專利名稱：一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)，更具體地，涉及具有摻雜的空穴傳輸層和/或空穴注入層的有機(jī)電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光顯示器具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動(dòng)、全固化、視角寬、重量輕、組成和工藝簡(jiǎn)單等一系列的優(yōu)點(diǎn)，與液晶顯示器相比，有機(jī)電致發(fā)光顯示器不需要背光源，視角大，功率低，其響應(yīng)速度可達(dá)液晶顯示器的1000倍，其制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器，因此，有機(jī)電致發(fā)光顯示器具有廣闊的應(yīng)用前景。
有機(jī)電致發(fā)光器件的一般結(jié)構(gòu)依次包括基體、陽(yáng)極、有機(jī)層、陰極，有機(jī)功能層又包括發(fā)射層、空穴注入層和/或空穴傳輸層以及電子傳輸層和/或電子注入層，還可以包括位于發(fā)射層與電子傳輸層之間的空穴阻擋層等。OLED的工作原理如下當(dāng)電壓施加于陽(yáng)極和陰極之間時(shí)，空穴從陽(yáng)極通過(guò)空穴注入層和空穴傳輸層注入到發(fā)射層中，同時(shí)電子從陰極通過(guò)電子注入層和電子傳輸層注入到發(fā)射層中，注入到發(fā)射層中的空穴和電子在發(fā)射層復(fù)合，從而產(chǎn)生激子(exciton)，在從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榛鶓B(tài)的同時(shí)，這些激子發(fā)光。
有機(jī)電致發(fā)光器件(OLEDs)由于其在平板顯示和照明方面有潛在的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，近年來(lái)引起國(guó)際國(guó)內(nèi)學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注。目前，高效率、高穩(wěn)定性的OLED器件是推動(dòng)其在產(chǎn)品中快速和全面應(yīng)用的重要因素。在傳統(tǒng)的雙層或多層結(jié)構(gòu)器件中，空穴傳輸層的空穴傳輸?shù)哪芰σ獜?qiáng)于電子傳輸能力10-1000倍，這會(huì)導(dǎo)致器件的效率下降和壽命加速衰減。為了提高OLED器件性能，就必須調(diào)節(jié)空穴、電子的注入和傳輸，平衡二者的濃度，達(dá)到平衡。
另一方面，目前常用的有機(jī)半導(dǎo)體材料通常熱穩(wěn)定性較差，如，N，N’-二-(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1-聯(lián)苯基-4，4-二胺(NPB)的玻璃化溫度Tg為96℃，N，N’-二苯基-N，N’-雙(間甲基苯基)-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺(TPD)的Tg僅為65℃；有機(jī)薄膜材料容易結(jié)晶，造成薄膜形貌的不穩(wěn)定；有機(jī)分子之間的作用力較弱，與電極等無(wú)機(jī)材料的接觸較差，容易造成薄膜缺陷。上述種種不利因素都會(huì)加速器件的快速衰減，妨礙高穩(wěn)定性器件的獲得，從而影響OLED器件在產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。
針對(duì)上述兩方面問(wèn)題，為整體提高OLED器件的性能，現(xiàn)有技術(shù)中大多提出了摻雜的解決方案。
文獻(xiàn)Zhang Zhi-lin，Jiang Xue-yin and O Omoto et al.，J.Phys.DAppl.Phys.，31，32-35，1998公開了在空穴傳輸層中摻雜5，6，11，12-四苯基并四苯(rubrene)，因rubrene具有較低的最高占有軌道能級(jí)(HOMO＝-5.5eV)和較高的最低未占有軌道能級(jí)(LUMO＝-2.9eV)，在ITO/空穴傳輸層和Alq3/空穴傳輸層界面上有利于空穴和電子的注入，使OLED器件在工作中產(chǎn)生的焦耳熱受到降低，從而限制了界面分子的聚集和結(jié)晶，提高了器件的穩(wěn)定性。但是，因?yàn)閞ubrene本身發(fā)光，使用它作為摻雜劑，導(dǎo)致器件的發(fā)光光譜中引入了雜質(zhì)發(fā)光，影響器件的光譜特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)的前述問(wèn)題，準(zhǔn)備提供一種可以大大提高發(fā)光效率和穩(wěn)定性的OLED器件。
