半導(dǎo)體裝置用薄膜、半導(dǎo)體裝置的制造方法、及半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供半導(dǎo)體裝置用薄膜、半導(dǎo)體裝置的制造方法、及半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置用薄膜能夠抑制卷取成卷狀時(shí)向倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的轉(zhuǎn)印痕跡、并抑制被標(biāo)記的各種信息的辨識(shí)性的降低。一種半導(dǎo)體裝置用薄膜，其具備：多個(gè)帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜，其在隔離膜上隔開(kāi)規(guī)定間隔地配置；和外側(cè)片，其配置于帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的外側(cè)，帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜為如下結(jié)構(gòu)：具有切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜，將外側(cè)片的寬度最窄的部分的長(zhǎng)度設(shè)為G、將隔離膜的長(zhǎng)邊到切割帶的長(zhǎng)度設(shè)為F時(shí)，G在F的0.2倍～0.95倍的范圍內(nèi)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
半導(dǎo)體裝置用薄膜、半導(dǎo)體裝置的制造方法、及半導(dǎo)體裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置用薄膜、半導(dǎo)體裝置的制造方法、及半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來(lái)，更進(jìn)一步要求半導(dǎo)體裝置及其封裝體的薄型化、小型化。因此，作為半導(dǎo) 體裝置及其封裝體，廣泛利用將半導(dǎo)體芯片等半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接在基板上而得到的 倒裝芯片型的半導(dǎo)體裝置。該倒裝芯片連接為以半導(dǎo)體芯片的電路面與基板的電極形成面 相對(duì)的方式將半導(dǎo)體芯片固定于基板，進(jìn)行電連接的方法。在這樣的半導(dǎo)體裝置等中，有時(shí) 利用倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜保護(hù)半導(dǎo)體芯片的背面，防止半導(dǎo)體芯片的損傷等(例 如，參見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。
[0003] 關(guān)于這樣的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜，有時(shí)例如如專(zhuān)利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的那樣 以貼合有切割帶的帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的形式提供。
[0004] 帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜以如下方式使用。首先，在帶切割帶的 倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜上貼附半導(dǎo)體晶圓。接著， 在利用切割帶保持之下將半導(dǎo)體晶圓及倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜切割。接著，將半導(dǎo) 體芯片與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜一起從切割帶上剝離，并將其各自回收。
[0005] 作為上述帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜，考慮到向半導(dǎo)體晶圓的貼 附、切割時(shí)向環(huán)框的安裝等的操作性，有時(shí)會(huì)與要貼附的半導(dǎo)體晶圓的形狀(例如圓形）、環(huán) 框的形狀(例如圓形)相匹配、預(yù)先被切割成單個(gè)的帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄 膜，以在長(zhǎng)條的隔離膜上隔開(kāi)規(guī)定間隔且可剝離地層疊的半導(dǎo)體裝置用薄膜的形式提供。
[0006] 如上所述的半導(dǎo)體裝置用薄膜有時(shí)以卷繞成卷狀的形態(tài)進(jìn)行輸送、保管。
[0007] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008] 專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0009] 專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2010-199541號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0011] 但是，半導(dǎo)體裝置用薄膜的層疊有帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的部 分的厚度（隔離膜和帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的總厚度）比未層疊的部分 的厚度(僅隔離膜的厚度)厚。因此，將半導(dǎo)體裝置用薄膜卷繞成卷狀時(shí)，有時(shí)其它倒裝芯片 型半導(dǎo)體背面用薄膜的邊緣被推壓到1個(gè)倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜上，從而轉(zhuǎn)印為卷 繞痕跡。
[0012] 倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜通常通過(guò)利用印刷方法、激光標(biāo)記方法等各種標(biāo)記 方法來(lái)實(shí)施標(biāo)記。因此，若卷繞痕跡被轉(zhuǎn)印到倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜上，則有被標(biāo)記 的各種信息的辨識(shí)性降低的問(wèn)題。
[0013] 本發(fā)明是鑒于前述問(wèn)題而作出的，其目的在于，提供一種半導(dǎo)體裝置用薄膜、使用 該半導(dǎo)體裝置用薄膜的半導(dǎo)體裝置的制造方法、及通過(guò)該半導(dǎo)體裝置的制造方法制造的半 導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置用薄膜能夠抑制將帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜隔 開(kāi)規(guī)定間隔地層疊于隔離膜上而得到的半導(dǎo)體裝置用薄膜卷取成卷狀時(shí)向倒裝芯片型半 導(dǎo)體背面用薄膜的轉(zhuǎn)印痕跡，并抑制被標(biāo)記的各種信息的辨識(shí)性的降低。
[0014] 用于解決問(wèn)題的方案
[0015] 本申請(qǐng)發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)通過(guò)采用下述結(jié)構(gòu)能夠解決前述課題，從而完成了本發(fā)明。
[0016] 即，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置用薄膜的特征在于，其具備：
[0017] 長(zhǎng)條的隔離膜；
[0018] 多個(gè)帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜，其在前述隔離膜上隔開(kāi)規(guī)定間隔 地配置成1列；和
[0019] 外側(cè)片，其配置于前述帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的外側(cè)，并且，以 含蓋前述隔離膜的長(zhǎng)邊的方式層疊于前述隔離膜上，其中，
[0020] 前述帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜為如下結(jié)構(gòu)：具有切割帶、和以不 超出前述切割帶的方式層疊于前述切割帶上的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜，
[0021] 前述隔離膜與前述帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜是以前述隔離膜和 前述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜作為貼合面來(lái)層疊的，
[0022] 將前述外側(cè)片的寬度最窄的部分的長(zhǎng)度設(shè)為G、將前述隔離膜的長(zhǎng)邊到前述切割 帶的長(zhǎng)度設(shè)為F時(shí)，前述G在前述F的0.2倍~0.95倍的范圍內(nèi)。
[0023] 根據(jù)前述結(jié)構(gòu)，在帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的外側(cè)存在外側(cè)片。 即，在隔離膜上的未層疊有帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的部分存在外側(cè)片。 因此，帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜存在的部分和不存在的部分的厚度差變 小。因此，能夠減少由帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜存在的部分與不存在的部 分的高度差引起的卷繞痕跡的轉(zhuǎn)印。
[0024] 此外，前述G在前述F的0.2倍~0.95倍的范圍內(nèi)。即，外側(cè)片與帶切割帶的倒裝芯 片型半導(dǎo)體背面用薄膜的間隙在一定的范圍內(nèi)。前述G為前述F的0.2倍以上，前述間隙窄至 一定程度，因此能夠減少卷繞痕跡的轉(zhuǎn)印。另一方面，前述G為前述F的0.95倍以下，因此能 夠抑制在卷繞成卷狀時(shí)產(chǎn)生褶皺。此外，將帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜從隔 離膜上剝離時(shí)，不會(huì)被外側(cè)片卡住，能夠容易地進(jìn)行剝離。
[0025] 在前述結(jié)構(gòu)中，前述G優(yōu)選為2mm以上。
[0026] 前述G為2mm以上時(shí)，能夠使外側(cè)片和帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的 間隙更窄。因此，能夠進(jìn)一步減少卷繞痕跡的轉(zhuǎn)印。
[0027] 在前述結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，將前述隔離膜的長(zhǎng)邊到前述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用 薄膜的長(zhǎng)度設(shè)為E時(shí)，前述E在前述F的1倍~5倍的范圍內(nèi)。
[0028] 前述E在前述F的1倍~5倍的范圍內(nèi)時(shí)，前述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的俯視 的尺寸與前述切割帶相同、或者雖比其小但仍具有一定程度的大小。因此，能夠減少向背面 保護(hù)薄膜的卷繞痕跡。
[0029] 在前述結(jié)構(gòu)中，前述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的厚度優(yōu)選在5~100μπι的范圍 內(nèi)。
[0030] 前述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的厚度為5μπι以上時(shí)，能夠保護(hù)晶圓背面，提高 強(qiáng)度。另一方面，前述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的厚度為100μπι以下時(shí)，能夠控制與隔 離膜的剝離。
[0031] 在前述結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選卷繞成卷狀。
[0032] 由于即使卷繞成卷狀也難以在倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜上殘留卷繞痕跡，因 此若卷繞成卷狀，則容易輸送、保存該半導(dǎo)體裝置用薄膜。
[0033] 此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，其包括以下工序：
[0034]將帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜從前述半導(dǎo)體裝置用薄膜上剝離的 工序；
[0035]在剝離的前述帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的倒裝芯片型半導(dǎo)體背 面用薄膜上粘貼半導(dǎo)體晶圓的工序；
[0036] 對(duì)前述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜進(jìn)行激光標(biāo)記的工序；
[0037] 切割前述半導(dǎo)體晶圓從而形成半導(dǎo)體元件的工序；
[0038] 將前述半導(dǎo)體元件與前述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜一起從前述粘合劑層剝 離的工序；以及
[0039] 將前述半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接在被粘物上的工序。
[0040] 根據(jù)前述方案，由于使用前述半導(dǎo)體裝置用薄膜，因此抑制了卷繞痕跡向倒裝芯 片型半導(dǎo)體背面用薄膜的轉(zhuǎn)印。因此，對(duì)該倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜實(shí)施的激光標(biāo)記 的辨識(shí)性變得良好。
[0041] 此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，通過(guò)前述半導(dǎo)體裝置的制造方法制造。
