一種轉(zhuǎn)接板及電子組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種轉(zhuǎn)接板，包括轉(zhuǎn)接板襯底、至少一個(gè)硅通孔、第一屏蔽層、第一絕緣層、第一布線層及至少一個(gè)第一凸點(diǎn)。轉(zhuǎn)接板襯底包括上、下表面，該至少一個(gè)硅通孔埋設(shè)于轉(zhuǎn)接板襯底內(nèi)，并貫穿上、下表面；第一屏蔽層設(shè)置于轉(zhuǎn)接板襯底的上表面上，第一屏蔽層具有導(dǎo)電性；第一絕緣層設(shè)置于第一屏蔽層上；第一布線層設(shè)置于第一絕緣層上，并電連接至該至少一個(gè)硅通孔；至少一個(gè)第一凸點(diǎn)設(shè)置于第一布線層上，以通過第一布線層與該至少一個(gè)硅通孔電連接。本發(fā)明維持了信號的完整性，并減少了電磁干擾泄露。本發(fā)明還提供了一種電子組件。
【專利說明】
一種轉(zhuǎn)接板及電子組件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種轉(zhuǎn)接板及電子組件。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)和集成電路的發(fā)展，CMOS(Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)器件的特征尺寸已經(jīng)大幅度減少。傳統(tǒng)二維集成電路靠減小器件尺寸來提高系統(tǒng)性能的局限性越來越大。TSV(Through silicon via,娃通孔)的轉(zhuǎn)接板因其封裝密度大和性能優(yōu)越成為解決上述器件集成問題的有效方法。然而，傳統(tǒng)的TSV轉(zhuǎn)接板采用地TSV為信號提供返回電流的形式來傳播信號，在信號傳輸結(jié)構(gòu)中TSV和布線層產(chǎn)生的電磁場將滲透到轉(zhuǎn)接板的硅襯底中，從而引起信號衰減和干擾泄露問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種轉(zhuǎn)接板，以維持信號在傳輸過程中的完整性，并防止信號的干擾泄露。
[0004]本發(fā)明第一方面提供了一種轉(zhuǎn)接板，轉(zhuǎn)接板包括:
[0005]轉(zhuǎn)接板襯底，轉(zhuǎn)接板襯底包括上表面及下表面；
[0006]至少一個(gè)硅通孔，該至少一個(gè)硅通孔埋設(shè)于轉(zhuǎn)接板襯底內(nèi)，并貫穿轉(zhuǎn)接板襯底的上表面及下表面；
[0007]第一屏蔽層，第一屏蔽層設(shè)置于轉(zhuǎn)接板襯底的上表面上，其中，第一屏蔽層具有導(dǎo)電性；
[0008]第一絕緣層，第一絕緣層設(shè)置于第一屏蔽層上；
[0009]第一布線層，第一布線層設(shè)置于第一絕緣層上，并電連接至該至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔；
[0010]至少一個(gè)第一凸點(diǎn)，該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)設(shè)置于第一布線層上，以通過第一布線層與該至少一個(gè)硅通孔電連接。
[0011]在第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)與該至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔一一對應(yīng)連接。
[0012]在第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，或結(jié)合第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一屏蔽層與該至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔電連接。
[0013]在第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，或結(jié)合第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一屏蔽層與該至少一個(gè)硅通孔絕緣。
[0014]在第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，或結(jié)合第一方面的第一至第三種中任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，轉(zhuǎn)接板還包括:
[0015]第二屏蔽層，第二屏蔽層設(shè)置于轉(zhuǎn)接板襯底的下表面上，其中，第二屏蔽層具有導(dǎo)電性；
[0016]第二絕緣層，第二絕緣層設(shè)置于第二屏蔽層上；
[0017]第二布線層，第二布線層設(shè)置于第二絕緣層上，并電連接至該至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)；
[0018]至少一個(gè)第二凸點(diǎn)，其中，該至少一個(gè)第二凸點(diǎn)設(shè)置于第二布線層上，以通過第二布線層與該至少一個(gè)硅通孔電連接。
[0019]結(jié)合第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一屏蔽層或第二屏蔽層與該至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔電連接。
[0020]結(jié)合第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一屏蔽層及第二屏蔽層分別與該至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔電連接，其中，第一屏蔽層連接的該至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔與第二屏蔽層連接的該至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔不同。
[0021]結(jié)合第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第七種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔同時(shí)與第一屏蔽層及第二屏蔽層電連接，以使轉(zhuǎn)接板形成等勢體。
