專(zhuān)利名稱(chēng)：高密度電路板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高密度電路板及其制造方法；并且，更特別地，涉 及具有形成于基4反頂部上并纟旻注該基4反頂部?jī)?nèi)的4青細(xì)電^各圖案以 及用作隆起焊盤(pán)(bump)的焊點(diǎn)(pad)的高密度電路板，及其制 造方法。
背景技術(shù)：
最近，隨著在電子裝置中使用高密度和高集成度的半導(dǎo)體集成 電路，半導(dǎo)體集成電路的多針電極端子和用于安裝半導(dǎo)體集成電路
的密腳距的電路板已經(jīng)得到迅速地發(fā)展。
作為用于將半導(dǎo)體集成電路安裝于電路板上的技術(shù)，倒裝片安 裝已經(jīng)被廣泛用來(lái)使布線延遲最小化。此時(shí)，在倒裝片安裝中，在 電路板的焊點(diǎn)上形成焊料隆起焊盤(pán)后，典型地通過(guò)將倒裝片的電極 端子置于焊料隆起焊盤(pán)上而將其接合。
然而，為了將具有在個(gè)凄t上逐漸增多的電^^端子的下一代半導(dǎo) 體集成電路安裝在電路板上，存在著對(duì)在電路板上形成對(duì)應(yīng)于小于100 /am的密腳距的隆起焊盤(pán)的需要，然而，當(dāng)前所使用的焊料隆 起焊盤(pán)形成技術(shù)不能滿足這種需要。
此外，由于電路板的集成度已經(jīng)增高，故安裝半導(dǎo)體集成電路 的電蹈4l必須以具有密扭W巨的電路圖案而形成。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及具有高密度電路圖案的電路板，而本發(fā)明的目的是 提供一種高密度電路板，其能夠通過(guò)將形成在基板頂部的精細(xì)電路 圖案浸注(impregnate)基板的頂部?jī)?nèi)而將電路圖案轉(zhuǎn)換為密腳距 并能夠?qū)⒑更c(diǎn)用作隆起焊盤(pán)以及通過(guò)增大基板和電路圖案之間的 密粘著度來(lái)能夠提高可靠性。
根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，提供了一種高密度電路板，包括 具有精細(xì)電路圖案的基板，該電路圖案被浸注頂部和底部?jī)?nèi)；過(guò)孑L， 形成于基板內(nèi)部，以使基板頂部和底部的精細(xì)電路圖案彼此電導(dǎo) 通；焊點(diǎn)，形成在基板頂部的精細(xì)電路圖案上；以及阻焊劑，形成 在基板頂部和底部上，該電路板能夠?qū)㈦娐穲D案轉(zhuǎn)換為密腳距并增 大基板和電路圖案間的密粘著度，從而提高可靠性。
此時(shí)，精細(xì)電路圖案可以具有小于15 )Lim的寬度，而精細(xì)電 路圖案、焊點(diǎn)、以及過(guò)孔可以由Cu或Ag制成。
此外，焊點(diǎn)可以具有小于70 /am的寬度，而焊點(diǎn)的頂部可以 被暴露在基外反的外部。
特別地，阻焊劑能夠以等于或低于焊點(diǎn)高度的高度而形成。此 外，可以在基板底部上形成阻焊劑，以開(kāi)放基板底部上的精細(xì)電路 圖案的底部。而且，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，提供了用于制造高密度電路
斧反的方法，包4舌以下步驟將^青細(xì)電路圖案浸注基^反的頂部和底部 內(nèi)；形成導(dǎo)通孔以暴露基板底部上的精細(xì)電路圖案，并在基板頂部 上形成干膜圖案以開(kāi)放導(dǎo)通孔和形成有焊點(diǎn)的區(qū)域；通過(guò)執(zhí)行電鍍 工藝來(lái)纟真i里導(dǎo)通孔并形成焊點(diǎn)；以及在基4反的頂部和底部上形成阻 焊劑以在移除干膜圖案之后暴露焊點(diǎn)的頂部。
此時(shí)，將精細(xì)電3各圖案浸注基4反的頂部和底部?jī)?nèi)的步驟可以包 括以下步驟將頂部和底部上的第 一和第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧鄬?duì)于 接合層接合起來(lái)；在第 一和第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧闲纬删?xì)電路圖 案；以及通過(guò)將第 一和第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧c接合層分離來(lái)分別翻 轉(zhuǎn)第一和第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧?，并通過(guò)相對(duì)于基板擠壓精細(xì)電路圖 案來(lái)^1夸其浸注基4反的頂部和底部?jī)?nèi)。
