本申請要求于2014年8月12日提交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請No.10-2014-0104482的優(yōu)先權(quán)，該申請全部內(nèi)容以引用方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及薄膜以及使用薄膜片。更具體地，示例實施例涉及一種在極紫外光(EUV)光刻處理中用于制造半導(dǎo)體器件的薄膜片。

背景技術(shù)：

通常，反射式光學(xué)系統(tǒng)和反射掩?？捎糜谑褂肊UV的光刻處理中。為了防止反射掩模受到污染，薄膜可保護反射掩模。

根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，薄膜可以包括薄膜片和支撐結(jié)構(gòu)。薄膜片可容許EUV穿過該薄膜片。支撐結(jié)構(gòu)可配置為支撐薄膜片。薄膜片可具有非常薄的厚度，以容許具有較短波長的EUV穿過該薄膜片。由于非常薄的薄膜片難以處理，故而在EUV光刻處理中，薄膜的使用會受到制約。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

示例實施例提供了一種用于EUV光刻的薄膜，該薄膜可以更易于處理。

示例實施例還提供一種制造上述用于EUV光刻的薄膜的方法，以及使用薄膜片制造半導(dǎo)體器件的方法。

根據(jù)示例實施例，可提供一種用于EUV光刻的薄膜。該薄膜可包括薄膜片、支撐結(jié)構(gòu)以及處理塊。薄膜片可以具有指向掩模的第一表面和與第一表面相對的第二表面。薄膜片可容許穿過掩模的EUV 穿透該薄膜片。支撐結(jié)構(gòu)可布置在薄膜片的第二表面上以支撐該薄膜片。處理塊可布置在薄膜片的第一表面上。處理塊可以具有配置為暴露薄膜片的開口。

在示例實施例中，薄膜片可以具有約30nm至約100nm的厚度。

在示例實施例中，薄膜片可以包括硅。

在示例實施例中，支撐結(jié)構(gòu)可以包括支撐圖案和支撐塊，支撐圖案布置在通過開口暴露的薄膜片的中心部分上，支撐塊布置在薄膜片的邊緣部分上。支撐塊可與支撐圖案相連。

在示例實施例中，支撐塊可以具有比開口的寬度更短的在支撐塊的內(nèi)側(cè)表面之間的寬度。

在示例實施例中，支撐圖案可以具有蜂巢結(jié)構(gòu)。

在示例實施例中，支撐圖案可以具有方格圖案結(jié)構(gòu)。

在示例實施例中，支撐結(jié)構(gòu)可以具有約1μm至約50μm的厚度。

在示例實施例中，開口可以具有配置為確定薄膜片的暴露區(qū)的第一寬度，以及配置為確定開口的入口區(qū)的第二寬度。第二寬度可以大于第一寬度。

在示例實施例中，開口的寬度可以從第一寬度至第二寬度逐步增加。

在示例實施例中，支撐結(jié)構(gòu)可以包括硅。

在示例實施例中，薄膜還可以包括介于處理塊與薄膜片之間的第一刻蝕停止層。

在示例實施例中，第一刻蝕停止層可以包括氧化硅、氮化硅等。

在示例實施例中，薄膜還可以包括介于支撐結(jié)構(gòu)與薄膜片之間的第二刻蝕停止層。

在示例實施例中，第二刻蝕停止層可以包括氧化硅、氮化硅等。

在示例實施例中，薄膜還可以包括布置在處理塊上的刻蝕掩模。

根據(jù)示例實施例，可提供一種用于EUV光刻的薄膜。該薄膜可以包括薄膜片、各支撐結(jié)構(gòu)、處理襯底、第一刻蝕停止層和第二刻蝕停止層。薄膜片可以具有指向掩模的第一表面和與第一表面相對的第二表面。薄膜片可容許穿過掩模的EUV穿透該薄膜片。各支撐結(jié)構(gòu)可 布置在薄膜片的第二表面上以支撐該薄膜片。處理襯底可布置在薄膜片的第一表面上。處理襯底可具有配置為暴露薄膜片的各個開口。第一刻蝕停止層可以插入在處理襯底與薄膜片之間。第二刻蝕停止層可以插入在各支撐結(jié)構(gòu)與薄膜片之間。

在示例實施例中，各支撐結(jié)構(gòu)中的每一個可以包括支撐圖案和支撐塊，支撐圖案布置在通過開口暴露的薄膜片的中心部分上，支撐塊布置在薄膜片的邊緣部分上。支撐塊可與支撐圖案相連。

在示例實施例中，支撐塊可以具有比開口的寬度更短的在支撐塊的內(nèi)側(cè)表面之間的寬度。

在示例實施例中，支撐圖案可以具有蜂巢結(jié)構(gòu)。

在示例實施例中，支撐圖案可以具有方格圖案結(jié)構(gòu)。

在示例實施例中，開口可以具有配置為確定薄膜片的暴露區(qū)的第一寬度，以及配置為確定各個開口中的每一個的入口區(qū)的第二寬度。第二寬度可以大于第一寬度。

在示例實施例中，開口的寬度可以從第一寬度至第二寬度逐步增加。

在示例實施例中，薄膜還可以包括布置在處理塊上的刻蝕掩模，以確定各個開口中的每一個的寬度。

根據(jù)示例實施例，可提供一種制造用于EUV光刻的薄膜的方法。在制造用于EUV光刻的薄膜的方法中，可以在薄膜片的第一表面上形成處理塊。處理塊可以具有配置為暴露薄膜片的開口?？梢栽谂c第一表面相對的薄膜片的第二表面上形成配置為支撐薄膜片的支撐結(jié)構(gòu)。

在示例實施例中，薄膜片可以具有約30nm至約100nm的厚度。

在示例實施例中，薄膜片可以包括硅。

在示例實施例中，形成處理塊的步驟可以包括：在薄膜片的第一表面上形成第一刻蝕停止層；在第一刻蝕停止層上形成處理元件；刻蝕處理元件直至可暴露第一刻蝕停止層，以形成開口；以及去除通過開口暴露的第一刻蝕停止層。

