曝光掩膜的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及在對(duì)晶片進(jìn)行加工時(shí)所使用的曝光掩膜的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在以手機(jī)為代表的小型、輕量的電子設(shè)備中，具備1C、LSI等電子電路的器件芯片成為必須的構(gòu)成部分。器件芯片例如能夠以下述方式進(jìn)行制造:通過(guò)被稱作間隔道的多個(gè)分割預(yù)定線對(duì)由硅等材料構(gòu)成的晶片的表面進(jìn)行劃分，并在各區(qū)域中形成電子電路，然后沿著該間隔道將晶片切斷。
[0003]在切斷晶片時(shí)，例如在使高速旋轉(zhuǎn)的切削刀具切入晶片的間隔道后，使切削刀具和晶片在與間隔道平行的方向上相對(duì)移動(dòng)?？墒牵谠摲椒ㄖ?，由于沿著間隔道機(jī)械地切削晶片，因此，器件芯片的抗彎強(qiáng)度容易降低。
[0004]另外，在該方法中，由于需要在將切削刀具相對(duì)于間隔道高精度地進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)之后分別切削各間隔道，因此，至加工結(jié)束為止需要相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間。特別是，該問(wèn)題在待切削的分割預(yù)定線的數(shù)量較多的晶片中很嚴(yán)重。
[0005]因此，近年來(lái)，提出有利用等離子蝕刻來(lái)切斷晶片的方法(例如參照專利文獻(xiàn)1)。在該方法中，由于能夠通過(guò)等離子蝕刻一次對(duì)晶片的整個(gè)表面進(jìn)行加工，因此，即使由于器件芯片的小型化或晶片的大型化等而使得待加工的分割預(yù)定線的數(shù)量增加，加工時(shí)間也幾乎不變即可完成。
[0006]另外，由于不是機(jī)械式地切削晶片，因此，能夠抑制加工時(shí)的缺口等，并能夠?qū)⑵骷酒目箯潖?qiáng)度維持得較高。另外，在該方法中，利用在玻璃基板的表面上形成有由鉻等構(gòu)成的遮光膜的圖案的曝光掩膜(例如，參照專利文獻(xiàn)2)，在晶片的正面和背面上形成蝕刻用的抗蝕劑膜。
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2006-114825號(hào)公報(bào)
[0008]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)昭62-229151號(hào)公報(bào)
[0009]可是，由于上述的曝光掩膜是經(jīng)過(guò)遮光膜的形成、抗蝕劑膜的覆蓋、抗蝕劑膜的圖案描繪、遮光膜的蝕刻這樣復(fù)雜的工序來(lái)制造，價(jià)格很高，因此，如果采用該曝光掩膜，則晶片的加工成本也會(huì)升高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明是鑒于所述問(wèn)題點(diǎn)而完成的，其目的在于提供與以往的方法相比能夠以簡(jiǎn)單的工序廉價(jià)地制造曝光掩膜的曝光掩膜的制造方法。
[0011]根據(jù)本發(fā)明，提供一種曝光掩膜的制造方法，其是晶片加工用的曝光掩膜的制造方法，其特征在于，所述曝光掩膜的制造方法包括:槽形成工序，在透明板的、與晶片的間隔道相對(duì)應(yīng)的正面?zhèn)鹊膮^(qū)域中形成未到達(dá)該透明板的背面的深度的槽，該透明板具有待加工的所述晶片以上的大小且使光透過(guò)；和遮光材料埋設(shè)工序，將具有遮光性的遮光材料埋設(shè)于該槽中。
[0012]在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，該遮光材料埋設(shè)工序是利用具有噴墨嘴的埋設(shè)構(gòu)件進(jìn)行的。
[0013]另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，在該遮光材料埋設(shè)工序中，在該透明板的形成有該槽的正面的整體上覆蓋該遮光材料，將該遮光材料埋設(shè)于該槽中，然后將覆蓋該透明板的除該槽以外的正面的該遮光材料去除。
