掩膜板及設(shè)計方法、陣列基板及制作方法、相關(guān)顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種掩膜板及設(shè)計方法、陣列基板及制作方法、相關(guān)顯示裝置，用以減小周邊電路區(qū)包括的薄膜晶體管的溝道長度與顯示區(qū)包括的薄膜晶體管的溝道長度的差異，提高顯示面板的特性。掩膜板用于對陣列基板曝光，包括對陣列基板的顯示區(qū)曝光的第一區(qū)域和對陣列基板的周邊電路區(qū)曝光的第二區(qū)域，第一區(qū)域包括若干第一半透光區(qū)域，第二區(qū)域包括若干第二半透光區(qū)域，其中，第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值與第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值的差值小于零；預(yù)設(shè)方向?yàn)榕c陣列基板上設(shè)置的薄膜晶體管的溝道長度垂直的方向。
【專利說明】
掩膜板及設(shè)計方法、陣列基板及制作方法、相關(guān)顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜板及設(shè)計方法、陣列基板及制作方 法、相關(guān)顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 薄膜晶體管液晶顯不面板（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display， TFT-LCD)是目前常用的平板顯示器，液晶顯示面板以其體積小、功耗低、無輻射、分辨率高 等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛地應(yīng)用于現(xiàn)代數(shù)字信息化設(shè)備中。
[0003] 隨著TFT-LCD的發(fā)展，現(xiàn)有技術(shù)對柵極驅(qū)動集成電路進(jìn)行了改進(jìn)，采用陣列基板行 驅(qū)動電路(Gate Driver On Array，G0A)技術(shù)將柵極驅(qū)動集成電路(Gate IC)直接做在陣列 (Array)基板上，在實(shí)際生產(chǎn)過程中降低了購買集成電路的成本。
[0004] 具體地，現(xiàn)有技術(shù)Array基板劃分為顯示區(qū)和周邊電路區(qū)，GOA技術(shù)將柵極驅(qū)動集 成電路做在周邊電路區(qū)中，制作的柵極驅(qū)動集成電路包括若干第一薄膜晶體管，陣列基板 的顯示區(qū)包括若干陣列排列的第二薄膜晶體管，其中制作第一薄膜晶體管的源極和漏極與 制作第二薄膜晶體管的源極和漏極采用同一張掩膜板。
[0005] 但現(xiàn)有技術(shù)制作形成的周邊電路區(qū)包括的第一薄膜晶體管的溝道長度與顯示區(qū) 包括的第二薄膜晶體管的溝道長度存在差異，而溝道長度決定薄膜晶體管器件的寬長比 (W/L)，是影響薄膜晶體管開關(guān)比（Ion/Ioff)等電性參數(shù)的關(guān)鍵因素，導(dǎo)致現(xiàn)有技術(shù)制作形 成的顯示面板的特性較差。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩膜板及設(shè)計方法、陣列基板及制作方法、相關(guān)顯示裝 置，用以減小周邊電路區(qū)包括的薄膜晶體管的溝道長度與顯示區(qū)包括的薄膜晶體管的溝道 長度的差異，提高顯示面板的特性。
[0007] 本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜板，用于對陣列基板曝光，包括對陣列基板的顯示 區(qū)曝光的第一區(qū)域和對陣列基板的周邊電路區(qū)曝光的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域包括若干第 一半透光區(qū)域，所述第二區(qū)域包括若干第二半透光區(qū)域，其中，所述第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè) 方向上的長度值與所述第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值的差值小于零；
[0008]所述預(yù)設(shè)方向?yàn)榕c所述陣列基板上設(shè)置的薄膜晶體管的溝道長度垂直的方向。 [0009]由本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板，該掩膜板的第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度 值小于所述第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值，預(yù)設(shè)方向?yàn)榕c陣列基板上設(shè)置的薄膜 晶體管的溝道長度垂直的方向，由于當(dāng)掩膜板的第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值等 于第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值時，采用這種掩膜板對陣列基板曝光后，位于顯 示區(qū)的薄膜晶體管的溝道長度值小于位于周邊電路區(qū)的薄膜晶體管的溝道長度值，本發(fā)明 實(shí)施例通過減小掩膜板的第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值，使得此時周邊電路區(qū)對 應(yīng)的薄膜晶體管的溝道長度值減小，進(jìn)而能夠減小周邊電路區(qū)包括的薄膜晶體管的溝道長 度與顯示區(qū)包括的薄膜晶體管的溝道長度的差異，提高顯示面板的特性。