此外，第一和第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧梢酝ㄟ^(guò)順次地堆疊第一銅 膜、不同的金屬層和第二銅膜來(lái)形成，精細(xì)電路圖案能夠以小于15 jum的寬度被形成，而精細(xì)電路圖案和焊點(diǎn)可以通過(guò)使用Cu或Ag 而形成。
此外，導(dǎo)通孔可以通過(guò)使用激光處理方法或蝕刻工藝來(lái)形成， 而本發(fā)明的方法還可以包4舌在形成導(dǎo)通孔后4丸4于去污工藝的步驟。
而且，本發(fā)明的方法還可以包括在形成干膜圖案之前形成金屬 晶種層(metal seed layer),而金屬晶種層可以通過(guò)^f吏用Cu或Ag 來(lái)形成。此時(shí)，本發(fā)明的方法還可以包括在移除干膜圖案之后移除 形成在干膜圖案下部的金屬晶種層的步驟。
此時(shí)，焊點(diǎn)可形成小于70 ium的寬度。
9此外，本發(fā)明的方法還可以包括在形成阻焊劑后4丸行蝕刻工藝 來(lái)移除在焊點(diǎn)上形成的阻焊劑的步驟，而該蝕刻工藝可以使用選自 等離子蝕刻工藝、濕法蝕刻工藝或反應(yīng)性離子蝕刻工藝中的任意一 種工藝。
阻焊劑可形成等于或小于焊點(diǎn)高度的高度。
同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，提供了一種高密度電路板，
包括基板，內(nèi)部具有多層的電路圖案以及浸注頂部和底部?jī)?nèi)的精 細(xì)電路圖案；過(guò)孔，連接至每層的電路圖案，以使精細(xì)電路圖案彼 此電導(dǎo)通；焊點(diǎn)，形成在基板頂部的精細(xì)電路圖案上；以及阻焊劑， 暴露焊點(diǎn)的頂部，且形成在基4反的頂部和底部上。
另夕卜，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，提供了一種用于制造高密度 電路一反的方法，包括以下步驟將精細(xì)電路圖案浸注其內(nèi)部具有多 層電路圖案的基板的頂部和底部?jī)?nèi)；形成導(dǎo)通孔以暴露基板底部上 的精細(xì)電路圖案，并在基板頂部上形成干膜圖案以開(kāi)放導(dǎo)通孔以及 形成焊點(diǎn)的區(qū)域；通過(guò)4丸行電鍍工藝來(lái)填埋導(dǎo)通孔并形成焊點(diǎn)；以 及在基板頂部和底部上形成阻焊劑，以在移除干膜圖案后暴露焊點(diǎn) 頂部。


通過(guò)以下結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述，本發(fā)明的總發(fā)明構(gòu)思的這 些和/或其它方面和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)，并更容易理解，附圖中
圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的高密度電路板的截面透 視圖；圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的高密度電路板的透視
圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的高密度電路板的平面
圖4至圖13是示出了制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的高密度電 ^各板的工藝的截面圖14是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的高密度電路板的截面 圖；以及
圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明改進(jìn)實(shí)施例的高密度電路板的截面圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，才艮據(jù)本發(fā)明，可以參照示出本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的附 圖并通過(guò)下面詳細(xì)的描述而明確理解關(guān)于高密度電路才反的4支術(shù)構(gòu) 造的主體、用于制造該電路板的方法以及其實(shí)施效果。
第一實(shí)施例
在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的高密 度電路纟反的構(gòu)造以及制造該電蹈4反的方法。