一種有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括陽(yáng)極層、有機(jī)功能層和陰極層，有機(jī)功能層中包括發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和空穴阻擋層中的至少一層，其中，有機(jī)功能層中的至少一層摻雜有由選自鑭系金屬、鑭系金屬的鹵化物、鑭系金屬的氧化物或鑭系金屬的碳酸鹽中的至少一種材料。
功能層中的摻雜材料的摻雜方式可以是全面均勻摻雜，也可以是全面梯度摻雜，還可以是區(qū)域摻雜，摻雜的區(qū)域?yàn)閚個(gè)，n為1-5的整數(shù)。
摻雜材料在摻雜區(qū)域中的摻雜濃度為1-100wt％，優(yōu)選的摻雜濃度為15-70wt％。
摻雜材料選自金屬鐿、金屬鐿的鹵化物、金屬鐿的氧化物或金屬鐿的碳酸鹽。優(yōu)選的材料選自金屬鐿、三氟化鐿、二氟化鐿、三氯化鐿、二氯化鐿、三溴化鐿、二溴化鐿、三氧化二鐿或三碳酸二鐿。
本發(fā)明的摻雜材料還可以選自金屬釹、金屬釹的鹵化物、金屬釹的氧化物或金屬釹的碳酸鹽，金屬釤、金屬釤的鹵化物、金屬釤的氧化物或金屬釤的碳酸鹽，金屬鐠、金屬鐠的鹵化物、金屬鐠的氧化物或金屬鐠的碳酸鹽，金屬鈥、金屬鈥的鹵化物、金屬鈥的氧化物或金屬鈥的碳酸鹽。
本發(fā)明采用了鑭系金屬的鹵化物、氧化物、碳酸鹽，其中優(yōu)選的是金屬鐿的化合物在有機(jī)功能層中摻雜，可以改善載流子注入效率，平衡濃度，提高器件的效率；同時(shí)可以改善有機(jī)層的熱穩(wěn)定性，提高器件的穩(wěn)定性。
三氟化鐿是一類很重要的鐿氟化物，可以通過(guò)真空蒸鍍方法制備，并且由于其在可見光區(qū)和紅外區(qū)具有高的透過(guò)率，其薄膜有很多光學(xué)方面的應(yīng)用。本發(fā)明在基于三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)的有機(jī)電致發(fā)光器件中首次采用了三氟化鐿(YbF3)作為摻雜劑。
本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件具有以下優(yōu)點(diǎn)1.有效地提高了器件的發(fā)光效率。因?yàn)樵诟饔袡C(jī)功能層摻雜了惰性材料，能夠調(diào)控載流子的濃度，使空穴和電子達(dá)到最佳匹配，大大提高了空穴和電子的復(fù)合效率，即達(dá)到了提高器件發(fā)光效率的目的。
2.空穴傳輸?shù)臏p弱使得Alq3正離子生成的幾率降低，有利于減緩工作器件的衰減。
3.摻雜材料的高熱穩(wěn)定性有效地抑制傳輸材料和注入材料的晶化，使得有機(jī)薄膜的熱穩(wěn)定性明顯提高，而有機(jī)薄膜的熱穩(wěn)定性正是決定器件溫度使用范圍和熱穩(wěn)定的關(guān)鍵要素。
4.器件的發(fā)光光譜不受摻雜材料的影響，保證了色純度。


圖1是本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為實(shí)施例2的器件相關(guān)性能圖，a為亮度-電壓圖，b為電流密度-電壓圖，c為效率-電流密度圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提出的有機(jī)電致發(fā)光器件中的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，其中1為透明基體，可以是玻璃或是柔性基片，柔性基片采用聚酯類、聚酰亞胺類化合物中的一種材料；2為第一電極層(陽(yáng)極層)，可以采用無(wú)機(jī)材料或有機(jī)導(dǎo)電聚合物，無(wú)機(jī)材料一般為ITO、氧化鋅、氧化錫鋅等金屬氧化物或金、銅、銀等功函數(shù)較高的金屬，最優(yōu)化的選擇為ITO，有機(jī)導(dǎo)電聚合物優(yōu)選為聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸鈉(以下簡(jiǎn)稱PEDOT:PSS)、聚苯胺(以下簡(jiǎn)稱PANI)中的一種材料；3為第二電極層(陰極層、金屬層)，一般采用鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數(shù)較低的金屬或它們與銅、金、銀的合金，或金屬與金屬氟化物交替形成的電極層，本發(fā)明優(yōu)選為依次的Mg:Ag合金層、Ag層和依次的LiF層、Al層。
