一種掩膜版、曝光裝置及曝光方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領域，尤其涉及一種掩膜版、曝光裝置及曝光方法。
【背景技術】
[0002]彩色濾光片(ColorFilter，CF) —般由黑矩陣(Black Matrix，BM)、著色層(RedGreen Blue，RGB)、覆蓋層(Over Coat, OC)/ 電極層(Indium-Tin Oxide, IT0)與支撐柱(Pillar Spacer,PS)等生產(chǎn)工序組成；其中BM、RGB、PS這幾道工序在生產(chǎn)時存在曝光和顯影作業(yè)；影響曝光圖形線寬的因素主要有曝光量的照度、Dev的電導率以及相應Mask的開口寬。
[0003]由于顯影過程中為傾斜顯影，導致在顯影過程中出現(xiàn)顯影不均的情況。顯影不均是由于在進行顯影(Develop，Dev)過程中，由于玻璃基板(Glass)傾斜導致已參與顯影的藥液通過流動，流到Glass下部，在流動過程中變相稀釋其他區(qū)域的顯影濃度，導致顯影不均。同時由于曝光機受中心光線影響，設備照度也存在偏移，也會影響該顯影過程的線寬(Critical Dimens1n, CD)分布情況。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供一種掩膜版、曝光裝置及曝光方法。能夠提高產(chǎn)品線寬的均勻性。
[0005]基于上述目的本發(fā)明提供的掩膜版，包括基板以及設置在基板上的多個開口圖形，在利用所述掩膜版對目標基板進行曝光時，基板上第一區(qū)域中的開口圖形的光線透過量大于基板第二區(qū)域中的光線透過量，使得第一區(qū)域中多于第二區(qū)域的光線透過量能夠對第二區(qū)域所對應的產(chǎn)品區(qū)域中的線寬進行補償，令產(chǎn)品線寬的一致度大于設定值；所述第一區(qū)域和第二區(qū)域為基板上的兩個區(qū)域。
[0006]可選的，所述第一區(qū)域的開口圖形的開口寬度大于所述第二區(qū)域的開口圖形的開口寬度。
[0007]同時，本發(fā)明提供一種曝光裝置，包括掩膜版，所述掩膜版包括基板以及設置在基板上的多個開口圖形，基板上第一區(qū)域中的光線透過量大于基板第二區(qū)域中的開口圖形的光線透過量，使得第一區(qū)域中多于第二區(qū)域的光線透過量能夠對第二區(qū)域所對應的產(chǎn)品區(qū)域中的線寬進行補償，令產(chǎn)品線寬的一致度大于設定值；所述第一區(qū)域和第二區(qū)域為基板上的兩個區(qū)域。
[0008]可選的，所述第一區(qū)域的開口圖形的開口寬度大于所述第二區(qū)域的開口圖形的開口寬度。
[0009]可選的，所述曝光裝置還包括:
[0010]設置在開口圖形上的濾光片，所述第一區(qū)域中濾光片的光線透過率大于所述第二區(qū)域中濾光片的光線透過率。
[0011]可選的，所述曝光裝置還包括:
[0012]用于投射光線的光線投射模塊；所述光線投射模塊向第一區(qū)域投射的光線量與向第二區(qū)域投射的光線量不同，使得基板上第一區(qū)域中的光線透過量大于基板第二區(qū)域中的光線透過量。
[0013]可選的，所述基板的第三區(qū)域開口寬度大于所述基板的第四區(qū)域開口寬度；所述第三區(qū)域和所述第四區(qū)域為基板上的兩個區(qū)域；所述光線投射模塊向所述第三區(qū)域投射的光線強度小于向所述第四區(qū)域投射的光線強度。
[0014]進一步，本發(fā)明提供一種曝光方法，包括如下步驟:
[0015]采用本發(fā)明任意一項實施例所提供的曝光裝置對目標基板進行曝光，所述目標基板第五區(qū)域接收到的曝光量大于所述目標基板第六區(qū)域接收到的曝光量，其中，所述第五區(qū)域和所述第六區(qū)域為所述目標基板上的兩個區(qū)域；所述第五區(qū)域與所述掩膜版基板的第一區(qū)域對應，所述第六區(qū)域與所述掩膜版的第二區(qū)域對應。
[0016]可選的，所述曝光方法還包括:
[0017]顯影步驟，對曝光后的目標基板進行顯影。
[0018]可選的，所述顯影步驟具體包括:
[0019]將所述目標基板放置入顯影液中，所述目標基板第五區(qū)域與所述顯影液水平面的距離大于所述目標基板第六區(qū)域與所述顯影液水平面的距離。
[0020]從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的掩膜版、曝光機及曝光方法，能夠根據(jù)顯影時顯影液的濃度不均的現(xiàn)象，對掩膜版或曝光機進行改進，使得掩膜版一部分區(qū)域的光線透過量大于另一部分區(qū)域的光線透過量，從而在顯影時，將目標基板浸入顯影液進行顯影，曝光量較多的部分與顯影液濃度低的位置相對應，曝光量較少的部分與顯影液濃度高的位置相對應，從而對目標基板上因為傾斜顯影而產(chǎn)生的產(chǎn)品線寬不一致進行補償；使得在實際線寬小于設計線寬的區(qū)域中，產(chǎn)品線寬增加；同時使得在實際線寬小于設計線寬的區(qū)域中，產(chǎn)品線寬減少。從而實現(xiàn)了令目標基板上的線寬一致度大于某一設定值，提高了線寬的一致性。