圖l是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的高密度電路板的截面透 視圖，圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的高密度電路板的透視 圖以及圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的高密度電路板的平面 圖。首先，如圖l所示，^f艮據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，高密度電鴻4反
100可以包4舌基才反110;頂部和底部4青細(xì)電3各圖案120和130，其 4皮浸注基才反110的頂部和底部?jī)?nèi)；過(guò)孑L 140，用于電導(dǎo)通頂部和底 部4青細(xì)電^各圖案120和130;焊點(diǎn)150,形成在頂部4青細(xì)電路圖案 120上；以及阻焊劑160,形成在基板110的頂部和底部上。
凈爭(zhēng)別;也，如圖2所示，頂部4青細(xì)電路圖案120并不粘著在基才反 IIO的頂面上，而是通過(guò)〉旻注頂部?jī)?nèi)而形成，乂人而才是高了與基^反110 的密粘著力。
因此，為滿足高密度，使頂部精細(xì)電路圖案120逐漸變窄而將 其浸注基^反110的頂部?jī)?nèi)，這可以增加粘著面積以避免頂部一t細(xì)電 路圖案120與基板110分離，還可以減小其厚度。
此外，形成在頂部精細(xì)電路圖案120的頂部上的焊點(diǎn)150的可 以具有等于或高于阻焊劑160高度的高度。從而，由于焊點(diǎn)150暴 露在外并具有預(yù)定的高度，所以可以將焊點(diǎn)150用作隆起焊盤(pán)。
即，當(dāng)在高密度電路板100的頂部上安裝高度集成部件(諸如 倒裝片)時(shí)，可以通過(guò)將焊點(diǎn)150用作隆起焊盤(pán)來(lái)簡(jiǎn)化工藝并降低 制造成本，而無(wú)需使用附加的粘著裝置(諸如焊料隆起焊盤(pán))。
此時(shí)，如圖3所示，示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的高密度電 路板100的平面圖，頂部精細(xì)電路圖案120可以具有小于15 jum 的精細(xì)圖案。
此外，焊點(diǎn)150可以形成小于70 /am的尺寸，并且焊點(diǎn)150 優(yōu)選地具有與頂部精細(xì)電^各圖案120或臨近的焊點(diǎn)150大于15 p m的間隔3巨離。
12此時(shí)，由于焊點(diǎn)150和頂部精細(xì)電路圖案120是由導(dǎo)電材料制 成的，故確保與頂部精細(xì)電路圖案120或臨近于該焊點(diǎn)150的焊點(diǎn) 150的間隔距離的原因是為了不受到臨近的焊點(diǎn)150或頂部精細(xì)電 ^各圖案120的電干^l尤的影響。
而且，頂部精細(xì)電路圖案120、過(guò)孔140和焊點(diǎn)150可以由諸 如Cu或Ag的導(dǎo)電材^h制成。
同時(shí)，浸注在基板110下部上的底部精細(xì)電路圖案130由與頂 部精密電路圖案120相同的導(dǎo)電材料制成。此外，由于阻焊劑160 沒(méi)有形成在底部精細(xì)電路圖案130的底部上來(lái)開(kāi)放底部精細(xì)電路圖 案130的底部，故底部精細(xì)電路圖案與安裝于其上的部件電連4妻。
在下文中， 一尋參照所附圖4至圖13更為詳細(xì);也4苗述用于制造 根據(jù)本發(fā)明第 一 實(shí)施例的上述形成的高密度電路板的方法。
圖4至圖13是示出了用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的高密 度電路板的工藝的截面圖。
首先，如圖4所示，在用于制造#4居本發(fā)明第一實(shí)施例的高密 度電蹈4反100的方法中，分別通過(guò)順次堆疊第 一銅膜10和70 、不 同的金屬層20和60以及第二銅膜30和50來(lái)形成第一覆銅箔層壓 單元11和第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧?1。
然后，第一和第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧?1和21相對(duì)于接合層40 粘著，/人而第二銅力莫30和50 ;f皮此面對(duì)。
在將第一和第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧猧i和21接合之后，如圖5所 示，形成了第一薄月莫圖案80以在第一銅月莫10和70上形成頂部和 底部精細(xì)電路圖案120和130。此時(shí)，優(yōu)選地將第一干膜圖案80圖樣化成具有至少15 jam的 間隔3巨離，乂人而避免了通過(guò)后續(xù)工藝所形成的頂部^青細(xì)電^各圖案 120受到臨近的頂部精細(xì)電路圖案120電干擾的影響。
