本發(fā)明涉及顯示裝置領(lǐng)域，特別涉及一種oled顯示面板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

目前常見(jiàn)的顯示裝置有被動(dòng)發(fā)光顯示裝置(如液晶顯示裝置)和主動(dòng)發(fā)光顯示裝置(如oled(organiclightemittingdiode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示裝置)，由于主動(dòng)發(fā)光顯示裝置不需要設(shè)置背光板，相比被動(dòng)發(fā)光顯示裝置具有厚度小，功耗低，響應(yīng)速度快等優(yōu)勢(shì)，因此主動(dòng)發(fā)光顯示裝置具有更大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

oled顯示裝置包括oled顯示面板，oled顯示面板包括多個(gè)oled，每個(gè)oled通常包括陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光層和陰極，在oled顯示面板中，陽(yáng)極通常被先制作在襯底基板上，然后在襯底基板的表面設(shè)置一層絕緣的像素定義層，像素定義層上會(huì)設(shè)置多個(gè)陣列布置的開(kāi)口，以將陽(yáng)極的一部分通過(guò)開(kāi)口露出，有機(jī)發(fā)光層則制作在陽(yáng)極露出的部分上，陰極設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層上。

在現(xiàn)有的oled顯示面板中，由于oled設(shè)置在像素定義層的開(kāi)口中，因此有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光會(huì)有一部分會(huì)被像素定義層吸收，導(dǎo)致oled顯示面板的出光率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有oled顯示面板出光率低的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種oled顯示面板及其制備方法、顯示裝置。所述技術(shù)方案如下：

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種oled顯示面板，所述oled顯示面板包括襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的第一像素定義層和多個(gè)oled，所述第一像素定義層上具有陣列布置的多個(gè)開(kāi)口，每個(gè)所述開(kāi)口對(duì)應(yīng)設(shè)有一個(gè)所述oled，每個(gè)所述oled均包括第一電極、發(fā)光層和第二電極，每個(gè)所述第一電極設(shè)置在對(duì)應(yīng)的所述開(kāi)口的底部和側(cè)壁上，所述發(fā)光層和所述第二電極依次設(shè)置在所述第一電極上，所述第一電極用于反射所述oled發(fā)出的光。

優(yōu)選地，所述oled顯示面板還包括第二像素定義層，所述第二像素定義層覆蓋在所述第一電極的位于所述發(fā)光層之外的區(qū)域和所述第一像素定義層上。

優(yōu)選地，所述多個(gè)oled的第二電極為一體結(jié)構(gòu)，所述一體結(jié)構(gòu)為面電極。

可選地，所述第一電極還覆蓋在所述第一像素定義層的位于所述開(kāi)口四周的表面上。

優(yōu)選地，所述開(kāi)口的橫截面的面積與所述橫截面和所述襯底基板之間的間距呈正相關(guān)關(guān)系，其中，所述開(kāi)口的橫截面指所述開(kāi)口在平行于所述襯底基板的方向上的截面。

可選地，所述第一電極包括第一反射部、第二反射部和第三反射部，所述第一反射部設(shè)置在所述開(kāi)口的底部，所述第二反射部和所述第三反射部均設(shè)置在所述開(kāi)口的側(cè)壁上，所述第二反射部圍繞所述第一反射部設(shè)置，所述第三反射部圍繞所述第二反射部設(shè)置，且所述第二反射部與所述第一反射部的夾角以及所述第三反射部與所述第二反射部之間的夾角均為鈍角。

優(yōu)選地，所述第二反射部和所述第三反射部的連接處與所述襯底基板之間的垂直距離大于所述發(fā)光層與所述襯底基板的垂直距離。

可選地，所述第三反射部與所述第二反射部之間的夾角為120°～140°，所述第二反射部與所述第一反射部之間的夾角為160°～170°。

可選地，所述開(kāi)口的側(cè)壁為凹形的球冠面。

優(yōu)選地，所述oled的發(fā)光層設(shè)置在所述球冠面的焦點(diǎn)處。

可選地，所述第一電極的厚度為0.4μm～0.6μm。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種oled顯示面板的制備方法，所述制備方法包括：