[0010]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種上述掩膜板的設(shè)計方法，該方法包括確定所述第二半 透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值與所述第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值的差值的 方法，具體包括：
[0011]根據(jù)預(yù)先建立的補(bǔ)償值計算基準(zhǔn)，以及預(yù)先獲得的實(shí)際工藝差值確定所述第二半 透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值與所述第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值的差值。
[0012] 較佳地，所述補(bǔ)償值計算基準(zhǔn)為所述第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度增加值 與該長度增加值對應(yīng)的實(shí)際長度增加值之間的對應(yīng)關(guān)系；
[0013] 所述實(shí)際長度增加值為采用所述掩膜板對陣列基板進(jìn)行構(gòu)圖工藝后，所述陣列基 板上與所述第二半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的測試長度值。
[0014] 較佳地，所述實(shí)際工藝差值為當(dāng)所述第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值等于 所述第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值時，采用所述掩膜板對陣列基板進(jìn)行構(gòu)圖工藝 后，所述陣列基板上與所述第一半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的測試長度值與所述第 二半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的測試長度值的差值。
[0015] 較佳地，所述構(gòu)圖工藝包括光刻膠的涂覆、曝光、顯影以及去除光刻膠的部分或全 部過程。
[0016] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種采用上述掩膜板制作陣列基板的方法，該方法包括制 作顯示區(qū)的薄膜晶體管和制作周邊電路區(qū)的薄膜晶體管，具體包括：
[0017] 提供一基底；
[0018] 在所述基底上沉積一層金屬膜層，在所述金屬膜層上涂覆光刻膠，采用所述掩膜 板進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成所述顯示區(qū)的薄膜晶體管的源極和漏極，以及所述周邊電路區(qū)的薄 膜晶體管的源極和漏極。
[0019] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板采用上述陣列基板的制作方法 制作形成。
[0020] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括上述的陣列基板。
[0021] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的顯示面板。
【附圖說明】
[0022] 圖1為陣列基板包括的周邊電路區(qū)和顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023] 圖2(a)為陣列基板周邊電路區(qū)包括的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖2(b)為陣列基板顯示區(qū)包括的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖3-圖6為形成陣列基板周邊電路區(qū)以及顯示區(qū)包括的薄膜晶體管的源極和漏極 時不同過程的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026] 圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板包括的第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的設(shè)計長 度值與采用該掩膜板對陣列基板進(jìn)行構(gòu)圖工藝后測試的陣列基板上與第二半透光區(qū)域?qū)?應(yīng)區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值的對應(yīng)關(guān)系示意圖；
[0028] 圖9為本發(fā)明實(shí)施例在確定實(shí)際工藝差值時，掩膜板的半透光區(qū)域設(shè)計值與采用 掩膜板曝光后光刻膠部分保留區(qū)的厚度值的對應(yīng)關(guān)系示意圖；