在形成第一干膜圖案80之后，通過(guò)執(zhí)行電鍍工藝，分別形成 第一覆銅箔層壓?jiǎn)卧?1的一個(gè)第一銅膜10上的底部精細(xì)電^各圖案 130和第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧?1的另一個(gè)第一銅力莫70上的頂部^青細(xì) 電路圖案120。
特別地，電鍍工藝可以通過(guò)將第一銅膜10和70用作金屬晶種 層而使用選自化學(xué)鍍或電鍍工藝中的任意一種。此外，可以通過(guò)使 用Cu和Ag來(lái)形成頂部和底部精細(xì)電路圖案120和130。
在形成頂部和底部精細(xì)電路圖案120和130之后，移除遺留在 第一銅膜10和70的第一干膜圖案80。
然后，如圖6所示，分別將第一覆銅箔層壓?jiǎn)卧?1和第二覆 銅箔層壓?jiǎn)卧?1相對(duì)于接合層40分離。分別翻轉(zhuǎn)并放置如此分離 的第一和第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧?1和21，以〗吏頂部和底部^"細(xì)電^各 圖案120和130彼此面對(duì)，而后將基板110置于第一覆銅箔層壓?jiǎn)?元11和第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧?1之間。
此時(shí)，如圖7所示，通過(guò)相對(duì)于基^反IIO沖齊壓第一覆銅箔層壓 單元11和第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧?1而將頂部和底部4青細(xì)電i 各圖案 120和130浸注基^反110的頂部和底部?jī)?nèi)。
在將頂部和底部精細(xì)電路圖案120和130浸注基才反110的頂部 和底部?jī)?nèi)之后，如圖8所示，將第一和第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧?1和 21的第二銅膜30和50以及不同的金屬層20和60順序地移除。特別地，當(dāng)移除厚的第二銅膜30和50時(shí)，不同的金屬層20 和60 ^皮用作蝕刻阻止膜以避免移除第一銅膜10和70。
在移除了不同的金屬層20和60以及第二銅月莫30和50之后， 如圖9所示，在基板110中形成導(dǎo)通孑L 140a,從而暴露了底部精細(xì) 電^^圖案130的頂部。
此時(shí)，用于處理通路孔140a的方法可以使用從通過(guò)使用激光 處理方法有選擇地蝕刻恰好到底部精細(xì)電路圖案130的頂部的蝕刻 工藝或在形成干膜圖案之后蝕刻以?xún)H開(kāi)放通路孔140a形成區(qū)域的 另一蝕刻工藝選取的4壬意一種。
在形成導(dǎo)通孔140a之后，優(yōu)選地進(jìn)一步執(zhí)4于去污處理來(lái)移除 由于蝕刻工藝而殘留在導(dǎo)通孔140a上的基板110塊。
然后，如圖10所示，將金屬晶種層141沉積在導(dǎo)通孔140a中。 同時(shí)，可以通過(guò)使用選自導(dǎo)電材料Cu或Ag中的任意一種來(lái)形成金 屬晶種層141。
在形成金屬晶種層141之后，在第一銅膜10和70上形成第二 干膜圖案151。由于第二干膜圖案151是用于形成后續(xù)的焊點(diǎn)的圖 案，故只有在第一銅膜上形成焊點(diǎn)的區(qū)域被開(kāi)放。
如圖11所示，通過(guò)執(zhí)行電鍍工藝(通過(guò)將第二干膜圖案151 用作電鍍阻止膜)在第二干膜圖案151的開(kāi)放區(qū)域上形成焊點(diǎn)150， 并通過(guò)生長(zhǎng)金屬晶種層141且填充導(dǎo)通孔140a來(lái)形成過(guò)孔140。
此時(shí)，焊點(diǎn)150和通路140必須由具有電學(xué)特性的材料制成， 因而其優(yōu)選地通過(guò)4吏用導(dǎo)電材料Cu或Ag中任意一種而形成。此外，焊點(diǎn)150形成在精細(xì)電路圖案120的頂部上，且優(yōu)選地 具有小于70 jum的尺寸。特別地，焊點(diǎn)150優(yōu)選i也形成具有至少 15 ium的間隔距離以避免焊點(diǎn)受到臨近焊點(diǎn)150或頂部精細(xì)電路 圖案120電干護(hù)C的影響。
在形成焊點(diǎn)150和過(guò)孔140之后，通過(guò)扭J于蝕刻工藝來(lái)移除沒(méi) 有形成焊點(diǎn)150處的基4反的頂部上的第一銅膜10和70。
然后，如圖13所示，通過(guò)相對(duì)于基板110擠壓阻焊劑而將阻 焊劑160置于基板110的頂部和底部上。