[0042] 根據(jù)前述方案，由于前述半導(dǎo)體裝置使用前述半導(dǎo)體裝置用薄膜來(lái)制造，因此抑 制了卷繞痕跡向倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的轉(zhuǎn)印。因此，對(duì)該倒裝芯片型半導(dǎo)體背面 用薄膜實(shí)施的激光標(biāo)記的辨識(shí)性變得良好。
【附圖說(shuō)明】
[0043] 圖1為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置用薄膜的俯視示意圖。
[0044]圖2為圖1中示出的半導(dǎo)體裝置用薄膜的Χ-Χ剖視圖。
[0045]圖3的(a)~(e)為示出使用了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置用薄膜的半導(dǎo) 體裝置的制造方法的一例的剖視示意圖。
[0046] 附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0047] 10半導(dǎo)體裝置用薄膜
[0048] 11 卷芯
[0049] 12隔離膜
[0050] 13帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜
[0051] 14切割帶
[0052] 16倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜
[0053] 18外側(cè)片
[0054] 24半導(dǎo)體晶圓
[0055] 26半導(dǎo)體元件
[0056] 28被粘物
[0057] 36 激光
【具體實(shí)施方式】
[0058] 下面邊參照附圖邊對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置用薄膜進(jìn)行說(shuō)明。圖1為本發(fā)明的 一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置用薄膜的俯視示意圖，圖2為圖1中示出的半導(dǎo)體裝置用薄膜的 X-X剖視圖。
[0059](半導(dǎo)體裝置用薄膜）
[0060] 如圖1所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置用薄膜10在圓柱狀的卷芯11上被卷繞成卷 狀。但本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置用薄膜可以不卷繞成卷狀。但是，從輸送、保存時(shí)能夠容易地郵 寄、保存的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選卷繞成卷狀。如后所述，半導(dǎo)體裝置用薄膜10抑制了卷繞痕跡向 倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16的轉(zhuǎn)印，因此即使卷繞成卷狀，也會(huì)抑制被標(biāo)記的各種信 息的辨識(shí)性的降低。
[0061] 半導(dǎo)體裝置用薄膜10的卷取例如通過(guò)如下方式進(jìn)行:將應(yīng)當(dāng)卷取的半導(dǎo)體裝置用 薄膜10的卷繞起始端緣粘接于卷芯11，然后，使卷芯11沿卷取方向旋轉(zhuǎn)。
[0062] 以下，首先對(duì)構(gòu)成半導(dǎo)體裝置用薄膜10的各層的位置關(guān)系及形狀進(jìn)行說(shuō)明。
[0063] 半導(dǎo)體裝置用薄膜10具備長(zhǎng)條的隔離膜12、多個(gè)帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背 面用薄膜13以及外側(cè)片18。需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施方式中，帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體 背面用薄膜13為圓形。但是，在本發(fā)明中，帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的形狀 不限定于圓形。
[0064] 作為隔離膜12的寬度A，根據(jù)帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13的大小 而不同，例如在290mm~390mm的范圍內(nèi)。
[0065] 此外，隔離膜12的長(zhǎng)度（長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度)優(yōu)選具有能夠隔開(kāi)規(guī)定間隔地配置2片以上 帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13的長(zhǎng)度，通常具有能夠配置10片~500片的長(zhǎng) 度。作為具體的長(zhǎng)度，例如為3~200m左右。
[0066] 帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13在隔離膜12上沿隔離膜12的長(zhǎng)度方 向隔開(kāi)規(guī)定間隔地配置成1列。具體而言，作為1個(gè)帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄 膜13與相鄰的帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13的距離D，可列舉出270mm~ 390mm〇
[0067] 帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13以不含蓋隔離膜12的長(zhǎng)邊的方式配 置在隔離膜12的寬度方向偏中央。本實(shí)施方式中，以所有的帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體 背面用薄膜13的中心位于隔離膜12的寬度方向中央線上的方式配置。
[0068] 帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13具有切割帶14和層疊于切割帶14上 的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16。
[0069]倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16以俯視時(shí)不超出切割帶14的方式層疊于切割帶 14上。本實(shí)施方式中，切割帶14的中心和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16的中心在俯視時(shí) 一致。
[0070]隔離膜12與帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13是以隔離膜12和倒裝芯 片型半導(dǎo)體背面用薄膜16作為貼合面來(lái)層疊的。
[0071]倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16的厚度與構(gòu)成半導(dǎo)體裝置用薄膜10的各層的尺 寸無(wú)關(guān)，優(yōu)選在5~100μπι的范圍內(nèi)、更優(yōu)選在7~80μηι的范圍內(nèi)、進(jìn)一步優(yōu)選在10~50μηι的 范圍內(nèi)。倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16的厚度為5μπι以上時(shí)，能夠保護(hù)晶圓背面，提高強(qiáng) 度。另一方面，倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16的厚度為100μπι以下時(shí)，能夠控制與隔離膜 的剝離。
[0072] 作為切割帶14的直徑Β，例如在260mm~380mm的范圍內(nèi)。此外，作為倒裝芯片型半 導(dǎo)體背面用薄膜16的直徑C，例如在199_~350_的范圍內(nèi)。
[0073] 外側(cè)片18配置于帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13的外側(cè)(隔離膜12的 寬度方向的外側(cè)）。此外，外側(cè)片18以含蓋隔離膜12的長(zhǎng)邊的方式層疊于隔離膜12上。
[0074] 根據(jù)半導(dǎo)體裝置用薄膜10,在隔離膜12上的未層疊有帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo) 體背面用薄膜13的部分存在外側(cè)片18。因此，帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13 存在的部分和不存在的部分的厚度的差變小。因此，能夠減少由帶切割帶的倒裝芯片型半 導(dǎo)體背面用薄膜13存在的部分與不存在的部分的高度差引起的卷繞痕跡的轉(zhuǎn)印。
[0075] 在本實(shí)施方式中，對(duì)于外側(cè)片18而言，配置有帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面 用薄膜13的部分的外側(cè)的部分18a的寬度(相當(dāng)于外側(cè)片18的寬度最窄的部分的長(zhǎng)度G)最 窄。并且，1個(gè)帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13與相鄰的帶切割帶的倒裝芯片型 半導(dǎo)體背面用薄膜13之間的部分21外側(cè)的部分18b的寬度(相當(dāng)于圖1的長(zhǎng)度H)比部分18a 寬。
[0076] 在半導(dǎo)體裝置用薄膜10中，將外側(cè)片18的寬度最窄的部分(本實(shí)施方式中為18a) 的長(zhǎng)度設(shè)為G、將隔離膜12的長(zhǎng)邊到切割帶14的長(zhǎng)度設(shè)為F時(shí)，前述G在前述F的0.2倍~0.95 倍的范圍內(nèi)、優(yōu)選為0.3倍~0.9倍。前述G在前述F的0.2倍~0.95倍的范圍內(nèi)是指，外側(cè)片 18和帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13的間隙24的寬度在一定的范圍內(nèi)。由于前 述G為前述F的0.2倍以上，間隙24窄至一定程度，因此能夠減少卷繞痕跡的轉(zhuǎn)印。另一方面， 由于前述G為前述F的0.95倍以下，因此能夠抑制卷繞成卷狀時(shí)產(chǎn)生褶皺。此外，將帶切割帶 的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13從隔離膜12剝離時(shí)，不會(huì)被外側(cè)片18卡住，能夠容易地 進(jìn)行剝離。
[0077] 前述G與構(gòu)成半導(dǎo)體裝置用薄膜10的各層的尺寸無(wú)關(guān)，優(yōu)選為2mm以上。前述G為 2mm為以上時(shí)，能夠使外側(cè)片18與帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13的間隙更窄。 因此，能夠進(jìn)一步減少卷繞痕跡的轉(zhuǎn)印。
[0078] 將隔離膜12的長(zhǎng)邊到倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16的長(zhǎng)度設(shè)為E時(shí)，前述E優(yōu)選 在前述F的1倍~5倍的范圍內(nèi)、更優(yōu)選2~4倍。
[0079] 前述E在前述F的1倍~5倍的范圍內(nèi)時(shí)，倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16的俯視的 尺寸與切割帶14相同、或者雖然比其小但仍具有一定程度的大小。因此，能夠減少向背面保 護(hù)薄膜的卷繞痕跡。
[0080] 作為前述A~前述Η的更具體的尺寸的組合的一例，例如，可列舉出以下尺寸。
[0081] 前述 A: 290 ~390mm
[0082] 前述 B :270 ~370mm
[0083] 前述 C :200 ~340mm
[0084] 前述 D :280 ~380mm
[0085] 前述 E: 10 ~40mm
[0086] 前述F :5 ~40mm
[0087] 前述G :2~30mm
[0088] 前述 H:0 ~180mm
[0089] 切割帶14具有基材14a和在基材14a上形成的粘合劑層14b。切割帶14與倒裝芯片 型半導(dǎo)體背面用薄膜16是以粘合劑層14a作為貼合面來(lái)貼合的。此外，將切割帶14與倒裝芯 片型半導(dǎo)體背面用薄膜16貼合時(shí)，在有倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16不存在的部分的情 況下，該部分與隔離膜12貼合。
[0090] 外側(cè)片18具有基材18a和在基材18a上形成的粘合劑層18b。在本實(shí)施方式中，基材 18a優(yōu)選與基材14a同一材質(zhì)和同一厚度。此外，粘合劑層18b優(yōu)選與粘合劑層18a同一材質(zhì) 和同一厚度。需要說(shuō)明的是，外側(cè)片18只要貼附于隔離膜12即可，對(duì)其構(gòu)成材料沒(méi)有特別限 定。但是，從抑制卷繞痕跡的觀點(diǎn)出發(fā)，外側(cè)片18的厚度優(yōu)選為切割帶14的0.5倍~5倍左 右。此外，從卷繞痕跡抑制的觀點(diǎn)出發(fā)，外側(cè)片18的厚度優(yōu)選為帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo) 體背面用薄膜13的0.8倍~2倍左右。
[0091]以上，對(duì)構(gòu)成半導(dǎo)體裝置用薄膜10的各層的位置關(guān)系及形狀進(jìn)行了說(shuō)明。
[0092]接著，對(duì)構(gòu)成半導(dǎo)體裝置用薄膜10的各層的構(gòu)成材料進(jìn)行說(shuō)明。
[0093](倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜）
[0094]倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16(半導(dǎo)體背面用薄膜16)優(yōu)選包含熱固性樹(shù)脂和 熱塑性樹(shù)脂而形成。
[0095] 作為前述熱塑性樹(shù)脂，例如可列舉出：天然橡膠;丁基橡膠;異戊二烯橡膠;氯丁二 烯橡膠；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；乙烯-丙烯酸共聚物；乙烯-丙烯酸酯共聚物;聚丁二烯樹(shù) 月旨;聚碳酸酯樹(shù)脂;熱塑性聚酰亞胺樹(shù)脂;6-尼龍、6，6-尼龍等聚酰胺樹(shù)脂;苯氧樹(shù)脂;丙烯 酸類(lèi)樹(shù)脂;PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯）、PBT(聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯)等飽和聚酯樹(shù)脂;聚 酰胺酰亞胺樹(shù)脂；或氟樹(shù)脂等。熱塑性樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或組合使用2種以上。這些熱塑性 樹(shù)脂當(dāng)中，特別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐熱性高且能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性的丙烯酸類(lèi) 樹(shù)脂。
