一種芯片級(jí)led基板的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種芯片級(jí)LED基板，它涉及LED技術(shù)領(lǐng)域。樹(shù)脂基座上設(shè)置有一對(duì)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的引線(xiàn)框架，引線(xiàn)框架底側(cè)面和外側(cè)面上均設(shè)置有凹陷狀溝槽，樹(shù)脂基座包括樹(shù)脂基座上半部和樹(shù)脂基座下半部，所述樹(shù)脂基座上半部覆蓋在引線(xiàn)框架的上側(cè)面上并和引線(xiàn)框架?chē)梢粋€(gè)反射碗杯，所述的反射碗杯的深度為0.05mm?0.10mm，且所述引線(xiàn)框架的上表面有0.15mm?0.20mm的寬度樹(shù)脂露于所述反射碗杯底部，并將反射碗杯底部區(qū)域?qū)Φ确指?，?shù)脂下半部填充于引線(xiàn)框架之間的間隙以及所述溝槽內(nèi)，并從引線(xiàn)框架的外側(cè)面將引線(xiàn)框架包裹。采用環(huán)氧樹(shù)脂和硅樹(shù)脂的材料與鍍銀引線(xiàn)架進(jìn)行模壓封裝。其封裝結(jié)構(gòu)耐高溫、耐濕熱，降低封裝成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種芯片級(jí)LED基板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型涉及一種芯片級(jí)LED基板，屬于LED技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)今，陶瓷基板作為電子工業(yè)中常用的基材，因其機(jī)械、熱、電性能高，被廣泛應(yīng)用于LED封裝行業(yè)，目前在芯片級(jí)LED封裝行業(yè)，利用陶瓷基板的優(yōu)良的導(dǎo)熱性，高強(qiáng)度，低膨脹系數(shù)的特性可大大縮短了芯片與外界的散熱時(shí)間，來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片級(jí)封裝器材的高信耐度工作。
[0003]目前芯片級(jí)封裝采用的基板大多為氮化鋁陶瓷基板，且多為平面基板，由于熒光膠與陶瓷基板模壓結(jié)合屬于平面結(jié)合，且力度咬合不夠，易造成熒光膠脫落或剝離，影響產(chǎn)品的氣密性。再者在價(jià)格方面氧化鋁陶瓷基板是傳統(tǒng)氧化鋁基板的兩倍，且氮化鋁陶瓷基板在生產(chǎn)工藝上也是相當(dāng)復(fù)雜的:由于氮化鋁在常壓下無(wú)熔點(diǎn)，為難燒結(jié)性物質(zhì)，故制作過(guò)程中需在氮化鋁粉末中添加氧化釔的有機(jī)粘合劑，用制作氧化鋁陶瓷相同的方法一刮膜流延法成型，迭片，脫粘合劑，在氮?dú)?800°C附近常壓燒結(jié)完成。由于氮化鋁陶瓷基板的生產(chǎn)制作需具備特殊技術(shù)要求，加上設(shè)備投資大，制作工藝復(fù)雜，成本居高不下，導(dǎo)致在CSP封裝行業(yè)還無(wú)法實(shí)現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)上述問(wèn)題，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種芯片級(jí)LED基板。
[0005]本實(shí)用新型芯片級(jí)LED基板，它包含包括樹(shù)脂基座1、引線(xiàn)框架2、凹陷狀溝槽3和反射碗杯4，樹(shù)脂基座I上設(shè)置有一對(duì)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的引線(xiàn)框架2，
[0006]所述的引線(xiàn)框架2底側(cè)面2-1和外側(cè)面2-2上均設(shè)置有凹陷狀溝槽3，所述樹(shù)脂基座I包括樹(shù)脂基座上半部1-1和樹(shù)脂基座下半部1-2，所述樹(shù)脂基座上半部1-1覆蓋在引線(xiàn)框架2的上側(cè)面2-3上并和引線(xiàn)框架2圍成一個(gè)反射碗杯4，所述的反射碗杯4的深度為0.05mm-
0.10mm，且所述引線(xiàn)框架2的上表面有0.15mm-0.20mm的寬度樹(shù)脂a露于所述反射碗杯4底部，并將反射碗杯4底部區(qū)域?qū)Φ确指睿鰳?shù)脂下半部1-2填充于引線(xiàn)框架2之間的間隙以及所述溝槽3內(nèi)，并從引線(xiàn)框架2的外側(cè)面2-2將引線(xiàn)框架2包裹。
[0007]作為優(yōu)選，所述引線(xiàn)框架2的外側(cè)面2-2露于反射碗杯4底部除0.15mm
[0008]-0.20mm寬度樹(shù)脂a之外的部分以及底側(cè)面2-1中的露于樹(shù)脂基座I之外的部分設(shè)置有鍍銀層。
[0009]作為優(yōu)選，所述的樹(shù)脂基座I選用的材質(zhì)為耐熱型不飽和環(huán)氧樹(shù)脂或硅樹(shù)脂。
[0010]作為優(yōu)選，所述的引線(xiàn)框架2為銅或者銅合金材料制成制成，且引線(xiàn)框架2的表面全鍍銀。
[0011 ]本實(shí)用新型的有益效果:它能克服現(xiàn)有技術(shù)的弊端，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)新穎合理，采用環(huán)氧樹(shù)脂和硅樹(shù)脂的材料與鍍銀引線(xiàn)架進(jìn)行模壓封裝。其封裝結(jié)構(gòu)耐高溫、耐濕熱，提高了氣密性，同時(shí)降低了封裝成本。
