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片式電子組件的制造方法

文檔序號:8446655閱讀:431來源:國知局
片式電子組件的制造方法
【專利說明】
[0001] 本申請要求于2014年1月2日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2014-0000178號 韓國專利申請的權(quán)益,該申請的公開通過引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本公開涉及一種片式電子組件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 近來,隨著諸如各種通信裝置、顯示裝置等的信息技術(shù)(IT)裝置的小型化和纖薄 已經(jīng)加速,對用于使IT裝置中使用的諸如電感器、電容器和晶體管等的各種元件小型化和 纖薄化的技術(shù)的研究已經(jīng)不斷地進(jìn)行。
[0004] 作為片式電子組件之一的電感器是與電阻器和電容器一起形成電子電路W去除 噪聲的代表性無源器件。該樣的電感器與使用電磁特性的電容器組合W構(gòu)造放大特定頻帶 的信號的諧振電路、濾波器電路等。
[0005] 電感器還被具有小尺寸和高密度并且能夠自動表面安裝的片快速地取代,已經(jīng)進(jìn) 行了如下開發(fā):通過混合磁性粉末和樹脂并且將該混合物施用到線圈圖案(線圈圖案通過 鍛覆形成在薄膜絕緣基板的上表面和下表面上)來形成薄型電感器。
[0006] 作為電感器的主要性質(zhì),直流(DC)電阻Rdc可依據(jù)線圈的橫截面積的增大而減 小。因此,為了減小直流電阻Rdc和提高電感,電感器的內(nèi)線圈的橫截面積需要增大。
[0007] 作為增大線圈的橫截面積的方法,有兩種方法,即,增大線圈的寬度的方法和增大 線圈的高度的方法。
[0008] 在增大線圈的寬度的情況下,在線圈部之間會產(chǎn)生短路的可能性會增大,在電感 器片中能夠?qū)崿F(xiàn)的面數(shù)會受限制而導(dǎo)致被磁性材料占據(jù)的面積減小,從而會導(dǎo)致效率降 低,高電感產(chǎn)品的實(shí)現(xiàn)會受限。
[0009] 因此,已經(jīng)需要薄型電感器的內(nèi)線圈通過增大線圈的高度而具有高的高寬比(AR) 的結(jié)構(gòu)。內(nèi)線圈的高寬比(AR)表示通過線圈的高度除W線圈的寬度而獲得的值,為了實(shí)現(xiàn) 高的高寬比(AR),需要抑制線圈在寬度方向上的生長,并且需要加速線圈在高度方向上的 生長。
[0010] 為了實(shí)現(xiàn)具有高的高寬比(AR)的線圈,需要執(zhí)行其中線圈僅在高度方向上生長的 各向異性電鍛工藝,并且根據(jù)現(xiàn)有技術(shù),對于各向異性鍛覆工藝,在接近極限電流密度的范 圍內(nèi)施加電流的同時執(zhí)行鍛覆。
[0011] 然而,因?yàn)樵阱懜补に嚻陂g線圈的橫截面積會改變,所W依據(jù)該工藝可能難W連 續(xù)地確定新的極限電流密度值W使用電流值。因此,在長時間地維持各向異性鍛覆工藝方 面存在局限性。此外,施加的電流的密度低于極限電流密度,會產(chǎn)生線圈在寬度方向上和線 圈的高度方向上生長的各向同性生長現(xiàn)象,而不是出現(xiàn)線圈的各向異性生長,使得線圈部 之間發(fā)生短路,并且會存在實(shí)現(xiàn)高的高寬比(AR)方面的限制。
[0012] 另外,即使在制造工藝期間新的極限電流密度可被連續(xù)地確定的情況下,當(dāng)電流 值在制造工藝中改變時,也會在線圈的橫截面中產(chǎn)生不連續(xù)的界面,線圈的導(dǎo)電率會降低。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0013] 本公開中的示例性實(shí)施例可W提供一種制造電子片式組件的方法,通過線圈在高 度方向上進(jìn)行生長的同時線圈在寬度方向上的生長受到抑制的各向異性電鍛工藝,該方法 能夠防止在線圈部之間的短路的發(fā)生并且與線圈寬度相比增大線圈的高度,W實(shí)現(xiàn)具有高 的高寬比(AR)的線圈。
[0014] 根據(jù)本公開中的示例性實(shí)施例,一種片式電子組件的制造方法可包括;在絕緣基 板的至少一個表面上形成線圈圖案種子層;在線圈圖案種子層上執(zhí)行電鍛工藝W形成線圈 導(dǎo)體層,其中,通過施加恒定電壓來執(zhí)行電鍛工藝。
[0015] 在執(zhí)行電鍛工藝時施加的電壓可W為1. 5V或更大。
[0016] 在執(zhí)行電鍛工藝時施加的電壓可W為1. 8V至2. 4V。
[0017] 在執(zhí)行電鍛工藝的步驟中,可通過施加恒定電流在線圈圖案種子層上形成各向同 性線圈導(dǎo)體層,然后可通過施加恒定電壓在各向同性線圈導(dǎo)體層上形成各向異性線圈導(dǎo)體 層。
[001引為了形成各向同性線圈導(dǎo)體層而施加的電流的電流密度可為lA/血2至5AAlm2。
[0019] 在執(zhí)行電鍛工藝中使用的鍛液可W包括從由硫酸鹽和鹽酸鹽組成的組中選擇的 至少一種無機(jī)酸鹽。
[0020] 在執(zhí)行電鍛工藝中使用的鍛液可W包括從由己二醇、聚己二醇、甘油、聚環(huán)氧己焼 和聚氧化亞烷基二醇組成的組中選擇的至少一種有機(jī)材料。
[0021] 在執(zhí)行電鍛工藝中使用的鍛液可W包括從由3-琉基丙賴酸、二(3-賴丙基)二硫 化物和N,N-二甲基二硫代氨基甲酸(3-賴丙基)醋所組成的組中選擇的至少一種。