[0096] 作為前述丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂，沒(méi)有特別限定，可列舉出以具有碳數(shù)30以下(優(yōu)選碳數(shù)4 ~18、進(jìn)一步優(yōu)選碳數(shù)6~10、特別優(yōu)選碳數(shù)8或9)的直鏈或支鏈的烷基的丙烯酸或甲基丙 烯酸的酯的1種或2種以上作為成分的聚合物等。即，本發(fā)明中，丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂是指也包括甲 基丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂的廣義的意思。作為前述烷基，例如可列舉出：甲基、乙基、丙基、異丙基、正 丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、 癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基（月桂基）、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。
[0097] 此外，作為用于形成前述丙烯酸樹(shù)脂的其它單體(烷基的碳數(shù)為30以下的丙烯酸 或甲基丙烯酸的烷基酯以外的單體），沒(méi)有特別限定，例如可列舉出：丙烯酸、甲基丙烯酸、 丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸或巴豆酸等這樣的含羧基單體;馬來(lái) 酸酐或衣康酸酐等這樣的酸酐單體；（甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、（甲基)丙烯酸-2-羥基丙 酯、（甲基）丙烯酸-4-羥基丁酯、（甲基）丙烯酸-6-羥基己酯、（甲基）丙烯酸-8-羥基辛酯、 (甲基）丙烯酸-10-羥基癸酯、（甲基）丙烯酸-12-羥基月桂酯或(4-羥基甲基環(huán)己基)-甲基 丙烯酸酯等這樣的含羥基單體;苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷 磺酸、（甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、（甲基)丙烯酸磺丙酯或（甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等這樣 的含磺酸基單體;2-羥基乙基丙烯酰基磷酸酯等這樣的含磷酸基單體;丙烯腈、丙烯酰嗎啉 等。需要說(shuō)明的是，（甲基)丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，本發(fā)明的（甲基)全部為同 樣的意思。
[0098] 其中，從提高半導(dǎo)體背面用薄膜16的耐熱性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選由含有丙烯腈、丙烯 酰嗎啉等作為單體成分的材料形成的丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂。
[0099] 作為前述熱固性樹(shù)脂，除了環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂以外，還可列舉出氨基樹(shù)脂、不飽 和聚酯樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、有機(jī)硅樹(shù)脂、熱固性聚酰亞胺樹(shù)脂等。熱固性樹(shù)脂可以單獨(dú)使用 或組合使用2種以上。作為熱固性樹(shù)脂，含腐蝕半導(dǎo)體元件的離子性雜質(zhì)等少的環(huán)氧樹(shù)脂特 別適宜。此外，作為環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑，可以適當(dāng)?shù)厥褂梅尤?shù)脂。
[0100] 作為環(huán)氧樹(shù)脂，沒(méi)有特別限定，例如可以使用:雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚F型環(huán)氧樹(shù) 月旨、雙酚S型環(huán)氧樹(shù)脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、氫化雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚AF型環(huán)氧樹(shù)脂、 聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù)脂、萘型環(huán)氧樹(shù)脂、芴型環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、鄰甲酚酚醛清 漆型環(huán)氧樹(shù)脂、三羥苯基甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂、四酚基乙烷(Tetraphenylolethane)型環(huán)氧樹(shù)脂 等二官能環(huán)氧樹(shù)脂、多官能環(huán)氧樹(shù)脂、或乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹(shù)脂、三縮水甘油基異氰脲酸酯型 環(huán)氧樹(shù)脂或縮水甘油胺型環(huán)氧樹(shù)脂等環(huán)氧樹(shù)脂。
[0101] 作為環(huán)氧樹(shù)脂，在前述例示當(dāng)中，特別優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù) 月旨、三羥苯基甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂、四酚基乙烷型環(huán)氧樹(shù)脂。這是因?yàn)檫@些環(huán)氧樹(shù)脂富有與作為 固化劑的酚醛樹(shù)脂的反應(yīng)性，耐熱性等優(yōu)異。
[0102] 進(jìn)而，前述酚醛樹(shù)脂是作為前述環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑起作用的物質(zhì)，例如可列舉出： 苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、苯酚芳烷基樹(shù)脂、甲酚酚醛清漆樹(shù)脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、壬基 苯酚酚醛清漆樹(shù)脂等酚醛清漆型酚醛樹(shù)脂；甲階型酚醛樹(shù)脂、聚對(duì)氧苯乙烯 (polyoxystyrene)等聚氧苯乙稀等。酸醛樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或組合使用2種以上。這些酸醛 樹(shù)脂當(dāng)中，特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、苯酚芳烷基樹(shù)脂。這是因?yàn)槟軌蛱岣甙雽?dǎo)體裝置的 連接可靠性。
[0103] 對(duì)于環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂的配混比例，例如，適宜的為，以相對(duì)于前述環(huán)氧樹(shù)脂成 分中的環(huán)氧基1當(dāng)量，酚醛樹(shù)脂中的羥基為0.5當(dāng)量~2.0當(dāng)量的方式進(jìn)行配混。更適宜的為 0.8當(dāng)量~1.2當(dāng)量。即，這是因?yàn)?兩者的配混比例脫離前述范圍時(shí)，沒(méi)有進(jìn)行充分的固化 反應(yīng)，環(huán)氧樹(shù)脂固化物的特性變得容易劣化。
[0104] 在本發(fā)明中，可以使用環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂的熱固化促進(jìn)催化劑。作為熱固化促 進(jìn)催化劑，沒(méi)有特別限制，可以從公知的熱固化促進(jìn)催化劑中適宜選擇而使用。熱固化促進(jìn) 催化劑可以單獨(dú)使用或組合使用2種以上。作為熱固化促進(jìn)催化劑，例如可以使用:胺系固 化促進(jìn)劑、磷系固化促進(jìn)劑、咪唑系固化促進(jìn)劑、硼系固化促進(jìn)劑、磷-硼系固化促進(jìn)劑等。
[0105] 作為半導(dǎo)體背面用薄膜16,適宜的為由含有環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物、 含有環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂及丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成。這些樹(shù)脂的離子性雜質(zhì)少、耐 熱性高，因此能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性。
[0106] 半導(dǎo)體背面用薄膜16對(duì)半導(dǎo)體晶圓的背面（電路非形成面)有粘接性(密合性)是 重要的。半導(dǎo)體背面用薄膜16例如可以由含有作為熱固性樹(shù)脂的環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形 成。為了使半導(dǎo)體背面用薄膜16預(yù)先進(jìn)行一定程度的交聯(lián)，在制作時(shí)，可以添加與聚合物的 分子鏈末端的官能團(tuán)等反應(yīng)的多官能性化合物作為交聯(lián)劑。由此，能夠提高在高溫下的粘 接特性、實(shí)現(xiàn)耐熱性的改善。
[0107] 作為前述交聯(lián)劑，沒(méi)有特別限制，可以使用公知的交聯(lián)劑。具體而言，例如除了異 氰酸酯系交聯(lián)劑、環(huán)氧系交聯(lián)劑、三聚氰胺系交聯(lián)劑、過(guò)氧化物系交聯(lián)劑以外，還可列舉出： 尿素系交聯(lián)劑、金屬醇鹽系交聯(lián)劑、金屬螯合物系交聯(lián)劑、金屬鹽系交聯(lián)劑、碳二亞胺系交 聯(lián)劑、噁唑啉系交聯(lián)劑、氮雜環(huán)丙烷系交聯(lián)劑、胺系交聯(lián)劑等。作為交聯(lián)劑，適宜的為異氰酸 酯系交聯(lián)劑、環(huán)氧系交聯(lián)劑。此外，前述交聯(lián)劑可以單獨(dú)使用或組合使用2種以上。
[0108] 作為前述異氰酸酯系交聯(lián)劑，例如可列舉出：1，2_亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基 二異氰酸酯、1，6-六亞甲基二異氰酸酯等低級(jí)脂肪族多異氰酸酯類(lèi);亞環(huán)戊基二異氰酸酯、 亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯、氫化二甲苯二異氰酸酯 等脂環(huán)族多異氰酸酯類(lèi);2,4_甲苯二異氰酸酯、2,6_甲苯二異氰酸酯、4,4'_二苯基甲烷二 異氰酸酯、亞二甲苯基二異氰酸酯等芳香族多異氰酸酯類(lèi)等，此外，也可以使用三羥甲基丙 烷/甲苯二異氰酸酯三聚體加成物[日本聚氨酯工業(yè)株式會(huì)社制造、商品名"CORONATE L"]、 三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加成物[日本聚氨酯工業(yè)株式會(huì)社制造、商品名 "CORONATE HL" ]等。此外，作為前述環(huán)氧系交聯(lián)劑，例如可列舉出：N，N，N'，N' -四縮水甘油 基-間二甲苯二胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨基甲基)環(huán)己烷、1，6_己 二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、 聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、丙三醇聚縮水甘 油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、聚丙三醇聚縮水甘油醚、山梨醇酐聚縮水甘油醚、三羥甲基 丙烷聚縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥基乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚、雙酚S二縮水甘油醚、以及分子內(nèi)具有2個(gè) 以上環(huán)氧基的環(huán)氧系樹(shù)脂等。
[0109] 需要說(shuō)明的是，對(duì)交聯(lián)劑的用量沒(méi)有特別限制，可以根據(jù)交聯(lián)的程度適宜選擇。具 體而言，作為交聯(lián)劑的用量，例如，優(yōu)選的是，相對(duì)于聚合物成分(特別是具有分子鏈末端的 官能團(tuán)的聚合物）1〇〇重量份，通常為7重量份以下（例如0.05重量份~7重量份）。交聯(lián)劑的 用量相對(duì)于聚合物成分100重量份大于7重量份時(shí)，粘接力降低，因此不優(yōu)選。需要說(shuō)明的 是，從聚集力提高的觀點(diǎn)出發(fā)，交聯(lián)劑的用量?jī)?yōu)選為相對(duì)于聚合物成分100重量份為0.05重 量份以上。
[0110]需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明中，也可以代替使用交聯(lián)劑或在使用交聯(lián)劑的同時(shí)通過(guò) 電子射線、紫外線等的照射實(shí)施交聯(lián)處理。
[0111]半導(dǎo)體背面用薄膜16通常含有著色劑。由此，半導(dǎo)體背面用薄膜16被著色，能夠發(fā) 揮優(yōu)異的標(biāo)記性及外觀性，能夠制成具有付加價(jià)值的外觀的半導(dǎo)體裝置。這樣，由于著色的 半導(dǎo)體背面用薄膜具有優(yōu)異的標(biāo)記性，因此，能夠利用印刷方法、激光標(biāo)記方法等各種標(biāo)記 方法借助半導(dǎo)體背面用薄膜在半導(dǎo)體元件或使用該半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的非電路面 側(cè)的面實(shí)施標(biāo)記、賦予文字信息、圖形信息等各種信息。特別是，通過(guò)控制著色的顏色，能夠 以優(yōu)異的辨識(shí)性辨識(shí)通過(guò)標(biāo)記賦予的信息(文字信息、圖形信息等）。此外，由于半導(dǎo)體背面 用薄膜被著色，因此能夠容易地將切割帶與半導(dǎo)體背面用薄膜區(qū)分，能夠提高操作性等。進(jìn) 而，例如，作為半導(dǎo)體裝置，也可以用顏色將產(chǎn)品分類(lèi)。在使半導(dǎo)體背面用薄膜有色時(shí)(不是 無(wú)色?透明的情況），作為通過(guò)著色而呈現(xiàn)的顏色，沒(méi)有特別限制，例如，優(yōu)選為黑色、藍(lán)色、 紅色等深色，特別適宜的為黑色。
