曝光掩膜的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及對晶片進行加工時使用的曝光掩模的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在以移動電話為代表的小型輕量的電子設(shè)備中，具備IC、LSI等電子電路的器件芯片是必要的結(jié)構(gòu)。器件芯片例如可以通過如下過程制造:通過被稱為間隔道的多條分割預(yù)定線對由硅等材料制成的晶片的正面進行劃分，并在各區(qū)域內(nèi)形成電子電路之后，沿著該間隔道切割晶片。
[0003]在切割晶片時，例如，在使高速旋轉(zhuǎn)的切削刀具切入晶片的間隔道之后，使切削刀具以及晶片向與間隔道平行的方向相對移動。但是，在該方法中，由于將晶片沿間隔道機械地刮切，由此器件芯片的抗彎強度容易降低。
[0004]此外，在該方法中，由于需要在高精度地將切削刀具定位于間隔道之后對各間隔道進行單獨地切削，因此到加工結(jié)束為止需要長時間。特別地，該問題在要進行切削的分割預(yù)定線的數(shù)量較多的晶片中較深刻。
[0005]因此，近年來，提出了利用等離子蝕刻來切割晶片的方法(例如，參照專利文獻I)。在該方法中，由于通過等離子蝕刻能夠一次對晶片的整個面進行加工，因此即使由于器件芯片的小型化、晶片的大型化等造成要加工的分割預(yù)定線的數(shù)量增多，加工時間也可以基本不變。
[0006]此外，由于不是將晶片機械地刮切，因此抑制了加工時的缺口等，能夠較高地維持器件芯片的抗彎強度。另外，在該方法中，使用在玻璃基板的表面上形成有由鉻等制成的遮光膜的圖案的曝光掩模(例如，參照專利文獻2)，在晶片的正面和背面上形成有蝕刻用的抗蝕膜。
[0007]專利文獻1:日本特開2006-114825號公報
[0008]專利文獻2:日本特開昭62-229151號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]但是，上述曝光掩模是通過遮光膜的形成、抗蝕膜的覆蓋、抗蝕膜的圖案描繪、遮光膜的蝕刻等復(fù)雜的工序而制造的，價格較高，因此如果使用該曝光掩模，則晶片的加工成本也會變高。
[0010]本發(fā)明是鑒于上述問題點而完成的，其目的在于提供一種曝光掩模的制造方法，該曝光掩模的制造方法與現(xiàn)有的方法相比，能夠通過簡單的工序廉價地制造曝光掩模。
[0011]根據(jù)本發(fā)明，提供一種曝光掩模的制造方法，該曝光掩模的制造方法是晶片加工用的曝光掩模的制造方法，該曝光掩模的制造方法具備:準備工序，準備遮光板，該遮光板在透光并具有要加工的晶片以上的大小的板狀部件的正面上覆蓋有遮擋光的遮光膜；槽形成工序，在與該晶片的間隔道相對應(yīng)的該遮光板的正面?zhèn)鹊膮^(qū)域形成去除該遮光膜并且深度未達到該遮光板的背面的槽；以及樹脂埋設(shè)工序，將透明的樹脂埋設(shè)于該槽而填埋在該槽形成工序中形成于該槽的底部的凹凸。
[0012]在本發(fā)明中，優(yōu)選該樹脂埋設(shè)工序通過具有噴墨噴嘴的埋設(shè)機構(gòu)來進行。
[0013]此外，在本發(fā)明中，優(yōu)選在該樹脂埋設(shè)工序中，在形成有該槽的該遮光板的正面整體上覆蓋該樹脂而將該樹脂埋設(shè)于該槽。
[0014]本發(fā)明的曝光掩模的制造方法包含如下工序:準備工序，準備遮光板，該遮光板在透光的板狀部件的正面覆蓋有遮擋光的遮光膜；槽形成工序，在與晶片的間隔道相對應(yīng)的遮光板的正面?zhèn)刃纬扇コ诠饽げ⑶疑疃任催_到遮光板的背面的槽；以及樹脂埋設(shè)工序，將透明的樹脂埋設(shè)于遮光板的槽中。
[0015]因此，能夠不通過抗蝕膜的覆蓋、抗蝕膜的圖案描繪、遮光膜的蝕刻之類復(fù)雜的工序而制造具備與晶片的間隔道相對應(yīng)的透射圖案的曝光掩模。這樣，根據(jù)本實施方式，能夠提供一種曝光掩模的制造方法，該曝光掩模的制造方法與現(xiàn)有的方法相比能夠以簡單的工序廉價地制造曝光掩模。
【附圖說明】
[0016]圖1中的(A)是示意性地示出晶片的結(jié)構(gòu)例的立體圖，圖1中的(B)是示意性地示出晶片的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。
[0017]圖2中的(A)是示意性地示出遮光板以及槽形成工序的立體圖，圖2中的(B)是示意性地示出槽形成工序之后的遮光板的剖視圖。
[0018]圖3中的㈧是示意性地示出樹脂埋設(shè)工序的局部剖視側(cè)視圖，圖3中的⑶是示意性地示出樹脂埋設(shè)工序之后的遮光板的立體圖。
[0019]圖4是示意性地示出樹脂埋設(shè)工序的變形例的剖視圖。
[0020]標號說明
[0021]11:晶片；lla:正面；llb:背面；llc:外周；13:器件區(qū)域；15:外周剩余區(qū)域；17:間隔道(分割預(yù)定線);19:器件；21:板狀部件;21a:正面;21b:背面;23:遮光膜;25:遮光板;27 -M ;27a:底部;29:液體;31:樹脂;33:樹脂膜(樹脂);2:切削刀具;4:噴墨噴嘴(埋設(shè)機構(gòu))
【具體實施方式】
[0022]參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。本實施方式的曝光掩模的制造方法包含準備工序、槽形成工序(參照圖2的(A)以及圖2的(B))、以及樹脂埋設(shè)工序(參照圖3的
(A)以及圖3的(B)) ο
[0023]在準備工序中，準備遮光板，該遮光板在透光的板狀部件的正面上覆蓋有遮擋光的遮光膜。在槽形成工序中，在與晶片的間隔道相對應(yīng)的遮光板的正面?zhèn)?，去除遮光膜并且形成深度未到達遮光板的背面的槽。在樹脂埋設(shè)工序中，將透明的樹脂埋設(shè)于遮光板的槽中。以下，對本實施方式的曝光掩模的制造方法進行詳細敘述。
[0024]首先，對使用本實施方式的曝光掩模而加工的晶片進行說明。圖1的(A)是示意性地示出晶片的結(jié)構(gòu)例的立體圖，圖1的⑶是示意性地示出晶片的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。
[0025]如圖1的(A)以及圖1的⑶所示，晶片11是例如由硅等半導(dǎo)體材料形成的大致圓形的板狀物，正面Ila被分為中央的器件區(qū)域13與包圍器件區(qū)域13的外周剩余區(qū)域15。
[0026]器件區(qū)域13進一步被排列為格子狀的間隔道(分割預(yù)定線)17劃分為多個區(qū)域，在各區(qū)域內(nèi)形成有IC等器件19。晶片11的外周Ilc被倒角加工而帶有圓角。
[0027]在本實施方式的曝光掩模的制造方法中，制造具備與上述晶片11的間隔道17相對應(yīng)的透射圖案的曝光掩模。具體而言，首先，實施準備工序，準備被加工成曝光掩模的遮光板。圖2的(A)是示意性地示出本實施方式的遮光板、以及在準備工序之后實施的槽形成工序的立