本發(fā)明實施例涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示產(chǎn)品的顯示效果不斷地得到改善，從而使液晶顯示產(chǎn)品的應(yīng)用越來越廣泛。

顯示產(chǎn)品的功耗與顯示驅(qū)動頻率成正比，為降低產(chǎn)品的功耗需要降低顯示驅(qū)動頻率。然而，目前的顯示產(chǎn)品在降低驅(qū)動頻率后，由于漏電流的存在，在保持階段，像素電極電壓不斷減小，顯示驅(qū)動周期內(nèi)像素電極的電壓保持率降低，顯示畫面容易出現(xiàn)閃爍，影響顯示效果。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種顯示面板及顯示裝置，以提高顯示驅(qū)動周期內(nèi)像素電極的電壓保持率，提升顯示面板低頻驅(qū)動時的顯示效果。

本發(fā)明實施例一方面提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括：

陣列基板；

所述陣列基板包括基板，形成在所述基板上的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定多個像素單元，所述像素單元包括像素電極；

至少一個所述像素單元包括與所述像素單元的像素電極絕緣且異層設(shè)置的補(bǔ)償電極，所述補(bǔ)償電極在所述基板上的垂直投影與所述像素電極在所述基板上的垂直投影至少部分交疊；

沿數(shù)據(jù)線和/或掃描線延伸方向上，所述像素單元的補(bǔ)償電極和與所述像素單元相鄰的一個像素單元的像素電極電連接，且沿所述數(shù)據(jù)線和/或掃描線延伸方向上相鄰的兩個所述像素單元的像素電極上的電壓信號極性相反。

本發(fā)明實施例又一方面還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括本發(fā)明任意實施例所述的顯示面板。

本發(fā)明實施例提供的顯示面板至少一個像素單元包括與所述像素單元的像素電極絕緣且異層設(shè)置的補(bǔ)償電極，所述補(bǔ)償電極在所述基板上的垂直投影與所述像素電極在所述基板上的垂直投影至少部分交疊，沿數(shù)據(jù)線和/或掃描線延伸方向上，所述像素單元的補(bǔ)償電極和與所述像素單元相鄰的一個像素單元的像素電極電連接，且沿所述數(shù)據(jù)線和/或掃描線延伸方向上相鄰的兩個所述像素單元的像素電極上的電壓信號極性相反，由于補(bǔ)償電極對像素電極的電容耦合作用，使得像素電極電壓的變化減小，從而提高了像素電極電壓的電壓保持率，提升了低頻驅(qū)動時的顯示效果，使得顯示面板可以采用更低的驅(qū)動頻率，降低了顯示面板的功耗。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例提供的一幀畫面內(nèi)像素電極電壓變化示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的示意圖；

圖3是圖2中陣列基板沿剖面線A-A的剖面圖；

圖4是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的示意圖；

圖5是圖4中陣列基板沿剖面線B-B的剖面圖；

圖6是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的剖面圖；

圖7是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的示意圖；

圖8是圖7中陣列基板沿剖面線C-C的剖面圖；

圖9是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的示意圖；

圖10是本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一幀畫面內(nèi)像素電極電壓變化示意圖，參考圖1，Vg為施加到掃描線的柵極驅(qū)動信號，Vp為像素電極電壓，顯示面板在顯示時將每一幀畫面分為畫面充電階段c和畫面保持階段e，在畫面充電階段c，柵極驅(qū)動信號Vg為高電平，與像素電極連接的薄膜晶體管導(dǎo)通，對像素電極充電，使像素電極電壓Vp達(dá)到相應(yīng)的灰階電壓，即將整個畫面所要顯示的信息完成寫入；在畫面保持階段e，柵極線給定某一直流信號或不給信號，薄膜晶體管關(guān)閉，直到下一幀信號開始。由于漏電流的影響，在保持階段e，像素電極會通過薄膜晶體管漏電，像素電極電壓Vp隨著時間不斷減小。設(shè)保持階段e結(jié)束時像素電極電壓為Vp2，充電階段c結(jié)束時像素電極電壓為Vp1，則Vp2/Vp1即為電壓保持率。若降低顯示面板的驅(qū)動頻率，則保持階段e的時間變長，像素電極電壓Vp的減小量較大，則像素電極電壓保持率降低，在保持階段像素電極電壓Vp無法滿足畫面顯示要求，容易出現(xiàn)閃爍，影響顯示效果。

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括陣列基板。所述陣列基板包括：

基板，形成在所述基板上的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定多個像素單元，所述像素單元包括像素電極；

至少一個所述像素單元包括與所述像素單元的像素電極絕緣且異層設(shè)置的補(bǔ)償電極，所述補(bǔ)償電極在所述基板上的垂直投影與所述像素電極在所述基板上的垂直投影至少部分交疊；