在示例實施例中，形成處理塊的步驟還可以包括：在處理元件上形成刻蝕掩模；以及使用刻蝕掩模對處理元件進行濕法刻蝕以形成 開口。

在示例實施例中，形成處理塊的步驟還可以包括：在支撐結(jié)構(gòu)上形成保護層；以及在形成開口之后去除保護層。

在示例實施例中，保護層可以包括金屬。

在示例實施例中，可以通過干法刻蝕處理去除第一刻蝕停止層。

在示例實施例中，處理塊可以包括硅。

在示例實施例中，形成支撐結(jié)構(gòu)的步驟可以包括：在薄膜片的第二表面上形成第二刻蝕停止層；在第二刻蝕停止層上形成支撐層；刻蝕支撐層直至可暴露第二刻蝕停止層，以形成包括支撐圖案和支撐塊的支撐結(jié)構(gòu)；以及去除通過支撐圖案暴露的第二刻蝕停止層。

在示例實施例中，形成支撐層的步驟可以包括：將支撐元件附著至第二刻蝕停止層；以及減小支撐元件的厚度。

在示例實施例中，支撐層可以具有約1μm至約50μm的厚度。

在示例實施例中，可以使用具有蜂巢結(jié)構(gòu)的刻蝕掩模對支撐層進行刻蝕。

在示例實施例中，可以使用具有網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的刻蝕掩模對支撐層進行刻蝕。

根據(jù)示例實施例，可提供一種制造用于EUV光刻的薄膜的方法。在制造用于EUV光刻的薄膜的方法中，可以在處理襯底上形成第一刻蝕停止層?？梢栽诘谝豢涛g停止層上形成薄膜片?？梢栽诒∧て闲纬傻诙涛g停止層。可以在第二刻蝕停止層上形成支撐層?？梢詫χ螌舆M行圖案化直至可暴露第二刻蝕停止層，以形成多個支撐結(jié)構(gòu)。可以去除通過各支撐結(jié)構(gòu)暴露的第二刻蝕停止層?？梢詫μ幚硪r底進行刻蝕直至可暴露第一刻蝕停止層，以形成配置為暴露薄膜片的各個開口。可以去除通過各個開口暴露的第一刻蝕停止層。

在示例實施例中，形成支撐層的步驟可以包括：將支撐襯底附著至第二刻蝕停止層；以及減小支撐襯底的厚度。

在示例實施例中，減小支撐襯底的厚度的步驟可以包括：對支撐襯底進行研磨以提供具有約1μm至約50μm的厚度的支撐層。

在示例實施例中，支撐襯底可以包括硅。

在示例實施例中，形成各個開口的步驟可以包括：在處理襯底上形成刻蝕掩模；使用刻蝕掩模對處理襯底進行濕法刻蝕直至可暴露第一刻蝕停止層，以形成各個開口；以及對通過各個開口暴露的第一刻蝕停止層進行干法刻蝕。

在示例實施例中，形成各個開口的步驟還可以包括：在支撐結(jié)構(gòu)上形成保護層；以及在形成各個開口之后去除保護層。

在一個實施例中，一種方法包括步驟：提供半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底之上方提供掩模；以及形成薄膜結(jié)構(gòu)。形成薄膜結(jié)構(gòu)的步驟可以包括：提供具有平板形狀的薄膜片，所述薄膜片包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；在薄膜片的第一表面上形成具有網(wǎng)格圖案的支撐結(jié)構(gòu)；在薄膜片的第二表面上形成處理結(jié)構(gòu)，所述處理結(jié)構(gòu)包括處理襯底，所述處理襯底具有形成為從其中貫穿的開口；以及通過執(zhí)行切割操作從薄膜片去除處理結(jié)構(gòu)。此外，該方法還可以包括步驟：使用掩模和薄膜結(jié)構(gòu)執(zhí)行光刻處理，以在半導(dǎo)體襯底上形成圖案。

在特定實施例中，該方法包括使用掩模和薄膜結(jié)構(gòu)執(zhí)行極紫外光(EUV)光刻，以對半導(dǎo)體襯底進行圖案化。

在特定實施例中，作為切割操作的結(jié)果，薄膜片的外側(cè)表面與支撐結(jié)構(gòu)的外側(cè)表面共面。

在一個實施例中，該方法還包括步驟：在薄膜片的第二表面上形成處理結(jié)構(gòu)之前，在薄膜片的第二表面上形成刻蝕停止層。

該方法還可以包括：在薄膜片的第二表面上形成刻蝕停止層之后，在刻蝕停止層上形成處理襯底。

該方法還可以包括步驟：通過執(zhí)行濕法刻蝕在處理襯底中形成所述開口；以及通過執(zhí)行干法刻蝕去除被形成為與所述開口相對應(yīng)的刻蝕停止層的一部分。

在一個實施例中，在進行切割操作之前，支撐結(jié)構(gòu)包括被所述網(wǎng)格圖案的部分所分隔的多個孔，以及環(huán)繞所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)和各個孔的支撐塊，并且切割操作將支撐塊切斷。

在一個實施例中，在進行切割操作之前，支撐塊的相對內(nèi)側(cè)表 面之間的寬度小于所述開口寬度。

在一個實施例中，該方法還可以包括步驟：在去除處理結(jié)構(gòu)之前，通過對處理結(jié)構(gòu)進行處理來移動薄膜片和支撐結(jié)構(gòu)。

在一個實施例中，薄膜片具有約30nm至約100nm的厚度。

在一個實施例中，薄膜片包括硅。

在一個實施例中，支撐結(jié)構(gòu)具有約1μm至約50μm的厚度。

在一個實施例中，半導(dǎo)體襯底為晶圓，并且所述方法還包括步驟：在執(zhí)行光刻處理之后，切割晶圓以形成多個半導(dǎo)體芯片。

根據(jù)一些方面，一種光刻方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底之上提供掩模；提供具有平板形狀的薄膜片，所述薄膜片包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；在薄膜片的第一表面上形成具有網(wǎng)格圖案的上部支撐結(jié)構(gòu)；在薄膜片的第二表面上形成下部支撐結(jié)構(gòu)；在下部支撐結(jié)構(gòu)中形成開口，以形成下部支撐塊；以及使用掩模和薄膜結(jié)構(gòu)執(zhí)行光刻處理，以在半導(dǎo)體襯底上形成圖案。