[0029] 圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種采用上述掩膜板制作陣列基板的方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030] 附圖中各膜層厚度和區(qū)域大小、形狀不反應(yīng)各膜層的真實(shí)比例，目的只是示意說 明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0031] 如圖1所示，陣列基板劃分為顯示區(qū)12和周邊電路區(qū)11，周邊電路區(qū)11包括若干第 一薄膜晶體管，顯示區(qū)12包括若干第二薄膜晶體管，第一薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)如圖2(a)所示， 第二薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)如圖2(b)所示，從圖2(a)和圖2(b)可以看到，第一薄膜晶體管和第 二薄膜晶體管的圖案(Patten)不同，第一薄膜晶體管大多設(shè)計為連續(xù)的長溝道，第一薄膜 晶體管形成源極和漏極時采用單狹縫掩膜板(Modified Single Slit Mask)曝光后需要被 顯影的區(qū)域較小；而第二薄膜晶體管大多設(shè)計為若干個像素結(jié)構(gòu)，形成源極和漏極時采用 單狹縫掩膜板曝光后需要被顯影的區(qū)域相對較大。單狹縫掩膜板是將薄膜晶體管的溝道位 置處透光區(qū)的尺寸做到低于曝光機(jī)的解析度，從而使得光源只有小于等于70%的光可通過 這個透光區(qū)照射光刻膠，最終達(dá)成半透光的效果。
[0032]如圖3所示，制作第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的源極和漏極時，首先在襯底 基板10上沉積一層金屬層21，然后在金屬層21上涂覆光刻膠22,之后采用單狹縫掩膜板對 光刻膠22進(jìn)行曝光，曝光后進(jìn)行顯影，根據(jù)圖2(a)和圖2(b)可知，曝光后第二薄膜晶體管需 要被顯影的區(qū)域相對較大，因此在顯影過程中，消耗的顯影液較多；曝光后第一薄膜晶體管 需要被顯影的區(qū)域相對較小，因此在顯影過程中，消耗的顯影液較少。其中，采用的單狹縫 掩膜板包括對陣列基板的顯示區(qū)曝光的第一區(qū)域和對陣列基板的周邊電路區(qū)曝光的第二 區(qū)域，第一區(qū)域包括若干第一半透光區(qū)域，第二區(qū)域包括若干第二半透光區(qū)域，第一半透光 區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值與第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值相等，這里的預(yù)設(shè)方 向?yàn)榕c第一薄膜晶體管或第二薄膜晶體管的溝道長度垂直的方向。
[0033] 如圖3所示，顯影后光刻膠22形成光刻膠完全保留區(qū)（對應(yīng)圖中光刻膠厚度較厚的 區(qū)域）、光刻膠部分保留區(qū)（對應(yīng)圖中光刻膠厚度較薄的區(qū)域)和光刻膠完全去除區(qū)。而由于 單狹縫掩膜板設(shè)計的第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值與第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方 向上的長度值相等，則此時顯示區(qū)12對應(yīng)的光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠厚度正常，如圖中 的厚度hi;而周邊電路區(qū)11對應(yīng)的光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠厚度偏低，原因?yàn)榇藚^(qū)域消 耗的顯影液少，因此這個區(qū)域的顯影液濃度會上升，消耗光刻膠的能力增強(qiáng)，最終使得這個 區(qū)域保留的光刻膠厚度偏低，如圖中的厚度h2。
[0034] 如圖4所示，對顯示區(qū)12和周邊電路區(qū)11未被光刻膠覆蓋區(qū)域的金屬層進(jìn)行刻蝕， 分別形成顯示區(qū)12的金屬層212和周邊電路區(qū)11的金屬層211。之后進(jìn)行灰化(Ashing)工 藝，去除光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠，如圖5所示，由于周邊電路區(qū)11對應(yīng)的光刻膠部分保 留區(qū)的光刻膠厚度偏低，因此在灰化過程中這部分光刻膠被去除的較多，最終顯示區(qū)12對 應(yīng)位置處的光刻膠之間的距離al較周邊電路區(qū)11對應(yīng)位置處的光刻膠之間的距離a2小。
[0035] 最后，對顯示區(qū)12和周邊電路區(qū)11未被光刻膠覆蓋區(qū)域的金屬層再次進(jìn)行刻蝕， 在顯示區(qū)12形成第二薄膜晶體管的源極2121和漏極2122,在周邊電路區(qū)11形成第一薄膜晶 體管的源極2111和漏極2112,如圖6所示，此時第二薄膜晶體管的溝道長度值Ll小于第一薄 膜晶體管的溝道長度值L2。
[0036] 因此，當(dāng)曝光時采用的單狹縫掩膜板設(shè)計的第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度 值與第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值相等時，顯示區(qū)對應(yīng)的光刻膠部分保留區(qū)的光 刻膠厚度與周邊電路區(qū)對應(yīng)的光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠厚度存在差異，最終會導(dǎo)致顯示 區(qū)包括的薄膜晶體管的溝道長度與周邊電路區(qū)包括的薄膜晶體管的溝道長度的差異。
[0037] 有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩膜板及設(shè)計方法、陣列基板及制作方法、相 關(guān)顯示裝置，用以減小周邊電路區(qū)包括的薄膜晶體管的溝道長度與顯示區(qū)包括的薄膜晶體 管的溝道長度的差異，提高顯示面板的特性。