在襯底基板上形成第一像素定義層，所述第一像素定義層上具有陣列布置的多個(gè)開(kāi)口；

在所述第一像素定義層的每個(gè)開(kāi)口中形成一個(gè)oled的第一電極；

在所述第一電極上形成發(fā)光層；

在所述發(fā)光層上形成第二電極，

每個(gè)所述第一電極至少覆蓋在對(duì)應(yīng)的所述開(kāi)口的側(cè)壁上，所述第一電極用于反射所述oled發(fā)出的光。

優(yōu)選地，所述在所述第一電極和所述第一像素定義層上形成發(fā)光層之前，所述制備方法還包括：

在所述第一電極上形成第二像素定義層。

優(yōu)選地，所述在襯底基板上形成第一像素定義層包括：

在所述襯底基板上形成第一像素定義層薄膜；

在所述第一像素定義層薄膜上形成陣列布置的多個(gè)所述開(kāi)口，所述開(kāi)口的橫截面的面積與所述橫截面和所述襯底基板之間的間距呈正相關(guān)關(guān)系，其中，所述開(kāi)口的橫截面指所述開(kāi)口在平行于所述襯底基板的方向上的截面。

再一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種oled顯示裝置，所述oled顯示裝置包括前述的任一種oled顯示面板。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是：通過(guò)將oled的第一電極覆蓋在開(kāi)口的側(cè)壁上，從而形成一個(gè)反射面，將oled發(fā)出的光向oled的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)反射，可以避免光線進(jìn)入到第一像素定義層內(nèi)，從而提高顯示面板的亮度和出光率。通過(guò)利用第一電極進(jìn)行反射，可以不需要設(shè)置專門的反射層，簡(jiǎn)化工藝過(guò)程，提高生產(chǎn)效率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1中的虛線框處的截面圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種oled顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種oled顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種oled顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled顯示面板的制備方法的流程圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種oled顯示面板的制備方法的流程圖；

圖8～圖12是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled顯示面板的制造過(guò)程示意圖；

圖13是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種oled顯示面板的制備方法流程圖；

圖14～圖15是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種oled顯示面板的制造過(guò)程示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該oled顯示面板包括襯底基板100和設(shè)置在襯底基板100上的多個(gè)oled120，多個(gè)oled120陣列布置。

圖2是圖1中的虛線框處的截面示意圖。如圖2所示，襯底基板100上還設(shè)置有第一像素定義層111，第一像素定義層111上具有陣列布置的多個(gè)開(kāi)口111a，每個(gè)開(kāi)口111a對(duì)應(yīng)設(shè)有一個(gè)oled120。每個(gè)oled120均包括第一電極121、發(fā)光層122和第二電極123，每個(gè)第一電極121設(shè)置在對(duì)應(yīng)的開(kāi)口111a的底部和側(cè)壁上，發(fā)光層122和第二電極123依次設(shè)置在第一電極121上，第一電極121用于反射oled120發(fā)出的光。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將oled的第一電極覆蓋在開(kāi)口的側(cè)壁上，從而形成一個(gè)反射面，將oled發(fā)出的光向oled的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)反射，可以避免光線進(jìn)入到第一像素定義層內(nèi)，從而提高顯示面板的亮度和出光率。通過(guò)利用第一電極進(jìn)行反射，可以不需要設(shè)置專門的反射層，簡(jiǎn)化工藝過(guò)程，提高生產(chǎn)效率。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例所提出的襯底基板100上還可以設(shè)置有薄膜晶體管陣列，多個(gè)oled120和第一像素定義層111設(shè)置在薄膜晶體管陣列上，每個(gè)oled120的第一電極121與一個(gè)薄膜晶體管電連接。當(dāng)然，多個(gè)oled120和第一像素定義層111也可以直接設(shè)置在襯底基板100上。

其中，第一電極121和第二電極123中的一個(gè)為陽(yáng)極，另一個(gè)為陰極。優(yōu)選地，第一電極121為陽(yáng)極，第二電極123為陰極，陽(yáng)極可以采用ito/ag/ito(即ito層、ag層、ito層依次層疊)制成，陰極可以采用mg/ag(即mg層、ag層依次層疊)制成，ito/ag/ito具有良好的導(dǎo)電性和反射率，能夠在確保電連接的情況下，提高對(duì)光的反射能力，同時(shí)ito/ag/ito具有較高的功函數(shù)，有利于空穴的傳輸。mg/ag可以在確保電連接的情況下，使光線透過(guò)，減少對(duì)光的吸收，同時(shí)mg/ag具有較低的功函數(shù)，有利于電子的傳輸。當(dāng)然，第一電極121和第二電極123也可以采用其他導(dǎo)電材料制成。

