本實(shí)用新型是有關(guān)一種IC測(cè)試治具，尤指其壓制件具有凸緣，且在其未動(dòng)作時(shí)將可避免設(shè)備、治具與IC元件損壞的一種治具改良結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

IC(Integrated Circuit)又稱(chēng)為集成電路，其是將一些晶體管、二極管、電阻、電容等組件組裝在一起以形成一個(gè)新的電路組件，這個(gè)新的電路組件已具備了某種特殊功能，因此，集成電路系構(gòu)成電子設(shè)備的主體，換句話說(shuō)沒(méi)有集成電路，我們的生活就沒(méi)有這么便利，比如手機(jī)就不可能這么小、這么輕便、這么多功能，又如計(jì)算機(jī)也不可能速度這么快、這么省電。

當(dāng)在電路板上完成電子組件的組裝后，必須測(cè)試各組件功能是否合格才可進(jìn)一步使用。過(guò)去大部分的IC元件是透過(guò)接腳與電路板作電性連接，其測(cè)試方式是采用相對(duì)應(yīng)的插槽，將IC元件插入后進(jìn)行電性連接的測(cè)試。然而，近年來(lái)IC元件多采用球柵數(shù)組封裝IC，即BGA(Ball grid array packed IC)，因其具有高I/O密度及可使用表面黏著技術(shù)(SMT)作固定，因此可直接設(shè)置于電路板上，且大幅度提升了電子產(chǎn)品的質(zhì)量。不過(guò)，采用BGA的IC元件因?yàn)榫哂刑厥獾那蛐谓幽_，因此可利用對(duì)應(yīng)球形接腳所制成的電路板與其接觸，而無(wú)須經(jīng)過(guò)焊接即可進(jìn)行IC元件的測(cè)試作業(yè)。

再按，圖1所示，是運(yùn)用IC測(cè)試治具置于電路板上進(jìn)行測(cè)試的實(shí)例，其中，該IC測(cè)試治具包括：一基座10，具有一容置空間11，且該容置空間11內(nèi)設(shè)有一鏤空孔12的內(nèi)階緣13；二壓制件20，設(shè)置于該內(nèi)階緣13的上方，其具有扭力及復(fù)歸彈力；待測(cè)試的IC元件50，底部具有數(shù)個(gè)球形接腳501，置入該容置空間11內(nèi)，并借由該壓制件20予以壓制固定；再者，一觸接件30，具有數(shù)個(gè)穿孔以容置導(dǎo)電端子31，其置于該鏤空孔12內(nèi)緣， 使IC元件50的球形接腳501可與該導(dǎo)電端子31的上端接觸，而該導(dǎo)電端子31的下端則焊固于測(cè)試用的電路板60上，借以進(jìn)行IC元件50的測(cè)試。

但查，當(dāng)待測(cè)試的IC元件50要置入該容置空間11時(shí)，外部的頂銷(xiāo)41必須上頂使該二壓制件20各別向上樞轉(zhuǎn)，IC元件50置入后外部的頂銷(xiāo)41下移，壓制件20將借由其復(fù)歸彈力而壓制該IC元件50的兩側(cè)；而當(dāng)外部頂銷(xiāo)41未正常動(dòng)作時(shí)，該壓制件20仍停置原來(lái)的位置，則吸盤(pán)吸附IC元件50置入該容置空間11時(shí)，則將發(fā)生如圖2所示的狀態(tài)，即壓制件20的上緣卡住IC元件50的一側(cè)，使繼續(xù)下降中的吸盤(pán)40、IC元件50與壓制件20相互擠壓而造成損壞；由于自動(dòng)化的IC測(cè)試作業(yè)中，其頂銷(xiāo)未正常動(dòng)作的現(xiàn)象并非偶發(fā)，因此，該IC測(cè)試治具實(shí)有很大及必要的改善空間。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的主要技術(shù)問(wèn)題在于，克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，而提供一種改進(jìn)的IC測(cè)試治具結(jié)構(gòu)，使IC置入治具時(shí)，不會(huì)因壓制件未動(dòng)作而造成設(shè)備、治具與IC元件的損壞。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：