[0022]結(jié)合第一方面的第七種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第八種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，當(dāng)?shù)诙裹c(diǎn)連接至印刷電路板的接地層時(shí)，第一屏蔽層及第二屏蔽層共同電連接的該至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔還電連接至接地層。
[0023]結(jié)合第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第九種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一及第二屏蔽層均與該至少一個(gè)硅通孔絕緣。
[0024]結(jié)合第一方面的第四至第九種中任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第十種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，轉(zhuǎn)接板還包括:
[0025]第三絕緣層，第三絕緣層設(shè)置于第一屏蔽層與轉(zhuǎn)接板襯底的上表面之間；
[0026]第四絕緣層，第四絕緣層設(shè)置于第二屏蔽層與轉(zhuǎn)接板襯底的下表面之間。
[0027]結(jié)合第一方面的第十種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第^^一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第三絕緣層及第四絕緣層包括摻雜離子。
[0028]結(jié)合第一方面的第^^一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第十二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，摻雜離子在第三絕緣層及第四絕緣層中的摻雜濃度大于11Vcm3。
[0029]結(jié)合第一方面的第四至第十二種中任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第十三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一屏蔽層及第二屏蔽層具有鏤空部分。
[0030]結(jié)合第一方面的第十三種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第十四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一屏蔽層及第二屏蔽層為由金屬線編織成的網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，其中，金屬線的寬度大于10um，相鄰的金屬線的距離大于零且小于lOOum。
[0031]結(jié)合第一方面的第四至第十四種中任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第十五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該至少一個(gè)第二凸點(diǎn)與該至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔
——對應(yīng)連接。
[0032]本發(fā)明第二方面還提供一種電子組件，包括第一電子元器件、第二電子元器件及上述第一方面的任意一種可能實(shí)現(xiàn)方式的轉(zhuǎn)接板，第一電子元器件及第二電子元器件均設(shè)置于轉(zhuǎn)接板上，以通過轉(zhuǎn)接板進(jìn)行電互連。
[0033]在第二方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)包括第一組第一凸點(diǎn)及第二組第一凸點(diǎn)，其中，第一組第一凸點(diǎn)包括該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)，第二組第一凸點(diǎn)包括該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)，第一組第一凸點(diǎn)包括的該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)與該第二組第一凸點(diǎn)包括的該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)不同；及
[0034]第一電子元器件及第二電子元器件均設(shè)置于轉(zhuǎn)接板的上方，第一電子元器件連接至第一組第一凸點(diǎn)，第二電子元器件連接至該第二組第一凸點(diǎn)，第一電子元器件及第二電子元器件通過第一組第一凸點(diǎn)、第二組第一凸點(diǎn)及第一布線層來進(jìn)行電互連。
[0035]在第二方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一電子元器件設(shè)置于轉(zhuǎn)接板的上方，并電連接至至少一個(gè)第一凸點(diǎn)的一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)，第二電子元器件設(shè)置于轉(zhuǎn)接板的下方，并電連接至至少一個(gè)第二凸點(diǎn)的一個(gè)或多個(gè)第二凸點(diǎn)，第一電子元器件與第二電子元器件通過一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)、第一布線層、相應(yīng)的硅通孔、第二布線層及一個(gè)或多個(gè)第二凸點(diǎn)電互連。
[0036]在第二方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，電子組件還包括印刷電路板，第一電子元器件、第二電子元器件及印刷電路板通過轉(zhuǎn)接板進(jìn)行通信。
[0037]從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種轉(zhuǎn)接板，包括轉(zhuǎn)接板襯底、至少一個(gè)硅通孔、第一屏蔽層、第一絕緣層、第一布線層及至少一個(gè)第一凸點(diǎn)。轉(zhuǎn)接板襯底包括上表面及下表面；該至少一個(gè)硅通孔埋設(shè)于轉(zhuǎn)接板襯底內(nèi)，并貫穿轉(zhuǎn)接板襯底的上表面及下表面；第一屏蔽層設(shè)置于轉(zhuǎn)接板襯底的上表面上，其中，第一屏蔽層具有導(dǎo)電性；第一絕緣層設(shè)置于第一屏蔽層上；第一布線層設(shè)置于第一絕緣層上，并電連接至該至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔；第一凸點(diǎn)設(shè)置于第一布線層上，以通過第一布線層與相應(yīng)的硅通孔電連接。由于，轉(zhuǎn)接板包括第一屏蔽層。第一屏蔽層設(shè)置于轉(zhuǎn)接板襯底的上表面與第一布線層之間，用于阻擋和反射第一布線層上產(chǎn)生的電磁波，從而減少了第一布線層上產(chǎn)生的電磁場滲透到轉(zhuǎn)接板襯底內(nèi)，進(jìn)而維持了信號的完整性，并減少了電磁干擾泄露。