而且，優(yōu)選地，底部精細(xì)電路圖案130的底部被開(kāi)放，從而在 基板110的底部上所形成的阻焊劑160形成為將底部精細(xì)電路圖案 130暴露在外。此時(shí)，因?yàn)榭梢?吏底部4青細(xì)電3各圖案形成具有比頂 部精細(xì)電路圖案120更寬的寬度，故可以直接將其連接至外部元件 或經(jīng)額外形成的焊料隆起焊盤(pán)等連接至外部元件。
特別地，按照具有等于或低于焊點(diǎn)150高度的高度來(lái)形成將被 暴露在外的在基纟反110的頂部上所形成的阻焊劑160。
因此，可以將焊點(diǎn)150用作隆起焊盤(pán)，而無(wú)需在焊點(diǎn)150上額 外形成焊料隆起焊盤(pán)等，來(lái)形成高密度電路板IOO。
同時(shí)，在形成阻焊劑160后，為移除在才齊壓阻焊劑160時(shí)殘留 在焊點(diǎn)150上的阻焊劑160，可以進(jìn)一步執(zhí)4亍蝕刻工藝。
此時(shí)，優(yōu)選地，通過(guò)使用等離子蝕刻工藝、濕法蝕刻工藝或反 應(yīng)性離子蝕刻工藝中的 一種工藝來(lái)蝕刻阻焊劑160。
16執(zhí)行蝕刻工藝避免了電路板100和安裝在其上的半導(dǎo)體集成電 路之間的4妄合力由于殘留的阻;t旱劑160而^皮劣ib，這才羊可以？文進(jìn)可靠性。
如上所述，通過(guò)用于制造根據(jù)本發(fā)明第 一 實(shí)施例的高密度電路 板的方法所制造的電路板100可通過(guò)增大頂部和底部精細(xì)電路圖案 120和130與基4反110之間的密粘著力(通過(guò)將頂部和底部4青細(xì)電 路圖案120和130浸注基才反110的頂部和底部?jī)?nèi))來(lái)避免頂部和底 部津青細(xì)電路圖案120和130與基^反110分離。
此夕卜，可以通過(guò)將頂部和底部精細(xì)電路圖案120和130浸注到 基板110內(nèi)并在其上形成焊點(diǎn)來(lái)減小焊點(diǎn)的尺寸并且減小頂部和底 部4青細(xì)電^各圖案120和130以及焊點(diǎn)150的高度，從而減小了電3各 板100的厚度。
第二實(shí)施例
在下文中，將參照相關(guān)附圖更為詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí) 施例的高密度電^各板。然而，將省略對(duì)第二實(shí)施例中與第一實(shí)施例 構(gòu)造相同的結(jié)構(gòu)的描述而只詳細(xì)描述與第 一實(shí)施例不同的構(gòu)造。
圖14是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的高密度電路板的截面 圖以及圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的高密度電路板的改 進(jìn)實(shí)施例的截面圖。
首先，如圖14所示，在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的高密度電路 板200中，將頂部和底部精細(xì)電^各圖案240和250浸注到其內(nèi)部具 有兩層電路圖案220和230的第一至第三基^反210、 225和235的
頂吾P和底吾P內(nèi)。此時(shí)，在高密度電路才反200內(nèi)部，形成過(guò)孑L215以7吏頂部^青細(xì) 電^各圖案240和底部精細(xì)電路圖案250彼此電導(dǎo)通。
此外，如圖15所示，在#4居本發(fā)明第二實(shí)施例的改進(jìn)實(shí)例的 高密度電路板300中，將頂部和底部精細(xì)電路圖案360和370浸注 到具有四層電路圖案320、 330、 340和350的第一至第五基板310、 325、 335、 345和355的頂吾卩和底部?jī)?nèi)。
此時(shí)，如圖14和圖15所示，通過(guò)與上述第一實(shí)施例相同的方 法來(lái)形成包括多層電路圖案層的電路板200和300的頂部和底部精 纟田電路圖案240、 250、 360和370。
即，可以通過(guò)翻轉(zhuǎn)第一和第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧証使它們朝向獨(dú): 此并擠壓它們，來(lái)將形成于第一和第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧?1和21上 的頂部和底部4青細(xì)電路圖案240、 250、 360和370》'曼注到基^反內(nèi)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，高密度電路板及其制造方 法具有以下優(yōu)點(diǎn)，可以通過(guò)將形成于基板頂部上的精細(xì)電^各圖案浸 注基板的頂部?jī)?nèi)并將形成于基板頂部上的焊點(diǎn)用作隆起焊盤(pán)，來(lái)將 電路圖案轉(zhuǎn)換成密腳距。