可選地，第一電極221的厚度可以為0.4μm～0.6μm，若第一電極221太薄，則第一電極221會(huì)呈現(xiàn)透明狀態(tài)，從而會(huì)導(dǎo)致一部分光會(huì)透射第一電極221，若第一電極221太厚，則會(huì)造成材料的浪費(fèi)，增大制作成本。

可選地，第二電極223的厚度可以為80～100埃，若第二電極223太薄，則會(huì)增大第二電極223的電阻，若第二電極223太厚，則第二電極223的透明度會(huì)降低，導(dǎo)致部分光線被第二電極223吸收。

如圖1所示，開(kāi)口111a的橫截面的面積與橫截面和襯底基板110之間的間距呈正相關(guān)關(guān)系，其中，開(kāi)口111a的橫截面指開(kāi)口111a在平行于襯底基板110的方向上的截面，呈正相關(guān)關(guān)系指橫截面到襯底基板110的距離越大，則橫截面的面積也越大，但兩者之間并不一定呈正比，以使得覆蓋在開(kāi)口111a的底部和側(cè)壁上的第一電極221可以將反射光線匯聚在一個(gè)較小的范圍內(nèi)，從而使反射光更加集中，有利于提高顯示面板的亮度和出光率。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種oled顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3所示的oled顯示面板的結(jié)構(gòu)與圖2所示的oled顯示面板的結(jié)構(gòu)基本相同，不同之處在于，在圖3所示的oled顯示面板中，oled顯示面板還包括第二像素定義層112，第二像素定義層112覆蓋在第一電極121的位于發(fā)光層122之外的區(qū)域和第一像素定義層111上。通過(guò)在第一電極121上設(shè)置第二像素定義層112，以對(duì)第一電極121提供保護(hù)，同時(shí)可以避免第一電極121與第二電極123之間發(fā)生短路。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，第一像素定義層111與第二像素定義層112的表面形狀可以不同，在制作oled顯示面板時(shí)，可以通過(guò)改變第一像素定義層111的開(kāi)口111a的形狀，從而改變形成的第一電極121的形狀，以使第一電極121能夠更好的反射光線，第二像素定義層112的位于開(kāi)口111a中的部分的形狀則用以定義像素區(qū)域。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，第一像素定義層111和第二像素定義層112均可以由聚酰亞胺制成。聚酰亞胺為絕緣性較高的透明材料，能夠有效隔絕第一電極121和第二電極123，同時(shí)減少對(duì)光線的吸收。

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種oled顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4所示的oled顯示面板的結(jié)構(gòu)與圖3所示的oled顯示面板的結(jié)構(gòu)基本相同，不同之處在于，在圖4所示的oled顯示面板中，多個(gè)oled的第二電極223為一體結(jié)構(gòu)，一體結(jié)構(gòu)為面電極。通過(guò)將第二電極223設(shè)置為一個(gè)整體，從而可以實(shí)現(xiàn)共陰極或共陽(yáng)極的連接方式，以滿足不同的設(shè)計(jì)需要。

進(jìn)一步地，第一電極221還覆蓋在第一像素定義層111的位于開(kāi)口111a四周的表面上。由于光線在被第一電極221反射到開(kāi)口111a的四周后，可能會(huì)在第二像素定義層112與第二電極223的界面處或是第二電極223遠(yuǎn)離第二像素定義層112的表面處發(fā)生全反射，而射向襯底基板110，通過(guò)在第一像素定義層111的位于開(kāi)口111a四周的表面上也覆蓋第一電極221，從而可以將發(fā)生全反射的光線向oled的遠(yuǎn)離襯底基板110的一側(cè)反射，進(jìn)一步提高顯示面板的亮度和出光率。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，相鄰的第一電極221之間可以留有間隙a，以使得多個(gè)第一電極221彼此獨(dú)立。

具體地，第一電極221可以包括第一反射部221a、第二反射部221b和第三反射部221c，第一反射部221a設(shè)置在開(kāi)口111a的底部，第二反射部221b和第三反射部221c均設(shè)置在開(kāi)口111a的側(cè)壁上，第二反射部221b圍繞第一反射部221a設(shè)置，第三反射部221c圍繞第二反射部221b設(shè)置，且第二反射部221b與第一反射部221a的夾角以及第三反射部221c與第二反射部221b之間的夾角均為鈍角。將第一電極221設(shè)置成包括第一反射部221a、第二反射部221b和第三反射部221c的多段結(jié)構(gòu)，可以通過(guò)改變第一反射部221a與第二反射部221b之間的夾角、第二反射部221b與第三反射部221c之間的夾角來(lái)調(diào)整反射光的方向，從而使反射光更集中。