【附圖說明】
[0038]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0039]圖1為本發(fā)明第一方案第一實(shí)施例提供的一種轉(zhuǎn)接板的示意圖；
[0040]圖2為本發(fā)明第一方案第二實(shí)施例提供的一種轉(zhuǎn)接板的示意圖；
[0041]圖3為本發(fā)明第一方案第三實(shí)施例提供的一種轉(zhuǎn)接板的示意圖；
[0042]圖4為本發(fā)明第一方案第四實(shí)施例提供的一種轉(zhuǎn)接板的示意圖；
[0043]圖5為本發(fā)明第一方案第五實(shí)施例提供的一種轉(zhuǎn)接板的示意圖；
[0044]圖6為本發(fā)明第一方案第六實(shí)施例提供的一種轉(zhuǎn)接板的示意圖；
[0045]圖7為對傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)接板與圖2的轉(zhuǎn)接板進(jìn)行仿真后得到的損耗比較仿真圖；
[0046]圖8 (a)為圖2的轉(zhuǎn)接板在頻率為40GHz時(shí)的歸一化電場分布圖；
[0047]圖8 (b)為傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)接板在頻率為40GHz時(shí)的歸一化電場分布圖；
[0048]圖9為圖體的轉(zhuǎn)接板與傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)接板介質(zhì)和金屬損耗的對比圖；
[0049]圖10為具有硅通孔結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接板在具有雙面屏蔽層及未具有雙面屏蔽層的情況下的損耗特性仿真分析比較圖。
[0050]圖11為本發(fā)明第二方案實(shí)施例提供的一種電子組件。
具體實(shí)施例
[0051 ] 本發(fā)明提供了一種轉(zhuǎn)接板及電子組件。
[0052]為使得本發(fā)明的發(fā)明目的、特征、優(yōu)點(diǎn)能夠更加的明顯和易懂，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，下面所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而非全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0053]本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三” “第四”等(如果存在)是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實(shí)施例例如能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤?。此外，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。
[0054]下面通過具體實(shí)施例，分別進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0055]請參考圖1，本發(fā)明第一方案的第一實(shí)施例提供一種轉(zhuǎn)接板100。轉(zhuǎn)接板100用于連接電子元器件或印刷電路板，以為電子元器件之間或電子元器件與印刷電路板之間提供電互連。轉(zhuǎn)接板100包括轉(zhuǎn)接板襯底10、至少一個(gè)硅通孔20、第一屏蔽層30、第一絕緣層40、第一布線層50、至少一個(gè)第一凸點(diǎn)60。
[0056]其中，轉(zhuǎn)接板襯底10包括上表面11及下表面12。轉(zhuǎn)接板襯底可以為硅襯底，且為低阻娃襯底。
[0057]該至少一個(gè)硅通孔20埋設(shè)于轉(zhuǎn)接板襯底10內(nèi)，并貫穿轉(zhuǎn)接板襯底10的上表面11及下表面12。
[0058]需要說明的是，在一個(gè)實(shí)施例中，為了制作該至少一個(gè)硅通孔20，先用深反應(yīng)離子蝕刻技術(shù)或其他技術(shù)在硅襯底上形成通孔。在通孔制作后在通孔的側(cè)壁上形成一層薄的絕緣層。然后在通孔中鍍上銅層，以形成垂直方向的互連結(jié)構(gòu)，從而可以進(jìn)行信號的垂直傳輸。
[0059]第一屏蔽層30設(shè)置于轉(zhuǎn)接板襯底10的上表面11上。其中，第一屏蔽層30具有導(dǎo)電性。在本實(shí)施例中，第一屏蔽層30為金屬屏蔽層，進(jìn)一步地可以為金屬銅屏蔽層。
[0060]第一絕緣層40設(shè)置于第一屏蔽層30上。
[0061]第一布線層50設(shè)置于第一絕緣層40上，并電連接至該至少一個(gè)硅通孔20中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔20。
[0062]需要說明的是，第一絕緣層40用于將第一屏蔽層30與第一布線層50進(jìn)行絕緣。第一布線層50的作用是用于實(shí)現(xiàn)水平方向的信號傳輸。
[0063]對于該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)60:該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)60設(shè)置于第一布線層50上，以通過第一布線層與該至少一個(gè)硅通孔20電連接。在本實(shí)施例中，該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)60與該至少一個(gè)硅通孔20中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔20 —一對應(yīng)連接。當(dāng)該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)60中的一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)60電連接電子元器件時(shí)，電子元器件與第一布線層50及相應(yīng)的硅通孔20電互連。