此外，根據(jù)本發(fā)明，另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，可以通過(guò)增大基板和電路 圖案之間的粘著力并通過(guò)將電路圖案浸注基板內(nèi)來(lái)避免電路圖案 與基板分離，從而提高可靠性。
如上所述，雖然已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施例， 然而本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不背離本發(fā)明的原理和精神的 情況下，在所附斥又利要求及其等效替換所限定的范圍內(nèi)，可以對(duì)這 些實(shí)施例估支出^l換、修-改和改變。
權(quán)利要求
1.一種高密度電路板，包括基板，包括浸注到頂部和底部?jī)?nèi)的精細(xì)電路圖案；過(guò)孔，形成在所述基板內(nèi)部，以使所述基板的頂部和底部的所述精細(xì)電路圖案彼此電導(dǎo)通；焊點(diǎn)，形成在所述基板的頂部的所述精細(xì)電路圖案上；以及阻焊劑，形成在所述基板的頂部和底部上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度電路板，其中，所述精細(xì)電路圖 案具有小于15 /am的寬度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度電路板，其中，所述精細(xì)電路圖 案、所述焊點(diǎn)、和所述過(guò)孔由Cu或Ag制成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度電路板，其中，所述焊點(diǎn)具有小 于70 jum的寬度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度電路板，其中，所述焊點(diǎn)的頂部 暴露在所述基板的外部。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度電路板，其中，所述阻焊劑形成 有等于所述焊點(diǎn)高度的高度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度電路板，其中，所述阻焊劑形成 有低于所述焊點(diǎn)高度的高度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度電路板，其中，所述基板的底部 上的所述阻焊劑形成為開(kāi)放所述基板的底部上的所述精細(xì)電 ^各圖案的底部。
9. 一種高密度電路板，包括基板，內(nèi)部包括多層的電路圖案以及浸注到頂部和底部 內(nèi)的^青細(xì)電路圖案；過(guò)孔，連接至所述電路圖案的每一層，以4吏所述精細(xì)電 路圖案彼此電導(dǎo)通；焊點(diǎn)，形成在所述基板的頂部的所述精細(xì)電路圖案上；以及阻焊劑，暴露所述焊點(diǎn)的頂部并形成在所述基4反的頂部 和底部上。
10. —種用于制造高密度電路板的方法，包括以下步驟將精細(xì)電路圖案浸注到基板的頂部和底部?jī)?nèi)；形成導(dǎo)通孔，以暴露所述基4反的底部的所述4青細(xì)電^各圖 案，并在所述基^反的頂部上形成干膜圖案以開(kāi)》文所述導(dǎo)通孔和 形成有所述焊點(diǎn)的區(qū)域；通過(guò)執(zhí)行電鍍工藝來(lái)填埋所述導(dǎo)通孔并形成所述焊點(diǎn)；以及在所述基^反的頂部和底部上形成阻焊劑，以在移除所述 干膜圖案之后暴露所述焊點(diǎn)的頂部。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，其中，將所述精細(xì)電路圖案浸 注到所述基板的頂部和底部?jī)?nèi)的步驟，包括以下步驟相對(duì)于4妄合層4妄合頂部和底部上的第一覆銅箔層壓?jiǎn)卧?和第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧?。在所述第一覆銅箔層壓?jiǎn)卧退龅诙层~箔層壓?jiǎn)卧闲纬伤鼍?xì)電路圖案；以及通過(guò)將所述第一覆銅箔層壓?jiǎn)卧退龅诙层~蕩層壓 單元與所述接合層分離，分別將所述第一覆銅箔層壓?jiǎn)卧退?述第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧D(zhuǎn)，以及相對(duì)于所述基板擠壓所述第 一覆銅箔層壓?jiǎn)卧退龅诙层~箔層壓?jiǎn)卧瑏?lái)將所述精細(xì) 電路圖案浸注到所述基板的頂部和底部?jī)?nèi)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，通過(guò)順次地堆疊第一銅 膜、不同的金屬層和第二銅膜，來(lái)形成所述第一覆銅箔層壓?jiǎn)?元和所述第二覆銅箔層壓?jiǎn)卧?br> 13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法, 形成所述津f細(xì)電路圖案。