在一個實施例中，該方法還包括步驟：通過處理下部支撐塊移動薄膜片和上部支撐結(jié)構(gòu)；以及在移動之后，通過執(zhí)行切割操作從薄膜片去除下部支撐塊。

在某些實施例中，網(wǎng)格圖案具有蜂巢圖案或方格圖案。

根據(jù)另一些方面，一種制造半導(dǎo)體器件的方法包括步驟：提供半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底上提供掩模；以及形成薄膜結(jié)構(gòu)。薄膜結(jié)構(gòu)可以包括：具有平板形狀的薄膜片；所述薄膜片包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；在薄膜片的第一表面上的支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)具有包括孔陣列的圖案；以及在薄膜片的第二表面上的處理襯底，所述處理襯底具有從其中貫穿的開口。該方法還可以包括步驟：通過掩模并通過薄膜片傳播紫外光，以在半導(dǎo)體襯底上形成圖案。

在一個實施例中，支撐結(jié)構(gòu)包括網(wǎng)格圖案。

在一個實施例中，該方法還包括步驟：通過使用切割處理從薄膜片去除處理襯底。

在一個實施例中，薄膜片具有約30nm至約100nm的厚度，支撐 結(jié)構(gòu)具有約1μm至約50μm的厚度。

附圖說明

通過以下參照附圖的述詳細描述，將更加清楚地理解各示例實施例。圖1至圖27表示了本文所述的非限定性的示例實施例。

圖1是示出根據(jù)示例實施例的用于EUV光刻的薄膜的截面圖；

圖2是示出圖1中的薄膜的示例性平面圖；

圖3是示出根據(jù)示例實施例的薄膜的平面圖；

圖4至圖11是示出根據(jù)示例實施例的制造圖1中的薄膜的方法的截面圖；

圖12至圖14是示出根據(jù)示例實施例的制造圖1中的薄膜的方法的截面圖；

圖15是示出根據(jù)實施例的用于EUV光刻的薄膜的截面圖；

圖16至圖23是示出根據(jù)示例實施例的制造圖15中的薄膜的方法的截面圖；

圖24至圖26是示出根據(jù)示例實施例的制造圖15中的薄膜的方法的截面圖；以及

圖27是描述了根據(jù)特定示例實施例的使用薄膜片制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。

具體實施方式

下文將參照示出了一些示例實施例的附圖更加全面地描述不同的示例實施例。然而，本發(fā)明可以按照許多不同的形式實現(xiàn)，不應(yīng)理解為僅限于本文闡述的實施例。為清晰起見，在附圖中層與區(qū)域的尺寸和相對尺寸會被放大，并且可能并沒有按比例繪制。

應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一個元件或?qū)颖环Q作“位于”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接至”或“耦接至”另一元件或?qū)訒r，所述一個元件或?qū)涌梢灾苯印拔挥凇绷硪辉驅(qū)印吧稀薄⒅苯印斑B接至”或“耦接至”另一元件或?qū)?，或者也可以存在中間元件或?qū)?。與此相反，當(dāng)一個元件被稱作“直接位于”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接至”或“直接耦 接至”另一元件或?qū)訒r，或者被稱作“與”另一元件或?qū)印敖佑|”時，則不存在中間元件或中間層。相同的附圖標(biāo)記始終用于表示同一元件。如本文所使用的那樣，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目中的一個或多個的任意和所有組合。

應(yīng)當(dāng)理解，雖然可在本文使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述不同的元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受限于這些術(shù)語。除非另外指明，否則這些術(shù)語僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層和/或部分與另一個元件、部件、區(qū)域、層和/或部分區(qū)分開。因此，以下討論的第一元件、第一部件、第一區(qū)域、第一層和/或第一部分可以被稱作第二元件、第二部件、第二區(qū)域、第二層和/或第二部分而沒有脫離本發(fā)明的指教。例如，本文所描述的不同的層和表面可被稱作第一層或第一表面、第二層或第二表面、第三層或第三表面，等等。在一個示例中用于表示一個層或表面的名稱(例如“第一”)在不同的示例中可用于表示不同的層或表面。

為了便于描述，本文使用了空間相對術(shù)語，諸如“之下”、“位于……下方”、“下部”、“位于……上方”、“上部”等，以描述附圖所示的一個元件或特征與另一個(一些)元件或特征的相互關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，空間相對術(shù)語旨在涵蓋在使用或操作中的器件的除附圖所示的指向之外的不同的指向。例如，如果圖中的器件被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“位于”另一元件或特征“下方”或者“在”另一元件或特征“之下”的元件將指向為“位于”另一元件或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語“位于……下方”可以涵蓋“位于……下方”和“位于……上方”這兩個指向。器件可另外地進行指向(旋轉(zhuǎn)90度或以其他指向)，并相應(yīng)地解釋本文所使用的空間相對描述詞。

本文所使用的術(shù)語僅用于描述特定的示例實施例，而非用于限定本發(fā)明。除非另外明確表示，否則本文所使用的單數(shù)形式“一個”、“一”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)術(shù)語“包括”、“包括……的”、“包含”和/或“包含……的”用于本說明書中時，其指示了存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但并 不排除存在或增加其他一個或多個特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的集合。

本文將參照示出了理想示例實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的截面圖來描述各示例實施例。因此，由例如制造技術(shù)和/或公差而導(dǎo)致的示意圖中的形狀變化是可預(yù)期的。因此，示例實施例不應(yīng)理解為僅限于本文示出的區(qū)域的特定形狀，而是應(yīng)當(dāng)包括由例如制造而導(dǎo)致的形狀偏差。例如，附圖中示為矩形的注入?yún)^(qū)將通常會具有圓形或曲線特征，以及/或者在其邊緣處的注入濃度的梯度變化，而非從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣地，通過注入形成的掩埋區(qū)可導(dǎo)致在掩埋區(qū)與通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，附圖示出的區(qū)域其本質(zhì)上是示意性的，而非旨在限定本發(fā)明的范圍。