一種改進(jìn)的IC測(cè)試治具結(jié)構(gòu)，包括：一基座，其內(nèi)緣具有一容置空間，且該容置空間的底部具有一鏤空孔的內(nèi)階緣；二壓制件，呈左右對(duì)稱(chēng)設(shè)置于該內(nèi)階緣的上方，其一端各具有一樞孔，其另一端各具有一壓制部，且該樞孔各以一樞軸穿設(shè)于該基座左右側(cè)的一定位孔內(nèi)，各一扭簧置于該樞軸與樞孔之間，使該壓制件具有扭力及復(fù)歸的彈力。

其特征在于：該壓制件的壓制部設(shè)有一延伸的凸緣，且位于該壓制部下方的內(nèi)階緣，其鏤空孔朝向該壓制件的樞孔方向延伸，使該壓制部下方亦呈一鏤空槽，且進(jìn)一步在常態(tài)位置時(shí)，使該壓制部的凸緣位于所置入的IC元件下方。

借此，當(dāng)待測(cè)試的IC元件要置入該容置空間時(shí)，外部的頂銷(xiāo)將上頂該壓制部使該二壓制件各別向上樞轉(zhuǎn)，IC元件置入后外部的頂銷(xiāo)下移，壓制件將借由其復(fù)歸彈力而壓制該IC元件的兩側(cè)；而當(dāng)外部頂銷(xiāo)未正常動(dòng)作時(shí)，該壓制件仍處于其常態(tài)位置，置入的IC元件其側(cè)邊將置于該壓 制部的凸緣上，由于該IC元件其左右兩側(cè)仍同一水平的位于該鏤空孔上緣，因此，將可避免因壓制件未動(dòng)作而造成設(shè)備、治具與IC元件的損壞。

借助前揭特征，當(dāng)外部頂銷(xiāo)正常動(dòng)作時(shí)，本實(shí)用新型中的壓制件將可確實(shí)壓制并定位待測(cè)試的IC元件，而當(dāng)外部頂銷(xiāo)未能正常動(dòng)作時(shí)，本實(shí)用新型中的壓制件將處于其常態(tài)位置，而置入的IC元件其左右兩側(cè)將同一水平的位于鏤空孔上緣，因此不會(huì)造成設(shè)備、治具與IC元件的損壞；換言之，本實(shí)用新型將不論外部頂銷(xiāo)是否正常動(dòng)作，其壓制件都將不會(huì)對(duì)IC元件的測(cè)試造成任何損壞。

本實(shí)用新型的有益效果是，使IC置入治具時(shí)，不會(huì)因壓制件未動(dòng)作而造成設(shè)備、治具與IC元件的損壞。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1是現(xiàn)有的IC測(cè)試治具正視圖。

圖2是現(xiàn)有的IC測(cè)試治具結(jié)構(gòu)缺失示意圖。

圖3是本實(shí)用新型的分解立體圖。

圖4A是本實(shí)用新型的組合主視圖。

圖4B是本實(shí)用新型的組合剖視圖。

圖5是本實(shí)用新型中壓制件的剖視圖。

圖6是本實(shí)用新型中壓制件向上樞轉(zhuǎn)的示意圖。

圖7是本實(shí)用新型中壓制件正常動(dòng)作的示意圖。

圖8是本實(shí)用新型中壓制件未正常動(dòng)作的示意圖。

圖中標(biāo)號(hào)說(shuō)明：

10：基座

11：容置空間

12：鏤空孔

13：內(nèi)階緣

14：定位孔

15：鏤空槽

20：壓制件

21：樞孔

22：壓制部

23：凸緣

231：下凸緣

232：上凸緣

26：樞軸

27：扭簧

40：吸盤(pán)

41：頂銷(xiāo)

50：IC元件

100：IC測(cè)試治具的改良結(jié)構(gòu)