14. 才艮才居4又利要求10所述的方法， 述焊點(diǎn)由Cu或Ag制成。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法， 刻工藝來(lái)形成所述導(dǎo)通孔。
16. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法， 執(zhí)行去污處理的步驟。
17. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法， 前形成金屬晶種層的步驟。其中，以小于15 jum的寬度 其中，所述精細(xì)電路圖案和所 其中，通過(guò)激光處理方法或蝕 還包4舌在形成所述導(dǎo)通孔之后 還包括在形成所述干膜圖案之
18. 才艮據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述金屬晶種層由Cu 或Ag制成。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括在移除所述干膜圖案之 后移除形成在所述干膜圖案的底部上的所述金屬晶種層的步 驟。
20. 才艮據(jù)4又利要求10所述的方法，其中，以小于70 /am的寬度形成所述焊點(diǎn)。
21. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括以下步驟在形成所述 阻焊劑之后執(zhí)行蝕刻工藝用以移除形成在所述焊點(diǎn)上的所述 阻焊劑。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述蝕刻工藝使用選自 等離子蝕刻工藝、濕法蝕刻工藝或反應(yīng)性離子蝕刻工藝中的任 意一種工藝。
23. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，其中，以等于所述焊點(diǎn)高度的 高度來(lái)形成所述阻焊劑。
24. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，以低于所述焊點(diǎn)高度的 高度來(lái)形成所述阻焊劑。
25. —種用于制造高密度電路板的方法，包括以下步驟將精細(xì)電路圖案浸注到基4反的頂部和底部?jī)?nèi)，其中所述 基板內(nèi)部具有多層的電路圖案；形成導(dǎo)通孔以暴露在所述基4反的底部上的所述^"細(xì)電路 圖案，并在所述基板的頂部上形成干膜圖案以開(kāi)放所述導(dǎo)通孔 以及形成有所述焊點(diǎn)的區(qū)域；通過(guò)執(zhí)行電鍍工藝來(lái)填埋所述導(dǎo)通孔并形成所述焊點(diǎn)；以及在所述基纟反的頂部和底部上形成阻焊劑，以在移除所述 干膜圖案之后暴露所述焊點(diǎn)的頂部。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種通過(guò)將精細(xì)電路圖案浸注基板頂部?jī)?nèi)來(lái)增加電路密度的高密度電路板，及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明，高密度電路板包括基板，具有浸注頂部和底部?jī)?nèi)的精細(xì)電路圖案；過(guò)孔，形成在基板內(nèi)部，以使基板頂部和底部的精細(xì)電路圖案彼此電導(dǎo)通；焊點(diǎn)，形成在基板頂部的精細(xì)電路圖案上；以及阻焊劑，形成在基板的頂部和底部上，該高密度電路板能夠?qū)㈦娐穲D案轉(zhuǎn)換為密腳距并增大基板和電路圖案間的密粘著度，從而提高可靠性。
文檔編號(hào)H05K3/46GK101557674SQ20081012522
公開(kāi)日2009年10月14日 申請(qǐng)日期2008年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月7日
發(fā)明者姜明衫 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社