[0020]130:成像鏡頭
[0021]140:掩膜
[0022]142:影像光束
[0023]144:芯片區(qū)
[0024]145:圖案
[0025]150:光源
[0026]152:照明光束
[0027]212:晶粒
[0028]245:線路布局
[0029]A、A1、R1、R2、R3、R4:區(qū)域
[0030]V、W、W1、W2:線寬
【具體實施方式】
[0031]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合所附圖式作詳細說明如下。
[0032]圖1A與圖1B為用以繪示本發(fā)明的一實施例的曝光方法的流程的示意圖,圖2A為圖1B中的掩膜的正視示意圖,圖2B為圖1B中的基板的正視示意圖,而圖2C為圖2B中的基板受到一次曝光的部分區(qū)域的正視示意圖。請參照圖1A、圖1B及圖2A至圖2C,本實施例的曝光方法包括下列步驟。首先,請參照圖1A,提供一基板110,基板110例如為硅基板、其他半導體基板、玻璃基板、塑膠基板或其他適當?shù)幕?。之后,在基?10上形成一光刻膠層120,前述提及在基板110上形成一光刻膠層120可以是,直接在基板110上形成一光刻膠層120、在基板上的其他材料層上形成光刻膠層120,或是其他形成方式。形成光刻膠層120的方式例如是以涂布(如旋轉涂布)工藝將光刻膠層120涂布于基板110上,或者以其他適當?shù)姆绞?例如噴印工藝)將光刻膠層120形成于基板110上。
[0033]然后,請再參照圖1B,通過一成像鏡頭130將一掩膜140成像于光刻膠層120上,例如是將掩膜140上的圖案成像于光刻膠層120上,以對光刻膠層120進行曝光。在本實施例中,可通過一光源150提供一照明光束152,照明光束152經(jīng)過掩膜140后形成一攜帶掩膜140上的圖案資訊的影像光束142。在本實施例中,光源150例如為一紫外光源,而照明光束152例如為紫外光束。然而,在其他實施例中,亦可采用其他波長或波段的可使光刻膠層120曝光的光源。
[0034]當利用掩膜對基板上的一個區(qū)域作一次曝光時,此區(qū)域將來通常會形成多個排成陣列的晶粒(die)區(qū)。也就是說,掩膜上對應的有多個排成陣列且彼此實質相同的圖案。對于曝光機的成像鏡頭而言,靠近成像鏡頭的光軸的光線較容易聚光,因此當掩膜上排成陣列的這些實質相同的圖案被成像于基板上時,越靠近光軸的光刻膠圖案的線寬會越小。如此一來,在一次曝光所形成的多個晶粒區(qū)中的圖案的線寬將會不一致,進而可能造成所制造出的晶?;蚴切酒?chip)的電性品質不一致。
[0035]請參照圖1B和圖2A至圖2C,在本實施例中,掩膜140可具有多個芯片區(qū)144,掩膜140可在多個不同的時間中分別被成像鏡頭130成像于基板110的多個不同的區(qū)域A上。其中基板110例如是晶片(wafer),而掩膜140的這些芯片區(qū)144可分別被成像于基板110上的多個晶粒區(qū)112上,而這些晶粒區(qū)112將被制造及切割成多個彼此實質上相同的晶粒,因此掩膜140的這些芯片區(qū)144中的圖案彼此實質上相同。然而,如前述所提及,成像鏡頭130會產(chǎn)生一些光學成像上的像差,而使得區(qū)域A中靠近中央的成像尺寸較小,且使得區(qū)域A中靠近邊緣的成像尺寸較大。因此,若掩膜140上的這些芯片區(qū)144中的圖案的線寬都相同時,將使得基板110上的晶粒區(qū)112中的光刻膠層120在顯影后的線寬不一致,而產(chǎn)生區(qū)域A中靠近中央的晶粒區(qū)112中的線寬小,區(qū)域A中靠近邊緣的晶粒區(qū)112中的線寬大的情形。所以,本實施例的這些芯片區(qū)144的這些圖案的線寬由位于掩膜140的邊緣往位于掩膜140的中央呈現(xiàn)固定變化的趨勢(例如呈現(xiàn)增加的趨勢)可使基板110上的晶粒區(qū)112中的光刻膠層120在顯影后的線寬較為一致。如此一來,便可使從基板110所切割出的晶粒中的導電線路的線寬較為一致,進而使這些晶粒的電性品質較為一致。換言之,掩膜140中可以至少有兩個芯片區(qū)144具有實質相同的圖案,但這些實質相同的圖案分別具有不同的線寬。更詳細來說,可參照圖3A及圖3B的敘述以進一步了解掩膜140上的圖案的變化。
[0036]圖3A為圖2A的掩膜中的位于邊緣的芯片區(qū)中的圖案的局部正視示意圖,而圖3B為圖2A的掩膜中的位于中央的芯片區(qū)中的圖案的局部正視示意圖。請參照圖2A、圖3A與圖3B,每一芯片區(qū)144可包含一圖案,例如圖案145,這些芯片區(qū)144的這些圖案145彼此實質上相同,且這些芯片區(qū)144的這些圖案145的線寬W由位于掩膜140的邊緣往位于掩膜140的中央呈現(xiàn)增加的趨勢。舉例而言,位于掩膜140的邊緣的芯片區(qū)144的圖案145的線寬Wl小于位于掩膜140的中央的芯片區(qū)14
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