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半導體背面用切割帶集成膜的制作方法

文檔序號:9669137閱讀:556來源:國知局
半導體背面用切割帶集成膜的制作方法
【專利說明】
[0001] 本申請是申請日為2011年4月19日,申請?zhí)枮?01110099946. 4,發(fā)明名稱為"半 導體背面用切割帶集成膜"的申請的分案申請。
技術領域
[0002] 本發(fā)明設及半導體背面用切割帶集成膜,其具有倒裝忍片型半導體背面用膜。將 倒裝忍片型半導體背面用膜用于保護半導體元件例如半導體忍片的背面和提高強度。此 夕F,本發(fā)明設及使用半導體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導體器件的方法和倒裝忍片安裝的 半導體器件。
【背景技術】
[0003] 近年來,日益要求半導體器件及其封裝的薄型化和小型化。因此,作為半導體器 件及其封裝,已經(jīng)廣泛地利用其中借助于倒裝忍片接合將半導體元件例如半導體忍片安裝 (倒裝忍片連接)于基板上的倒裝忍片型半導體器件。在此類倒裝忍片連接中,將半導體 忍片W該半導體忍片的電路面與基板的電極形成面相對的形式固定至基板。在此類半導體 器件等中,可能存在半導體忍片的背面用保護膜保護W防止半導體忍片損壞等的情況(參 見,專利文獻1至10)。
[0004]專利文獻 1 :JP-A-2008-166451 陽005]專利文獻2 :JP-A-2008-006386
[0006]專利文獻 3 :JP-A-2007-261035
[0007]專利文獻 4 :JP-A-2007-250970
[0008]專利文獻 5 :JP-A-2007-158026
[0009]專利文獻 6 :JP-A-2004-221169
[0010]專利文獻 7 :JP-A-2004-214288
[0011]專利文獻 8 :JP-A-2004-142430
[0012]專利文獻 9 :JP-A-2004-072108
[0013]專利文獻10 :JP-A-2004-063551

【發(fā)明內容】

[0014] 然而,為了通過保護膜保護半導體忍片背面,需要添加新步驟W將保護膜粘貼至 在切割步驟中獲得的半導體忍片的背面。結果,步驟數(shù)量增加W及生產(chǎn)成本等增加。因此, 出于減少生產(chǎn)成本的目的,本發(fā)明人開發(fā)了半導體背面用切割帶集成膜。半導體背面用切 割帶集成膜具有W下結構:包括具有基材和基材上的壓敏粘合劑層的切割帶,和形成于切 割帶的壓敏粘合劑層上的倒裝忍片型半導體背面用膜。在生產(chǎn)半導體器件時,半導體背面 用切割帶集成膜如下使用。首先,將半導體晶片粘貼至半導體背面用切割帶集成膜中的倒 裝忍片型半導體背面用膜上。接下來,切割半導體晶片W形成半導體元件。隨后,半導體元 件從切割帶的壓敏粘合劑層剝離并與倒裝忍片型半導體背面用膜一起拾取,然后將半導體 元件倒裝忍片連接至被粘物如基板上。因此,獲得倒裝忍片型半導體器件。然而,在上述半 導體背面用切割帶集成膜中,在壓敏粘合劑層與倒裝忍片型半導體背面用膜的緊密粘合性 高的情況下,半導體元件的拾取在一些情況下變得困難。
[0015] 關于半導體元件的拾取性,本發(fā)明人進一步開發(fā)了包括通過用放射線照射而預先 固化的壓敏粘合劑層的半導體背面用切割帶集成膜。由于在拾取半導體元件時,在不用放 射線照射的情況下,該半導體背面用切割帶集成膜顯示在壓敏粘合劑層和倒裝忍片型半導 體背面用膜之間的良好的剝離性,因此拾取性得W改進。此外,由于用放射線照射的步驟不 是必需的,所W生產(chǎn)半導體器件的生產(chǎn)步驟的數(shù)量可減少且也可降低生產(chǎn)成本。
[0016] 然而,在上述此類半導體背面用切割帶集成膜中,由于壓敏粘合劑層已預先射線 固化,壓敏粘合劑層和倒裝忍片型半導體背面用膜之間的緊密粘合性低。因此,例如,存在 在切割半導體晶片時發(fā)生忍片飛散和半導體元件的碎裂的問題。另外,還存在切割時使用 的切割水滲入壓敏粘合劑層和倒裝忍片型半導體背面用膜之間的問題。