沿數(shù)據(jù)線和/或掃描線延伸方向上，所述像素單元的補(bǔ)償電極和與所述像素單元相鄰的一個像素單元的像素電極電連接，且沿所述數(shù)據(jù)線和/或掃描線延伸方向上相鄰的兩個所述像素單元的像素電極上的電壓信號極性相反。

具體的，像素單元的補(bǔ)償電極和與相鄰的一個像素單元的像素電極電連接，由于相鄰像素單元的像素電極上的電壓信號極性相反，使得同一像素單元的補(bǔ)償電極和像素電極上的電壓信號具有相反的極性。由于漏電流的存在，具有正極性電壓信號的像素電極上的電壓會減小，具有負(fù)極性電壓信號的像素電極上的電壓會增大，因此同一像素單元中，補(bǔ)償電極與像素電極具有相反的電壓變化趨勢。補(bǔ)償電極與像素電極投影交疊的部分形成補(bǔ)償電容，由于補(bǔ)償電極的電容耦合作用，使得像素電極的電壓變化減小，從而提高了像素電極電壓的電壓保持率，提升了低頻驅(qū)動時的顯示效果，使得顯示面板可以采用更低的驅(qū)動頻率，降低了顯示面板的功耗。

可選的，沿數(shù)據(jù)線和/或掃描線延伸方向，每相鄰的兩個像素單元中的一個像素單元具有與像素單元的像素電極絕緣且異層設(shè)置的補(bǔ)償電極，補(bǔ)償電極與另一像素單元的像素電極電連接。

圖2是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的示意圖，圖3是圖2中陣列基板沿剖面線A-A的剖面圖。示例性的，參考圖2和圖3，沿掃描線20延伸方向，第一像素單元40a和第二像素單元40b相鄰，第一像素單元40a具有第一像素電極410a，第二像素單元40b具有第二像素電極410b和第二補(bǔ)償電極420b。對于第二像素單元40b，由于第二補(bǔ)償電極420b的電容耦合作用，使得第二像素電極410b的電壓變化減小。同時第二像素電極410b也會對第二補(bǔ)償電極420b產(chǎn)生電容耦合作用，使得第二補(bǔ)償電極420b上的電壓變化減小，從而使得與第二補(bǔ)償電極420b電連接的第一像素單元40a的第一像素電極410a的電壓變化減小。通過在每相鄰的兩個像素單元中的一個像素單元設(shè)置補(bǔ)償電極，提高了顯示面板中像素電極電壓的電壓保持率，進(jìn)而提升了低頻驅(qū)動時的顯示效果，使得顯示面板可以采用更低的驅(qū)動頻率，降低了顯示面板的功耗。

可選的，每一像素單元均包括與像素單元的像素電極絕緣且異層設(shè)置的補(bǔ)償電極，沿數(shù)據(jù)線和/或掃描線延伸方向，每一像素單元的像素電極和與像素單元相鄰的一像素單元的補(bǔ)償電極電連接。

圖4是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的示意圖，圖5是圖4中陣列基板沿剖面線B-B的剖面圖。示例性的，參考圖4和圖5，沿掃描線20延伸方向，第二像素單元40b與第一像素單元40a和第三像素單元40c相鄰，第一像素單元40a具有第一像素電極410a和第一補(bǔ)償電極420a，第二像素單元40b具有第二像素電極410b和第二補(bǔ)償電極420b，第三像素單元40c具有第三像素電極410c和第三補(bǔ)償電極420c，第二補(bǔ)償電極420b與第一像素電極410a電連接，第三補(bǔ)償電極420c與第二像素電極410b電連接。以第二像素單元40b為例，第一像素電極410a和第三像素電極410c上的電壓信號均與第二像素電極410b上的電壓信號極性相反。由于第二補(bǔ)償電極420b與第一像素電極410a電連接，因此第二補(bǔ)償電極420b的電壓變化趨勢與第二像素電極410b的電壓變化趨勢相反，第二補(bǔ)償電極420b對第二像素電極410b產(chǎn)生電容耦合作用，減小第二像素電極電壓的變化。同時第三像素電極410c對第三補(bǔ)償電極420a產(chǎn)生電容耦合作用，而第三補(bǔ)償電極420c與第二像素電極410b電連接，因此第三像素電極410c亦對第二像素電極410b產(chǎn)生電容耦合作用，進(jìn)一步減小第二像素電極電壓的變化。這樣進(jìn)一步減小了第二像素電極電壓的變化，進(jìn)一步提高了第二像素電極電壓的保持率，進(jìn)一步提升了低頻驅(qū)動時的顯示效果，使得顯示面板可以采用更低的驅(qū)動頻率，降低了顯示面板的功耗。