[0112] 在本實(shí)施方式中，深色基本上是指LW色度體系中規(guī)定的C為60以下（0~60) [優(yōu)選為50以下(0~50 )、進(jìn)一步優(yōu)選為40以下(0~40)]的深的顏色。
[0113] 此外，黑色基本上是指LW色度體系中規(guī)定的L*為35以下（0~35)[優(yōu)選為30以 下(0~30)、進(jìn)一步優(yōu)選為25以下（0~25)]的黑色系顏色。需要說(shuō)明的是，在黑色中， 色度體系中規(guī)定的分別可以根據(jù)的值來(lái)適宜選擇。作為a'bM列如，兩者均優(yōu)選為-10~10、更優(yōu)選為-5~5、特別適宜為-3~3的范圍(尤其是0或基本為0)。
[0114] 需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施方式中，色度體系中規(guī)定的L'a'P通過(guò)使用色彩 色差計(jì)(商品名"CR-200"美能達(dá)公司制造;色彩色差計(jì))進(jìn)行測(cè)定來(lái)求出。需要說(shuō)明的是，f 色度體系為國(guó)際照明委員會(huì)(CIE)在1976年推薦的顏色空間，是指被稱(chēng)作CIE1976(L^^ Ρ)色度體系的顏色空間。此外，1^^^色度體系在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中由JIS Ζ 8729規(guī)定。
[0115] 在半導(dǎo)體背面用薄膜16中，可以使用對(duì)應(yīng)于目標(biāo)顏色的著色劑。作為這樣的著色 劑，可以適宜地使用黑色系著色材料、藍(lán)色系著色材料、紅色系著色材料等各種深色系著色 材料，特別適宜為黑色系著色材料。作為前述著色劑，顏料、染料等均可。前述著色劑可以單 獨(dú)使用或組合使用2種以上。需要說(shuō)明的是，作為染料，酸性染料、反應(yīng)染料、直接染料、分散 染料、陽(yáng)離子染料等任意形態(tài)的染料均可使用。此外，對(duì)顏料的形態(tài)也沒(méi)有特別限制，可以 從公知的顏料中適宜選擇來(lái)使用。
[0116]尤其是作為前述著色劑使用染料時(shí)，在半導(dǎo)體背面用薄膜16中，染料通過(guò)溶解而 呈均勻或基本均勻地分散的狀態(tài)，因此能夠容易制造著色濃度均勻或基本均勻的半導(dǎo)體背 面用薄膜16(進(jìn)而帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜10)。因此，作為前述著色劑使 用染料時(shí)，能夠使帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的半導(dǎo)體背面用薄膜的著色濃 度均勻或基本均勻，能夠使標(biāo)記性、外觀性提高。
[0117] 作為黑色系著色材料，沒(méi)有特別限制，例如，可以從無(wú)機(jī)的黑色系顏料、黑色系染 料中適宜選擇。此外，作為黑色系著色材料，也可以為將青色系著色材料(藍(lán)綠色系著色材 料）、品紅色系著色材料(紫紅色系著色材料)及黃色系著色材料(黃色系著色材料)混合而 得到的著色材料混合物。黑色系著色材料可以單獨(dú)使用或組合使用2種以上。當(dāng)然。黑色系 著色材料也可以與黑色以外的顏色的著色材料組合使用。
[0118] 具體而言，作為黑色系著色材料，例如可列舉出：炭黑（爐黑、槽法炭黑、乙炔黑、熱 裂炭黑、燈黑等）、石墨（graphite )、氧化銅、二氧化猛、偶氮系顏料（甲亞胺偶氮黑 (azomethine azo black)等）、苯胺黑、花黑、鈦黑、花青黑、活性炭、鐵氧體(非磁性鐵氧體、 磁性鐵氧體等）、鐵磁體、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻絡(luò)合物、復(fù)合氧化物系黑色色素、蒽 醌系有機(jī)黑色色素等。
[0119] 在本發(fā)明中，作為黑色系著色材料，也可以利用:C.I.溶劑黑3、同7、同22、同27、同 29、同34、同43、同70、C.I.直接黑17、同19、同22、同32、同38、同51、同71、C.I.酸性黑1、同2、 同24、同26、同31、同48、同52、同 107、同 109、同 110、同 119、同 154、C.I.分散黑1、同3、同 10、 同24等黑色系染料;C. I.顏料黑1、同7等黑色系顏料等。
[0120] 作為這樣的黑色系著色材料，例如市售有商品名"Oil Black BY"、商品名 "OilBlack BS"、商品名 "OilBlack HBB"、商品名 "Oil Black 803"、商品名 "Oil Black 860"、商品名 "Oil Black 5970"、商品名 "Oil Black 5906"、商品名 "Oil Black 5905" (ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES CO.，LTD.制造）等。
[0121] 作為黑色系著色材料以外的著色材料，例如可列舉出：青色系著色材料、品紅色系 著色材料、黃色系著色材料等。作為青色系著色材料，例如可列舉出：C.I.溶劑藍(lán)25、同36、 同60、同70、同93、同95 ;C.I.酸性藍(lán)6、同45等青色系染料;C.I.顏料藍(lán)1、同2、同3、同15、同 15:1、同15:2、同15:3、同15:4、同15:5、同15:6、同16、同17、同17:1、同18、同22、同25、同56、 同60、同63、同65、同66; C. I.還原藍(lán)4;同60、C. I.顏料綠7等青色系顏料等。
[0122] 此外，在品紅色系著色材料中，作為品紅色系染料，例如可列舉出：C.I.溶劑紅1、 同3、同8、同23、同24、同25、同27、同30、同49、同52、同58、同63、同81、同82、同83、同84、同 100、同109、同111、同121、同122;C.L· 分散紅 9;C.L· 溶劑紫 8、同13、同 14、同 21、同 27;C.I. 分散紫1;C.I.堿性紅1、同2、同9、同12、同13、同14、同15、同17、同18、同22、同23、同24、同 27、同29、同32、同34、同35、同36、同37、同38、同39、同40; C.I.堿性紫1、同3、同7、同10、同 14、同 15、同21、同25、同26、同27、28 等。
[0123] 在品紅色系著色材料中，作為品紅色系顏料，例如可列舉出：C. I.顏料紅1、同2、同 3、同4、同5、同6、同7、同8、同9、同10、同11、同12、同13、同14、同15、同16、同17、同18、同19、 同21、同22、同23、同30、同31、同32、同37、同38、同39、同40、同41、同42、同48:1、同48:2、同 48:3、同48:4、同49、同49:1、同50、同51、同52、同52:2、同53:1、同54、同55、同56、同57:1、同 58、同60、同60:1、同63、同63:1、同63:2、同64、同641、同67、同68、同81、同83、同87、同88、同 89、同90、同92、同 101、同 104、同 105、同 106、同 108、同 112、同 114、同 122、同 123、同 139、同 144、同 146、同 147、同 149、同 150、同 151、同 163、同 166、同 168、同 170、同 171、同 172、同 175、 同 176、同 177、同 178、同 179、同 184、同 185、同 187、同 190、同 193、同 202、同 206、同 207、同 209、同219、同222、同224、同238、同245 ;C.I.顏料紫3、同9、同 19、同23、同31、同32、同33、同 36、同38、同43、同50 ;C.I.還原紅1、同2、同10、同13、同15、同23、同29、同35等。
[0124] 此外，作為黃色系著色材料，例如可列舉出：C. I.溶劑黃19、同44、同77、同79、同 81、同82、同93、同98、同103、同104、同112、同162等黃色系染料;C.I.顏料橙31、同43;C.I. 顏料黃1、同2、同3、同4、同5、同6、同7、同10、同11、同12、同13、同14、同15、同16、同17、同23、 同24、同34、同35、同37、同42、同53、同55、同65、同73、同74、同75、同81、同83、同93、同94、同 95、同97、同98、同 100、同 101、同 104、同 108、同 109、同 110、同 113、同 114、同 116、同 117、同 120、同 128、同 129、同 133、同 138、同 139、同 147、同 150、同 151、同 153、同 154、同 155、同 156、 同167、同172、同173、同180、同185、同195 ;C.I.還原黃1、同3、同20等黃色系顏料等。
[0125] 青色系著色材料、品紅色系著色材料、黃色系著色材料等各種著色材料各自可以 單獨(dú)使用或組合使用2種以上。需要說(shuō)明的是，組合使用2種以上青色系著色材料、品紅色系 著色材料、黃色系著色材料等各種著色材料時(shí)，作為這些著色材料的混合比例（或配混比 例），沒(méi)有特別限制，可以根據(jù)各著色材料的種類(lèi)、目標(biāo)顏色等適宜選擇。
[0126] 在半導(dǎo)體背面用薄膜16中，可以根據(jù)需要適宜地配混其它添加劑。作為其它添加 劑，例如可列舉出：填充劑(填料）、阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑、離子捕捉劑、以及增量劑、抗老化 劑、抗氧化劑、表面活性劑等。
[0127] 作為前述填充劑，無(wú)機(jī)填充劑、有機(jī)填充劑均可，但適宜的為無(wú)機(jī)填充劑。通過(guò)無(wú) 機(jī)填充劑等填充劑的配混，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體背面用薄膜16的施涂、導(dǎo)熱性的提高、彈性模量 的調(diào)節(jié)等。需要說(shuō)明的是，作為半導(dǎo)體背面用薄膜16,可以是導(dǎo)電性的，也可以是非導(dǎo)電性 的。作為前述無(wú)機(jī)填充劑，例如可列舉出：二氧化硅、粘土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化錯(cuò)、氧 化鈹、碳化硅、氮化硅等陶瓷類(lèi)、鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊錫等金屬、或合金類(lèi)、 及由碳等形成的各種無(wú)機(jī)粉末等。填充劑可以單獨(dú)使用或組合使用2種以上。作為填充劑， 其中，二氧化硅、特別是熔融二氧化硅是適宜的。需要說(shuō)明的是，無(wú)機(jī)填充劑的平均粒徑優(yōu) 選在0. Ιμπι~80μηι的范圍內(nèi)。無(wú)機(jī)填充劑的平均粒徑例如可以通過(guò)激光衍射型粒度分布測(cè) 定裝置來(lái)測(cè)定。
[0128] 前述填充劑(特別是無(wú)機(jī)填充劑）的配混量?jī)?yōu)選相對(duì)于有機(jī)樹(shù)脂成分100重量份為 80重量份以下(0重量份~80重量份），特別適宜的為0重量份~70重量份。
[0129] 此外，作為前述阻燃劑，例如可列舉出：三氧化銻、五氧化銻、溴化環(huán)氧樹(shù)脂等。阻 燃劑可以單獨(dú)使用或組合使用2種以上。作為前述硅烷偶聯(lián)劑，例如可列舉出:β-(3,4_環(huán)氧 環(huán)己基）乙基三甲氧基硅烷、γ-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-環(huán)氧丙氧基丙基甲基二 乙氧基硅烷等。硅烷偶聯(lián)劑可以單獨(dú)使用或組合使用2種以上。作為前述離子捕捉劑，例如 可列舉出水滑石類(lèi)、氫氧化鉍等。離子捕捉劑可以單獨(dú)使用或組合使用2種以上。
[0130] 半導(dǎo)體背面用薄膜16例如可以利用如下慣用的方法來(lái)形成:將環(huán)氧樹(shù)脂等熱固性 樹(shù)脂、根據(jù)需要而添加的丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂等熱塑性樹(shù)脂、根據(jù)需要而添加的溶劑、其它添加劑 等混合，制備樹(shù)脂組合物，形成薄膜狀的層。
[0131]需要說(shuō)明的是，半導(dǎo)體背面用薄膜16由含有環(huán)氧樹(shù)脂等熱固性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物 形成時(shí)，對(duì)于半導(dǎo)體背面用薄膜16,在應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓前的階段，熱固性樹(shù)脂為未固化或 部分固化的狀態(tài)。在這種情況下，在應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓后(具體而言，通常為在倒裝芯片接 合工序中固化封裝材料時(shí)），使半導(dǎo)體背面用薄膜16中的熱固性樹(shù)脂完全或基本完全固化。
[0132] 這樣，即使半導(dǎo)體背面用薄膜16含有熱固性樹(shù)脂，該熱固性樹(shù)脂也為未固化或部 分固化的狀態(tài)，因此對(duì)于半導(dǎo)體背面用薄膜16的凝膠率沒(méi)有特別限制，例如，可以從50重 量％以上的范圍中適宜選擇、優(yōu)選為70重量％以上、特別適宜為90%重量％以上。半導(dǎo)體背 面用薄膜的凝膠率的測(cè)定方法可以通過(guò)以下的測(cè)定方法進(jìn)行測(cè)定。凝膠率為50重量％以上 時(shí)，能夠減少卷繞痕跡。
[0133] 〈凝膠率的測(cè)定方法〉
[0134] 從半導(dǎo)體背面用薄膜采樣約l.Og并進(jìn)行精密稱(chēng)量(試樣的重量），用網(wǎng)狀片包住該 樣品后，在約50ml的乙醇中于室溫下浸漬1周。然后，將不溶于溶劑的成分（網(wǎng)狀片的內(nèi)容 物)從乙醇中取出，使其在130°C下干燥約2小時(shí)，稱(chēng)量干燥后的不溶于溶劑的成分(浸漬· 干燥后的重量），由下述式(a)算出凝膠率(重量％ )。
[0135] 凝膠率(重量％ ) = [(浸漬·干燥后的重量)/(試樣的重量）]X 100(a)
[0136] 需要說(shuō)明的是，半導(dǎo)體背面用薄膜的凝膠率可以通過(guò)樹(shù)脂成分的種類(lèi)、其含量、交 聯(lián)劑的種類(lèi)、其含量、以及加熱溫度、加熱時(shí)間等來(lái)控制。
[0137] 在本發(fā)明中，半導(dǎo)體背面用薄膜為由含有環(huán)氧樹(shù)脂等熱固性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形 成的薄膜狀物時(shí)，能夠有效地發(fā)揮對(duì)半導(dǎo)體晶圓的密合性。