[0038]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn) 一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施 例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的 所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0039] 下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明具體實(shí)施例提供的掩膜板及其設(shè)計方法。
[0040] 如圖7所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供了一種掩膜板，用于對陣列基板曝光，包括對 陣列基板的顯示區(qū)曝光的第一區(qū)域61和對陣列基板的周邊電路區(qū)曝光的第二區(qū)域62,第一 區(qū)域61包括若干第一半透光區(qū)域611，第二區(qū)域62包括若干第二半透光區(qū)域622,其中，第二 半透光區(qū)域622在預(yù)設(shè)方向上的長度值與第一半透光區(qū)域611在預(yù)設(shè)方向上的長度值的差 值小于零，預(yù)設(shè)方向?yàn)榕c陣列基板上設(shè)置的薄膜晶體管的溝道長度垂直的方向，預(yù)設(shè)方向 如圖中的箭頭所示的方向。
[0041] 本發(fā)明具體實(shí)施例中第一半透光區(qū)域611在預(yù)設(shè)方向上的長度值為L61，該長度值 指第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的區(qū)域邊界之間的距離，同樣地，第二半透光區(qū)域622在預(yù) 設(shè)方向上的長度值L62指第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的區(qū)域邊界之間的距離。
[0042] 根據(jù)以上對附圖1至附圖6的分析可知，當(dāng)采用第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長 度值等于第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值的掩膜板對陣列基板曝光后，位于顯示區(qū) 的薄膜晶體管的溝道長度值小于位于周邊電路區(qū)的薄膜晶體管的溝道長度值，本發(fā)明具體 實(shí)施例通過減小第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值，使得周邊電路區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體 管的溝道長度值減小，進(jìn)而能夠減小周邊電路區(qū)包括的薄膜晶體管的溝道長度與顯示區(qū)包 括的薄膜晶體管的溝道長度的差異，提高顯示面板的特性。
[0043] 本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種上述掩膜板的設(shè)計方法，該方法包括確定第二半 透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值與第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值的差值的方法， 具體包括：
[0044] 根據(jù)預(yù)先建立的補(bǔ)償值計算基準(zhǔn)，以及預(yù)先獲得的實(shí)際工藝差值確定第二半透光 區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值與第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值的差值。
[0045] 具體地，本發(fā)明具體實(shí)施例中補(bǔ)償值計算基準(zhǔn)為第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的 長度增加值與該長度增加值對應(yīng)的實(shí)際長度增加值之間的對應(yīng)關(guān)系；其中，實(shí)際長度增加 值為采用掩膜板對陣列基板進(jìn)行構(gòu)圖工藝后，陣列基板上與第二半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域在預(yù) 設(shè)方向上的測試長度值。本發(fā)明具體實(shí)施例中的構(gòu)圖工藝包括光刻膠的涂覆、曝光、顯影以 及去除光刻膠的部分或全部過程。
[0046] 具體地，本發(fā)明具體實(shí)施例中實(shí)際工藝差值為當(dāng)?shù)谝话胪腹鈪^(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的 長度值等于第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值時，采用掩膜板對陣列基板進(jìn)行構(gòu)圖工 藝后，陣列基板上與第一半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的測試長度值與第二半透光區(qū) 域?qū)?yīng)區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的測試長度值的差值。本發(fā)明具體實(shí)施例中的構(gòu)圖工藝包括光刻 膠的涂覆、曝光、顯影以及去除光刻膠的部分或全部過程。
[0047]下面以一個具體的實(shí)施例說明本發(fā)明具體實(shí)施例根據(jù)預(yù)先建立的補(bǔ)償值計算基 準(zhǔn)，以及預(yù)先獲得的實(shí)際工藝差值確定第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值與第一半透 光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值的差值的方法。