[0017] 考慮到前述問題進行本發(fā)明,其目的在于提供半導體背面用切割帶集成膜和生產(chǎn) 半導體器件的方法,所述半導體背面用切割帶集成膜能夠防止在切割半導體晶片時忍片飛 散和半導體元件碎裂的發(fā)生和切割時使用的切割水滲入壓敏粘合劑層和倒裝忍片型半導 體背面用膜之間同時維持在拾取半導體元件時良好的剝離性。
[0018] 為了解決前述問題,本發(fā)明人已進行了廣泛和深入的研究。結果,已發(fā)現(xiàn)前述問題 可通過采用W下構造解決,由此導致完成本發(fā)明。
[0019]目P,本發(fā)明提供半導體背面用切割帶集成膜,其包括倒裝忍片型半導體背面用膜 和切割帶,所述倒裝忍片型半導體背面用膜用于保護倒裝忍片連接至被粘物上的半導體元 件的背面,
[0020] 所述切割帶包括基材和設置于基材上的壓敏粘合劑層,
[0021] 所述倒裝忍片型半導體背面用膜形成于壓敏粘合劑層上,
[0022] 其中,壓敏粘合劑層為放射線固化型壓敏粘合劑層,其對于倒裝忍片型半導體背 面用膜的壓敏粘合力通過用放射線照射而降低。
[0023] 根據(jù)前述構造,由于壓敏粘合劑層和倒裝忍片型半導體背面用膜之間的緊密粘合 性良好,因此例如可防止在切割半導體晶片時忍片飛散和半導體元件碎裂的發(fā)生。此處, 在切割時,例如,半導體晶片通過高速旋轉切割刀等切斷,并且切割通常利用將切割水噴射 至切割部分W冷卻和防止切屑(cutswarf)的飛散來進行。根據(jù)本發(fā)明,由于壓敏粘合劑 層和倒裝忍片型半導體背面用膜之間的緊密粘合性良好,因此可W防止切割水滲入兩者之 間。另外,例如,在前述構造中,由于放射線固化型壓敏粘合劑層用作壓敏粘合劑層,對于倒 裝忍片型半導體背面用膜的壓敏粘合力的降低可通過在拾取半導體元件之前即刻用放射 線照射壓敏粘合劑層來實現(xiàn)。因此,在半導體元件與倒裝忍片型半導體背面用膜一起拾取 時,拾取可良好地進行而不產(chǎn)生殘膠。此外,半導體元件背面是指與電路形成面(電路面) 相對的面(非電路面)。
[0024] 倒裝忍片型半導體背面用膜優(yōu)選包含著色劑。由于該構造,倒裝忍片型半導體背 面用膜可具有顯示優(yōu)良的激光標識性和優(yōu)良的外觀性的功能。結果,例如,可通過利用任何 各種標識方法如印刷法和激光標識法通過倒裝忍片型半導體背面用膜進行標識,W將各種 信息如文字信息和圖形信息賦予至半導體元件或使用半導體元件的半導體器件的非電路 側上的面。此外,倒裝忍片型半導體背面用膜和切割帶可容易地彼此區(qū)分,因而可提高加工 性等。
[00巧]另外,本發(fā)明還提供使用上述半導體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導體器件的方 法,所述方法包括:
[00%] 將半導體晶片粘貼至所述半導體背面用切割帶集成膜中的倒裝忍片型半導體背 面用膜上,
[0027] 切割所述半導體晶片W形成半導體元件,
[0028] 從所述基材側用放射線照射所述半導體背面用切割帶集成膜中的壓敏粘合劑層,
[0029] 將所述半導體元件與所述倒裝忍片型背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑 層剝罔,和
[0030] 將所述半導體元件倒裝忍片連接至被粘物上。
[0031] 根據(jù)該方法,將半導體晶片粘貼至半導體背面用切割帶集成膜中的倒裝忍片型半 導體背面用膜上,半導體晶片W保護半導體晶片背面的狀態(tài)切割。在此情況下,由于壓敏粘 合劑層不通過用放射線照射等預先固化,與倒裝忍片型半導體背面用膜的緊密粘合性處于 良好狀態(tài)。因此,可防止忍片飛散和半導體元件碎裂的發(fā)生。此外,在切割時,噴射切割水 W冷卻和防止切屑飛散。根據(jù)前述方法,由于壓敏粘合劑層和倒裝忍片型半導體背面用膜 之間的緊密粘合性良好,在防止切割水滲入兩者之間的同時可進行切割。