[0064]其中，該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)60可以為焊球或者微焊球。
[0065]在本實(shí)施例中，轉(zhuǎn)接板100包括第一屏蔽層30。第一屏蔽層30設(shè)置于轉(zhuǎn)接板襯底10的上表面11與第一布線層50之間，用于阻擋和反射第一布線層50上產(chǎn)生的電磁波，從而有效地減少了第一布線層50上產(chǎn)生的電磁場滲透到轉(zhuǎn)接板襯底10內(nèi)。因此，轉(zhuǎn)接板100提高了信號的完整性，并減少了電磁干擾泄露。
[0066]進(jìn)一步地，第一屏蔽層30與該至少一個(gè)硅通孔20中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔20電連接，則第一屏蔽層30則通過該一個(gè)或多個(gè)硅通孔20連接至與該一個(gè)或多個(gè)硅通孔20連接的電子器件的接地端連接，從而使得第一屏蔽層30作為地平面，充當(dāng)電路“地”的作用，可以為第一布線層50提供返回電流路徑。因此，第一屏蔽層不但可以起到屏蔽減少電磁波滲透作用，還可以為第一布線層50提供返回電流路徑。另外，第一屏蔽層30通過該一個(gè)或多個(gè)硅通孔20與第一布線層50連接，屏蔽層充當(dāng)電路“地”的作用，使得第一布線層50可以不再設(shè)有接地層，從而減少了第一布線層50的層數(shù)。
[0067]請繼續(xù)參閱圖2，本發(fā)明第一方案第二較佳實(shí)施方式提供一種轉(zhuǎn)接板130。第二實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接板130與第一實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接板100相似，兩者的區(qū)別在于:在第二實(shí)施例中，轉(zhuǎn)接板130還包括第二屏蔽層32、第二絕緣層70、第二布線層80及至少一個(gè)第二凸點(diǎn)90。
[0068]第二屏蔽層32設(shè)置于轉(zhuǎn)接板襯底10的下表面12。其中，第二屏蔽層32具有導(dǎo)電性。在本實(shí)施例中，第一屏蔽層32為金屬屏蔽層，進(jìn)一步地可以為金屬銅屏蔽層。
[0069]第二絕緣層70設(shè)置于第二屏蔽層32上。
[0070]第二布線層80設(shè)置于第二絕緣層70上，并電連接至該至少一個(gè)硅通孔20中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔20。其中，第二布線層80的作用是為了實(shí)現(xiàn)水平方向的信號傳輸。
[0071]對于該至少一個(gè)第二凸點(diǎn)90:該至少一個(gè)第二凸點(diǎn)90設(shè)置于第二布線層80上，以通過第二布線層80與該至少一個(gè)硅通孔20電連接。在本實(shí)施例中，該至少一個(gè)第二凸點(diǎn)90與所述至少一個(gè)硅通孔20中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔20——對應(yīng)連接。
[0072]其中，該至少一個(gè)第二凸點(diǎn)90可以為焊球或者微焊球。
[0073]本實(shí)施例中，轉(zhuǎn)接板100包括第一屏蔽層30及第二屏蔽層32。第一屏蔽層30設(shè)置于轉(zhuǎn)接板襯底10的上表面11與第一布線層50。第二屏蔽層32設(shè)置于轉(zhuǎn)接板襯底10的下表面12與第二布線層70之間。即轉(zhuǎn)接板100具有雙層屏蔽層，用于阻擋和反射第一及第二布線層50及80上產(chǎn)生的電磁波，從而同時(shí)減少了滲透到轉(zhuǎn)接板襯底10內(nèi)的電磁場，起到了雙重屏蔽的作用，有效地維持了第一布線層50及第二布線層80上傳輸?shù)男盘柕耐暾?，并大大減少了電磁干擾泄露。
[0074]進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，第一屏蔽層30或第二屏蔽層32與該至少一個(gè)硅通孔20中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔電連接。在本實(shí)施例中，第一屏蔽層30與一個(gè)硅通孔20電連接，如圖2中的A處。在其他實(shí)施例中，也可以為第二屏蔽層32與一個(gè)硅通孔20電連接。
[0075]需要說明的是，第一屏蔽層30及第二屏蔽層32中的一個(gè)屏蔽層與該至少一個(gè)硅通孔20中的一個(gè)硅通孔20電連接(如圖2呈現(xiàn)的是第一屏蔽層30與一個(gè)硅通孔20電連接的狀況)，則該屏蔽層(如第一屏蔽層30)則通過該硅通孔20連接至與該硅通孔20連接的電子器件的接地端連接，從而使得第一屏蔽層30作為地平面，充當(dāng)電路“地”的作用，可以為相應(yīng)的布線層(如第一布線層50)提供返回電流路徑。因此，屏蔽層(如第一屏蔽層30)不但可以起到屏蔽減少電磁波滲透作用，還可以為相應(yīng)的布線層(如第一布線層50)提供返回電流路徑。另外，屏蔽層(如第一屏蔽層30)通過該硅通孔20與相應(yīng)的布線層(第一布線層50)連接。屏蔽層(如第一屏蔽層30)充當(dāng)電路“地”的作用，使得相應(yīng)的布線層(如第一屏蔽層30)可以不再設(shè)有接地層，從而減少了布線層(如第一布線層50)的層數(shù)。
[0076]進(jìn)一步地，轉(zhuǎn)接板100還包括第三絕緣層42及第四絕緣層44。第三絕緣層42設(shè)置于第一屏蔽層30與轉(zhuǎn)接板襯底10的上表面11之間。第四絕緣層44設(shè)置于第二屏蔽層32與轉(zhuǎn)接板襯底10的下表面12之間。
[0077]其中，第三絕緣層42及第四絕緣層44包括摻雜離子。其中，重?fù)诫x子在第三絕緣層42及第四絕緣層44中的摻雜濃度大于lOYcm3。
[0078]需要說明的是，第三絕緣層42及第四絕緣層44分別設(shè)置于第一屏蔽層30與轉(zhuǎn)接板襯底10、第二屏蔽層32與轉(zhuǎn)接板襯底10之間，以使得轉(zhuǎn)接板襯底與第一及第二屏蔽層30及32之間形成高阻接觸，以避免第一及第二屏蔽層30及32與轉(zhuǎn)接板襯底10之間出現(xiàn)導(dǎo)通現(xiàn)象，導(dǎo)致轉(zhuǎn)接板130的電性能變化，從而影響轉(zhuǎn)接板130整體的功能。