[0012]【附圖說(shuō)明】:
[0013]為了易于說(shuō)明，本實(shí)用新型由下述的具體實(shí)施及附圖作以詳細(xì)描述。
[0014]圖1為本實(shí)用新型的立體結(jié)構(gòu)不意圖；
[0015]圖2為本實(shí)用新型側(cè)視圖；
[0016]圖3為本實(shí)用新型俯視圖；
[0017]圖4為本實(shí)用新型的背面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖5為本實(shí)用新型中引線(xiàn)框架立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖6為本實(shí)用新型中引線(xiàn)框架的底部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]【具體實(shí)施方式】:
[0021 ]如圖1-6所示，本【具體實(shí)施方式】采用以下技術(shù)方案:它包含包括樹(shù)脂基座1、引線(xiàn)框架2、凹陷狀溝槽3和反射碗杯4，樹(shù)脂基座I上設(shè)置有一對(duì)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的引線(xiàn)框架2，所述的引線(xiàn)框架2底側(cè)面2-1和外側(cè)面2-2上均設(shè)置有凹陷狀溝槽3，所述樹(shù)脂基座I包括樹(shù)脂基座上半部1-1和樹(shù)脂基座下半部1-2，所述樹(shù)脂基座上半部1-1覆蓋在引線(xiàn)框架2的上側(cè)面2-3上并和引線(xiàn)框架2圍成一個(gè)反射碗杯4，所述的反射碗杯4的深度為0.05mm-0.10mm，且所述引線(xiàn)框架2的上表面有0.15mm-0.20mm的寬度樹(shù)脂a露于所述反射碗杯4底部，并將反射碗杯4底部區(qū)域?qū)Φ确指?，所述?shù)脂下半部1-2填充于引線(xiàn)框架2之間的間隙以及所述溝槽3內(nèi)，并從引線(xiàn)框架2的外側(cè)面2-2將引線(xiàn)框架2包裹。
[0022]作為優(yōu)選，所述引線(xiàn)框架2的外側(cè)面2-2露于反射碗杯4底部除0.15mm
[0023]-0.20mm寬度樹(shù)脂a之外的部分以及底側(cè)面2-1中的露于樹(shù)脂基座I之外的部分設(shè)置有鍍銀層。
[0024]作為優(yōu)選，所述的樹(shù)脂基座I選用的材質(zhì)為耐熱型不飽和環(huán)氧樹(shù)脂或硅樹(shù)脂。
[0025]作為優(yōu)選，所述的引線(xiàn)框架2為銅或者銅合金材料制成制成，且引線(xiàn)框架2的表面全鍍銀。
[0026]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種芯片級(jí)LED基板，其特征在于:它包含包括樹(shù)脂基座(1)、引線(xiàn)框架(2)、凹陷狀溝槽(3)和反射碗杯(4)，樹(shù)脂基座(I)上設(shè)置有一對(duì)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的引線(xiàn)框架(2)，所述的引線(xiàn)框架(2)底側(cè)面(2-1)和外側(cè)面(2-2)上均設(shè)置有凹陷狀溝槽(3)，所述樹(shù)脂基座(I)包括樹(shù)脂基座上半部(1-1)和樹(shù)脂基座下半部(1-2)，所述樹(shù)脂基座上半部(1-1)覆蓋在引線(xiàn)框架(2)的上側(cè)面(2-3)上并和引線(xiàn)框架(2)圍成一個(gè)反射碗杯(4)，所述的反射碗杯(4)的深度為0.05mm-0.1 Omm，且所述弓I線(xiàn)框架(2)的上表面有0.15mm-0.20mm的寬度樹(shù)脂(a)露于所述反射碗杯(4)的底部，并將反射碗杯(4)底部區(qū)域?qū)Φ确指?，所述?shù)脂下半部(1-2)填充于引線(xiàn)框架(2)之間的間隙以及所述溝槽(3)內(nèi)，并從引線(xiàn)框架(2)的外側(cè)面(2-2)將引線(xiàn)框架(2)包裹。2.按照權(quán)利要求1所述的一種芯片級(jí)LED基板，其特征在于:所述引線(xiàn)框架(2)的外側(cè)面(2-2)露于反射碗杯(4)底部除0.15mm-0.20mm寬樹(shù)脂(a)外的部分以及底側(cè)面(2-1)中的露于樹(shù)脂基座(I)之外的部分設(shè)置有鍍銀層。3.按照權(quán)利要求1所述的一種芯片級(jí)LED基板，其特征在于:所述的樹(shù)脂基座(I)選用的材質(zhì)為耐熱型不飽和環(huán)氧樹(shù)脂或硅樹(shù)脂。4.按照權(quán)利要求1所述的一種芯片級(jí)LED基板，其特征在于:所述的引線(xiàn)框架(2)為銅或者銅合金材料制成，且引線(xiàn)框架(2)的表面全鍍銀。
【文檔編號(hào)】H01L33/48GK205428997SQ201620006044
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年1月7日
【發(fā)明人】李俊東, 柳歡, 張仲元, 張建敏, 其他發(fā)明人請(qǐng)求不公開(kāi)姓名
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