進(jìn)一步地，第二反射部221b和第三反射部221c的連接處與襯底基板110之間的垂直距離h1大于發(fā)光層122與襯底基板110的垂直距離h2。從而可以使發(fā)光層122發(fā)出的部分光通過(guò)第二反射部221b反射到第三反射部221c，并通過(guò)第三反射部221c向遠(yuǎn)離襯底基板110一側(cè)反射，通過(guò)兩次反射使發(fā)光層122發(fā)出的與襯底基板110夾角較小的光線也能向遠(yuǎn)離襯底基板110一側(cè)反射。

優(yōu)選地，第三反射部221c與第二反射部221b之間的夾角為120°～140°，第二反射部221b與第一反射部221a之間的夾角為160°～170°。將第三反射部221c與第二反射部221b、第二反射部221b與第一反射部221a之間的夾角設(shè)置在該范圍可以使更多的光線沿垂直于襯底基板110的方向反射。

進(jìn)一步地，第一電極221可以包括第一反射部221a、第二反射部221b、第三反射部221c直至第n反射部，n≥4，第一反射部221a設(shè)置在開(kāi)口111a的底部，第二反射部221b至第n反射部均設(shè)置在開(kāi)口111a的側(cè)壁上，第i+1反射部圍繞第i反射部設(shè)置，其中1≤i≤n-1，相鄰的兩反射部之間的夾角均為鈍角，通過(guò)將第一電極221設(shè)置成多段結(jié)構(gòu)，使得發(fā)光層122發(fā)出的與襯底基板110夾角較小的光線能通過(guò)第一電極221的多次反射射向oled的遠(yuǎn)離襯底基板110的一側(cè)。

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種oled顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖5所示的oled顯示面板的結(jié)構(gòu)與圖4所示的oled顯示面板的結(jié)構(gòu)基本相同，不同之處在于，圖5所示的oled顯示面板中，開(kāi)口111a的側(cè)壁可以為凹形的球冠面。由于開(kāi)口111a的側(cè)壁為球冠面，因此第一電極221覆蓋在開(kāi)口111a的側(cè)壁上的部分也為球冠面，球冠面的第一電極221在反射光線時(shí)，反射光更集中，有利于提高顯示面板的亮度和出光率。

進(jìn)一步地，oled的發(fā)光層122設(shè)置在球冠面的焦點(diǎn)處。通過(guò)將oled的發(fā)光層122設(shè)置在球冠面的焦點(diǎn)處，從而使發(fā)光層122發(fā)出的光經(jīng)過(guò)第一電極221反射后形成平行光束，能進(jìn)一步提高顯示面板的亮度和出光率。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，發(fā)光層122的幾何中心可以與球冠面的焦點(diǎn)重合。使得發(fā)光層122發(fā)出的光可以近似為從焦點(diǎn)處發(fā)出，在經(jīng)過(guò)第一電極221反射后，可以形成平行光束，使光線較為集中，可以提高顯示面板的亮度和出光率。

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled顯示面板的制備方法的流程圖，該制備方法用于制造如圖2所示的oled顯示面板。如圖6所示，該制備方法包括：

s11：在襯底基板上形成像素定義層。

其中，像素定義層上具有陣列布置的多個(gè)開(kāi)口。

s12：在像素定義層的每個(gè)開(kāi)口中形成一個(gè)oled的第一電極。

s13：在第一電極上形成發(fā)光層。

s14：在發(fā)光層上形成第二電極。

其中，每個(gè)第一電極至少覆蓋在對(duì)應(yīng)的開(kāi)口的側(cè)壁上，第一電極用于反射oled發(fā)出的光。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將oled的第一電極覆蓋在開(kāi)口的側(cè)壁上，從而形成一個(gè)反射面，將oled發(fā)出的光向oled的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)反射，可以避免光線進(jìn)入到第一像素定義層內(nèi)，從而提高顯示面板的亮度和出光率。通過(guò)利用第一電極進(jìn)行反射，可以不需要設(shè)置專門的反射層，簡(jiǎn)化工藝過(guò)程，提高生產(chǎn)效率。