如本文所使用的那樣，術(shù)語諸如“相同”、“平面”、“共面”在表示方向、布局、位置、形狀、大小、數(shù)量或其他量度時，并非一定表示完全相同的方向、布局、位置、形狀、大小、數(shù)量或其他量度，而是旨在涵蓋由于例如制造工藝而出現(xiàn)可接受變化的幾乎相同的方向、布局、位置、形狀、大小、數(shù)量或其他量度。在本文中可使用術(shù)語“實質(zhì)上”來體現(xiàn)這一含義。

除非另有定義，否則本文所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的一個普通技術(shù)人員的通常理解相同的含義。應(yīng)當(dāng)理解，諸如在常用詞典中定義的那些術(shù)語應(yīng)當(dāng)被解釋為與相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的上下文中一致的含義，而不應(yīng)理想化或者過于形式化地進行解釋，除非在本文中明確地這樣進行了定義。

下面將參照附圖詳細解釋各示例實施例。

圖1是示出根據(jù)示例實施例的用于EUV光刻的薄膜的截面圖，圖2是示出圖1中的薄膜的平面圖，圖3是示出根據(jù)示例實施例的薄膜的平面圖。

參照圖1，根據(jù)本示例實施例的用于EUB光刻的薄膜100可以包括薄膜片110、處理塊120、支撐結(jié)構(gòu)130、第一刻蝕停止層140、第二刻蝕停止層150和刻蝕掩模160。可以使用不同的術(shù)語來稱呼這些部件中的某些部件。例如，部件100在本文中可以被稱作薄膜結(jié)構(gòu)。 術(shù)語“薄膜結(jié)構(gòu)”可表示圖1所示的部件100，也可以表示在制造工藝的其他階段期間的其他部件，其中包括膜片和與其連接的部分，如圖10與圖11所示或者在圖1的切割步驟之后出現(xiàn)。

薄膜片110可以防止掩模受到EUV光刻處理中產(chǎn)生的副產(chǎn)品的污染。在一個實施例中，薄膜片110具有平板形狀。薄膜片110具有第一表面112以及與第一表面112相對的第二表面114，在EUV光刻處理期間第一表面112指向掩模。在示例實施例中，第一表面112可以對應(yīng)于薄膜片110的下表面。第二表面114可以對應(yīng)于薄膜片110的上表面。

穿過掩模的EUV可穿透薄膜片110。EUV可照射至半導(dǎo)體襯底上的層。例如，在光刻處理期間，光線(例如，EUV)可以通過薄膜片110向半導(dǎo)體襯底傳播，該半導(dǎo)體襯底可以是半導(dǎo)體晶圓，也被稱作裸片。光線也可以通過與薄膜片110連接的掩模傳播，以在半導(dǎo)體襯底上形成圖案。例如，可以使用光刻處理對半導(dǎo)體襯底上的層進行圖案化以形成布線圖形。該步驟可以是由晶圓形成半導(dǎo)體芯片的全部過程中的一部分。此后，可以單分出這些半導(dǎo)體芯片中的一個或多個，并將其包括至封裝件或者其他半導(dǎo)體器件或電子器件中。

回到圖1，薄膜片110可以包括用于容許EUV穿透薄膜片110的材料。例如，薄膜片110可以包括硅?？商鎿Q地，薄膜片可包括其他用于容許EUV穿透薄膜片110的材料以及硅。

薄膜片110可以容許具有較短波長的EUV以可處理的強度穿透薄膜片110，從而使薄膜片110具有受限的厚度。例如，當(dāng)薄膜片110的厚度小于約30nm時，較薄的薄膜片110會較易損壞。與此相反，當(dāng)薄膜片110的厚度大于約100nm時，穿過薄膜片110的EUV透射率會減小。因此，在特定實施例中，薄膜片110可具有約30nm至約100nm的厚度。

處理塊120可置于薄膜片110的第一表面112上。處理塊120可以用于對薄膜100進行處理。例如，當(dāng)移動或轉(zhuǎn)移薄膜100時，自動機械可以托住處理塊120。這可以是半導(dǎo)體器件制造工藝的一部分，如下文將更加詳細描述的那樣。因此，在一個實施例中，當(dāng)處理 薄膜100時，并不對薄膜片110本身施加物理接觸，從而可以避免破壞薄膜片110。

處理塊120可以具有配置為暴露薄膜片110第一表面112的開口122。因此，處理塊120可以具有配置為支撐薄膜片110的邊緣部分的形狀。例如，處理塊120可以具有矩形框形狀或者圓環(huán)形狀。處理塊120可以包括硅?？商鎿Q地，處理塊120可以包括其他材料以及硅。帶有開口122的處理塊120在本文也可以被稱作下部支撐塊。該處理塊可以由處理襯底(例如，Si)形成，因此也可以被稱作下部支撐襯底或第二支撐襯底。更一般地，處理塊120可以形成為處理結(jié)構(gòu)的一部分，也被稱作下部支撐結(jié)構(gòu)或第二支撐結(jié)構(gòu)。如下文更加詳細描述的那樣，可以首先由不具有開口122的下部支撐襯底形成下部支撐結(jié)構(gòu)，然后可以對該下部支撐結(jié)構(gòu)進行處理，以使下部支撐襯底帶有開口122。

開口122可以具有第一寬度W1和第二寬度W2。第一寬度W1可以是開口122的上部寬度，用于確定薄膜片110的第一表面112的暴露區(qū)，并且可以是開口122最靠近薄膜110的寬度。第二寬度W2可以是開口122的下部寬度，用于確定薄膜片110的第一表面112的入口區(qū)。第二寬度W2可以大于第一寬度W1。進一步地，開口122寬度可以從第二寬度W2至第一寬度W1逐步減小?？商鎿Q地，第一寬度W1可以與第二寬度W2實質(zhì)上相同。