圖1中的4為空穴注入層HIL(非必須)，其基質(zhì)材料可以采用銅酞菁(CuPc)，摻雜的無(wú)機(jī)材料可以采用鑭系金屬化合物；5為空穴傳輸層HTL，其基質(zhì)材料可以采用芳胺類和枝聚物族類低分子材料，優(yōu)選為NPB，摻雜的無(wú)機(jī)材料可以采用鑭系金屬化合物；6為有機(jī)電致發(fā)光層EML，一般采用小分子材料，可以為熒光材料，如金屬有機(jī)配合物(如Alq3、Gaq3、Al(Saph-q)或Ga(Saph-q))類化合物，該小分子材料中可摻雜有染料，摻雜濃度為小分子材料的0.01wt％～20wt％，染料一般為芳香稠環(huán)類(如rubrene)、香豆素類(如DMQA、C545T)或雙吡喃類(如DCJTB、DCM)化合物中的一種材料，發(fā)光層材料也可采用咔唑衍生物如CBP、聚乙烯咔唑(PVK)，該材料中可摻雜磷光染料，如三(2-苯基吡啶)銥(Ir(ppy)3)，二(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)銥(Ir(ppy)2(acac))，八乙基卟啉鉑(PtOEP)等；7為電子傳輸層，使用材料也為小分子電子傳輸材料，一般為金屬有機(jī)配合物(如Alq3、Gaq3、Al(Saph-q)、BAlq或Ga(Saph-q))，芳香稠環(huán)類(如pentacene、苝)或鄰菲咯啉類(如Bphen、BCP)化合物；8為電源。
下面將給出若干實(shí)施例并結(jié)合附圖，具體解釋本發(fā)明的技術(shù)方案。應(yīng)當(dāng)注意到，下面的實(shí)施例僅用于幫助理解發(fā)明，而不是對(duì)本發(fā)明的限制。
實(shí)施例1(器件編號(hào)OLED-1)Glass/ITO/NPB:YbF3/NPB/Alq3/Mg:Ag/Ag (1)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(1)的有機(jī)電致發(fā)光器件具體制備方法如下①利用煮沸的洗滌劑超聲和去離子水超聲的方法對(duì)玻璃基片進(jìn)行清洗，并放置在紅外燈下烘干，在玻璃上蒸鍍一層陽(yáng)極材料，膜厚為80～280nm；②把上述帶有陽(yáng)極的玻璃基片置于真空腔內(nèi)，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa在上述陽(yáng)極層膜上繼續(xù)蒸鍍空穴傳輸層，先采用雙源共蒸的方法進(jìn)行摻雜，NPB和YbF3的蒸鍍速率比為1∶1，YbF3在NPB中的摻雜濃度為50wt％，蒸鍍總速率為0.2nm/s，再蒸鍍一層NPB薄膜，速率為0.1nm/s，蒸鍍膜厚為10nm；蒸鍍總膜厚為10nm；再繼續(xù)蒸鍍一層NPB薄膜，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍膜厚為20nm；③在空穴傳輸層之上，繼續(xù)蒸鍍一層Alq3材料作為器件的電子傳輸層，其蒸鍍速率為0.1～0.3nm/s，蒸鍍總膜厚為50nm；④最后，在上述電子傳輸層之上依次蒸鍍Mg:Ag合金層和Ag層作為器件的陰極層，其中Mg:Ag合金層的蒸鍍速率為2.0～3.0nm/s，厚度為100nm，Ag層的蒸鍍速率為0.3nm/s，厚度為100nm。
對(duì)比例1(器件編號(hào)OLED-對(duì)1)Glass/anode/NPB:YbF3/Alq3/Mg:Ag/Ag(2)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(2)的有機(jī)電致發(fā)光器件具體制備方法如下步驟①、⑨和④同實(shí)施例1，步驟②中采用雙源共蒸同時(shí)蒸鍍NPB和YbF3，保證YbF3全面均勻摻雜在NPB中，NPB和YbF3的蒸鍍速率比為1∶1，YbF3在NPB中的摻雜濃度為50wt％，總厚度為50nm。
對(duì)比例2(器件編號(hào)OLED-對(duì)2)Glass/anode/NPB:YbF3/Alq3/Mg:Ag/Ag(2)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(2)的有機(jī)電致發(fā)光器件具體制備方法如下步驟①、③和④同實(shí)施例1，步驟②中采用雙源蒸發(fā)同時(shí)蒸鍍NPB和YbF3，保證YbF3全面梯度摻雜在NPB中，NPB和YbF3的蒸鍍速率比為從1∶9至9∶1，YbF3在NPB中的摻雜濃度從90wt％至10wt％，總厚度為50nm。
對(duì)比例3(器件編號(hào)OLED-對(duì)3)Glass/anode/NPB/Alq3/Mg:Ag/Ag (2)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(2)的有機(jī)電致發(fā)光器件具體制備方法如下步驟①、③和④同實(shí)施例1，步驟②中只蒸鍍NPB，厚度為50nm。
上面實(shí)施例1和對(duì)比例1、2和3的OLED器件結(jié)構(gòu)性能如下表1所示表1