[0032] 另外,在上述方法中,對于倒裝忍片型半導體背面用膜的壓敏粘合力通過從基材 側用放射線照射壓敏粘合劑層而降低。因此,可將半導體元件與倒裝忍片型半導體背面用 膜一起容易地從切割帶的壓敏粘合劑層拾取而不產(chǎn)生殘膠。目P,根據(jù)該生產(chǎn)方法,在切割步 驟中防止忍片飛散和半導體元件的碎裂W及切割水滲入壓敏粘合劑層和倒裝忍片型半導 體背面用膜之間,還可W在拾取步驟中良好地拾取半導體元件。
[0033] 此外,本發(fā)明還提供倒裝忍片型半導體器件,其通過如上所述的生產(chǎn)半導體器件 的方法制造,
[0034] 根據(jù)本發(fā)明,在包括含有基材和基材上的放射線固化型壓敏粘合劑層的切割帶 W及形成于壓敏粘合劑層上的倒裝忍片型半導體背面用膜的半導體背面用切割帶集成膜 中,由于采用其對于倒裝忍片型半導體背面用膜的壓敏粘合力可通過用放射線照射而降低 的放射線固化型壓敏粘合劑層作為壓敏粘合劑層,所W半導體元件的拾取可通過在拾取前 (特別地,在拾取時)用放射線照射壓敏粘合劑層良好地進行,此外,由于壓敏粘合劑層和 倒裝忍片型半導體背面用膜之間的緊密粘合性在壓敏粘合劑層不用放射線照射的狀態(tài)下 是良好的,因此在切割半導體晶片時可防止忍片飛散和半導體元件碎裂的發(fā)生。另外,在切 割時,噴射切割水W冷卻和防止切屑飛散,但也可防止切割水滲入壓敏粘合劑層和倒裝忍 片型半導體背面用膜之間。目P,根據(jù)本發(fā)明的構造,可W提供W下半導體背面用切割帶集成 膜:其在拾取時能夠顯示良好的剝離性同時防止在切割時的忍片飛散和半導體元件的碎裂 W及切割水滲入壓敏粘合劑層和倒裝忍片型半導體背面用膜之間。
【附圖說明】
[0035] 圖1為示出本發(fā)明的半導體背面用切割帶集成膜的一個實施方案的截面示意圖。
[0036] 圖2為示出本發(fā)明的半導體背面用切割帶集成膜的另一個實施方案的截面示意 圖。
[0037]圖3A-3E為示出使用本發(fā)明的半導體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導體器件的方 法的一個實施方案的截面示意圖。
[0038] 附圖梳巧說巧
[0039] 1,11半導體背面用切割帶集成膜
[0040] 2, 12半導體背面用膜
[0041] 3 切割帶
[00創(chuàng) 4 半導體晶片
[0043] 5 半導體忍片
[0044] 6 被粘物
[0045] 12a半導體晶片粘合部分
[0046] 12b除了半導體晶片粘合部分之外的部分
[0047]31 基材
[0048]32 壓敏粘合劑層
[0049] 32a對應于半導體晶片粘合部分的部分
[0050]3化除了對應于半導體晶片粘合部分的部分之外的部分
[0051] 51 在半導體忍片5的電路面?zhèn)刃纬傻耐箟K度ump) 陽052] 61 粘合至被粘物6的連接墊(connectingpad)的連結用導電性材料
【具體實施方式】
[0053] 參考圖1和2描述本發(fā)明的實施方案,但本發(fā)明不限于運些實施方案。圖1為示 出根據(jù)本實施方案的半導體背面用切割帶集成膜的一個實施方案的截面示意圖。圖2為示 出根據(jù)本實施方案的半導體背面用切割帶集成膜的另一個實施方案的截面示意圖。此外, 在本說明書的附圖中,未給出對于描述不必要的部分,并且有通過放大、縮小等示出的部分 W使描述容易。
[0054](半導體背面用切割帶集成膜)
[0055] 如圖1所示,半導體背面用切割帶集成膜1 (下文中有時也稱作"切割帶集成的半 導體背面保護膜"、"具有切割帶的半導體背面用膜"或"具有切割帶的半導體背面保護 膜")具有包括W下的構造:包括在基材31上形成的壓敏粘合劑層32的切割帶3和形成于 壓敏粘合劑層32上的倒裝忍片型半導體背面用膜2 (下文中有時稱作"半導體背面用膜" 或"半導體背面保護膜")。半導體背面用膜2僅形成于對應于半導體晶片粘貼部分的部分 32a上。此外,本發(fā)明可為具有包括設置于壓敏粘合劑層32整個表面上的半導體背面用膜 12的構造的半導體背面用切割帶集成膜11。此外,半導體背面用膜2的表面(要粘貼至晶 片背面的表面)可用隔離膜等保護直至該膜粘貼至晶片背面。