需要說明的是，圖2-圖5以沿掃描線延伸方向相鄰的像素單元為例對本發(fā)明實施例進(jìn)行說明，并非對本發(fā)掃描線明的限定。

可選的，沿掃描線和/或數(shù)據(jù)線延伸方向，相鄰像素單元的像素電極同層設(shè)置，像素單元的補(bǔ)償電極和與所述像素單元相鄰的一像素單元的像素電極通過過孔電連接。

示例性的，參考圖4和圖5，第一像素單元40a的第一像素電極410a和第二像素單元40b的第二像素電極410b同層設(shè)置，第二補(bǔ)償電極420b通過過孔440與第一像素電極410a電連接。這樣設(shè)置，各像素單元的像素電極可以在同一工藝中形成，各像素單元的補(bǔ)償電極也可以在同一工藝中形成，降低了工藝難度。

可選的，像素單元的補(bǔ)償電極位于像素單元的像素電極朝向基板的一側(cè)。示例性的，參考圖5，第一補(bǔ)償電極420a位于第一像素電極410a朝向基板10的一側(cè)，這樣設(shè)置，避免第一補(bǔ)償電極420a與公共電極430a產(chǎn)生電場，而影響液晶驅(qū)動，從而影響顯示效果。

可選的，沿掃描線和/或數(shù)據(jù)線延伸方向，相鄰像素單元的像素電極異層設(shè)置，且相互絕緣。沿掃描線和/或數(shù)據(jù)線延伸方向，像素單元的補(bǔ)償電極和與像素單元相鄰的一像素單元的像素電極位于同一膜層。

圖6是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的剖面圖。示例性的，參考圖6，第一像素電極410a和第二像素電極410b可以異層設(shè)置。第二補(bǔ)償電極420b和第一像素電極410a可以同層設(shè)置，這樣第一像素電極410a和第二補(bǔ)償電極420b可以在同一工藝中形成，并且在形成時可以直接電連接，無需另外設(shè)置過孔使二者連接，減少了工藝步驟，降低了工藝難度。

可選的，像素單元的像素電極在基板上的垂直投影覆蓋像素單元的補(bǔ)償電極在基板上的垂直投影。這樣設(shè)置，一方面，避免補(bǔ)償電極與公共電極之間產(chǎn)生電場影響顯示效果，另一方面，使得像素電極與補(bǔ)償電極的相對面積可以更大，像素電極與補(bǔ)償電極之間的電容耦合作用更大，進(jìn)一步減小像素電極電壓的變化，示例性的，參考圖6，第二像素電極410b在基板10的垂直投影覆蓋第二補(bǔ)償電極420b在基板的垂直投影。

可選的，像素單元還包括公共電極，公共電極與像素電極異層設(shè)置且相互絕緣，公共電極位于像素電極遠(yuǎn)離基板的一側(cè)，或者，公共電極位于像素電極朝向基板的一側(cè)。

示例性的，參考圖6，公共電極430與第一像素電極410a和第二像素電極410b異層設(shè)置且相互絕緣，公共電極430位于像第一像素電極410a和第二像素電極410b遠(yuǎn)離基板10的一側(cè)。圖7是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的示意圖，圖8是圖7中陣列基板沿剖面線C-C的剖面圖。參考圖7和圖8，公共電極430位于像第一像素電極410a朝向基板10的一側(cè)。

需要說明的是，圖7中并未示出公共電極，并非對發(fā)明的限定。公共電極可以與補(bǔ)償電極同層設(shè)置，也可以與補(bǔ)償電極異層設(shè)置。

可選的，當(dāng)公共電極位于像素電極朝向基板的一側(cè)時，補(bǔ)償電極與公共電極同層設(shè)置且相互絕緣。

示例性的，參考圖8，以第一像素單元40a為例，第一補(bǔ)償電極420a與公共電極430同層且絕緣設(shè)置。公共電極430與第一像素電極410a之間形成存儲電容，用于圖像顯示，第一補(bǔ)償電極420a與第一像素電極410a之間形成補(bǔ)償電容，第一補(bǔ)償電極420a對第一像素電極410a的電容耦作用使得保持階段像素電極電壓變化減小，提高像素電極電壓的保持率，從而提升顯示面板低頻顯示效果。

可選的，補(bǔ)償電極與像素電極的相對面積和公共電極與像素電極的相對面積之間的比值范圍為0.05-0.2。具體的，像素電極與公共電極的相對面積越大存儲電容越大，像素電極與補(bǔ)償電極的相對面積越大補(bǔ)償電容越大。由于存儲電容的大小對也會影響像素電極電壓保持率，這樣設(shè)置，保證了在存儲電容與補(bǔ)償電容綜合作用下，像素電極電壓變化較小，像素電極電壓的保持率較大，從而提升顯示面板低頻顯示效果。