實(shí)施例2(器件編號(hào)OLED-2)Glass/ITO/NPB:YbF3(x％)/NPB/Alq3/Mg:Ag/Ag(3)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(3)的有機(jī)電致發(fā)光器件具體制備方法如下①利用煮沸的洗滌劑超聲和去離子水超聲的方法對(duì)玻璃基片進(jìn)行清洗，并放置在紅外燈下烘干，在玻璃上蒸鍍一層陽(yáng)極材料，膜厚為80～280nm；②把上述帶有陽(yáng)極的玻璃基片置于真空腔內(nèi)，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa的在上述陽(yáng)極層膜上繼續(xù)蒸鍍空穴傳輸層，先采用雙源共蒸的方法進(jìn)行摻雜，NPB和YbF3的蒸鍍速率比為1∶x，YbF3在NPB中的摻雜濃度為x wt％，蒸鍍總速率為0.1～0.8nm/s；再繼續(xù)蒸鍍一層NPB薄膜，蒸鍍速率為0.1nm/s；③在空穴傳輸層之上，繼續(xù)蒸鍍一層Alq3材料作為器件的電子傳輸層，其蒸鍍速率為0.2～0.3nm/s，蒸鍍總膜厚為50nm；④最后，在上述電子傳輸層之上依次蒸鍍Mg:Ag合金層和Ag層作為器件的陰極層，其中Mg:Ag合金層的蒸鍍速率為2.0～3.0nm/s，厚度為100nm，Ag層的蒸鍍速率為0.3nm/s，厚度為100nm。
OLED-2的器件結(jié)構(gòu)性能數(shù)據(jù)如下表2所示，相應(yīng)的器件性能圖參見圖2表2


從圖2和表2中可以看到，摻雜層遠(yuǎn)離發(fā)光層時(shí)，器件的性能有顯著提高，降低了起亮電壓和驅(qū)動(dòng)電壓，提高了器件效率。若摻雜層緊靠發(fā)光層時(shí)，氟化鐿中的氟離子與發(fā)光材料有相互作用，會(huì)造成發(fā)光淬滅。
實(shí)施例3(器件編號(hào)OLED-3)Glass/ITO/NPB/NPB:Nd2O3(30％)/NPB/NPB:Nd2O3(30％)/NPB/Alq/Mg:Ag/Ag(4)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(4)的有機(jī)電致發(fā)光器件具體制備方法如下步驟①、⑨和④同實(shí)施例1，步驟②中采用先蒸鍍一層NPB薄膜，速率為0.1nm/s，再采用雙源蒸鍍的方法在NPB中摻雜Nd2O3，再蒸鍍NPB，再雙源蒸鍍蒸鍍NPB中摻雜Nd2O3，最后再蒸鍍一層NPB薄膜的方法。
實(shí)施例4(器件編號(hào)OLED-4)Glass/ITO/NPB/〔NPB:Ho2(CO3)3(15％)/NPB〕5/Alq/Mg:Ag/Ag (5)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(5)的有機(jī)電致發(fā)光器件具體制備方法如下步驟①、⑨和④同實(shí)施例1，步驟②中采用先蒸鍍一層NPB薄膜，速率為0.1nm/s，然后采用雙源共蒸的方法在NPB中摻雜Ho2(CO3)3，接著再蒸鍍NPB，這樣交替制備薄膜共五次。
實(shí)施例5(器件編號(hào)OLED-5)Glass/ITO/CuPc/CuPc:YbCl3(70％)/NPB/NPB:NdF3(50％)/NPB/NPB:NdF3(15％)/NPB/Alq3/Mg:Ag/Ag(6)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(6)的有機(jī)電致發(fā)光器件具體制備方法如下步驟①、③和④同實(shí)施例3，步驟②中采用先蒸鍍一層CuPc薄膜，速率為0.1～0.2nm/s，然后采用雙源蒸鍍的方法在CuPc中摻雜YbCl3，接著再蒸鍍NPB，再采用雙源蒸鍍的方法在NPB中摻雜NdF3，再蒸鍍NPB，再雙源蒸鍍蒸鍍NPB中摻雜NdF3，最后再蒸鍍一層NPB薄膜的方法。
實(shí)施例6(器件編號(hào)OLED-6)Glass/ITO/CuPc/NPB/NPB:PrF3(20％)/NPB/NPB:PrF3(15％)/NPB/Alq3/Mg:Ag/Ag (7)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(7)的有機(jī)電致發(fā)光器件具體制備方法如下步驟①、③和④同實(shí)施例三，步驟②中采用先蒸鍍一層CuPc薄膜，速率為0.1～0.2nm/s，然后接著再蒸鍍NPB，再采用雙源蒸鍍的方法在NPB中摻雜PrF3，再蒸鍍NPB，再雙源蒸鍍蒸鍍NPB中摻雜PrF3，最后再蒸鍍一層NPB薄膜的方法。
實(shí)施例7(器件編號(hào)OLED-7)Glass/ITO/NPB/NPB:Sm2(CO3)3(20％)/NPB/Alq3/Alq3:Sm2(CO3)3(10％)/Alq3/Mg:Ag/Ag(8)步驟①、③和④同實(shí)施例1，步驟②中先蒸鍍一層NPB薄膜，速率為0.1nm/s，再采用雙源共蒸的方法在NPB中摻雜Sm2(CO3)3，再蒸鍍NPB；步驟③中先蒸鍍一層Alq3薄膜，再采用雙源共蒸的方法在Alq3中摻雜Sm2(CO3)3，最后蒸鍍一層Alq3薄膜，速率為0.1nm/s。