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種oled顯示面板的制備方法的流程圖，該制備方法用于制造如圖3所示的oled顯示面板。以下結(jié)合圖8～圖12對(duì)該制備方法進(jìn)行具體說(shuō)明。如圖7所示，該制備方法包括：

s201：提供一襯底基板。

襯底基板可以為透明基板，例如玻璃基板、硅基板和塑料基板等。步驟s201中可以對(duì)襯底基板進(jìn)行洗凈處理。

s202：在襯底基板上形成第一像素定義層。

如圖8所示，第一像素定義層111上具有陣列布置的多個(gè)開(kāi)口111a。

具體地，步驟s202可以包括：

在襯底基板110上形成一層第一像素定義層薄膜。

在第一像素定義層薄膜上形成陣列布置的多個(gè)開(kāi)口111a。

其中，開(kāi)口111a的橫截面的面積與橫截面和襯底基板110之間的間距呈正相關(guān)關(guān)系，開(kāi)口111a的橫截面指開(kāi)口111a在平行于襯底基板110的方向上的截面。

具體地，可以通過(guò)構(gòu)圖工藝在襯底基板110上形成陣列布置的多個(gè)開(kāi)口111a。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，可以在襯底基板110上涂覆一層聚酰亞胺，以形成第一像素定義層薄膜。在構(gòu)圖工藝中可以采用半透掩膜進(jìn)行曝光，從而通過(guò)光刻工藝在第一像素定義層111上形成陣列布置的多個(gè)開(kāi)口111a，開(kāi)口111a的底部將襯底基板110露出，通過(guò)選用不同的半透掩膜進(jìn)行曝光，從而可以形成具有不同形狀的側(cè)壁的開(kāi)口111a，側(cè)壁的形狀不同則在后續(xù)步驟中形成的第一電極的形狀也不同，對(duì)光線的反射作用也不同，通過(guò)形成合適形狀的開(kāi)口111a，從而可以使得后續(xù)步驟形成的第一電極能夠更好的反射光線，例如開(kāi)口111a的側(cè)壁可以為凹形的球冠面，從而可以使反射光更集中，有利于提高顯示面板的亮度和出光率。

s203：在第一像素定義層的每個(gè)開(kāi)口中形成一個(gè)oled的第一電極。

如圖所示，開(kāi)口111a中形成有第一電極121。

具體地，步驟s203可以包括：

在第一像素定義層111上形成一層第一電極材料薄膜。

通過(guò)構(gòu)圖工藝形成多個(gè)第一電極121。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，可以采用磁控濺射或蒸鍍的方式在第一像素定義層111上形成第一電極材料薄膜，第一電極材料薄膜覆蓋在第一像素定義層111的表面以及開(kāi)口111a的底部露出的襯底基板110上。

可選地，當(dāng)?shù)谝浑姌O121作為陽(yáng)極時(shí)，第一電極材料薄膜可以是ito/ag/ito，當(dāng)?shù)谝浑姌O121作為陰極時(shí)，第一電極材料薄膜可以是mg/ag。

通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)第一電極材料薄膜進(jìn)行處理，從而形成具有陣列分布的多個(gè)第一電極121的圖案，多個(gè)第一電極121之間彼此分離，每個(gè)第一電極121可以覆蓋在對(duì)應(yīng)的開(kāi)口111a的底部和側(cè)壁上。

s204：在第一電極和第一像素定義層上形成第二像素定義層。

如圖10所示，在第一電極121和第一像素定義層111上形成有第二像素定義層112。

具體地，步驟s204可以包括：

在第一電極121和第一像素定義層111上形成一層第二像素定義層薄膜。

通過(guò)構(gòu)圖工藝在第一電極121和第一像素定義層111上形成第二像素定義層112。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，可以在第一電極121和第一像素定義層111上涂覆一層聚酰亞胺，以形成第二像素定義層薄膜。在構(gòu)圖工藝中，去除部分第二像素定義層薄膜，以形成第二像素定義層112，第二像素定義層112將第一電極121的位于開(kāi)口111a底部的區(qū)域露出，以便于后續(xù)結(jié)構(gòu)的制作。