[0138] 半導(dǎo)體背面用薄膜16的未固化狀態(tài)的23°C下的拉伸貯能模量?jī)?yōu)選為0.5GPa以上、 更優(yōu)選為〇.75GPa以上、特別適宜為lGPa以上。前述拉伸貯能模量為lGPa以上時(shí)，能夠減少 卷繞痕跡。此外，若前述拉伸貯能模量為IGa以上，則在將半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體背面用薄膜 16-起從切割帶14的粘合劑層14b剝離后，將半導(dǎo)體背面用薄膜16載置于支撐體上進(jìn)行輸 送等時(shí)，能夠有效地抑制或防止半導(dǎo)體背面用薄膜粘貼于支撐體。此外，前述支撐體例如稱(chēng) 為載帶中的蓋帶、底帶等。
[0139]半導(dǎo)體背面用薄膜的未固化狀態(tài)的前述拉伸貯能模量(23°C)可以通過(guò)樹(shù)脂成分 (熱塑性樹(shù)脂、熱固性樹(shù)脂）的種類(lèi)、其含量、二氧化硅填料等填充材料的種類(lèi)、其含量等來(lái) 控制。
[0140]需要說(shuō)明的是，半導(dǎo)體背面用薄膜16為多個(gè)層層疊而成的層疊薄膜時(shí)（半導(dǎo)體背 面用薄膜具有層疊的形態(tài)時(shí)），作為其層疊形態(tài)，例如，可例示出包含晶圓粘接層(不含著色 劑的層)和激光標(biāo)記層(不含著色劑的層)的層疊形態(tài)等。此外，也可以在這樣的晶圓粘接層 和激光標(biāo)記層之間設(shè)置其它層（中間層、遮光層、增強(qiáng)層、著色層、基材層、電磁波屏蔽層、導(dǎo) 熱層、粘合層等）。需要說(shuō)明的是，晶圓粘接層為對(duì)晶圓發(fā)揮優(yōu)異的密合性(粘接性)的層，是 與晶圓的背面接觸的層。另一方面，激光標(biāo)記層為發(fā)揮優(yōu)異的激光標(biāo)記性的層，是在對(duì)半導(dǎo) 體芯片的背面進(jìn)行激光標(biāo)記時(shí)利用的層。
[0141]此外，前述拉伸貯能模量是指，不層疊于切割帶14地制作未固化狀態(tài)的半導(dǎo)體背 面用薄膜16,用Rheometrics公司制造的動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)量裝置"Solid Analyzer RS A2"，在 拉伸模式下，以樣品寬度：1 〇mm、樣品長(zhǎng)度：22 · 5mm、樣品厚度:0 · 2mm，在頻率：1Hz、升溫速 度:10°C/分鐘、氮?dú)鈿夥障?，以?guī)定的溫度(23°C)進(jìn)行測(cè)定而得到的拉伸貯能模量的值。 [0142]優(yōu)選的是，半導(dǎo)體背面用薄膜16由隔離膜(剝離襯墊)來(lái)保護(hù)(未圖示）。隔離膜具 有作為直到供于實(shí)用為止保護(hù)半導(dǎo)體背面用薄膜的保護(hù)材料的功能。隔離膜在將半導(dǎo)體晶 圓粘貼于半導(dǎo)體背面用薄膜上時(shí)被剝離。作為隔離膜，也可以使用聚乙烯、聚丙烯、利用氟 系剝離劑、長(zhǎng)鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進(jìn)行了表面涂布的塑料薄膜(聚對(duì)苯二甲 酸乙二醇酯等）、紙等。需要說(shuō)明的是，隔離膜可以通過(guò)以往公知的方法形成。此外，對(duì)隔離 膜的厚度等也沒(méi)有特別限制。
[0?43] 此外，對(duì)半導(dǎo)體背面用薄膜16的可見(jiàn)光(波長(zhǎng):400nm~800nm)的透光率(可見(jiàn)光透 過(guò)率)沒(méi)有特別限制，例如，優(yōu)選為20%以下(0%~20%)的范圍、更優(yōu)選為10%以下(0%~ 1 〇 % )、特別優(yōu)選為5 %以下(0 %~5 % )。半導(dǎo)體背面用薄膜16的可見(jiàn)光透過(guò)率大于20 %時(shí)， 有因光線通過(guò)而給半導(dǎo)體元件帶來(lái)不良影響的擔(dān)心。此外，前述可見(jiàn)光透過(guò)率（％)可以通 過(guò)半導(dǎo)體背面用薄膜16的樹(shù)脂成分的種類(lèi)、其含量、著色劑(顏料、染料等）的種類(lèi)、其含量、 無(wú)機(jī)填充材料的含量等來(lái)控制。
[0144] 半導(dǎo)體背面用薄膜的可見(jiàn)光透過(guò)率（％ )可以如下地測(cè)定。即，制作厚度（平均厚 度）20μπι的半導(dǎo)體背面用薄膜單體。接著，以規(guī)定的強(qiáng)度對(duì)半導(dǎo)體背面用薄膜照射波長(zhǎng)： 400nm~800nm的可見(jiàn)光[裝置：島津制作所制造的可見(jiàn)光發(fā)生裝置（商品名"ABSORPTION SPECTRO PH0T0METR"）]，測(cè)定透過(guò)的可見(jiàn)光的強(qiáng)度。進(jìn)而，根據(jù)可見(jiàn)光透過(guò)半導(dǎo)體背面用薄 膜前后的強(qiáng)度變化，可以求出可見(jiàn)光透過(guò)率的值。需要說(shuō)明的是，也可以根據(jù)厚度不為20μπι 的半導(dǎo)體背面用薄膜的可見(jiàn)光透過(guò)率（％ ;波長(zhǎng):400nm~800nm)的值導(dǎo)出厚度:20μπι的半導(dǎo) 體背面用薄膜的可見(jiàn)光透過(guò)率（％ ;波長(zhǎng):400nm~800nm)。此外，雖然在本發(fā)明中求出了厚 度20μπι的半導(dǎo)體背面用薄膜的情況的可見(jiàn)光透過(guò)率（％)，但并不表示本發(fā)明的半導(dǎo)體背面 用薄膜被限定為厚度20μπι的膜。
[0145] 此外，作為半導(dǎo)體背面用薄膜16,優(yōu)選其吸濕率低。具體而言，前述吸濕率優(yōu)選為1 重量％以下、更優(yōu)選為〇. 8重量％以下。通過(guò)使前述吸濕率為1重量％以下，能夠提高激光標(biāo) 記性。此外，例如，在回流焊工序中，還能夠抑制或防止在半導(dǎo)體背面用薄膜16和半導(dǎo)體元 件之間產(chǎn)生空隙等。需要說(shuō)明的是，前述吸濕率為根據(jù)將半導(dǎo)體背面用薄膜16在溫度85°C、 相對(duì)濕度85%RH的氣氛下放置168小時(shí)前后的重量變化算出的值。半導(dǎo)體背面用薄膜16由 含有熱固性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成時(shí)，前述吸濕率是指熱固化后的半導(dǎo)體背面用薄膜在溫 度85 °C、相對(duì)濕度85 %RH的氣氛下放置168小時(shí)時(shí)的值。此外，前述吸濕率例如可以通過(guò)改 變無(wú)機(jī)填料的添加量來(lái)調(diào)整。
[0146] 此外，作為半導(dǎo)體背面用薄膜16,優(yōu)選揮發(fā)組分的比率少。具體而言，加熱處理后 的半導(dǎo)體背面用薄膜16的重量減少率(重量減少量的比率)優(yōu)選為1重量％以下、更優(yōu)選為 0.8重量％以下。加熱處理的條件例如為加熱溫度250°C、加熱時(shí)間1小時(shí)。通過(guò)使前述重量 減少率為1重量％以下，能夠提尚激光標(biāo)記性。此外，例如，在回流焊工序中，能夠抑制或防 止在倒裝芯片型的半導(dǎo)體裝置產(chǎn)生裂紋。前述重量減少率例如可以通過(guò)添加能減少無(wú)鉛焊 料回流焊時(shí)的裂紋產(chǎn)生的無(wú)機(jī)物來(lái)調(diào)整。需要說(shuō)明的是，半導(dǎo)體背面用薄膜16由含有熱固 性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成時(shí)，前述重量減少率是指對(duì)熱固化后的半導(dǎo)體背面用薄膜在加熱 溫度250°C、加熱時(shí)間1小時(shí)的條件下進(jìn)行加熱時(shí)的值。
[0147] 對(duì)半導(dǎo)體背面用薄膜16的厚度沒(méi)有特別限定，例如，可以從2μπι~200μπι左右的范 圍中適宜選擇。進(jìn)而前述厚度優(yōu)選為4μηι~160μηι左右、更優(yōu)選為6μηι~100μπι左右、特別優(yōu)選 為ΙΟμπι~80μηι左右。
[0148] (切割帶）
[0149] 切割帶14是在基材14a上形成粘合劑層14b而構(gòu)成的。這樣，切割帶14只要具有基 材14a和粘合劑層14b層疊而得到的結(jié)構(gòu)即可?；?支撐基材)可以用作粘合劑層等的支撐 母體。優(yōu)選的是基材14a具有輻射線透過(guò)性。作為基材14a，例如可以使用：紙等紙類(lèi)基材； 布、無(wú)紡布、氈、網(wǎng)等纖維類(lèi)基材;金屬箱、金屬板等金屬類(lèi)基材;塑料的薄膜、片等塑料類(lèi)基 材;橡膠片等橡膠類(lèi)基材;發(fā)泡片等發(fā)泡體、它們的層疊體[特別是塑料系基材與其它基材 的層疊體、塑料薄膜(或片)彼此的層疊體等]等的適宜的薄層體。本發(fā)明中，作為基材，可以 適宜地使用塑料的薄膜、片等塑料類(lèi)基材。作為這樣的塑料材料的原材料，例如可列舉出： 聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等烯烴系樹(shù)脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、 離聚物樹(shù)脂、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無(wú)規(guī)、交替)共聚物等以乙 烯為單體成分的共聚物;聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯 二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯;丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂;聚氯乙烯(PVC);聚氨酯;聚碳酸酯;聚苯硫醚 (PPS);聚酰胺(尼龍）、全芳香族聚酰胺(芳綸)等酰胺系樹(shù)脂;聚醚醚酮(PEEK);聚酰亞胺； 聚醚酰亞胺;聚偏二氯乙烯;ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物）；纖維素系樹(shù)脂;有機(jī)硅樹(shù) 月旨;氣樹(shù)脂等。
[0150] 此外，作為基材14a的材料，可列舉出前述樹(shù)脂的交聯(lián)體等聚合物。前述塑料薄膜 可以不拉伸使用，也可以根據(jù)需要使用實(shí)施了單軸或雙軸的拉伸處理的塑料薄膜。根據(jù)通 過(guò)拉伸處理等賦予了熱收縮性的樹(shù)脂片，通過(guò)在切割后使該基材14a熱收縮，能夠減小粘合 劑層14b與晶圓背面用薄膜16的粘接面積，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的回收的容易化。
[0151] 對(duì)于基材14a的表面，為了提高與相鄰層的密合性、保持性等，可以實(shí)施慣用的表 面處理，如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化輻射線處理等化學(xué)處理或 物理處理;利用底涂劑(例如后述的粘合物質(zhì)）的涂布處理。
[0152] 基材14a可以適宜地選擇同種或異種的物質(zhì)來(lái)使用，可以根據(jù)需要使用多種混合 而得到的物質(zhì)。基材14a為單層或2種以上的多層。
[0153]對(duì)基材14a的厚度(層疊體時(shí)為總厚)沒(méi)有特別限制，可以根據(jù)強(qiáng)度、柔軟性、使用 目的等適宜選擇，例如，通常為lOOOwn以下(例如lym~lOOOwn)、優(yōu)選為lOwn~500μηι、進(jìn)一 步優(yōu)選為20μηι~300μηι、特別是30μηι~200μηι左右，但不限定于這些。
[0154]需要說(shuō)明的是，在基材14a中，可以在不損害本發(fā)明的效果等的范圍含有各種添加 劑(著色劑、填充劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等）。
[0155] 粘合劑層14b由粘合劑形成，具有粘合性。作為這樣的粘合劑，沒(méi)有特別限制，可從 公知的粘合劑中適宜選擇。具體而言，作為粘合劑，例如可以從丙烯酸類(lèi)粘合劑、橡膠系粘 合劑、乙烯基烷基醚系粘合劑、有機(jī)硅系粘合劑、聚酯系粘合劑、聚酰胺系粘合劑、氨基甲酸 酯系粘合劑、氟系粘合劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系粘合劑、在這些粘合劑中配混融點(diǎn)約 200°C以下的熱熔融性樹(shù)脂而得到的蠕變特性改良型粘合劑等公知的粘合劑(例如參見(jiàn)日 本特開(kāi)昭56-61468號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭61-174857號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭63-17981號(hào)公報(bào)、日 本特開(kāi)昭56-13040號(hào)公報(bào)等）中適宜選擇具有前述特性的粘合劑來(lái)使用。此外，作為粘合 劑，也可以使用輻射線固化型粘合劑(或能量射線固化型粘合劑）、熱膨脹性粘合劑。粘合劑 可以單獨(dú)使用或組合使用2種以上。
[0156] 作為前述粘合劑，可以適當(dāng)?shù)厥褂帽┧犷?lèi)粘合劑、橡膠系粘合劑，特別適宜的是 丙烯酸類(lèi)粘合劑。作為丙烯酸類(lèi)粘合劑，可列舉出以將（甲基)丙烯酸烷基酯的1種或2種以 上用作單體成分而得到的丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類(lèi)粘 合劑。
[0157] 作為前述丙烯酸類(lèi)粘合劑中的（甲基）丙烯酸烷基酯，例如可列舉出：（甲基）丙烯 酸甲酯、（甲基)丙烯酸乙酯、（甲基)丙烯酸丙酯、（甲基)丙烯酸異丙酯、（甲基)丙烯酸丁酯、 (甲基)丙烯酸異丁酯、（甲基)丙烯酸仲丁酯、（甲基)丙烯酸叔丁酯、（甲基)丙烯酸戊酯、（甲 基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸-2-乙基己酯、（甲 基)丙烯酸異辛酯、（甲基)丙烯酸壬酯、（甲基)丙烯酸異壬酯、（甲基)丙烯酸癸酯、（甲基)丙 烯酸異癸酯、（甲基)丙烯酸十一烷基酯、（甲基)丙烯酸十二烷基酯、（甲基)丙烯酸十三烷基 酯、（甲基）丙烯酸十四烷基酯、（甲基）丙烯酸十五烷基酯、（甲基）丙烯酸十六烷基酯、（甲 基）丙烯酸十七烷基酯、（甲基）丙烯酸十八烷基酯、（甲基）丙烯酸十九烷基酯、（甲基）丙烯 酸二十烷基酯等（甲基)丙烯酸烷基酯等。作為（甲基)丙烯酸烷基酯，適宜的是烷基的碳數(shù) 為4~18的（甲基)丙烯酸烷基酯。需要說(shuō)明的是，（甲基)丙烯酸烷基酯的烷基為直鏈狀或支 鏈狀均可。