OLED-3、OLED-4、OLED-5、OLED-6和OLED-7的器件結(jié)構(gòu)性能數(shù)據(jù)如下表3所示表3

對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是本發(fā)明能夠進(jìn)行各種改進(jìn)和變化，因此，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為，假若它們?cè)谒綑?quán)利要求及其等同的范圍內(nèi)，本發(fā)明應(yīng)當(dāng)包括上述發(fā)明的改進(jìn)和變化。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括陽(yáng)極層、有機(jī)功能層和陰極層，有機(jī)功能層中包括發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和空穴阻擋層中的至少一層，其特征在于，有機(jī)功能層中的至少一層摻雜有由選自鑭系金屬、鑭系金屬的鹵化物、鑭系金屬的氧化物或鑭系金屬的碳酸鹽中的至少一種材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述的摻雜材料全面均勻摻雜在有機(jī)功能層中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述的摻雜材料全面梯度摻雜在有機(jī)功能層中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述的摻雜材料區(qū)域摻雜在有機(jī)功能層中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述摻雜材料的摻雜區(qū)域?yàn)閚個(gè)，n為1～5的整數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述摻雜材料在摻雜區(qū)域中的摻雜濃度為1～100wt％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述摻雜材料在摻雜區(qū)域中的摻雜濃度為15～70wt％。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中摻雜材料選自金屬鐿、金屬鐿的鹵化物、金屬鐿的氧化物或金屬鐿的碳酸鹽。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或8的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中摻雜材料選自金屬鐿、三氟化鐿、二氟化鐿、三氯化鐿、二氯化鐿、三溴化鐿、二溴化鐿、三氧化二鐿或三碳酸二鐿。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中摻雜材料選自金屬釹、金屬釹的鹵化物、金屬釹的氧化物或金屬釹的碳酸鹽。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中摻雜材料選自金屬釤、金屬釤的鹵化物、金屬釤的氧化物或金屬釤的碳酸鹽。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中摻雜材料選自金屬鐠、金屬鐠的鹵化物、金屬鐠的氧化物或金屬鐠的碳酸鹽。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中摻雜材料選自金屬鈥、金屬鈥的鹵化物、金屬鈥的氧化物或金屬鈥的碳酸鹽。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件。該器件包括陽(yáng)極層、陰極層和位于其中間的有機(jī)功能層，有機(jī)功能層中的至少一層中有摻雜材料，該摻雜材料選自鑭系金屬、鑭系金屬的鹵化物、鑭系金屬的氧化物或鑭系金屬的碳酸鹽。本發(fā)明中鑭系金屬及其化合物能夠調(diào)節(jié)空穴和電子的濃度，使二者更加平衡；而且鑭系金屬及其化合物能夠顯著改善有機(jī)功能層的穩(wěn)定性，提高OLED器件的壽命，由此制備出了具有更高效率和更長(zhǎng)壽命的、起亮電壓更低的OLED器件。
文檔編號(hào)H05B33/18GK1913731SQ20061011201
公開日2007年2月14日 申請(qǐng)日期2006年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月28日
發(fā)明者邱勇, 謝靜, 段煉 申請(qǐng)人:清華大學(xué), 北京維信諾科技有限公司