1.一種形成圖案的方法，所述方法包括：
在設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上的下面層上形成可顯影抗反射層；
在所述可顯影抗反射層上形成光致抗蝕劑層；
將所述光致抗蝕劑層的部分和所述可顯影抗反射層的部分選擇性地暴露于光；
選擇性地去除所述光致抗蝕劑層的未曝光部分，以形成暴露出所述可顯影抗反射層的未曝光部分的光致抗蝕劑圖案；
選擇性地去除所述可顯影抗反射層的曝光部分，以形成引導(dǎo)圖案；
形成填充所述引導(dǎo)圖案之間的空間的中性層；
在所述引導(dǎo)圖案和所述中性層上形成自組裝嵌段共聚物BCP層；
將所述自組裝BCP層退火以形成交替地且重復(fù)地排列的第一聚合物嵌段域和第二聚合物嵌段域；以及
選擇性地去除所述第一聚合物嵌段域。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，選擇性地去除所述光致抗蝕劑層的未曝光部分使用負(fù)性顯影劑來執(zhí)行。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，選擇性地去除所述可顯影抗反射層的曝光部分使用正性顯影劑來執(zhí)行。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述正性顯影劑是包括四甲基氫氧化銨(TMAH)材料的堿性顯影劑。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，
其中，當(dāng)所述光致抗蝕劑層的部分和所述可顯影抗反射層的部分被暴露于光時(shí)，在所述光致抗蝕劑層的曝光部分中產(chǎn)生酸；以及
其中，在所述光致抗蝕劑層的曝光部分中產(chǎn)生的酸被擴(kuò)散至所述可顯影抗反射層的曝光部分中，使得所述可顯影抗反射層的曝光部分通過所述正性顯影劑來溶解。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，還包括將后曝光烘焙PEB步驟應(yīng)用至暴露出的光致抗蝕劑層，以加速在所述光致抗蝕劑層的曝光部分中酸的產(chǎn)生，并且加速酸擴(kuò)散至所述可顯影抗反射層的曝光部分中。
7.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，當(dāng)所述可顯影抗反射層的曝光部分使用所述正 性顯影劑來選擇性去除時(shí)，所述光致抗蝕劑圖案被去除。
8.如權(quán)利要求3所述的方法，還包括：利用有機(jī)溶劑來去除所述光致抗蝕劑圖案的側(cè)表面部分，以暴露出所述可顯影抗反射層的曝光部分的邊沿部分。
9.一種形成圖案的方法，所述方法包括：
在設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上的下面層上形成可顯影抗反射層；
在所述可顯影抗反射層上形成光致抗蝕劑層；
將所述光致抗蝕劑層的部分和所述可顯影抗反射層的部分選擇性地暴露于光，以限定所述光致抗蝕劑層和所述可顯影抗反射層的線形狀的未曝光部分；
選擇性地去除所述光致抗蝕劑層的未曝光部分，以形成提供暴露出所述可顯影抗反射層的未曝光部分的溝槽的光致抗蝕劑圖案；
選擇性地去除所述可顯影抗反射層的曝光部分，以形成具有小于所述線形狀的引導(dǎo)圖案之間的距離的寬度的線形狀的引導(dǎo)圖案；
形成填充所述引導(dǎo)圖案之間的空間的中性層；
在所述引導(dǎo)圖案和所述中性層上形成自組裝嵌段共聚物BCP層；
將所述自組裝BCP層退火，以形成被交替地且重復(fù)地排列的線形狀的第一聚合物嵌段域和線形狀的第二聚合物嵌段域；以及
選擇性地去除所述第一聚合物嵌段域。
10.一種形成圖案的方法，所述方法包括
在設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上的下面層上形成可顯影抗反射層；
在所述可顯影抗反射層上形成光致抗蝕劑層；
將所述光致抗蝕劑層的部分和所述可顯影抗反射層的部分選擇性地暴露于光，以限定所述光致抗蝕劑層和所述可顯影抗反射層的圓形形狀的未曝光部分；
選擇性地去除所述光致抗蝕劑層的未曝光部分，以形成暴露出所述可顯影抗反射層的未曝光部分的光致抗蝕劑圖案；
選擇性地去除所述可顯影抗反射層的曝光部分，以形成具有小于所述圓形形狀的引導(dǎo)圖案之間的距離的寬度的圓形形狀的引導(dǎo)圖案；
形成填充所述引導(dǎo)圖案之間的空間的中性層；
在所述引導(dǎo)圖案和所述中性層上形成自組裝嵌段共聚物BCP層；
將所述自組裝BCP層退火，以形成第一聚合物嵌段域和包圍所述第一聚合物嵌段域的側(cè)壁的第二聚合物嵌段域；以及
選擇性地去除所述第一聚合物嵌段域以形成孔。