[0158] 需要說(shuō)明的是，出于內(nèi)聚力、耐熱性、交聯(lián)性等的改性的目的，前述丙烯酸類(lèi)聚合 物可以根據(jù)需要含有對(duì)應(yīng)于可與前述（甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它單體成分(共聚性單 體成分）的單元。作為這樣的共聚性單體成分，例如可列舉出：（甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基 丙烯酸）、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體;馬 來(lái)酸酐、衣康酸酐等含酸酐基單體；（甲基）丙烯酸羥基乙酯、（甲基）丙烯酸羥基丙酯、（甲 基）丙烯酸羥基丁酯、（甲基）丙烯酸羥基己酯、（甲基）丙烯酸羥基辛酯、（甲基）丙烯酸羥基 癸酯、（甲基)丙烯酸羥基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羥基甲基環(huán)己基）甲酯等含羥基單體;苯乙 烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、（甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、（甲 基)丙烯酸磺丙酯、（甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體;2-羥基乙基丙烯酰基磷酸酯 等含磷酸基團(tuán)單體；（甲基）丙烯酰胺、N，N-二甲基（甲基）丙烯酰胺、N-丁基（甲基）丙烯酰 胺、N-羥甲基（甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基丙烷（甲基)丙烯酰胺等(N-取代)酰胺系單體；（甲 基）丙烯酸氨基乙酯、（甲基）丙烯酸-N，N-二甲基氨基乙酯、（甲基）丙烯酸叔丁基氨基乙酯 等（甲基）丙烯酸氨基烷基酯系單體；（甲基）丙烯酸甲氧基乙酯、（甲基）丙烯酸乙氧基乙酯 等（甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系單體;丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯單體；（甲基)丙 烯酸縮水甘油基等含環(huán)氧基丙烯酸系單體;苯乙烯、甲基苯乙烯等苯乙烯系單體；乙酸乙 烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯基酯系單體;異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴系單體;乙烯基醚等 乙烯基醚系單體;Ν-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙 烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑烷、乙烯基嗎啉、 Ν-乙烯基羧酸酰胺類(lèi)、Ν-乙烯基己內(nèi)酰胺等含氮單體;Ν-環(huán)己基馬來(lái)酰亞胺、Ν-異丙基馬來(lái) 酰亞胺、Ν-月桂基馬來(lái)酰亞胺、Ν-苯基馬來(lái)酰亞胺等馬來(lái)酰亞胺系單體;Ν-甲基衣康酰亞 胺、Ν-乙基衣康酰亞胺、Ν-丁基衣康酰亞胺、Ν-辛基衣康酰亞胺、Ν-2-乙基己基衣康酰亞胺、 Ν-環(huán)己基衣康酰亞胺、Ν-月桂基衣康酰亞胺等衣康酰亞胺系單體;Ν-(甲基)丙烯酰氧基亞 甲基琥珀酰亞胺、Ν-(甲基)丙烯酰基-6-氧代六亞甲基琥珀酰亞胺、Ν-(甲基）丙烯?；?8-氧代八亞甲基琥珀酰亞胺等琥珀酰亞胺系單體；（甲基）丙烯酸聚乙二醇酯、（甲基）丙烯酸 聚丙二醇酯、（甲基）丙烯酸甲氧基乙二醇酯、（甲基）丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙 烯酸酯單體；（甲基)丙烯酸四氫糠基酯、氟（甲基)丙烯酸酯、有機(jī)硅（甲基)丙烯酸酯等具有 雜環(huán)、鹵原子、硅原子等的丙烯酸酯系單體；己二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）乙二醇二（甲 基)丙烯酸酯、（聚)丙二醇二（甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二（甲 基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇 六（甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、丁基 二（甲基)丙烯酸酯、己基二（甲基)丙烯酸酯等多官能單體等。這些共聚性單體成分可以使 用1種或2種以上。
[0159] 作為粘合劑使用輻射線固化型粘合劑(或能量射線固化型粘合劑)時(shí)，作為輻射線 固化型粘合劑(組合物），例如，可列舉出：將聚合物側(cè)鏈或主鏈中或者主鏈末端具有自由基 反應(yīng)性碳-碳雙鍵的聚合物用作基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)在型的輻射線固化型粘合劑;在粘合劑中 配混有紫外線固化性的單體成分、低聚物成分的輻射線固化型粘合劑等。此外，作為粘合劑 使用熱膨脹性粘合劑時(shí)，作為熱膨脹性粘合劑，例如，可列舉出含有粘合劑和發(fā)泡劑(特別 是熱膨脹性微球)的熱膨脹性粘合劑等。
[0160] 本發(fā)明中，在粘合劑層14b中，可以在不損害本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)含有各種添加 劑(例如增粘樹(shù)脂、著色劑、增稠劑、增量劑、填充劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性 劑、交聯(lián)劑等）。
[0161] 作為前述交聯(lián)劑，沒(méi)有特別限制，可以使用公知的交聯(lián)劑。具體而言，作為交聯(lián)劑， 可列舉出：異氰酸酯系交聯(lián)劑、環(huán)氧系交聯(lián)劑、三聚氰胺系交聯(lián)劑、過(guò)氧化物系交聯(lián)劑、以及 尿素系交聯(lián)劑、金屬醇鹽系交聯(lián)劑、金屬螯合物系交聯(lián)劑、金屬鹽系交聯(lián)劑、碳二亞胺系交 聯(lián)劑、噁唑啉系交聯(lián)劑、氮雜環(huán)丙烷系交聯(lián)劑、胺系交聯(lián)劑等，適宜的為異氰酸酯系交聯(lián)劑、 環(huán)氧系交聯(lián)劑。交聯(lián)劑可以單獨(dú)使用或組合使用2種以上。需要說(shuō)明的是，對(duì)交聯(lián)劑的用量 沒(méi)有特別限制。
[0162] 作為前述異氰酸酯系交聯(lián)劑，例如可列舉出：1，2_亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基 二異氰酸酯、1，6-六亞甲基二異氰酸酯等低級(jí)脂肪族多異氰酸酯類(lèi);亞環(huán)戊基二異氰酸酯、 亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯、氫化二甲苯二異氰酸酯 等脂環(huán)族多異氰酸酯類(lèi);2,4_甲苯二異氰酸酯、2,6_甲苯二異氰酸酯、4,4'_二苯基甲烷二 異氰酸酯、亞二甲苯基二異氰酸酯等芳香族多異氰酸酯類(lèi)等，此外，也可以使用三羥甲基丙 烷/甲苯二異氰酸酯三聚體加成物[日本聚氨酯工業(yè)株式會(huì)社制造、商品名"CORONATE L"]、 三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加成物[日本聚氨酯工業(yè)株式會(huì)社制造、商品名 "CORONATE HL" ]等。此外，作為前述環(huán)氧系交聯(lián)劑，例如可列舉出：N，N，N'，N' -四縮水甘油 基-間二甲苯二胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨基甲基)環(huán)己烷、1，6_己 二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、 聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、丙三醇聚縮水甘 油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、聚丙三醇聚縮水甘油醚、山梨醇酐聚縮水甘油醚、三羥甲基 丙烷聚縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥基乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚、雙酚S二縮水甘油醚、以及分子內(nèi)具有2個(gè) 以上環(huán)氧基的環(huán)氧系樹(shù)脂等。
[0163] 需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明中，也可以代替使用交聯(lián)劑或在使用交聯(lián)劑的同時(shí)通過(guò) 電子射線、紫外線等的照射實(shí)施交聯(lián)處理。
[0164] 粘合劑層14b例如可以利用如下慣用的方法來(lái)形成:將粘合劑(壓敏粘接劑）、根據(jù) 需要而添加的溶劑、其它添加劑等混合，形成為片狀的層。具體而言，例如，可以通過(guò)如下方 法形成粘合劑層14b:將含有粘合劑及根據(jù)需要而添加的溶劑、其它添加劑的混合物涂布在 基材14a上的方法;在適當(dāng)?shù)母綦x膜(剝離紙等)上涂布前述混合物從而形成粘合劑層14b并 將其轉(zhuǎn)印(轉(zhuǎn)移)到基材14a上的方法等。
[0165] 對(duì)粘合劑層14b的厚度沒(méi)有特別限制，例如為5μπι~300μπι(優(yōu)選為5μπι~200μπι、進(jìn) 一步優(yōu)選為5μηι~100μπι、特別優(yōu)選為7μηι~50μπι)左右。粘合劑層14b的厚度在前述范圍內(nèi) 時(shí)，能夠發(fā)揮適度的粘合力。需要說(shuō)明的是，粘合劑層14b可以為單層、多層中的任一種。
[0166] 需要說(shuō)明的是，作為帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13的厚度(半導(dǎo)體 背面用薄膜的厚度和由基材14a及粘合劑層14b形成的切割帶14的厚度的總厚），例如，可以 選自7μηι~11300μηι的范圍，優(yōu)選為17μηι~1600μηι(進(jìn)一步優(yōu)選為28μηι~1200μηι)。
[0167] 需要說(shuō)明的是，在帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13中，通過(guò)控制倒裝 芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的厚度與切割帶的粘合劑層的厚度的比、倒裝芯片型半導(dǎo)體背面 用薄膜的厚度與切割帶的厚度(基材和粘合劑層的總厚）的比，能夠提高切割工序時(shí)的切割 性、拾取工序時(shí)的拾取性等，能夠在半導(dǎo)體晶圓的切割工序~半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合 工序期間有效地利用帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13。
[0168] (隔離膜）
[0169] 作為隔離膜12,可以使用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(ΡΕΤ)、聚乙烯、聚丙烯、被氟系剝 離劑、長(zhǎng)鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑表面涂布的塑料薄膜、紙等。
[0170] 作為隔離膜12的厚度，優(yōu)選為5~500μηι、更優(yōu)選為10~200μηι。通過(guò)使隔離膜12的 厚度為5μηι以上，能夠穩(wěn)定的地進(jìn)行帶制造，通過(guò)設(shè)定為500μηι以下，能夠控制隔離膜剝離。 [0171](半導(dǎo)體裝置用薄膜的制造方法）
[0172]以圖1中示出的半導(dǎo)體裝置用薄膜為例子對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置用薄膜的制 造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0173] 首先，在隔離膜12的單面的整面形成倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16。具體而言， 可列舉出將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16形成用的樹(shù)脂組合物溶液直接涂布到隔離膜 12上進(jìn)行干燥的方法。
[0174] 接著，自倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16側(cè)形成到達(dá)隔離膜12的程度的深度的缺 口 Yl(未圖示）。該缺口 Y1的俯視的形狀為與預(yù)計(jì)要貼附的半導(dǎo)體晶圓的形狀(在圖中為圓 形)相對(duì)應(yīng)的形狀。缺口可以使用模具、刀具來(lái)形成。
[0175] 接著，將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16的缺口外側(cè)的部分剝離、去除。由此，成 為多個(gè)倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16在隔離膜12上隔開(kāi)規(guī)定間隔地層疊的狀態(tài)。
[0176] 接著，從層疊有倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16的面?zhèn)龋愿采w倒裝芯片型半導(dǎo) 體背面用薄膜16的方式使切割帶14貼合在隔離膜12整面上。此時(shí)，以切割帶14的粘合劑層 14b與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16或隔離膜12為貼合面的方式來(lái)貼合。
[0177] 接著，自切割帶14的基材14a側(cè)形成到達(dá)隔離膜12的程度的深度的缺口 Y2 (未圖 示）。該缺口 Y2為圓形，中心與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16的中心相同，直徑可以設(shè)定 為與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16相同或比其大。需要說(shuō)明的是，如本實(shí)施方式這樣將 缺口的直徑設(shè)定為比倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16大的情況下，可在該部分貼附切割 環(huán)。缺口可以使用模具、刀具來(lái)形成。
[0178]此外，在缺口 Y2的隔離膜12的寬度方向外側(cè)沿長(zhǎng)邊形成缺口 Y3 (未圖示）。缺口 Y3 自切割帶14的基材14a側(cè)形成為到達(dá)隔離膜12的程度的深度。該缺口 Y3可以以配置有倒裝 芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16的部分的外側(cè)部分比未配置倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16 的部分的外側(cè)部分窄的方式形成。具體而言，配置有倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16的部 分的外側(cè)的缺口 Y3為距缺口 Y2的距離恒定的圓弧狀，未配置有倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄 膜16的部分的外側(cè)的缺口 Y3可以為沿長(zhǎng)邊方向連接前述圓弧狀部分的端部到另一個(gè)圓弧 狀部分的端部而成的直線。