[0014]本發(fā)明的曝光掩膜的制造方法包括:槽形成工序，在使光透過(guò)的透明板的正面?zhèn)?，與晶片的間隔道相對(duì)應(yīng)地形成未到達(dá)透明板的背面的深度的槽；和遮光材料埋設(shè)工序，將具有遮光性的遮光材料埋設(shè)于槽中。
[0015]因此，無(wú)需經(jīng)過(guò)抗蝕劑膜的覆蓋、抗蝕劑膜的圖案描繪、遮光膜的蝕刻這樣復(fù)雜的工序，就能夠制造出具備與晶片的間隔道相對(duì)應(yīng)的遮光圖案的曝光掩膜。這樣，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供與以往的方法相比可通過(guò)簡(jiǎn)單的工序廉價(jià)地制造曝光掩膜的曝光掩膜的制造方法。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1的⑷是示意性地示出晶片的構(gòu)成例的立體圖，圖1的(B)是示意性地示出晶片的構(gòu)成例的剖視圖。
[0017]圖2的(A)是示意性地示出槽形成工序的立體圖，圖2的⑶是示意性地示出槽形成工序后的透明板的剖視圖。
[0018]圖3的(A)是示意性地示出遮光材料埋設(shè)工序的局部側(cè)剖視圖，圖3的⑶是示意性地示出遮光材料埋設(shè)工序后的透明板的立體圖。
[0019]圖4的(A)是示意性地示出遮光材料埋設(shè)工序的變形例的剖視圖，圖4的⑶是示意性地示出遮光材料埋設(shè)工序的變形例的立體圖。
[0020]標(biāo)號(hào)說(shuō)明[0021 ] 11:晶片；
[0022]11a:正面；
[0023]lib:背面；
[0024]11c:外周；
[0025]13:器件區(qū)域；
[0026]15:外周剩余區(qū)域；
[0027]17:間隔道(分割預(yù)定線)；
[0028]19:器件；
[0029]21:透明板；
[0030]21a:正面；
[0031]21b:背面；
[0032]23:槽；
[0033]25:液體；
[0034]27:遮光材料；
[0035]29:遮光膜(遮光材料)；
[0036]2:切削刀具；
[0037]4:噴墨嘴(埋設(shè)構(gòu)件)；
[0038]12:磨削裝置；
[0039]14:保持工作臺(tái)；
[0040]16:主軸；
[0041 ]18:輪座；
[0042]20:磨輪；
[0043]20a:輪基座；
[0044]20b:磨削磨具。
【具體實(shí)施方式】
[0045]參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式的曝光掩膜的制造方法包括槽形成工序(參照?qǐng)D2的㈧和圖2的(B))和遮光材料埋設(shè)工序(參照?qǐng)D3的㈧和圖3 的(B))。
[0046]在槽形成工序中，在使光透過(guò)的透明板的正面?zhèn)?，與晶片的間隔道相對(duì)應(yīng)地形成未到達(dá)透明板的背面的深度的槽。在遮光材料埋設(shè)工序中，在透明板的槽中埋設(shè)具有遮光性的遮光材料。下面，對(duì)本實(shí)施方式的曝光掩膜的制造方法詳細(xì)敘述。
[0047]首先，對(duì)使用本實(shí)施方式的曝光掩膜進(jìn)行加工的晶片進(jìn)行說(shuō)明。圖1的(A)是示意性地示出晶片的構(gòu)成例的立體圖，圖1的(B)是示意性地示出晶片的構(gòu)成例的剖視圖。
[0048]如圖1的(A)和圖1的⑶所示，晶片11例如是由硅等半導(dǎo)體材料形成的大致圓形的板狀物，正面la被分成中央的器件區(qū)域13、和圍繞器件區(qū)域13的外周剩余區(qū)域15。
[0049]器件區(qū)域13由呈格子狀排列的間隔道(分割預(yù)定線)17進(jìn)一步劃分為多個(gè)區(qū)域，在各區(qū)域中形成有1C等器件19。晶片11的外周11c被進(jìn)行了倒角加工，呈圓弧狀。
[0050]在本實(shí)施方式的曝光掩膜的制造方法中，要制造出具備與上述的晶片11的間隔道17相對(duì)應(yīng)的遮光圖案的曝光掩膜。具體而言，首先，實(shí)施槽形成工序，在該槽形成工序中，在透明板上形成與晶片11的間隔道17相對(duì)應(yīng)的槽。圖2的㈧是示意性地示出槽形成工序的立體圖，圖2的⑶是示意性地示出槽形成工序后的透明板的剖視圖。
[0051]如圖2的(A)和圖2的⑶所示，成為曝光掩膜的基材的透明板21是由玻璃、樹(shù)脂等透明材