優(yōu)選地，在構(gòu)圖工藝中，可以采用半透掩膜進(jìn)行曝光，從而通過(guò)光刻工藝處理第二像素定義層112時(shí)，可以使第二像素定義層112位于開(kāi)口111a中的部分的表面形狀滿足設(shè)計(jì)要求。具體可以在定義出的像素區(qū)域大小滿足要求的情況下，使第二像素定義層112的表面盡量平緩，從而可以避免后續(xù)制作的陰極出現(xiàn)斷裂等不良情況。

s205：在第一電極上形成發(fā)光層。

如圖11所示，在第一電極121上形成有發(fā)光層122。

具體地，發(fā)光層122可以利用掩膜板在第一電極121上蒸鍍形成。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，在形成發(fā)光層122時(shí)，還可以在第一電極121上依次蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層，其中空穴傳輸層疊置在空穴注入層上，發(fā)光層疊置在空穴傳輸層上，電子傳輸層疊置在發(fā)光層上，電子注入層疊置在電子傳輸層上。

s206:在發(fā)光層上形成第二電極。

如圖12所示，在發(fā)光層122上形成有第二電極123。

具體地，步驟s206可以包括：

在第二像素定義層112和發(fā)光層122上形成一層第二電極材料薄膜。

通過(guò)構(gòu)圖工藝形成多個(gè)第二電極123。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，可以采用磁控濺射或蒸鍍的方式在第二像素定義層112和發(fā)光層122上形成第二電極材料薄膜，第二電極材料薄膜覆蓋在第二像素定義層112的表面以及發(fā)光層122的表面。

可選地，當(dāng)?shù)诙姌O123作為陽(yáng)極時(shí)，第二電極材料薄膜可以是ito/ag/ito，當(dāng)?shù)诙姌O123作為陰極時(shí)，第二電極材料薄膜可以是mg/ag。

通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)第二電極材料薄膜進(jìn)行處理，從而形成具有陣列分布的多個(gè)第二電極的圖案，多個(gè)第二電極之間彼此分離，每個(gè)第二電極可以覆蓋在對(duì)應(yīng)的發(fā)光層的表面上。

圖13是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種oled顯示面板的制備方法流程圖，該方法用于制備圖4所示的oled顯示面板。以下結(jié)合圖14～圖15對(duì)該制備方法進(jìn)行具體說(shuō)明。該制備方法包括：

s301：提供一襯底基板。

具體地，s301可以與s201相同，此處不再贅述。

s302：在襯底基板上形成第一像素定義層。

具體地，s302可以與s202相同，此處不再贅述。

s303：在第一像素定義層的每個(gè)開(kāi)口中形成一個(gè)oled的第一電極。

如圖14所示，第一像素定義層111的開(kāi)口111a中形成有第一電極221。

具體地，s303與s203基本相同，不同之處在于，通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)第一電極材料薄膜進(jìn)行處理時(shí)，所選用的掩膜不同，以使得第一電極221還覆蓋在第一像素定義層111的位于開(kāi)口111a四周的表面上，且相鄰的第一電極之間留有間隔。

s304：在第一電極和第一像素定義層上形成第二像素定義層。

具體地，s304可以與s204相同，此處不再贅述。

s305：在第一電極上形成發(fā)光層。

具體地，s305可以與s205相同，此處不再贅述。

s306:在發(fā)光層上形成第二電極。

如圖8所示，第二像素定義層112上形成有第二電極223。

具體地，步驟s206可以包括：

具體地，s306與s206基本相同，不同之處在于，通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)第二電極材料薄膜進(jìn)行處理時(shí)，所選用的掩膜不同，以使得多個(gè)第二電極223連接為一個(gè)整體。具體可以將所有的oled的第二電極223都連接為一個(gè)面電極，也可以將部分oled的第二電極223連接為一個(gè)面電極。從而可以實(shí)現(xiàn)共陰極或是共陽(yáng)極的連接。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種oled顯示裝置，該顯示裝置包括前述的oled陣列基板。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置可以為手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將oled的第一電極覆蓋在開(kāi)口的側(cè)壁上，從而形成一個(gè)反射面，將oled發(fā)出的光向oled的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)反射，可以避免光線進(jìn)入到第一像素定義層內(nèi)，從而提高顯示面板的亮度和出光率。通過(guò)利用第一電極進(jìn)行反射，可以不需要設(shè)置專門的反射層，簡(jiǎn)化工藝過(guò)程，提高生產(chǎn)效率。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。