具體實(shí)施方式

首先，請(qǐng)參閱圖3～圖5所示，為本實(shí)用新型IC測(cè)試治具的改良結(jié)構(gòu)100，其包括：一基座10，其內(nèi)緣具有一容置空間11，且該容置空間11的底部具有一鏤空孔12的內(nèi)階緣13；二壓制件20，呈左右對(duì)稱(chēng)設(shè)置于該內(nèi)階緣13的上方，其一端各具有一樞孔21，其另一端各具有一壓制部22，且該樞孔21各以一樞軸26穿設(shè)于該基座左右側(cè)的一定位孔內(nèi)14，各一扭簧27置于該樞軸26與樞孔21之間，使該壓制件20具有扭力及復(fù)歸的彈力。

本實(shí)用新型的主要特征在于：該壓制件20的壓制部22設(shè)有一延伸的凸緣23，且位于該壓制部22下方的內(nèi)階緣13，其鏤空孔12朝向該壓制件20的樞孔21方向延伸，使該壓制部22下方亦呈一鏤空槽15，因此，該壓制件20組設(shè)在該內(nèi)階緣13上方的常態(tài)位置時(shí)，該壓制部22的凸緣23位于所置入的IC元件50下方。本實(shí)用新型系對(duì)該壓制件20的結(jié)構(gòu)形狀進(jìn)行改良，即該壓制部22的凸緣23結(jié)構(gòu)，其中如圖5所示，該下凸緣231可平整地壓制IC元件50，而當(dāng)該壓制件20未動(dòng)作時(shí)，其上凸緣232亦不會(huì)頂觸IC元件50使其左右側(cè)不在同一水平。

圖6所示，為本實(shí)用新型中該壓制件20向上樞轉(zhuǎn)的示意圖，當(dāng)待測(cè)試的IC元件50要置入該基座10的容置空間11時(shí)，外部機(jī)臺(tái)的頂銷(xiāo)41將上頂該壓制部22使該二壓制件20各別向上樞轉(zhuǎn)；當(dāng)IC元件50被吸盤(pán)40吸附而置入該容置空間11后，外部機(jī)臺(tái)的頂銷(xiāo)41將下移，而該壓制件20將借由其復(fù)歸彈力使其凸緣23壓制該IC元件50的兩側(cè)，其態(tài)樣如圖7所示；而當(dāng) 外部機(jī)臺(tái)的頂銷(xiāo)41未正常動(dòng)作時(shí)，該壓制件20仍處于其常態(tài)位置，IC元件50被吸盤(pán)40吸附而置入該容置空間11時(shí)，其側(cè)邊將置于該壓制部22的凸緣23上，由于該IC元件50其左右兩側(cè)仍同一水平的位于該鏤空孔12上緣，因此，吸盤(pán)40、IC元件50與該壓制件20將不會(huì)相互擠壓而造成損壞，其態(tài)樣如圖8所示。

由于本實(shí)用新型是對(duì)原IC測(cè)試治具的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改良，包括：該壓制件20的壓制部22設(shè)有一延伸的凸緣23，以及使該壓制件20組設(shè)在該基座10的內(nèi)階緣13上方時(shí)，其壓制部22下方呈一鏤空槽15；因此，當(dāng)外部頂銷(xiāo)41正常動(dòng)作時(shí)，本實(shí)用新型中的壓制件20將可確實(shí)壓制并定位待測(cè)試的IC元件50，而當(dāng)外部頂銷(xiāo)41未能正常動(dòng)作時(shí)，本實(shí)用新型中的壓制件20將處于其常態(tài)位置，而置入的IC元件50其兩側(cè)將同一水平的位于鏤空孔12上緣，因此不會(huì)造成設(shè)備、治具與IC元件的損壞；換言之，本實(shí)用新型將不論外部頂銷(xiāo)41是否正常動(dòng)作，其壓制件20都將不會(huì)對(duì)IC元件50的測(cè)試造成任何損壞。

以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。

綜上所述，本實(shí)用新型在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、使用實(shí)用性及成本效益上，完全符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展所需，且所揭示的結(jié)構(gòu)亦是具有前所未有的創(chuàng)新構(gòu)造，具有新穎性、創(chuàng)造性、實(shí)用性，符合有關(guān)實(shí)用新型專(zhuān)利要件的規(guī)定，故依法提起申請(qǐng)。