[0048]本發(fā)明具體實(shí)施例在建立補(bǔ)償值計算基準(zhǔn)時，首先將掩膜板的第二半透光區(qū)域在 預(yù)設(shè)方向上設(shè)計多組不同的長度值，如:第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上設(shè)計的長度值分別 為1.7μπι、1.9μπι和2.1μπι;接著，采用第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上設(shè)計的不同長度值的掩 膜板對陣列基板進(jìn)行構(gòu)圖工藝，構(gòu)圖工藝后分別測試陣列基板上與第二半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū) 域在預(yù)設(shè)方向上的長度值，得到第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度增加值與該長度增加 值對應(yīng)的實(shí)際長度增加值之間的對應(yīng)關(guān)系。
[0049] 具體如圖8所示，圖中橫坐標(biāo)表示第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的設(shè)計長度值，縱 坐標(biāo)表示構(gòu)圖工藝后測試的陣列基板上與第二半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度 值，當(dāng)?shù)诙胪腹鈪^(qū)域在預(yù)設(shè)方向上設(shè)計的長度值為1.7μπι時，構(gòu)圖工藝后測試的陣列基板 上與第二半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值為3.32μπι;當(dāng)?shù)诙胪腹鈪^(qū)域在預(yù)設(shè) 方向上設(shè)計的長度值為1.9μπι時，構(gòu)圖工藝后測試的陣列基板上與第二半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū) 域在預(yù)設(shè)方向上的長度值為3.74μπι;第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上設(shè)計的長度值為2. Ιμπι 時，構(gòu)圖工藝后測試的陣列基板上與第二半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值為 4.15μπι。實(shí)際生產(chǎn)過程中，通過大量的上述測試過程，得到本發(fā)明具體實(shí)施例中掩膜板的第 二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值每增加0 · 2um，工藝完成后實(shí)際長度值增加約0 · 4um〇
[0050] 本發(fā)明具體實(shí)施例在確定實(shí)際工藝差值時，首先將掩膜板的第一半透光區(qū)域在預(yù) 設(shè)方向上的長度值與第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值設(shè)計為相等的值，這里記為半 透光區(qū)域設(shè)計值，如圖9所示，橫坐標(biāo)表示半透光區(qū)域分別在曝光強(qiáng)度為40毫焦(mj)和45mj 時的設(shè)計值，縱坐標(biāo)表示采用這種半透光區(qū)域設(shè)計值的掩膜板對光刻膠曝光后，光刻膠部 分保留區(qū)的厚度值，這里以曝光強(qiáng)度為40mj為例說明，在40mj下，由于實(shí)際工藝中光刻膠部 分保留區(qū)的理想厚度值為5000埃(A )，從圖9中可以看到，此時半透光區(qū)域設(shè)計值約為 2.Oum，因此在確定實(shí)際工藝差值時，將掩膜板在第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值設(shè) 計為等于第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值等于2.Oum，另外，圖9中45mj下光刻膠部 分保留區(qū)的厚度值的變化趨勢與40mj下的一致，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)較可靠;接著，采用這種設(shè)計的掩 膜板對陣列基板進(jìn)行構(gòu)圖工藝，構(gòu)圖工藝后分別測試陣列基板上與第一半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū) 域在預(yù)設(shè)方向上的長度值，以及陣列基板上與第二半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長 度值，通過實(shí)際測試可知，陣列基板上與第一半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值 比陣列基板上與第二半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值小約〇 · 2um到0 · 3um〇
[0051] 這時，根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施例上述得到的補(bǔ)償值計算基準(zhǔn)，即掩膜板的第二半透 光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值每增加〇.2um，工藝完成后實(shí)際長度值增加約0.4um，以及上 面確定的實(shí)際工藝差值，本發(fā)明具體實(shí)施例第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值設(shè)計為 1.9um，第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值設(shè)計為2um〇