第一刻蝕停止層140可以插入至處理塊120的上表面與薄膜片110的第一表面112之間。第一刻蝕停止層140可以具有如下功能，即，防止用于形成處理塊120的開口122的濕法刻蝕處理中的刻蝕溶液刻蝕到薄膜片110。由于處理塊120可以包括硅，因此第一刻蝕停止層140可以包括能對硅進行刻蝕的濕法刻蝕溶液無法去除的材料。例如，第一刻蝕停止層140可以包括氧化硅、氮化硅等?？商鎿Q地，第一刻蝕停止層140可以包括其他材料以及氧化硅、氮化硅等。第一刻蝕停止層140可具有例如約100nm的厚度。

刻蝕掩模160可布置在處理塊120的下表面上。刻蝕掩模160可具有如下功能，即，在用于形成處理塊120的開口122的濕法刻蝕 處理中確定開口122的第二寬度W2。由于處理塊120可以包括硅，因此刻蝕掩模160可以包括能對硅進行刻蝕的濕法刻蝕溶液無法去除的材料。例如，刻蝕掩模160可以包括氧化硅、氮化硅等。可替換地，刻蝕掩模160可以包括其他材料以及氧化硅、氮化硅等。刻蝕掩模160可具有例如約50nm的厚度。

支撐結(jié)構(gòu)130(也被稱作第一支撐結(jié)構(gòu)或者上部支撐結(jié)構(gòu))可布置在薄膜片110的第二表面114上。支撐結(jié)構(gòu)130可以支撐具有極小厚度的薄膜片110。支撐結(jié)構(gòu)130可以包括例如硅?？商鎿Q地，支撐結(jié)構(gòu)130可以包括其他材料以及硅。在示例實施例中，支撐結(jié)構(gòu)130可以包括支撐圖案132和支撐塊134。

支撐圖案132可布置在薄膜片110的第二表面114的中心部分上。支撐圖案132(也被稱作上部支撐圖案)可具有網(wǎng)格圖案。例如，支撐圖案132可具有配置為暴露薄膜片110的第二表面114的多個孔133。網(wǎng)格圖案的部分處于各孔之間。EUV可以穿過各支撐圖案132之間的孔133。在一個實施例中，在EUV光刻處理中，包括薄膜片110和支撐圖案132的薄膜結(jié)構(gòu)可以位于掩模之下。因此，可以將薄膜片110的第一表面112指向為向上。與此相反，可以將薄膜片110的第二表面114指向為向下。因此，支撐圖案132可以支撐薄膜片110的第二表面114的中心部分。支撐結(jié)構(gòu)130可以包括具有圖2所示的蜂巢結(jié)構(gòu)或圖案的網(wǎng)格圖案132?？商鎿Q地，支撐結(jié)構(gòu)130可以包括具有圖3所示的方格結(jié)構(gòu)或圖案的網(wǎng)格圖案132a。此外，支撐圖案132可以具有除蜂巢結(jié)構(gòu)和方格結(jié)構(gòu)之外的其他結(jié)構(gòu)。

支撐塊134(也被稱作上部支撐塊)可置于薄膜片110的第二表面114的邊緣部分。因此，在一個實施例中，支撐塊134可具有布置在薄膜片110的第二表面114的邊緣部分的矩形框形狀。支撐圖案132可連接至支撐塊134。因此，支撐塊134可以形成支撐結(jié)構(gòu)130的外邊界部分。支撐塊134的上表面可以與支撐圖案132的上表面實質(zhì)上共面。支撐塊134的下表面也可與支撐圖案132的下表面實質(zhì)上共面。因此，在一個實施例中，支撐塊134的厚度可以與支撐圖案132的厚度實質(zhì)上相同，并且支撐塊134可以與支撐圖案132共面。

支撐塊134可以具有用于確定布置支撐圖案132的空間的尺寸的第三寬度W3。例如，支撐塊134的第三寬度W3可以是支撐塊134的內(nèi)側(cè)表面之間的距離。支撐塊134的第三寬度W3可以小于開口122的第一寬度W1。因此，支撐塊134內(nèi)側(cè)表面可以位于開口122的最靠近薄膜片110的內(nèi)側(cè)表面的內(nèi)部。

當(dāng)薄膜用于EUV光刻處理中時，可以沿著從開口122的上端延伸的垂直線(例如，切割線)對支撐塊134和薄膜片110進行切割。該切割線可以穿過支撐塊134。因此，可以去除支撐塊134的邊緣部分、薄膜片110的邊緣部分和處于切割線外側(cè)的處理塊120。在這一過程中，可以從薄膜片110上去除整個處理塊120。如果支撐塊134的內(nèi)側(cè)表面位于切割線上或位于切割線外側(cè)，則可以通過切割處理去除全部支撐塊134。當(dāng)支撐塊134被全部去除時，支撐圖案132會坍塌。因此，在一個實施例中，支撐塊134的內(nèi)側(cè)表面位于開口122內(nèi)側(cè)表面的內(nèi)側(cè)和切割線的內(nèi)側(cè)，從而在切割處理后，支撐塊134可以部分存在，以對支撐圖案132進行支撐。因此，在切割處理之后，可以保留支撐結(jié)構(gòu)130的外邊界部分。此外，作為切割操作的結(jié)果，薄膜片外側(cè)表面可與支撐結(jié)構(gòu)的外側(cè)表面共面。

如上文所述，在一個實施例中，實際用于EUV光刻處理的薄膜不包括處理塊120。因此，可以從薄膜100去除處理塊120。如果使用了不具開口的處理結(jié)構(gòu)，并通過刻蝕將其去除，則在去除不具開口的處理結(jié)構(gòu)時，薄膜片110和支撐圖案132可能受到破壞。然而，在本文所述的某些實施方式中，由于處理塊120具有開口122，所以可以利用簡單的切割處理從薄膜100上輕易去除處理塊120而不破壞薄膜片110和支撐圖案132。