[0079]另外，在其他實(shí)施例中，當(dāng)轉(zhuǎn)接板只具有一個(gè)屏蔽層時(shí)，轉(zhuǎn)接板可以只包括一個(gè)絕緣層，該絕緣層設(shè)置于屏蔽層與轉(zhuǎn)接板襯底之間，以使得轉(zhuǎn)接板襯底與屏蔽層之間形成高阻接觸，以避免屏蔽層與硅轉(zhuǎn)接板襯底之間出現(xiàn)導(dǎo)通現(xiàn)象，導(dǎo)致轉(zhuǎn)接板的電性能變化，從而影響轉(zhuǎn)接板整體的功能。
[0080]進(jìn)一步地，第一屏蔽層30及第二屏蔽層32具有鏤空部分。
[0081]需要說明的是，在本實(shí)施例中，轉(zhuǎn)接板襯底10為硅襯底。第一屏蔽層30及第二屏蔽層32的材質(zhì)為銅。由于硅與銅材料熱膨脹系數(shù)的差異，硅上大面積鍍銅容易脫離。為了防止第一及第二屏蔽層30及32的脫離，使得第一及第二屏蔽層30及32具有鏤空部分。
[0082]具體地，第一屏蔽層及第二屏蔽層為由金屬線編織成的網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，其中，金屬線的寬度大于10um，相鄰的金屬線的距離大于零且小于lOOum。
[0083]在其他的實(shí)施例中，為了防止第一及第二屏蔽層30及32的脫離，第一及第二屏蔽層30及32也可以根據(jù)實(shí)際需要調(diào)整為其他結(jié)構(gòu)。
[0084]請參閱圖3，本發(fā)明第一方案的第三實(shí)施例提供一種轉(zhuǎn)接板200。第三實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接板200與第二實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接板130相似，兩者的區(qū)別在于:在第二實(shí)施例中，第一屏蔽層230及第二屏蔽層232分別與該至少一個(gè)硅通孔20中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔20電連接。第一屏蔽層230連接的該一個(gè)或多個(gè)硅通孔20與第二屏蔽層232連接的該一個(gè)或多個(gè)硅通孔20不同。
[0085]在本實(shí)施例中，第一屏蔽層230與一個(gè)硅通孔20電連接(如圖3中的A處)。第二屏蔽層232與另一硅通孔20電連接(如圖3中的B處)。
[0086]其中，第一屏蔽層230及第二屏蔽層232中均與該至少一個(gè)硅通孔20中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔20電連接，則第一屏蔽層230及第二屏蔽層232通過該一個(gè)或多個(gè)硅通孔20連接至與該一個(gè)或多個(gè)硅通孔20連接的電子器件的接地端連接，從而使得第一及第二屏蔽層230及232均作為地平面，充當(dāng)電路“地”的作用，可以為第一及第二布線層50及80提供返回電流路徑。因此，第一及第二屏蔽層230及232不但可以起到減少電磁波滲透作用，還可以為相應(yīng)的布線層提供返回電流路徑。另外，第一及第二屏蔽層230及232通過該一個(gè)或多個(gè)硅通孔20與相應(yīng)的第一及第二布線層50及80連接，第一及第二屏蔽層230及232充當(dāng)電路“地”的作用，使得相應(yīng)的第一及第二布線層50及80可以不再設(shè)有接地層，從而減少了第一及第二布線層50及80的層數(shù)。
[0087]請參閱圖4，本發(fā)明第一方案的第四實(shí)施例提供一種轉(zhuǎn)接板300。第四施例提供的轉(zhuǎn)接板300第二實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接板100相似，兩者的區(qū)別在于:在第四施例中，該至少一個(gè)硅通孔20中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔20同時(shí)與第一屏蔽層330及第二屏蔽層332電連接，以使轉(zhuǎn)接板300形成等勢體。
[0088]在本實(shí)施例中，第一屏蔽層330及第二屏蔽層332同時(shí)與一個(gè)硅通孔20電連接。(如圖4中的A及B處)
[0089]在本實(shí)施例中，第一屏蔽層330及第二屏蔽層332中均與一個(gè)硅通孔20電連接，則第一屏蔽層230及第二屏蔽層232通過該硅通孔20連接至與該硅通孔20連接的電子器件的接地端連接，從而使得第一及第二屏蔽層230及232均作為地平面，充當(dāng)電路“地”的作用，可以為第一及第二布線層50及80提供返回電流路徑。因此，第一及第二屏蔽層230及232不但可以起到減少電磁波滲透作用，還可以為相應(yīng)的布線層提供返回電流路徑。另夕卜，第一及第二屏蔽層230及232通過該硅通孔20與相應(yīng)的第一及第二布線層50及80連接，第一及第二屏蔽層230及232充當(dāng)電路“地”的作用，使得相應(yīng)的第一及第二布線層50及80可以不再設(shè)有接地層，從而減少了第一及第二布線層50及80的層數(shù)。
[0090]進(jìn)一步地，第一屏蔽層330與第二屏蔽層332與相同的硅通孔20連接，使得轉(zhuǎn)接板300形成等勢體，不再有壓差，從而避免了沿垂直方向傳輸?shù)男盘柕膿p耗。
[0091]請參閱圖5，本發(fā)明第一方案的第五實(shí)施例提供一種轉(zhuǎn)接板400。第五施例提供的轉(zhuǎn)接板400與第四實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接板300相似，兩者的區(qū)別在于:在第五施例中，當(dāng)該至少一個(gè)第二凸點(diǎn)90連接至印刷電路板120的接地層121時(shí)，第一屏蔽層430及第二屏蔽層432共同電連接的該至少一個(gè)硅通孔20中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔20還電連接至接地層120。
[0092]需要說明的是，第一屏蔽層430及第二屏蔽層432中均與該一個(gè)或多個(gè)硅通孔20電連接，則第一屏蔽層230及第二屏蔽層232通過該一個(gè)或多個(gè)硅通孔20直接連接至與接地層121連接，從而使得第一及第二屏蔽層230及232均作為地平面，充當(dāng)電路“地”的作用，可以為第一及第二布線層50及80提供返回電流路徑。因此，第一及第二屏蔽層230及232結(jié)構(gòu)簡單，不但可以起到減少電磁波滲透作用，還可以為相應(yīng)的布線層提供返回電流路徑。另外，第一及第二屏蔽層230及232通過該一個(gè)或多個(gè)硅通孔20與相應(yīng)的第一及第二布線層50及80連接，第一及第二屏蔽層230及232充當(dāng)電路“地”的作用，使得相應(yīng)的第一及第二布線層50及80可以不再設(shè)有接地層，從而減少了第一及第二布線層50及80的層數(shù)。