【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明實施例的掩膜版結構示意圖；
[0022]圖2為曝光顯影過程中的傾斜顯影示意圖；
[0023]圖3為曝光機曝光原理不意圖；
[0024]圖4A為現(xiàn)有技術的目標基板上形成的圖形線寬分布示意圖；
[0025]圖4B為本發(fā)明實施例的目標基板上形成的圖形線寬分布示意圖。
【具體實施方式】
[0026]為使本發(fā)明要解決的技術問題、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0027]本發(fā)明首先提供一種掩膜版，結構如圖1所示，包括基板以及設置在基板上的多個開口圖形101，在利用所述掩膜版對目標基板進行曝光時，基板上第一區(qū)域102中的開口圖形101的光線透過量大于基板第二區(qū)域103中的光線透過量，使得第一區(qū)域102中多于第二區(qū)域103的光線透過量能夠對第二區(qū)域103所對應的產(chǎn)品區(qū)域中的線寬進行補償，令產(chǎn)品線寬的一致度大于設定值；所述第一區(qū)域101和第二區(qū)域103為基板上的兩個區(qū)域。
[0028]現(xiàn)有技術中，由于傾斜顯影、曝光機照度不均勻等原因，導致目標基板，即目標產(chǎn)品的基板上生成的光圖形線寬不一致，進而導致產(chǎn)品上圖形線寬不一致。如圖2所示，現(xiàn)有技術中，對目標產(chǎn)品基板201進行顯影時，基板201并非水平放置，而是相對于水平方向有所傾斜，導致已經(jīng)參與過顯影的顯影液流動到基板201水平高度較低的一端，使得基板201上方的顯影液濃度發(fā)生變化，假設C。為原顯影液濃度，c為流動后顯影液的濃度，L。為原顯影液占流動后顯影液的體積比；AL為流動的顯影液所占體積比例，即顯影液體積變化率；從而流動后的顯影液的濃度為:c = (c。+ Ac)/ (L0+ Δ L)?？梢钥闯龌?01水平高度較低的一端上方的顯影液濃度降低。
[0029]從而在現(xiàn)有技術中掩膜版上開口圖形線寬一致的情況下，基板201水平高度較低的一端線寬較小，基板201水平高度較高的一端線寬較大。
[0030]而目標產(chǎn)品上的圖形線寬與掩膜版的開口線寬有關，圖3為現(xiàn)有技術中的彩膜基板曝光機曝光原理示意圖，曝光機的光線投射模塊301投射光線，光線穿過掩膜版302的開口圖形3021，照射到目標基板303上，使得目標基板203進行曝光，從圖3中可以看出，掩膜版302的開口圖形3021線寬越大，目標基板303上形成的圖形的線寬就越大。
[0031]本發(fā)明令掩膜版上不同區(qū)域中的開口圖形的光線透過量不同，從而在使用掩膜版進行曝光時，可令目標基板上第一區(qū)域的曝光量大、第二區(qū)域的曝光量小，在顯影時將目標基板曝光量大的部位與顯影液濃度低的位置對應，將目標基板曝光量小的部位與顯影液濃度高的位置對應，以使得顯影時由于傾斜導致目標基板不同部位高低不一致導致的線寬不一致現(xiàn)象得到減輕或消除，提高目標基板產(chǎn)品的圖形線寬一致性。
[0032]本發(fā)明所提供的掩膜版，可應用于所有存在曝光和顯影工序的產(chǎn)品的制作。
[0033]在本發(fā)明具體實施例中，所述線寬的一致度，可以是任意能夠體現(xiàn)產(chǎn)品上不同部位線寬是否一致的參數(shù)。例如，產(chǎn)品實際線寬平均值與設計線寬的比值；產(chǎn)品線寬合格的圖形數(shù)量占圖形總數(shù)量的比值等。
[0034]在本發(fā)明一些實施例中，所述第一區(qū)域的開口圖形的開口寬度大于所述第二區(qū)域的開口圖形的開口寬度。在曝光強度一致的情況下，開口圖形的開口寬度越大，光線透過量越大。
[0035]在本發(fā)明具體實施例中，開口圖形的開口寬度可通過實際試驗進行確定。首先使用開口圖形線寬一致的基準掩膜版對目標基板進行曝光顯影，再根據(jù)目標基板上形成的圖形線寬進行測量，根據(jù)目標基板上形成的圖形線寬和設計線寬的比例將基準掩膜版的開口圖形線寬進行放大或縮小。
[0036]在本發(fā)明的另一些具體實施例中，可在開口圖形線寬不改變的情況下，在掩膜版上設置濾光片，使得通過第二區(qū)域的開口圖形的開口的光線減少，從而在曝光強度和開口大小一致的情況下，第一區(qū)域的開口圖形的光線透過量大于第二區(qū)域的開口圖形的光線透過量。
[0037]同時，本發(fā)明提供一種曝光裝置，包括掩膜版，所述掩膜版包括基板以及設置在基板上的多個開口圖形，基板上第一區(qū)域中的光線透過量大于基板第二區(qū)域中的光線透過量，使得第一區(qū)域中多于第二區(qū)域的光線透過量能夠對第二區(qū)域所對應的產(chǎn)品區(qū)域中的線寬進行補償，令產(chǎn)品線寬的一致度大于設定值；所述第一區(qū)域和第二區(qū)域為基板上的兩個區(qū)域。