穿透薄膜片110的EUV可以通過支撐圖案132上的孔133照射至半導(dǎo)體襯底上。為了容許EUV穿透支撐圖案132，支撐圖案132可具有受限的厚度。例如，當(dāng)支撐圖案132具有大于50μm的厚度時，穿過支撐圖案132的EUV的透射率會減小。特別地，當(dāng)支撐圖案132的厚度大于50μm時，支撐圖案132的形狀可能被轉(zhuǎn)錄至位于半導(dǎo)體襯底上的層。所以，在某些實施方式中，支撐結(jié)構(gòu)130具有約1μm 至約50μm的厚度。

第二刻蝕停止層150可以插入至支撐結(jié)構(gòu)130的下表面與薄膜片110的第二表面114之間。特別地，第二刻蝕停止層150可以插入至支撐圖案132和支撐塊134的下表面與薄膜片110的第二表面114之間。第二刻蝕停止層150可以具有如下功能，即，防止用于形成支撐圖案132的刻蝕處理中的刻蝕溶液刻蝕薄膜片110。由于支撐結(jié)構(gòu)130可以包括硅，因此第二刻蝕停止層150可以包括能對硅進行刻蝕的濕法刻蝕溶液無法去除的材料。例如，第二刻蝕停止層150可以包括氧化硅、氮化硅等?？商鎿Q地，第二刻蝕停止層150可以包括其他材料以及氧化硅、氮化硅等。第二刻蝕停止層150可以具有例如約100nm的厚度。

圖4至圖11是示出根據(jù)示例實施例的制造圖1中的薄膜的示例性方法的截面圖。

參照圖4，在處理元件125(也稱作處理結(jié)構(gòu))的上表面上形成第一刻蝕停止層140。處理元件125可以包括例如硅。第一刻蝕停止層140可以包括能對硅進行刻蝕的濕法刻蝕溶液無法去除的材料。例如，第一刻蝕停止層140可包括氧化硅、氮化硅等?？商鎿Q地，第一刻蝕停止層140可包括其他材料以及氧化硅、氮化硅等。第一刻蝕停止層140可以具有例如約100nm的厚度。

在第一刻蝕停止層140的上表面上形成薄膜片110。薄膜片110可以防止掩模受到EUV光刻處理中產(chǎn)生的副產(chǎn)品的污染。薄膜片110可以包括容許EUV穿透薄膜片110的材料。例如，薄膜片110可以包括硅?？商鎿Q地，薄膜片110可包括其他容許EUV穿透薄膜片110的材料以及硅。薄膜片110可以具有約30nm至約100nm的厚度。

參照圖5，在薄膜片110的第二表面114上形成第二刻蝕停止層150。第二刻蝕停止層150可以包括能對硅進行刻蝕的濕法刻蝕溶液無法去除的材料。例如，第二刻蝕停止層150可以包括氧化硅、氮化硅等?？商鎿Q地，第二刻蝕停止層150可包括其他材料以及氧化硅、氮化硅等。第二刻蝕停止層150可具有例如約100nm的厚度。

參照圖6，支撐元件135可以附著于第二刻蝕停止層150的上表 面。在一個實施例中，支撐元件135可以包括與處理元件125實質(zhì)上相同的材料。因此，支撐元件135可以包括硅。

參照圖7，可以去除支撐元件135的上表面以形成支撐層137。可以通過例如研磨處理來去除支撐元件135的上表面。支撐層137可以具有例如約1μm至約50μm的厚度。

可替換地，可以在第二刻蝕停止層150的上表面上形成具有約1μm至約50μm厚度的支撐層137。在這種情況下，可以省略用于附著支撐元件135的處理和用于研磨支撐元件135的處理。

可以在處理元件125的下表面上形成刻蝕停止層165。可以在執(zhí)行上述過程之前或之后形成刻蝕停止層165。刻蝕停止層165可以包括例如氮化硅、氧化硅等。

參照圖8，可以對支撐層137進行圖案化以形成包括支撐圖案132和支撐塊134的支撐結(jié)構(gòu)130。在示例實施例中，可以在支撐層137的上表面上形成刻蝕掩模?？梢允褂每涛g掩模對支撐層137進行刻蝕，以形成具有孔133的支撐圖案132。當(dāng)刻蝕掩模具有蜂巢網(wǎng)格結(jié)構(gòu)時，可形成具有圖2所示的蜂巢結(jié)構(gòu)的支撐圖案132。當(dāng)刻蝕掩模具有方格網(wǎng)格結(jié)構(gòu)時，可形成具有圖3所示的方格結(jié)構(gòu)的支撐圖案132a。處理元件125可以在該刻蝕處理中穩(wěn)固支撐較薄的薄膜片110。因此，較薄的薄膜片110可以不被破壞。

支撐圖案132可以布置在薄膜片110的第二表面114的中心部分上。EUV可以穿過各支撐圖案132之間的孔133。支撐塊134可以布置在薄膜片110的第二表面114的邊緣部分上。支撐塊134可以具有用于確定布置支撐圖案132的空間的尺寸的第三寬度W3。例如，支撐塊134的第三寬度W3可以是支撐塊134的內(nèi)側(cè)表面之間的距離。

可以對通過支撐圖案132的孔133暴露的第二刻蝕停止層150進行干法刻蝕，以通過支撐圖案132的孔133暴露薄膜層110的第二表面114。

參照圖9，可以在支撐圖案132和支撐塊134的上表面上形成保護層170。例如，保護層170可以包括諸如銅之類的金屬。

參照圖10，可以對刻蝕掩模層165進行干法刻蝕，以在處理元 件125的下表面上形成刻蝕掩模160?？涛g掩模160可以具有開口，該開口對應(yīng)于可放置支撐圖案132的薄膜片110的中心部分。

