本發(fā)明屬于半導(dǎo)體薄膜沉積應(yīng)用及制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種內(nèi)置多條抽氣通道的晶圓薄膜沉積反應(yīng)臺。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體薄膜的制程中，腔體內(nèi)部晶圓薄膜沉積反應(yīng)臺作為主要元件對薄膜良率等參數(shù)影響很大，其中晶圓薄膜沉積反應(yīng)臺的連接固定及各種加工精度作為加熱盤的關(guān)鍵問題自然成為了制程良率好壞的主要因素。固定式晶圓薄膜沉積反應(yīng)臺連接部件往往連接比較復(fù)雜，對加工精度要求比較嚴格，控制精度成為問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種內(nèi)置多條抽氣通道的晶圓薄膜沉積反應(yīng)臺，對晶圓薄膜沉積反應(yīng)臺下表面進行精加工，腔體與反應(yīng)臺下表面直接進行連接接觸，保證兩個機加工零件連接的精度；加開多條腔體抽真空時使用的抽氣通道，抽氣口與反應(yīng)臺保證同心，抽氣通道內(nèi)嵌有陶瓷材質(zhì)的隔熱空心內(nèi)襯，防止腔體抽真空時過多的帶走加熱盤的熱量。

本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的，一種內(nèi)置多條抽氣通道的晶圓薄膜沉積反應(yīng)臺，其作為反應(yīng)腔室的底面，直接與反應(yīng)腔室螺釘連接，晶圓薄膜沉積反應(yīng)臺中心設(shè)置有抽氣口，在反應(yīng)臺底面從抽氣口向外輻射多條抽氣通道。

進一步地，抽氣通道內(nèi)嵌有陶瓷材質(zhì)隔熱空心內(nèi)襯。

進一步地，晶圓薄膜沉積反應(yīng)臺下表面設(shè)頂起晶圓裝置空間。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于，在一定程度上解決了晶圓薄膜沉積 反應(yīng)臺與腔體間因連接件過多精度無法保證的問題，通過中心走氣，縮小腔室內(nèi)空間的利用量，在不考慮具有升降功能反應(yīng)臺的前提下，改變反應(yīng)臺本身結(jié)構(gòu)，保證反應(yīng)臺與腔體的平行連接，有效的控制了影響精度的因素，使得結(jié)構(gòu)更加簡化，控制更加有效，為薄膜制程中晶圓的均勻性提供一個更標準的反應(yīng)環(huán)境，易于在半導(dǎo)體薄膜沉積應(yīng)用及制備技術(shù)領(lǐng)域推廣。

附圖說明

下面結(jié)合附圖及實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明：

圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明安裝剖面圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，下面結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

參考圖1，為了消除薄膜沉積反應(yīng)臺與反應(yīng)腔室連接上的不確定因素，解決反應(yīng)臺與腔體平行度等問題，本發(fā)明提供了一種內(nèi)置多條抽氣通道的晶圓薄膜沉積反應(yīng)臺1，其作為反應(yīng)腔室4的底面，直接與反應(yīng)腔室4螺釘連接，所述晶圓薄膜沉積反應(yīng)臺1中心設(shè)置有抽氣口，在反應(yīng)臺底面從抽氣口向外輻射多條抽氣通道2，安裝該反應(yīng)臺時，將密封圈3安裝在反應(yīng)臺1的圓形槽內(nèi)。

為了防止腔體抽真空時過多的帶走加熱盤的熱量，作為技術(shù)方案的改進，在抽氣通道2內(nèi)嵌有陶瓷材質(zhì)隔熱空心內(nèi)襯。

為了方便對晶圓進行沉積反應(yīng)，作為技術(shù)方案的改進，在晶圓薄膜沉積反應(yīng)臺下表面設(shè)頂起晶圓裝置空間5。