[0093]同時(shí)，第一屏蔽層330與第二屏蔽層332與相同的硅通孔20連接，使得轉(zhuǎn)接板300形成等勢體，不再有壓差，從而避免了沿垂直方向傳輸?shù)男盘柕膿p壞。
[0094]請參閱圖6，本發(fā)明第一方案的第六實(shí)施例提供一種轉(zhuǎn)接板500。第六施例提供的轉(zhuǎn)接板500第二實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接板130相似，兩者的區(qū)別在于:在第六施例中，第一屏蔽層530及第二屏蔽層532均與該至少一個(gè)硅通孔20絕緣。
[0095]在本實(shí)施例中，第一屏蔽層530設(shè)置于轉(zhuǎn)接板襯底10的上表面11與第一布線層50之間，從而減少了第一布線層50上產(chǎn)生的電磁場滲透到轉(zhuǎn)接板襯底10內(nèi)。第二屏蔽層532設(shè)置于轉(zhuǎn)接板襯底10的下表面12與第二布線層80之間，用于阻擋和反射第二布線層80上產(chǎn)生的電磁波，從而減少了第二布線層80上產(chǎn)生的電磁場滲透到轉(zhuǎn)接板襯底10內(nèi)。因此，轉(zhuǎn)接板500維持了信號的完整性，并減少了電磁干擾泄露。
[0096]為進(jìn)一步說明本發(fā)明轉(zhuǎn)接板相較于傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)接板的有益效果，選擇第一一方案的一個(gè)實(shí)施例的轉(zhuǎn)接板仿真。如選擇第一方案中的第二實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接板130進(jìn)行仿真可以得到如下比較結(jié)果:
[0097]請參閱圖7，為對傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)接板與本發(fā)明第一方案第二實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接板130進(jìn)行仿真后得到的損耗比較仿真圖。其中，傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)接板與轉(zhuǎn)接板130的信號線總長度相同。信號傳輸損耗用插入損耗表示成_201og1Q|S21|。從圖中可以看出在高頻段(20GHz-50GHz)的范圍內(nèi)，轉(zhuǎn)接板130和傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)接板相比具有更小的插入損耗。由此我們可以知道轉(zhuǎn)接板130的結(jié)構(gòu)在高頻范圍內(nèi)信號傳輸損耗小。
[0098]請參閱圖8 (a)及8 (b)，為本發(fā)明轉(zhuǎn)接板130與傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)接板在頻率為40GHz時(shí)的歸一化電場分布圖。圖8(a)為本發(fā)明轉(zhuǎn)接板130在頻率為40GHz時(shí)的歸一化電場分布圖。圖8(b)為傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)接板在頻率為40GHz時(shí)的歸一化電場分布圖。從圖8(a)及圖8(b)中我們可以看到，本發(fā)明轉(zhuǎn)接板130和傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)接板相比，電磁場被集中在硅通孔周圍，阻止其向硅襯底中擴(kuò)散。傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)接板由于沒有屏蔽層的存在，電流通過硅通孔時(shí)產(chǎn)生的電磁場將在硅襯底中擴(kuò)散。本發(fā)明轉(zhuǎn)接板130通過屏蔽層和重?fù)诫s區(qū)域使轉(zhuǎn)接板130襯底有效的接地，并且和硅通孔形成類似同軸的結(jié)構(gòu)。這樣沿著硅通孔傳播的電磁場能夠最大限度的被限制在硅通孔周圍。需要著重強(qiáng)調(diào)的是，本發(fā)明是通過改變結(jié)構(gòu)而未采用較昂貴的高阻硅來提高轉(zhuǎn)接板130的電性能，這樣有助于減少轉(zhuǎn)接板整個(gè)封裝成本。
[0099]請參閱圖9，為發(fā)明轉(zhuǎn)接板130與傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)接板介質(zhì)和金屬損耗的對比圖。其中，Sll I 2是指硅通孔的第一端對地的反射功率；IS2112是指硅通孔的第二端通過第一端后對地的反射功率。對于無損介質(zhì)和無輻射系統(tǒng)，S11|2+|S21|2= I。對于硅襯底轉(zhuǎn)接板而言，介質(zhì)損耗通常比輻射損耗大，所以我們用1_(|S11|2+|S21|2)近似表示介質(zhì)損耗。從圖11可以看到，和傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明轉(zhuǎn)接板130具有更小的介質(zhì)損耗。
[0100]另外，請參閱圖10，為具有硅通孔結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接板在具有雙面屏蔽層和未有雙面屏蔽層的情況下的損耗特性仿真分析比較圖。從圖10中可以得到，同樣的具有硅通孔轉(zhuǎn)接板，具有雙面屏蔽層和沒有雙面屏蔽層相比在整個(gè)頻率范圍內(nèi)介質(zhì)損耗都有一定的減少。
[0101]請參閱圖11，本發(fā)明第二方案較佳實(shí)施方式提供一種電子組件600。電子組件包括第一電子元器件610、第二電子元器件620及轉(zhuǎn)接板。第一電子元器件610與第二電子元器件620均設(shè)置于轉(zhuǎn)接板上，以通過轉(zhuǎn)接板進(jìn)行電互連。在本實(shí)施例中的轉(zhuǎn)接板可以為上述第一方案中的第一實(shí)施例中的轉(zhuǎn)接板100。轉(zhuǎn)接板100的具體結(jié)構(gòu)及功能作用已在第一方案的第一實(shí)施例中進(jìn)行了具體闡述，故在此不再贅述。
[0102]在其他實(shí)施例中，轉(zhuǎn)接板也可以根據(jù)實(shí)際需要選擇為第一方案的第二至第五實(shí)施例中的任一實(shí)施例中提供的轉(zhuǎn)接板。