參照圖11，可以使用刻蝕掩模160對處理元件125進行干法刻蝕直至暴露第一刻蝕停止層140，以形成具有開口122的處理塊120。在濕法刻蝕處理期間，保護層170可以保護支撐圖案132。因此，可以避免支撐圖案132受到破壞。

開口122可以具有第一寬度W1和第二寬度W2。第一寬度W1可以是開口122的上部寬度，用于決定薄膜片110的第一表面112的暴露區(qū)。第二寬度W2可以是開口122的下部寬度，用于決定第一表面112的入口區(qū)。第二寬度W2可以大于第一寬度W1。此外，開口122寬度可以從第二寬度W2至第一寬度W1逐步減小?？商鎿Q地，第一寬度W1可以與第二寬度W2實質(zhì)上相同。

支撐塊134的第三寬度W3可以小于開口122的第一寬度W1。因此，支撐塊134的內(nèi)側(cè)表面可位于開口122的內(nèi)側(cè)表面的朝向薄膜片110的中心部分的內(nèi)部。

在形成開口122之后，可去除保護層170?？商鎿Q地，本示例實施例的方法可不包括形成保護層170的過程。

可以對通過開口122暴露的第一刻蝕停止層140進行干法刻蝕以完成圖1中的薄膜100?？赏ㄟ^開口122暴露薄膜片110的第一表面112。

圖12至圖14是示出根據(jù)示例實施例的制造圖1中的薄膜的方法的截面圖。

可以執(zhí)行與參照圖4至圖7所示的過程實質(zhì)上相同的過程。

參照圖12，可以對刻蝕掩模層165進行干法刻蝕，以在處理元件125的下表面上形成刻蝕掩模160?？涛g掩模160可以具有開口，該開口對應(yīng)于可放置支撐圖案132的薄膜片110的中心部分。

參照圖13，可以使用刻蝕掩模160對處理元件125進行濕法刻蝕直至暴露第一刻蝕停止層140，以形成具有開口122的處理塊120。

可以對通過開口122暴露的第一刻蝕停止層140進行干法刻蝕。可通過開口122暴露薄膜片110的第一表面112。在刻蝕處理期間， 支撐層137可穩(wěn)固支撐薄膜片110。因此，可以避免薄膜片110受到破壞。

參照圖14，可以對支撐層137進行圖案化以形成包括支撐圖案132和支撐塊134的支撐結(jié)構(gòu)130。在示例實施例中，可以在支撐層137的上表面上形成刻蝕掩模?？梢允褂每涛g掩模對支撐層137進行刻蝕，以形成具有孔133的支撐圖案132。當(dāng)刻蝕掩模具有蜂巢結(jié)構(gòu)時，可以形成具有圖2所示的蜂巢網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的支撐圖案132。當(dāng)刻蝕掩模具有方格網(wǎng)格結(jié)構(gòu)時，可形成具有圖3所示的方格網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的支撐圖案132a。處理塊120可以在該刻蝕工藝中穩(wěn)固支撐較薄的薄膜片110。因此，可以避免較薄的薄膜片110受到破壞。

可以對通過支撐圖案132的孔133暴露的第二刻蝕停止層150進行干法刻蝕，以完成圖1中的薄膜100?？梢酝ㄟ^支撐圖案132的孔133暴露薄膜片110的第二表面114。

圖15是示出根據(jù)示例實施例的用于EUV光刻的薄膜的截面圖。

參照圖15，根據(jù)本示例實施例的用于EUV光刻的薄膜200可以包括晶圓級結(jié)構(gòu)。薄膜200可以包括薄膜片210、處理結(jié)構(gòu)220、支撐結(jié)構(gòu)230、第一刻蝕停止層240、第二刻蝕停止層250和刻蝕掩模260。

處理結(jié)構(gòu)220可具有配置為暴露薄膜片210的第一表面212的開口222。可以沿處理結(jié)構(gòu)220的劃片線切割處理結(jié)構(gòu)220，以形成圖1中的處理塊120。因此，為簡潔起見，本文省略了關(guān)于處理結(jié)構(gòu)220的進一步說明。處理結(jié)構(gòu)220可以包括裸晶圓。例如，裸晶圓可以是尚未進行刻蝕、研磨、平坦化或圖案化的晶圓。

可以在處理結(jié)構(gòu)220的整個上表面上形成薄膜片210。薄膜片210可以具有與圖1中的薄膜片110實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。因此，為簡潔起見，本文省略了關(guān)于薄膜片210的任何進一步說明。

每一支撐結(jié)構(gòu)230均可包括支撐圖案232和支撐塊234。支撐圖案232可以具有配置為暴露薄膜片210的第二表面214的多個孔233。支撐結(jié)構(gòu)230可由例如單個支撐襯底形成。支撐襯底可以包括裸晶圓。每一支撐結(jié)構(gòu)230均可具有與圖1中的支撐結(jié)構(gòu)130實質(zhì)上相同 的結(jié)構(gòu)。因此，為簡潔起見，本文省略了關(guān)于支撐結(jié)構(gòu)230的任何進一步說明。

第一刻蝕停止層240、第二刻蝕停止層250和刻蝕掩模260可以分別具有與圖1中的第一刻蝕停止層140、第二刻蝕停止層150和刻蝕掩模160實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。因此，為簡潔起見，本文省略了關(guān)于第一刻蝕停止層240、第二刻蝕停止層250和刻蝕掩模260的任何進一步說明。

圖16至圖23是示出根據(jù)示例實施例的制造圖15中的薄膜的方法的截面圖。

參照圖16，可以在處理襯底220的上表面上形成第一刻蝕停止層240。第一刻蝕停止層240可以包括氧化硅、氮化硅等。第一刻蝕停止層240可以具有約100nm的厚度。處理襯底220可以包括裸晶圓。