[0179] 接著，將處于缺口 Y2的外側(cè)且處于缺口 Y3的內(nèi)側(cè)的切割帶14從隔離膜12上剝離、 去除。
[0180] 通過(guò)以上操作，能夠得到圖1中所示的半導(dǎo)體裝置用薄膜10。
[0181] (半導(dǎo)體裝置的制造方法）
[0182] 以下，邊參照?qǐng)D3邊對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖3為示出 使用半導(dǎo)體裝置用薄膜10時(shí)的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視示意圖。
[0183] 本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法至少包括以下工序：
[0184] 將帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13從半導(dǎo)體裝置用薄膜10上剝離的 工序；
[0185] 在剝離的帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面 用薄膜16上粘貼半導(dǎo)體晶圓24的工序；
[0186] 對(duì)倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16進(jìn)行激光標(biāo)記的工序；
[0187]切割半導(dǎo)體晶圓24從而形成半導(dǎo)體元件26的工序；
[0188]將半導(dǎo)體元件26與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16-起從粘合劑層14b剝離的工 序；以及
[0189] 將半導(dǎo)體元件16倒裝芯片連接在被粘物28上的工序。
[0190] [剝離工序]
[0191] 首先，將帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13從半導(dǎo)體裝置用薄膜10上剝 離。
[0192] [安裝工序]
[0193]接著，如圖3的（a)所示，在帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13的倒裝芯 片型半導(dǎo)體背面用薄膜16上粘貼半導(dǎo)體晶圓24,使其粘接保持并固定。此時(shí)倒裝芯片型半 導(dǎo)體背面用薄膜16處于未固化狀態(tài)(包括半固化狀態(tài)）。此外，帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo) 體背面用薄膜13被粘貼在半導(dǎo)體晶圓24的背面。半導(dǎo)體晶圓24的背面是指與電路面相反側(cè) 的面(也稱(chēng)為非電路面、非電極形成面等）。對(duì)粘貼方法沒(méi)有特別限定，優(yōu)選利用壓接的方 法。壓接通常利用壓接輥等推壓?jiǎn)卧呁茐哼呥M(jìn)行。
[0194] 接著，為了使倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16對(duì)半導(dǎo)體晶圓24的固定牢固，根據(jù) 需要進(jìn)行烘烤(加熱）。該烘烤例如在80~150°C、0.1~24小時(shí)的條件下進(jìn)行。
[0195] [激光標(biāo)記工序]
[0196] 接著，如圖3的(b)所示，使用激光標(biāo)記用的激光36,從切割帶14側(cè)對(duì)倒裝芯片型半 導(dǎo)體背面用薄膜16進(jìn)行激光標(biāo)記。作為激光標(biāo)記的條件，沒(méi)有特別限定，優(yōu)選在強(qiáng)度:0.3W ~2.0W的條件下對(duì)倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16照射激光[波長(zhǎng):532nm]。此外，優(yōu)選以 此時(shí)的加工深度(深度)為2μπι以上的方式進(jìn)行照射。對(duì)前述加工深度的上限沒(méi)有特別限制， 例如，可以選自2μηι~25μηι的范圍，優(yōu)選為3μηι以上(3μηι~20μηι)、更優(yōu)選為5μηι以上(5μηι~15 Mi)。通過(guò)使激光標(biāo)記的條件在前述數(shù)值范圍內(nèi)，可發(fā)揮優(yōu)異的激光標(biāo)記性。
[0197]需要說(shuō)明的是，倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16的激光加工性可以通過(guò)構(gòu)成樹(shù)脂 成分的種類(lèi)、其含量、著色劑的種類(lèi)、其含量、交聯(lián)劑的種類(lèi)、其含量、填充材料的種類(lèi)、其含 量等來(lái)控制。
[0198] [切割工序]
[0199] 接著，如圖3的（c)所示，進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓24的切割。由此，將半導(dǎo)體晶圓24切斷成 規(guī)定的尺寸，進(jìn)行單片化(小片化），制造半導(dǎo)體芯片26。切割例如按照常規(guī)方法從半導(dǎo)體晶 圓24的電路面?zhèn)冗M(jìn)行。此外，在本工序中，例如，可以采用使切入進(jìn)行至切割帶14的被稱(chēng)作 全切割的切斷方式等。作為本工序中使用切割裝置，沒(méi)有特別限定，可以使用以往公知的裝 置。此外，半導(dǎo)體晶圓24被具有半導(dǎo)體背面用薄膜的帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用 薄膜13以優(yōu)異的密合性粘接固定，因此在能夠抑制芯片碎裂、芯片飛濺的同時(shí)，還能夠抑制 半導(dǎo)體晶圓24的破損。
[0200]需要說(shuō)明的是，進(jìn)行帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13的擴(kuò)展時(shí)，該擴(kuò) 展可以使用以往公知的擴(kuò)展裝置進(jìn)行。擴(kuò)展裝置具有能夠借助切割環(huán)將帶切割帶的倒裝芯 片型半導(dǎo)體背面用薄膜13向下方按下的圓環(huán)狀的外環(huán)、和直徑小于外環(huán)且支撐切割帶一體 型半導(dǎo)體背面用薄膜的內(nèi)環(huán)。通過(guò)該擴(kuò)展工序，在后述的拾取工序中，能夠抑制相鄰的半導(dǎo) 體芯片彼此接觸而破損的情況。
[0201] [拾取工序]
[0202] 為了回收粘接固定于帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13上的半導(dǎo)體芯 片26,如圖3的（d)所示，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片26的拾取，將半導(dǎo)體芯片26與倒裝芯片型半導(dǎo)體背 面用薄膜16-起從切割帶14上剝離。作為拾取的方法，沒(méi)有特別限定，可以采用以往公知的 各種方法。例如，可列舉出從帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜13的基材14a側(cè)用針 形件將各個(gè)半導(dǎo)體芯片26上頂，通過(guò)拾取裝置拾取被頂起的半導(dǎo)體芯片26的方法等。
[0203]需要說(shuō)明的是，作為構(gòu)成粘合劑層14b的粘合劑使用輻射線固化型粘合劑(或能量 射線固化型粘合劑)時(shí)，優(yōu)選照射紫外線后進(jìn)行拾取。由此，能夠容易地進(jìn)行拾取。特別是在 前述激光標(biāo)記工序中，有時(shí)在倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16與粘合劑層14b的界面會(huì)產(chǎn) 生氣泡。因此，優(yōu)選的是，作為構(gòu)成粘合劑層14b的粘合劑使用輻射線固化型粘合劑(或能量 射線固化型粘合劑），在激光標(biāo)記工序的階段將粘合劑層14b與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄 膜16牢固地貼附，預(yù)先抑制氣泡的產(chǎn)生，在拾取時(shí)，照射輻射線（或能量射線），使粘合力降 低，從而容易地進(jìn)行拾取。需要說(shuō)明的是，拾取的半導(dǎo)體芯片26的背面被倒裝芯片型半導(dǎo)體 背面用薄膜16保護(hù)。
[0204][倒裝芯片連接工序]
[0205]拾取的半導(dǎo)體芯片26如圖3的（e)所示通過(guò)倒裝芯片接合方式（倒裝芯片安裝方 式）固定于基板等被粘物上。具體而言，將半導(dǎo)體芯片26以半導(dǎo)體芯片26的電路面(也稱(chēng)為 表面、電路圖案形成面、電極形成面等）與被粘物28相對(duì)的方式，通過(guò)常規(guī)方法固定于被粘 物28上。例如，使在半導(dǎo)體芯片26的電路面?zhèn)刃纬傻耐箟K51與被粘在被粘物28的連接焊盤(pán) 上的接合用的導(dǎo)電材料(焊錫等)61接觸，邊按壓邊使導(dǎo)電材料熔融，由此，能夠確保半導(dǎo)體 芯片26和被粘物28的電導(dǎo)通，并將半導(dǎo)體芯片26固定于被粘物28(倒裝芯片接合工序）。此 時(shí)，在半導(dǎo)體芯片26和被粘物28之間形成空隙，該空隙間距離通常為30μπι~300μπι左右。需 要說(shuō)明的是，將半導(dǎo)體芯片26倒裝芯片接合(倒裝芯片連接)在被粘物28上后，重要的是對(duì) 半導(dǎo)體芯片26與被粘物28的相對(duì)面、間隙進(jìn)行清洗，將封裝材料(封裝樹(shù)脂等)填充到該間 隙進(jìn)行封裝。
[0206] 作為被粘物28,可以使用引線框、電路基板(布線電路基板等)等各種基板。作為這 樣的基板的材質(zhì)，沒(méi)有特別限定，可列舉出陶瓷基板、塑料基板。作為塑料基板，例如可列舉 出：環(huán)氧基板、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪基板、聚酰亞胺基板等。
[0207] 在倒裝芯片接合工序中，作為凸塊、導(dǎo)電材料的材質(zhì)，沒(méi)有特別限定，例如可列舉 出：錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系金屬材料、錫-鋅系金屬材料、錫_鋅_ 鉍系金屬材料等焊錫類(lèi)(合金）、金系金屬材料、銅系金屬材料等。
[0208]需要說(shuō)明的是，在倒裝芯片接合工序中，使導(dǎo)電材料熔融，將半導(dǎo)體芯片26的電路 面?zhèn)鹊耐箟K和被粘物28的表面的導(dǎo)電材料連接，作為該導(dǎo)電材料熔融時(shí)的溫度，通常為260 °C左右(例如250Γ~300°C)。本發(fā)明的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜利用環(huán)氧樹(shù)脂等形 成半導(dǎo)體背面用薄膜，由此能夠制成具有即使是該倒裝芯片接合工序中的高溫也能耐受的 耐熱性的薄膜。
[0209] 在本工序中，優(yōu)選進(jìn)行半導(dǎo)體芯片26與被粘物28的相對(duì)面（電極形成面）、間隙的 清洗。作為該清洗中使用的清洗液，沒(méi)有特別限制，例如可列舉出有機(jī)系的清洗液、水系的 清洗液。本發(fā)明的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜中的半導(dǎo)體背面用薄膜具有對(duì)清洗液的 耐溶劑性，對(duì)這些清洗液實(shí)質(zhì)上沒(méi)有溶解性。因此，如前所述，作為清洗液，可以使用各種清 洗液，可以不需要特別的清洗液而通過(guò)以往的方法來(lái)清洗。
[0210] 接著，進(jìn)行用于封裝倒裝芯片接合的半導(dǎo)體芯片26和被粘物28之間的間隙的封裝 工序。封裝工序用封裝樹(shù)脂進(jìn)行。作為此時(shí)的封裝條件，沒(méi)有特別限定，通常通過(guò)在175°C下 進(jìn)行60秒~90秒的加熱來(lái)進(jìn)行封裝樹(shù)脂的熱固化（回流焊），但本發(fā)明不限定于此，例如可 以在165°C~185°C下進(jìn)行數(shù)分鐘的固化。在該工序的熱處理中，不僅是封裝樹(shù)脂，倒裝芯片 型半導(dǎo)體背面用薄膜16的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16的熱固化也可以同時(shí)進(jìn)行。在這 種情況下，不必新追加用于使倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16熱固化的工序。但是，在本發(fā) 明中不限定于該例子，也可以在封裝樹(shù)脂的熱固化前，另外進(jìn)行使倒裝芯片型半導(dǎo)體背面 用薄膜16熱固化的工序。
[0211] 作為前述封裝樹(shù)脂，只要是具有絕緣性的樹(shù)脂（絕緣樹(shù)脂)就沒(méi)有特別限制，可以 從公知的封裝樹(shù)脂等封裝材料中適宜選擇來(lái)使用，更優(yōu)選具有彈性的絕緣樹(shù)脂。作為封裝 樹(shù)脂，例如可列舉出含有環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物等。作為環(huán)氧樹(shù)脂，可列舉出前述中例示的 環(huán)氧樹(shù)脂等。此外，對(duì)于由含有環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的封裝樹(shù)脂，作為樹(shù)脂成分，除 了環(huán)氧樹(shù)脂以外，還可以包含環(huán)氧樹(shù)脂以外的熱固性樹(shù)脂(酚醛樹(shù)脂等）、熱塑性樹(shù)脂等。需 要說(shuō)明的是，作為酚醛樹(shù)脂，也可以作為環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑來(lái)利用，作為這樣的酚醛樹(shù)脂， 可列舉出前述中例示的酚醛樹(shù)脂等。
[0212] 此外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)填充液狀的封裝材料(封裝樹(shù)脂等）來(lái)封裝半導(dǎo)體芯 片26和被粘物28之間的空隙的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明不限定于該例子，也可以使用片 狀樹(shù)脂組合物。對(duì)于用片狀樹(shù)脂組合物封裝半導(dǎo)體芯片和被粘物之間的空隙的方法，例如 可以采用日本特開(kāi)2001-332520號(hào)公報(bào)等以往公知的方法。因此，省略此處的詳細(xì)說(shuō)明。