[0103]具體地，該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)60包括第一組第一凸點(diǎn)及第二組第一凸點(diǎn)。該第一組第一凸點(diǎn)包括該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)。該第二組第一凸點(diǎn)包括該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)。該第一組第一凸點(diǎn)包括的該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)與該第二組第一凸點(diǎn)包括的該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)不同。
[0104]第一電子元器件610及第二電子元器件620均設(shè)置于轉(zhuǎn)接板100的上方。第一電子元器件610連接至所述第一組第一凸點(diǎn)。所述第二電子元器件620連接至所述第二組第一凸點(diǎn)。第一電子元器件610及第二電子元器件620通過第一組第一凸點(diǎn)、第二組第一凸點(diǎn)及第一布線層50來進(jìn)行電互連。
[0105]在本實(shí)施例中，轉(zhuǎn)接板100包括第一屏蔽層30。第一屏蔽層30設(shè)置于轉(zhuǎn)接板襯底10的上表面11與第一布線層50之間，用于阻擋和反射第一布線層50上產(chǎn)生的電磁波，從而減少了第一布線層50上產(chǎn)生的電磁場滲透到轉(zhuǎn)接板襯底10內(nèi)，進(jìn)而維持了第一電子元器件610及第二電子元器件620傳輸?shù)男盘柕耐暾?，并減少了電磁干擾泄露。
[0106]在其他的實(shí)施例中，第一電子元器件610可以設(shè)置于轉(zhuǎn)接板100的上方，并電連接至該至少一個(gè)第一凸點(diǎn)60中的一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)60。第二電子元器件620設(shè)置于轉(zhuǎn)接板100的下方，并電連接至該至少一個(gè)第二凸點(diǎn)90中的一個(gè)或多個(gè)第二凸點(diǎn)90。第一電子元器件610與第二電子元器件620通過該至少一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)60、第一布線層50、相應(yīng)的硅通孔20、第二布線層80及該至少一個(gè)或多個(gè)第二凸點(diǎn)90來進(jìn)行電互連。
[0107]進(jìn)一步地，電子組件600還包括印刷電路板630。第一電子元器件610、第二電子元器件620及印刷電路板630通過轉(zhuǎn)接板100進(jìn)行通信。
[0108]具體地，該至少一個(gè)第二凸點(diǎn)90電連接至印刷電路板630，以使第一電子元器件610和/或第二電子兀器件620通過該一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)60、第一布線層50、相應(yīng)的娃通孔20、第二布線層80及該一個(gè)或多個(gè)第二凸點(diǎn)90來與印刷電路板630通信。
[0109]轉(zhuǎn)接板100包括第一屏蔽層30。第一屏蔽層30設(shè)置于轉(zhuǎn)接板襯底10的上表面11與第一布線層50之間，用于阻擋和反射第一布線層50上產(chǎn)生的電磁波，從而減少了第一布線層50上產(chǎn)生的電磁場滲透到轉(zhuǎn)接板襯底10內(nèi)，進(jìn)而維持了第一電子元器件610及第二電子元器件620傳輸?shù)男盘柕耐暾?，并減少了電磁干擾泄露。
[0110]另外，印刷電路板630包括接地層631。第一屏蔽層430及第二屏蔽層432中均與硅通孔20電連接，則第一屏蔽層230及第二屏蔽層232通過該一個(gè)或多個(gè)硅通孔20直接連接至與接地層631連接，從而使得第一及第二屏蔽層230及232均作為地平面，充當(dāng)電路“地”的作用，可以為第一及第二布線層50及80提供返回電流路徑，因此，第一及第二屏蔽層230及232結(jié)構(gòu)簡單，不但可以起到減少電磁波滲透作用，還可以為相應(yīng)的布線層提供返回電流路徑。另外，第一及第二屏蔽層230及232通過該一個(gè)或多個(gè)硅通孔20與相應(yīng)的第一及第二布線層50及80連接，第一及第二屏蔽層230及232充當(dāng)電路“地”的作用，使得相應(yīng)的第一及第二布線層50及80可以不再設(shè)有接地層，從而減少了第一及第二布線層50及80的層數(shù)。
[0111]以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述轉(zhuǎn)接板包括: 轉(zhuǎn)接板襯底，所述轉(zhuǎn)接板襯底包括上表面及下表面； 至少一個(gè)硅通孔，所述至少一個(gè)硅通孔埋設(shè)于所述轉(zhuǎn)接板襯底內(nèi)，并貫穿所述轉(zhuǎn)接板襯底的上表面及下表面； 第一屏蔽層，所述第一屏蔽層設(shè)置于所述轉(zhuǎn)接板襯底的上表面上，其中，所述第一屏蔽層具有導(dǎo)電性； 第一絕緣層，所述第一絕緣層設(shè)置于所述第一屏蔽層上； 第一布線層，所述第一布線層設(shè)置于所述第一絕緣層上，并電連接至所述至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔； 至少一個(gè)第一凸點(diǎn)，所述至少一個(gè)第一凸點(diǎn)設(shè)置于所述第一布線層上，以通過所述第一布線層與所述至少一個(gè)硅通孔電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述至少一個(gè)第一凸點(diǎn)與所述至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔一一對應(yīng)連接。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述第一屏蔽層與所述至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔電連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述第一屏蔽層與所述至少一個(gè)娃通孔絕緣。