[0056](倒裝忍片型半導體背面用膜)
[0057] 半導體背面用膜2(或12)具有膜形狀。半導體背面用膜2(或12)在半導體背面 用切割帶集成膜作為產(chǎn)物的實施方案中通常處于未固化狀態(tài)(包括半固化狀態(tài)),且可在 半導體背面用切割帶集成膜粘貼至半導體晶片之后熱固化(稍后描述細節(jié))。
[0058] 半導體背面用膜2(或12)可由樹脂組合物形成,且優(yōu)選由包含熱固性樹脂組分和 熱塑性樹脂組分的樹脂組合物形成。此外,半導體背面用膜2(或12)可由不使用熱固性樹 脂組分的熱塑性樹脂組合物構成或者可由不使用熱塑性樹脂組分的熱固性樹脂組合物構 成。
[0059] 熱塑性樹脂組分的實例包括天然橡膠、下基橡膠、異戊二締橡膠、氯下橡膠、乙 締-乙酸乙締醋共聚物、乙締-丙締酸共聚物、乙締-丙締酸醋共聚物、聚下二締樹脂、聚碳 酸醋樹脂、熱塑性聚酷亞胺樹脂、聚酷胺樹脂如6-尼龍和6, 6-尼龍、苯氧基樹脂、丙締酸類 樹脂、飽和聚醋樹脂如PET(聚對苯二甲酸乙二醋)或PBT(聚對苯二甲酸下二醇醋)、聚酷 胺酷亞胺樹脂或氣樹脂。熱塑性樹脂可W單獨使用或W其兩種W上的組合使用。在運些熱 塑性樹脂中,尤其優(yōu)選包含少量離子性雜質、具有高耐熱性和能夠確保半導體元件可靠性 的丙締酸類樹脂。
[0060] 丙締酸類樹脂沒有特別限定,其實例包括含有一種或兩種W上具有含有30個W 下碳原子、優(yōu)選4-18個碳原子、更優(yōu)選6-10個碳原子和特別是8或9個碳原子的直鏈或支 鏈烷基的丙締酸或甲基丙締酸的醋作為組分的聚合物。目P,在本發(fā)明中,丙締酸類樹脂具有 還包括甲基丙締酸類樹脂的寬泛含義。所述烷基的實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正下 基、叔下基、異下基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸 基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十=烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。
[0061] 此外,形成丙締酸類樹脂的其它單體(除烷基為具有30個W下碳原子的烷基的 丙締酸或甲基丙締酸的烷基醋W外的單體)沒有特別限定,其實例包括含簇基單體如丙締 酸、甲基丙締酸、丙締酸簇乙醋、丙締酸簇戊醋、衣康酸、馬來酸、富馬酸和己豆酸;酸酢單體 如馬來酸酢和衣康酸??;含徑基單體如(甲基)丙締酸2-徑乙醋、(甲基)丙締酸2-徑丙 醋、(甲基)丙締酸4-徑下醋、(甲基)丙締酸6-徑己醋、(甲基)丙締酸8-徑辛醋、(甲 基)丙締酸10-徑癸醋、(甲基)丙締酸12-徑月桂醋和(4-徑甲基環(huán)己基)-甲基丙締酸 醋;含橫酸基單體如苯乙締橫酸、締丙基橫酸、2-(甲基)丙締酷氨基-2-甲基丙橫酸、(甲 基)丙締酷氨基丙橫酸、(甲基)丙締酸橫丙醋和(甲基)丙締酷氧基糞橫酸;和含憐酸基 團單體如2-徑乙基丙締酷憐酸醋(2-hy化oet的Iac巧1〇如phosphate)。在運點上,(甲 基)丙締酸是指丙締酸和/或甲基丙締酸,(甲基)丙締酸醋是指丙締酸醋和/或甲基丙締 酸醋,(甲基)丙締酷基是指丙締酷基和/或甲基丙締酷基,等等,運應用于整個說明書中。
[0062] 此外,除了環(huán)氧樹脂和酪醒樹脂之外,熱固性樹脂組分的實例還包括,氨基樹脂、 不飽和聚醋樹脂、聚氨醋樹脂、娃酬樹脂和熱固性聚酷亞胺樹脂。熱固性樹脂組分可W單獨 使用或W其兩種W上的組合使用。作為熱固性樹脂組分
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