可選的，公共電極位于像素電極遠(yuǎn)離基板的一側(cè)，像素電極與補(bǔ)償電極均為面狀電極，公共電極為條狀電極。

示例性的，參考圖4和圖5，以第一像素單元40a為例，公共電極430具有狹縫，保證了公共電極430與第一像素電極410a之間可以形成驅(qū)動液晶的電場，實現(xiàn)圖像顯示。另外，通過將第一像素電極410a與第一補(bǔ)償電極420a設(shè)置為面狀電極，保證了第一像素電極410a與公共電極430具有較大的相對面積，從而具有較大的存儲電容，并且保證了第一像素電極410a與第一補(bǔ)償電極420a的相對面積較大，從而具有較大的補(bǔ)償電容，保證了第一補(bǔ)償電極420a對第一像素電極410a具有較強(qiáng)的電容耦合作用，從而保證像素電極電壓變化較小，提升顯示面板低頻顯示效果。

可選的，公共電極位于像素電極朝向基板的一側(cè)，像素電極為條狀電極，公共電極與補(bǔ)償電極均為面狀電極。

具體的，參考圖7和圖8，第一像素電極410a具有狹縫，保證了公共電極430與第一像素電極410a之間可以形成的驅(qū)動液晶的電場，實現(xiàn)圖像顯示。另外，通過將公共電極430與第一補(bǔ)償電極420a設(shè)置為面狀電極，保證了第一像素電極410a與公共電極430具有較大的相對面積，從而具有較大的存儲電容，并且保證了第一像素電極410a與第一補(bǔ)償電極420a的相對面積較大，從而具有較大的補(bǔ)償電容，保證了第一補(bǔ)償電極420a對第一像素電極410a具有較強(qiáng)的電容耦合作用，從而保證像素電極電壓變化較小，提升顯示面板低頻顯示效果。

可選的，顯示面板采用列反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式，沿掃描線延伸方向，像素單元的補(bǔ)償電極和與像素單元相鄰的前一像素單元和/或后一像素單元的像素電極電連接。這樣設(shè)置，使得補(bǔ)償電極與像素電極之間不用設(shè)置較長的走線等進(jìn)行連接，避免了影響顯示面板上其他走線或結(jié)構(gòu)，并且降低了工藝難度。

示例性的，參考圖7，第二像素單元40b的第二補(bǔ)償電極420b與第一像素單元40a的第一像素電極410a電連接。

需要說明的是，圖7中僅示出了沿掃描線延伸方向，補(bǔ)償電極與前一像素單元的像素電極連接的情況，并非對本發(fā)明的限定，在其他實施方式中還可以與后一像素單元的像素電極連接。

可選的，顯示面板采用行反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式，沿數(shù)據(jù)線延伸方向，像素單元的補(bǔ)償電極和與像素單元相鄰的前一像素單元和/或后一像素單元的像素電極電連接。這樣設(shè)置，使得補(bǔ)償電極與像素電極之間不用設(shè)置較長的走線等進(jìn)行連接，避免了影響顯示面板上其他走線或結(jié)構(gòu)，并且降低了工藝難度。

圖9是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的示意圖。示例性的，參考圖9，沿數(shù)據(jù)線30延伸方向，第一像素單元40a和第四像素單元40d相鄰。第一像素單元40a的第一補(bǔ)償電極420a與第四像素單元40d的第四像素電極410d電連接。

需要說明的是，圖9中僅示出了沿數(shù)據(jù)線延伸方向，補(bǔ)償電極與后一像素單元的像素電極連接的情況，并非對本發(fā)明的限定，在其他實施方式中還可以與前一像素單元的像素電極連接。

可選的，所述顯示面板還可以采用點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式，沿數(shù)據(jù)線和/或掃描線延伸方向，像素單元的補(bǔ)償電極和與像素單元相鄰的前一像素單元和/或后一像素單元的像素電極電連接。這樣設(shè)置，使得補(bǔ)償電極與像素電極之間不用設(shè)置較長的走線等進(jìn)行連接，避免了影響顯示面板上其他走線或結(jié)構(gòu)，并且降低了工藝難度。

可選的，所述顯示面板的畫面刷新頻率為0.5Hz-45Hz。當(dāng)畫面刷新頻率大于45Hz時，會帶來較大的功耗，造成資源和能量的損耗，而本發(fā)明提供的顯示面板，通過上述實施方式中的結(jié)構(gòu)設(shè)計，可以有效地降低顯示面板的畫面刷新頻率，同時使得顯示面板在較低頻率下仍具有穩(wěn)定的顯示畫面，從而在保證具有較高的畫面顯示質(zhì)量的同時，降低了顯示面板的功耗。

圖10是本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的示意圖，參考圖10，顯示裝置100包括本發(fā)明任意實施例所述的顯示面板200。其中，顯示裝置100可以為如圖中所示的手機(jī)，也可以為電腦、電視機(jī)、智能穿戴顯示裝置等，本實施例對此不作特殊限定。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。