[0052] 為了進(jìn)一步驗(yàn)證本發(fā)明具體實(shí)施例采用第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值 為1.9um，第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值為2um的掩膜板曝光后，陣列基板上的第 一薄膜晶體管的溝道長度值與第二薄膜晶體管的溝道長度值之間的關(guān)系，本發(fā)明具體實(shí)施 例在51毫焦(mj)下對陣列基板進(jìn)行曝光，之后測試形成的陣列基板上的第一薄膜晶體管的 溝道長度值與第二薄膜晶體管的溝道長度值，測試結(jié)果顯示第一薄膜晶體管的溝道長度值 與第二薄膜晶體管的溝道長度值相等。這樣，本發(fā)明具體實(shí)施例使得周邊電路區(qū)包括的薄 膜晶體管的溝道長度與顯示區(qū)包括的薄膜晶體管的溝道長度的差異進(jìn)一步得到了減小，從 而使得顯示面板的特性得到了進(jìn)一步的提升。
[0053]如圖10所示，本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種采用上述的掩膜板制作陣列基板的 方法，該方法包括制作顯示區(qū)的薄膜晶體管和制作周邊電路區(qū)的薄膜晶體管，具體包括：
[0054] S1001、提供一基底；
[0055] S1002、在所述基底上沉積一層金屬膜層，在所述金屬膜層上涂覆光刻膠，采用所 述掩膜板進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成所述顯示區(qū)的薄膜晶體管的源極和漏極，以及所述周邊電路 區(qū)的薄膜晶體管的源極和漏極。
[0056] 本發(fā)明具體實(shí)施例曝光時采用的本發(fā)明具體實(shí)施例提供的掩膜板的第一半透光 區(qū)域與顯示區(qū)的薄膜晶體管的溝道區(qū)域?qū)?yīng)，第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值對應(yīng) 顯示區(qū)的薄膜晶體管的溝道長度值;第二半透光區(qū)域與周邊電路區(qū)的薄膜晶體管的溝道區(qū) 域?qū)?yīng)，第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值對應(yīng)周邊電路區(qū)的薄膜晶體管的溝道長度 值。
[0057] 本發(fā)明具體實(shí)施例中采用掩膜板進(jìn)行的構(gòu)圖工藝時，包括曝光、顯影、刻蝕以及光 刻膠的去除過程，本發(fā)明具體實(shí)施例當(dāng)在金屬膜層上涂覆的光刻膠為正性光刻膠時，采用 掩膜板曝光以及顯影后，光刻膠完全保留區(qū)對應(yīng)掩膜板的非透光區(qū)，顯示區(qū)對應(yīng)位置處的 光刻膠部分保留區(qū)對應(yīng)掩膜板的第一半透光區(qū)域，周邊電路區(qū)對應(yīng)位置處的光刻膠部分保 留區(qū)對應(yīng)掩膜板的第二半透光區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)掩膜板的全透光區(qū)；其中，本發(fā) 明具體實(shí)施例光刻膠完全保留區(qū)對應(yīng)需要形成薄膜晶體管的源極和漏極的區(qū)域，光刻膠部 分保留區(qū)對應(yīng)需要形成薄膜晶體管的溝道的區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)基底上的其它區(qū) 域。
[0058]本發(fā)明具體實(shí)施例當(dāng)在金屬膜層上涂覆的光刻膠為負(fù)性光刻膠時，采用掩膜板曝 光以及顯影后，光刻膠完全保留區(qū)對應(yīng)掩膜板的全透光區(qū)，顯示區(qū)對應(yīng)位置處的光刻膠部 分保留區(qū)對應(yīng)掩膜板的第一半透光區(qū)域，周邊電路區(qū)對應(yīng)位置處的光刻膠部分保留區(qū)對應(yīng) 掩膜板的第二半透光區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)掩膜板的非透光區(qū)。
[0059] 本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板采用本發(fā)明具體實(shí)施例提 供的陣列基板的制作方法制作形成。
[0060] 本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括本發(fā)明具體實(shí)施例提 供的上述陣列基板。
[0061] 本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發(fā)明具體實(shí)施例提 供的上述顯示面板，該顯示裝置可以為液晶面板、液晶顯示器、液晶電視、有機(jī)發(fā)光二極管 (Organic Light Emitting Diode，0LED)面板、OLED顯示器、OLED電視或電子紙等顯示裝 置。