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述轉(zhuǎn)接板還包括: 第二屏蔽層，所述第二屏蔽層設(shè)置于所述轉(zhuǎn)接板襯底的下表面上，其中，所述第二屏蔽層具有導(dǎo)電性； 第二絕緣層，所述第二絕緣層設(shè)置于所述第二屏蔽層上； 第二布線層，所述第二布線層設(shè)置于所述第二絕緣層上，并電連接至所述至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔； 至少一個(gè)第二凸點(diǎn)，其中，所述至少一個(gè)第二凸點(diǎn)設(shè)置于所述第二布線層上，以通過所述第二布線層與所述至少一個(gè)硅通孔電連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述第一屏蔽層或所述第二屏蔽層與所述至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔電連接。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述第一屏蔽層及所述第二屏蔽層分別與所述至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔電連接，其中，所述第一屏蔽層連接的一個(gè)或多個(gè)硅通孔與所述第二屏蔽層連接的一個(gè)或多個(gè)硅通孔不同。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔同時(shí)與所述第一屏蔽層及所述第二屏蔽層電連接，以使所述轉(zhuǎn)接板形成等勢體。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:當(dāng)所述第二凸點(diǎn)連接至所述印刷電路板的接地層時(shí)，所述第一屏蔽層及所述第二屏蔽層共同電連接的所述至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔還電連接至所述接地層。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述第一及第二屏蔽層均與所述至少一個(gè)娃通孔絕緣。11.根據(jù)權(quán)利要求5-10中任一項(xiàng)所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述轉(zhuǎn)接板還包括: 第三絕緣層，所述第三絕緣層設(shè)置于所述第一屏蔽層與所述轉(zhuǎn)接板襯底的上表面之間； 第四絕緣層，所述第四絕緣層設(shè)置于所述第二屏蔽層與所述轉(zhuǎn)接板襯底的下表面之間。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述第三絕緣層及所述第四絕緣層包括摻雜離子。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述摻雜離子在所述第三絕緣層及第四絕緣層中的摻雜濃度大于K^/cm3。14.根據(jù)權(quán)利要求5-13中任一項(xiàng)所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述第一屏蔽層及所述第二屏蔽層具有鏤空部分。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述第一屏蔽層及所述第二屏蔽層為由金屬線編織成的網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，其中，金屬線的寬度大于10um，相鄰的金屬線的距離大于零且小于lOOum。16.根據(jù)權(quán)利要求5-15中任一項(xiàng)所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述至少一個(gè)第二凸點(diǎn)與所述至少一個(gè)硅通孔中的一個(gè)或多個(gè)硅通孔一一對應(yīng)連接。17.一種電子組件，包括第一電子元器件、第二電子元器件及如權(quán)利要求1-16任一項(xiàng)所述的轉(zhuǎn)接板，所述第一電子元器件與所述第二電子元器件均設(shè)置于所述轉(zhuǎn)接板上，以通過所述轉(zhuǎn)接板進(jìn)行電互連。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于: 所述至少一個(gè)第一凸點(diǎn)包括第一組第一凸點(diǎn)及第二組第一凸點(diǎn)，其中，所述第一組第一凸點(diǎn)包括所述至少一個(gè)第一凸點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)，所述第二組第一凸點(diǎn)包括所述至少一個(gè)第一凸點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)，所述第一組第一凸點(diǎn)包括的所述至少一個(gè)第一凸點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)與所述第二組第一凸點(diǎn)包括的所述至少一個(gè)第一凸點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)不同；及 所述第一電子元器件及所述第二電子元器件均設(shè)置于所述轉(zhuǎn)接板的上方，所述第一電子元器件連接至所述第一組第一凸點(diǎn)，所述第二電子元器件連接至所述第二組第一凸點(diǎn)，所述第一電子元器件及所述第二電子元器件通過所述第一組第一凸點(diǎn)、所述第二組第一凸點(diǎn)及所述第一布線層來進(jìn)行電互連。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述第一電子元器件設(shè)置于所述轉(zhuǎn)接板的上方，并電連接至所述至少一個(gè)第一凸點(diǎn)的一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)，所述第二電子元器件設(shè)置于所述轉(zhuǎn)接板的下方，并電連接至所述至少一個(gè)第二凸點(diǎn)的一個(gè)或多個(gè)第二凸點(diǎn)，所述第一電子元器件與所述第二電子元器件通過所述一個(gè)或多個(gè)第一凸點(diǎn)、所述第一布線層、相應(yīng)的硅通孔、所述第二布線層及所述一個(gè)或多個(gè)第二凸點(diǎn)電互連。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的轉(zhuǎn)接板，其特征在于:所述電子組件還包括印刷電路板，所述第一電子元器件、所述第二電子元器件及所述印刷電路板通過所述轉(zhuǎn)接板進(jìn)行通信。
【文檔編號】H01L23/48GK105990282SQ201510091433
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年2月27日
【發(fā)明人】魏興昌, 俞恢春, 黃曉波, 羅星云
【申請人】華為技術(shù)有限公司, 浙江大學(xué)