離子注入機的新型掩膜的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種離子注入機的新型掩膜，屬于太陽能光伏電池制造【技術(shù)領(lǐng)域】。這主要特點是掩膜為中間鏤空的正方形石墨框，本實用新型是在現(xiàn)有用于選擇性發(fā)射極工藝的點狀、線狀掩膜的基礎(chǔ)上進行上述形狀的改進，并運用到離子注入工藝中，通過較小的成本，克服現(xiàn)有離子注入工藝存在的硅片并聯(lián)電阻偏低的問題，滿足市場需求，最大程度提高電池效率和可靠性，改善電池品質(zhì)。
【專利說明】離子注入機的新型掩膜
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種離子注入機的新型掩膜。屬于太陽能光伏電池制造【技術(shù)領(lǐng)域】。
[0002]【背景技術(shù)】
[0003]目前晶體硅太陽能電池產(chǎn)業(yè)化技術(shù)已經(jīng)非常成熟，然而與常規(guī)能源相比，相對較高的成本與較低的效率制約了其發(fā)展，對于如何降低成本及提高轉(zhuǎn)換效率，人們進行了大量的研究。離子注入機是一種新型摻雜的技術(shù)，先將摻雜雜質(zhì)離化，然后通過磁場，電場進行篩選，加速，最后用掃描的方式打入硅片內(nèi)部，形成PN節(jié)，可以明顯提高電池效率，使單晶電池效率提高到19.5%以上，并且省去了濕法刻蝕工序，對提供太陽能的競爭力有較大作用。
[0004]目前國內(nèi)外推出了各種太陽能電池用的離子注入設(shè)備,如Varian, Intevac,也有一些電池廠商在試驗室，或者生產(chǎn)現(xiàn)場使用，效率的確得到了提升，但是都存在一個問題，并聯(lián)電阻偏低，這是因為在離子注入工藝中，對硅片邊緣進行離子注入時，由于離子反射，會有一部分離子注入到硅片側(cè)邊，從而導(dǎo)致邊緣導(dǎo)通，漏電，使并聯(lián)電阻偏低。這將極大地影響良率，影響成本，影響電池的可靠性。通過相關(guān)分析，并聯(lián)電阻偏低主要是由于邊緣漏電引起的，邊緣漏電又是由于離子注入時或多或少會有一些離子注入到硅片的邊緣區(qū)域，導(dǎo)致在邊緣區(qū)域?qū)ǎ瑥亩绊懖⒙?lián)電阻。而目前沒有設(shè)備廠家提供相關(guān)方案，以解決這個問題，這個問題正是急需解決的。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型的目的是提供一種離子注入機的新型掩膜，通過本實用新型解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的并聯(lián)電阻偏低，極大地影響良率，影響成本，影響電池的可靠性的缺陷，使離子注入設(shè)備在提高太陽能電池效率的同時，并聯(lián)電阻也不會出現(xiàn)偏低的現(xiàn)象，從而改善電池品質(zhì)。
[0006]本實用新型的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的，一種離子注入機的新型掩膜，其特征是，所述掩膜為中間鏤空的正方形石墨框。
[0007]所述石墨框中鏤空的圖形為正方形。
[0008]所述掩膜內(nèi)邊長為154.5+/-1.5mm,外邊長大于157mm。
[0009]本實用新型是現(xiàn)有基礎(chǔ)上的改進，具有有如下優(yōu)點:
[0010]I)因只是對Masking形狀的改變，而校準(zhǔn)，機械抓手等部件仍然可以延用，不需要進行修改，所以改造成本較小；
[0011]2) Masking的材質(zhì)為石墨，其使用壽命很長，可以使用5_6個月，運營成本很低；
[0012]3)本實用新型能夠克服現(xiàn)有離子注入設(shè)備并聯(lián)電阻偏低的問題，從而進一步提高電池效率，和電池可靠性，使離子注入的量產(chǎn)品質(zhì)更加優(yōu)秀。
[0013]綜上所述，本實用新型是在現(xiàn)有用于選擇性發(fā)射極工藝的點狀、線狀掩膜的基礎(chǔ)上進行上述形狀的改進，并運用到離子注入工藝中，通過較小的成本，克服現(xiàn)有離子注入工藝存在的硅片并聯(lián)電阻偏低的問題，滿足市場需求，最大程度提高電池效率和可靠性，改善電池品質(zhì)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為本實用新型掩膜結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖中，I石墨框，2中間鏤空。
【具體實施方式】
[0016]結(jié)合附圖和實施例進一步說明本實用新型，如圖1所示，本實用新型是在現(xiàn)有用于選擇性發(fā)射極工藝的點狀、線狀掩膜的基礎(chǔ)上進行上述形狀的改進，并運用到離子注入工藝中，可克服離子注入設(shè)備并聯(lián)電阻偏低的問題，從而改善電池品質(zhì)。新型掩膜的形狀為正方形的石墨框1，中間鏤空2，鏤空圖形也為正方形，內(nèi)邊長為154.5+/-1.5mm，外邊長大于157mm ;掩膜與硅片，載具的匹配在工藝過程中，首先將硅片放置在載具上，由載具進行吸附，在放置過程中需要按照設(shè)備的校準(zhǔn)程序進行校準(zhǔn)，保證硅片相對載具的位置固定，使硅片中心與載具中心對準(zhǔn)，偏差小于200um，角度偏差小于I度；然后再將掩膜套在載具和硅片上，同樣在放置過程中也需要進行校準(zhǔn)，使掩膜的中心與載具的中心對準(zhǔn)，偏差小于200um,角度偏差小于I度,并且娃片與掩膜之間距離需要小于0.4mm ;在載具、娃片、掩膜三者匹配完畢后，即可進行離子注入，由于邊緣區(qū)域被遮擋，所以不會有離子被打入，上下不會導(dǎo)通，邊緣區(qū)域也不會存在邊緣漏電的問題，從而可以提高并聯(lián)電阻。
【權(quán)利要求】
1.一種離子注入機的新型掩膜，其特征是，所述掩膜為中間鏤空的正方形石墨框。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入機的新型掩膜，其特征是，所述石墨框中鏤空的圖形為正方形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入機的新型掩膜，其特征是，所述掩膜內(nèi)邊長為.154.5+/-1.5mm，外邊長大于 157mm。
【文檔編號】H01L21/266GK203536373SQ201320658626
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年10月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月24日
【發(fā)明者】趙建東, 鄭飛 申請人:中電電氣（揚州）光伏有限公司