[0062] 綜上所述，本發(fā)明具體實(shí)施例提供一種掩膜板，用于對陣列基板曝光，包括對陣列 基板的顯示區(qū)曝光的第一區(qū)域和對陣列基板的周邊電路區(qū)曝光的第二區(qū)域，第一區(qū)域包括 若干第一半透光區(qū)域，第二區(qū)域包括若干第二半透光區(qū)域，其中，第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方 向上的長度值與第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值的差值小于零;預(yù)設(shè)方向?yàn)榕c陣列 基板上設(shè)置的薄膜晶體管的溝道長度垂直的方向。由于采用第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上 的長度值等于第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值的掩膜板對陣列基板曝光后，位于顯 示區(qū)的薄膜晶體管的溝道長度值小于位于周邊電路區(qū)的薄膜晶體管的溝道長度值，本發(fā)明 具體實(shí)施例通過減小第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值，使得周邊電路區(qū)對應(yīng)的薄膜 晶體管的溝道長度值減小，進(jìn)而能夠減小周邊電路區(qū)包括的薄膜晶體管的溝道長度與顯示 區(qū)包括的薄膜晶體管的溝道長度的差異，提高顯示面板的特性。
[0063]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種掩膜板，用于對陣列基板曝光，包括對陣列基板的顯示區(qū)曝光的第一區(qū)域和對 陣列基板的周邊電路區(qū)曝光的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域包括若干第一半透光區(qū)域，所述第 二區(qū)域包括若干第二半透光區(qū)域，其特征在于，所述第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度 值與所述第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值的差值小于零； 所述預(yù)設(shè)方向?yàn)榕c所述陣列基板上設(shè)置的薄膜晶體管的溝道長度垂直的方向。2. -種如權(quán)利要求1所述的掩膜板的設(shè)計方法，其特征在于，所述方法包括確定所述第 二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值與所述第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值的差 值的方法，具體包括： 根據(jù)預(yù)先建立的補(bǔ)償值計算基準(zhǔn)，以及預(yù)先獲得的實(shí)際工藝差值確定所述第二半透光 區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值與所述第一半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值的差值。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)計方法，其特征在于，所述補(bǔ)償值計算基準(zhǔn)為所述第二半透 光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度增加值與該長度增加值對應(yīng)的實(shí)際長度增加值之間的對應(yīng)關(guān) 系； 所述實(shí)際長度增加值為采用所述掩膜板對陣列基板進(jìn)行構(gòu)圖工藝后，所述陣列基板上 與所述第二半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的測試長度值。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)計方法，其特征在于，所述實(shí)際工藝差值為當(dāng)所述第一半透 光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值等于所述第二半透光區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的長度值時，采用所 述掩膜板對陣列基板進(jìn)行構(gòu)圖工藝后，所述陣列基板上與所述第一半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域在 預(yù)設(shè)方向上的測試長度值與所述第二半透光區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域在預(yù)設(shè)方向上的測試長度值的 差值。5. 根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的設(shè)計方法，其特征在于，所述構(gòu)圖工藝包括光刻膠的涂覆、 曝光、顯影以及去除光刻膠的部分或全部過程。6. -種采用權(quán)利要求1所述的掩膜板制作陣列基板的方法，其特征在于，所述方法包括 制作顯示區(qū)的薄膜晶體管和制作周邊電路區(qū)的薄膜晶體管，具體包括： 提供一基底； 在所述基底上沉積一層金屬膜層，在所述金屬膜層上涂覆光刻膠，采用所述掩膜板進(jìn) 行構(gòu)圖工藝，形成所述顯示區(qū)的薄膜晶體管的源極和漏極，以及所述周邊電路區(qū)的薄膜晶 體管的源極和漏極。7. -種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板采用權(quán)利要求6所述的方法制作形成。8. -種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求7所述的陣列基板。9. 一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求8所述的顯示面板。
【文檔編號】H01L27/12GK105842980SQ201610388518
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年6月2日
【發(fā)明人】畢鑫, 林承武, 趙永亮, 寧智勇, 王兆君, 張超
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 重慶京東方光電科技有限公司