[0213] 在上述實(shí)施方式中，對(duì)切割后使倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜16熱固化的情況進(jìn) 行了說(shuō)明。但是，本發(fā)明不限定于該例子，也可以在切割工序前使倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用 薄膜16熱固化。在這種情況下，即使利用該熱固化的工序中的熱將切割帶一體型半導(dǎo)體背 面用薄膜加熱，也會(huì)抑制切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜之間的剝離力的上升。因 此，拾取工序中的剝離不良得到抑制。
[0214] 需要說(shuō)明的是，在前述封裝工序之后，可以根據(jù)需要進(jìn)行熱處理（回流焊工序）。作 為該熱處理?xiàng)l件，沒(méi)有特別限定，可以根據(jù)半導(dǎo)體技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。例如， 可以在溫度(上限）為210~270°C的范圍、以其時(shí)間為5~50秒的方式進(jìn)行。通過(guò)該工序，能 夠?qū)雽?dǎo)體封裝體安裝到基板(母板等)上。
[0215] 使用本發(fā)明的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜制造的半導(dǎo)體裝置為以倒裝芯片 安裝方式安裝的半導(dǎo)體裝置，因此與以芯片接合安裝方式安裝的半導(dǎo)體裝置相比，呈薄型 化、小型化的形狀。因此，可以適當(dāng)?shù)赜米鞲鞣N電子設(shè)備?電子部件或它們的材料·構(gòu)件。 具體而言，作為利用本發(fā)明的倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備，可列舉出：所謂的 "移動(dòng)電話"、"PHS"、小型計(jì)算機(jī)(例如所謂的"PDA"（便攜信息終端）、所謂的"筆記本電腦"、 所謂的"Netbook(商標(biāo))"、所謂的"可穿戴計(jì)算機(jī)"等）、"移動(dòng)電話"及計(jì)算機(jī)一體化的小型 的電子設(shè)備、所謂的"數(shù)字照相機(jī)(商標(biāo))"、所謂的"數(shù)字?jǐn)z像機(jī)"、小型電視機(jī)、小型游戲機(jī)、 小型數(shù)字音頻播放器、所謂的"電子記事本"、所謂的"電子辭典"、所謂的"電子書(shū)"用電子設(shè) 備終端、小型數(shù)碼型手表等移動(dòng)型電子設(shè)備(可攜帶的電子設(shè)備)等，當(dāng)然，也可以為移動(dòng)型 以外（安裝型等）的電子設(shè)備（例如所謂的"臺(tái)式電腦"、薄型電視、記錄?再現(xiàn)用電子設(shè)備 (硬盤(pán)記錄器、DVD播放器等）、投影儀、微型機(jī)械等)等。此外，作為電子部件或電子設(shè)備?電 子部件的材料?構(gòu)件，例如，可列舉出所謂的"CPU"的構(gòu)件、各種存儲(chǔ)裝置(所謂的"存儲(chǔ) 器"、硬盤(pán)等)的構(gòu)件等。
[0216]實(shí)施例
[0217] 以下，例示性地詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明適宜的實(shí)施例。但是，對(duì)于該實(shí)施例中記載的材 料、配混量等，只要沒(méi)有特別限定性的記載，就不表示將本發(fā)明的要旨僅限定于這些。需要 說(shuō)明的是，以下的份是指重量份。
[0218] 〈半導(dǎo)體背面用薄膜的制作〉
[0219] 相對(duì)于以丙烯酸丁酯-丙烯腈為主成分的丙烯酸酯系聚合物（商品名"SG-P3"、 Nagase ChemteX Corporation制造）100份，將環(huán)氧樹(shù)脂(DIC公司制造、HP_4700)53份、酸酸 樹(shù)脂（明和化成株式會(huì)社制造、MEH-7851H)69份、球狀二氧化硅(ADMATECHS CO.，LTD.制造、 SE-2050-MCV)153份、染料（ORIPAS B-35,0rient Chemical Industries Co.，Ltd.制造）7 份溶解于甲乙酮，調(diào)整至濃度為23.6重量％。
[0220]將該粘接劑組合物的溶液涂布到作為剝離襯墊的由經(jīng)有機(jī)硅脫模處理的厚度50μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脫模處理薄膜上后，在130°C下干燥2分鐘，由此制作 厚度25μπι的半導(dǎo)體背面用薄膜A。
[0221 ]〈半導(dǎo)體背面用薄膜的凝膠率的測(cè)定〉
[0222] 從半導(dǎo)體背面用薄膜Α采樣約l.Og并進(jìn)行精密稱(chēng)量(試樣的重量），用網(wǎng)狀片包住 該樣品后，在約50ml的乙醇中于室溫下浸漬1周。然后，將不溶于溶劑的組分（網(wǎng)狀片的內(nèi)容 物)從乙醇中取出，使其在130°C下干燥約2小時(shí)，稱(chēng)量干燥后的不溶于溶劑的組分(浸漬· 干燥后的重量），由下述式(a)算出凝膠率(重量％ )。其結(jié)果，凝膠率為95重量％。
[0223] 凝膠率(重量％ ) = [(浸漬·干燥后的重量)/(試樣的重量）]X 100(a)
[0224] 〈半導(dǎo)體背面用薄膜在23°C下的拉伸貯能模量的測(cè)定〉
[0225] 半導(dǎo)體背面用薄膜A的彈性模量采用以下值:不層疊切割帶地制作半導(dǎo)體背面用 薄膜A，用Rheometric公司制造的動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)量裝置"Solid Analyzer RS A2"，在拉伸模 式下，以樣品寬度：l〇mm、樣品長(zhǎng)度:22 · 5mm、樣品厚度:0 · 2mm，在頻率：1Hz、升溫速度：10°C/ 分鐘、氮?dú)鈿夥障?、以?guī)定的溫度(23°C)進(jìn)行測(cè)定而得到的拉伸貯能模量E'的值。其結(jié)果， 在23°C下的拉伸貯能模量為4. lGPa。
[0226] 〈切割帶的準(zhǔn)備〉
[0227] 作為切割帶A，準(zhǔn)備日東電工株式會(huì)社制造的V-8AR。需要說(shuō)明的是，V-8AR為包含 厚度65μηι的基材(材質(zhì):氯乙稀)和厚度ΙΟμπι的粘合劑層的切割帶。
[0228] 〈隔離膜的準(zhǔn)備〉
[0229] 作為隔離膜Α，準(zhǔn)備Mitsubishi Polyester Film Corporation制造的Diafoil MRA38。需要說(shuō)明的是，隔離膜A的材質(zhì)為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯，厚度為38μπι。
[0230] 〈半導(dǎo)體裝置用薄膜的制作〉
[0231] 使用隔離膜Α、切割帶Α、及半導(dǎo)體背面用薄膜Α，通過(guò)上述實(shí)施方式中記載的方法， 制作如圖1、圖2所示的半導(dǎo)體裝置用薄膜。此時(shí)，在實(shí)施例1~3和比較例1~2中，僅使Α~Η 的尺寸不同，制成半導(dǎo)體裝置用薄膜。各實(shí)施例、比較例中的Α~Η的尺寸如下。
[0232] (實(shí)施例1)
[0233] A ： 390mm
[0234] B ：370mm
[0235] C ：330mm
[0236] D ：380mm
[0237] E ：30mm
[0238] F ： 1 0mm
[0239] G ： 9.5mm
[0240] H ：45mm
[0241] 貼附在隔離膜A上的帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的片數(shù):50片
[0242] (實(shí)施例2)
[0243] A ：390mm
[0244] B ：370mm
[0245] C ：330mm
[0246] D ：380mm
[0247] E ：30mm
[0248] F ： 1 0mm
[0249] G：5mm
[0250] H ：45mm
[0251] 貼附在隔離膜A上的帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的片數(shù):50片
[0252] (實(shí)施例3)
[0253] A ：390mm
[0254] B ：370mm
[0255] C ：330mm
[0256] D ：380mm
[0257] E ：30mm
[0258] F： 1 0mm
[0259] G：2mm
[0260] H ：45mm
[0261] 貼附在隔離膜A上的帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的片數(shù):50片
[0262] (比較例1)
[0263] A ： 390mm
[0264] B ：370mm
[0265] C ：330mm
[0266] D ：380mm
[0267] E ：30mm
[0268] F： 1 0mm
[0269] G：lmm
[0270] H ：45mm
[0271] 貼附在隔離膜A上的帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的片數(shù):50片
[0272] (比較例2)
[0273] A ： 390mm
[0274] B ：370mm
[0275] C： 330mm
[0276] D ：380mm
[0277] E ：30mm
[0278] F ： 1 0mm
[0279] G:0mm
[0280] H ：45mm
[0281] 貼附在隔離膜A上的帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的片數(shù):50片
[0282] (卷繞痕跡評(píng)價(jià)）
[0283] 將實(shí)施例及比較例的半導(dǎo)體裝置用薄膜卷取在直徑8.9cm的卷芯上。此時(shí)施加到 半導(dǎo)體裝置用薄膜的卷取張力為15N/m。然后，在室溫(25°C)下保存一周。
[0284] 保存后，將自開(kāi)始卷繞起計(jì)數(shù)的第1片帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜 (距卷芯最近的薄膜)剝離。接著，用觸針式表面形狀測(cè)定儀對(duì)剝離的帶切割帶的倒裝芯片 型半導(dǎo)體背面用薄膜的半導(dǎo)體背面用薄膜所帶的卷繞痕跡的最大深度進(jìn)行測(cè)定。卷繞痕跡 的最大深度為Ιμπι以下時(shí)記為〇、超過(guò)lMi時(shí)記為X，進(jìn)行評(píng)價(jià)。將結(jié)果示于表1。
[0285] [表1]
[0286]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種半導(dǎo)體裝置用薄膜，其特征在于，具備： 長(zhǎng)條的隔咼膜； 多個(gè)帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜，其在所述隔離膜上隔開(kāi)規(guī)定間隔地配 置成1列；和 外側(cè)片，其配置于所述帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的外側(cè)，并且，以含蓋 所述隔離膜的長(zhǎng)邊的方式層疊于所述隔離膜上，其中， 所述帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜為如下結(jié)構(gòu)：具有切割帶、和以不超出 所述切割帶的方式層疊于所述切割帶上的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜， 所述隔離膜與所述帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜是以所述隔離膜和所述 倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜作為貼合面來(lái)層疊的， 將所述外側(cè)片的寬度最窄的部分的長(zhǎng)度設(shè)為G、將所述隔離膜的長(zhǎng)邊到所述切割帶的 長(zhǎng)度設(shè)為F時(shí)，所述G在所述F的0.2倍~0.95倍的范圍內(nèi)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置用薄膜，其特征在于，所述G為2mm以上。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置用薄膜，其特征在于，將所述隔離膜的長(zhǎng)邊到所述 倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的長(zhǎng)度設(shè)為E時(shí)，所述E在所述F的1倍~5倍的范圍內(nèi)。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置用薄膜，其特征在于，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面 用薄膜的厚度在5~100μπι的范圍內(nèi)。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置用薄膜，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置用薄膜被卷 取成卷狀。6. -種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序： 將帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜從權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體 裝置用薄膜上剝離的工序； 在剝離的所述帶切割帶的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用 薄膜上粘貼半導(dǎo)體晶圓的工序； 對(duì)所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜進(jìn)行激光標(biāo)記的工序； 切割所述半導(dǎo)體晶圓從而形成半導(dǎo)體元件的工序； 將所述半導(dǎo)體元件與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜一起從所述粘合劑層剝離的 工序；以及 將所述半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接在被粘物上的工序。7. -種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，通過(guò)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造。
【文檔編號(hào)】C08L61/06GK106084604SQ201610282698
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年4月29日
【發(fā)明人】高本尚英, 木村龍, 木村龍一
【申請(qǐng)人】日東電工株式會(huì)社