[0022] 線圈導(dǎo)體層可W包括從由銀(Ag)、把(Pd)、鉛(A1)、媒(Ni)、鐵(Ti)、金(Au)、錫 (Sn)、銅(化)和笛(Pt)組成的組中選擇的至少一種。
[0023] 形成線圈圖案種子層的步驟可W包括;在絕緣基板上形成阻鍛劑,阻鍛劑具有用 于形成線圈圖案種子層的開口;填充用于形成線圈圖案種子層的開口W形成線圈圖案種子 層;去除阻鍛劑。
[0024] 包括線圈圖案種子層和線圈導(dǎo)體層的內(nèi)線圈部可W具有1. 1或更大的高寬比 (AR)。
[0025] 根據(jù)本公開中的示例性實(shí)施例,一種片式電子組件的制造方法可包括;在絕緣基 板的至少一個表面上形成內(nèi)線圈部;在其上形成有內(nèi)線圈部的絕緣基板的上部和下部上堆 疊磁性層,W形成磁性主體;在磁性主體的至少一個端表面上形成外電極,W連接到內(nèi)線圈 部,其中,在形成內(nèi)線圈部的步驟中,在絕緣基板上形成線圈圖案種子層,并通過執(zhí)行施加 恒定電壓的電鍛工藝來形成包覆線圈圖案種子層的線圈導(dǎo)體層。
[0026] 施加的恒定電壓可W為1. 5V或更大。
[0027] 施加的恒定電壓可W為1. 8V至2. 4V。
[002引在形成內(nèi)線圈部的步驟中,可通過施加恒定電流在形成在絕緣基板上的線圈圖案 種子層上形成包覆線圈圖案種子層的各向同性線圈導(dǎo)體層,可通過施加恒定電壓在各向同 性線圈導(dǎo)體層上形成各向異性線圈導(dǎo)體層。
[0029] 恒定電流的電流密度可W為lA/血2至5A/血2。
[0030] 內(nèi)線圈部可W具有1. 1或更大的高寬比。
【附圖說明】
[0031] 通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述,本公開的W上和其他方面、特征和其他優(yōu)點(diǎn) 將會被更清楚地理解,在附圖中:
[0032] 圖1是示出了根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的片式電子組件的示意性透視圖,其中 示出了內(nèi)線圈部;
[0033] 圖2是沿圖1中的線I-I'截取的剖視圖;
[0034] 圖3是示出了根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的片式電子組件的制造方法的工藝圖;
[0035] 圖4至圖7是順序地示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的片式電子組件的制造方法 的圖;
[0036] 圖8是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的片式電子組件的內(nèi)線圈部的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037] 現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)描述本公開的示例性實(shí)施例。
[0038] 然而,本公開可很多不同的形式來舉例說明,并不應(yīng)該被解釋為限制于在此 闡述的特定實(shí)施例。相反,提供該些實(shí)施例使得本公開將是徹底的和完整的,并將把本公開 的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0039] 在附圖中,為了清晰起見,可夸大元件的形狀和尺寸,并將始終使用相同的附圖標(biāo) 記來指示相同或相似的元件。
[0040] 在下文中,將描述根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的片式電子組件。具體地,將描述薄 型電感器,但是本公開不限于此。
[0041] 圖1是示出了根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的片式電子組件的示意性透視圖,其中 示出了內(nèi)線圈部,圖2是沿圖1中的線1-1'截取的剖視圖。
[004引參照圖1和圖2,作為片式電子組件的示例,公開了在電源電路的電源線中使用的 薄型片式電感器100。作為片式電子組件,除了片式電感器之外,片式磁珠、片式濾波器等可 被適當(dāng)?shù)厥褂谩?br>[0043] 薄型電感器100可包括磁性主體50、絕緣基板20、內(nèi)線圈部40和外電極80。
[0044] 將參照圖3至圖8描述薄型電感器100的制造方法。
[0045] 圖3是示出了根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的片式電子組件的制造方法的工藝圖, 圖4至圖7是順序地示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的片式電子組件的制造方法的圖。
[0046] 參照圖3,首先,可在絕緣基板20的至少一個表面上形成內(nèi)線圈部40。
[0047] 絕緣基板20不受具體限制。例如,作為絕緣基板20,聚丙二醇(PPG)基板、鐵氧體 基板、金屬基軟磁性基板等可被使用,絕緣基板20可具有40ym至100ym的厚度。
[0048] 作為形成內(nèi)線圈部40的方法,首先,可在絕緣基板20的至少一個表面上形成線圈 圖案種子層(seedlayer) 41。
[0049] 參照圖4,可在絕緣基板20上形成阻鍛劑60,阻鍛劑60具有用于
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