可以在第一刻蝕停止層240的上表面上形成薄膜片210。薄膜片210可以包括例如硅。薄膜片210可以具有約30nm至約100nm的厚度。

參照圖17，可以在薄膜片210的上表面上形成第二刻蝕停止層250。第二刻蝕停止層250可以包括氧化硅、氮化硅等。第二刻蝕停止層可具有例如約100nm的厚度。

參照圖18，支撐襯底235可附著至第二刻蝕停止層250的上表面。支撐襯底235可以包括與處理襯底220實質(zhì)上相同的材料。因此，支撐襯底235可以包括裸晶圓。圖18中的襯底可對應(yīng)于雙絕緣體上硅(SOI)結(jié)構(gòu)，其包括薄膜片210、處理襯底220和支撐襯底235。處理襯底220和支撐襯底235可具有實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。處理襯底220和支撐襯底235可以位于與薄膜片210相對的側(cè)表面。

參照圖19，可去除處理襯底235的上表面以形成支撐層237。可以通過例如研磨處理去除處理襯底235的上表面。支撐層237可具有例如約1μm至約50μm的厚度。

可替換地，可以在第二刻蝕停止層250的上表面上形成具有約1μm至約50μm的厚度的支撐層237。在這種情況下，可省略用于附著支撐襯底235的處理和用于研磨支撐襯底235的處理。

可以在處理襯底220的下表面上形成刻蝕停止層265。可在執(zhí)行上述過程之前或之后形成刻蝕停止層265。

參照圖20，可以對支撐層237進行圖案化以形成包括支撐圖案232和支撐塊234的支撐結(jié)構(gòu)230。在示例實施例中，可以在支撐層237的上表面上形成刻蝕掩模?？梢允褂每涛g掩模對支撐層237進行刻蝕，以形成具有孔233的支撐圖案232。

可以對通過支撐圖案232的孔233暴露的第二刻蝕停止層250進行干法刻蝕，以通過支撐圖案232的孔233暴露薄膜片210的第二表面214。

參照圖21，可以在支撐圖案232和支撐塊234的上表面上形成保護層270。保護層270可以包括例如銅的金屬。

參照圖22，可以對刻蝕掩模層265進行干法刻蝕，以在處理襯底220的下表面之上形成刻蝕掩模260。刻蝕掩模260可具有開口，該開口對應(yīng)于可放置支撐圖案232的薄膜片210中心部分。

參照圖23，可以使用刻蝕掩模260對處理襯底220進行濕法刻蝕直至暴露第一刻蝕停止層240，以形成開口222。

在形成開口222之后，可去除保護層270。可替換地，本示例實施例的方法可以不包括用于形成保護層270的過程。

可以對通過開口222暴露的第一刻蝕停止層240進行干法刻蝕以完成圖15中的薄膜200?？梢酝ㄟ^開口222暴露薄膜片210的第一表面212?？梢匝厍懈罹€對薄膜200進行切割，以形成用于實際EUV光刻處理的多個薄膜200。然后，可以使用處理塊220處理這些薄膜200中的每一個，并且還可以沿例如圖1中示出的切割線對薄膜200進行切割，以去除處理塊220。

圖24至圖26是示出根據(jù)示例實施例的制造圖15中的薄膜的方法的截面圖。

可執(zhí)行與參照圖16至圖19所示的過程實質(zhì)上相同的過程。

參照圖24，可以對刻蝕掩模層265進行干法刻蝕，以在處理襯底220的下表面上形成刻蝕掩模260。

參照圖25，可使用刻蝕掩模260對處理襯底220進行濕法刻蝕 直至暴露第一刻蝕停止層240，以形成開口222。

可以對通過開口222暴露的第一刻蝕停止層240進行干法刻蝕?？梢酝ㄟ^開口222暴露薄膜片210的第一表面212。

參照圖26，可以對支撐層237進行圖案化以形成包括支撐圖案232和支撐塊234的支撐結(jié)構(gòu)230。在示例實施例中，可以在支撐層237的上表面上形成刻蝕掩模?？墒褂每涛g掩模對支撐層237進行刻蝕，以形成具有孔233的支撐圖案232。

可以對通過孔233暴露的第二刻蝕停止層250進行干法刻蝕以完成圖15中的薄膜200。可以通過支撐圖案232的孔233暴露薄膜片210的第二表面214?？裳厍懈罹€對薄膜200進行切割，以形成用于實際EUV光刻處理中的多個薄膜200。然后，可使用處理塊220處理這些薄膜200中的每一個，并且還可以沿例如圖1中示出的切割線對薄膜200進行切割，以去除處理塊220。

圖27根據(jù)示例性實施例描述了一種制造半導(dǎo)體器件的示例性方法。如圖27所示，在步驟270中，提供了一種半導(dǎo)體襯底。例如，可通過將晶圓放置在平臺上來提供半導(dǎo)體晶圓。晶圓可包括用于形成多個半導(dǎo)體芯片的多個重復(fù)圖案。

在步驟272中，提供了一種掩模。可以在例如半導(dǎo)體襯底之上提供掩模。掩模可以具有形成用于光刻的特定圖案的結(jié)構(gòu)。

在步驟274中，形成薄膜結(jié)構(gòu)。形成薄膜結(jié)構(gòu)的步驟可以包括例如在上文結(jié)合各實施例所述的一些步驟。例如，形成薄膜結(jié)構(gòu)的步驟可以包括：提供具有平板形狀的薄膜片，所述薄膜片包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；在薄膜片的第一表面上形成具有網(wǎng)格圖案的支撐結(jié)構(gòu)；在薄膜片的第二表面上形成處理結(jié)構(gòu)，所述處理結(jié)構(gòu)包括處理襯底，所述處理襯底具有形成為從其中貫穿的開口；以及通過執(zhí)行切割操作從薄膜片去除處理結(jié)構(gòu)。作為附加步驟，在執(zhí)行切割操作之前，可以使用處理結(jié)構(gòu)例如通過自動機械器件去除薄膜結(jié)構(gòu)。

在步驟276中，掩模和薄膜結(jié)構(gòu)可以用于執(zhí)行光刻處理，以在半導(dǎo)體襯底上形成圖案。形成圖案后，可以執(zhí)行附加步驟，其導(dǎo)致形 成半導(dǎo)體襯底上的半導(dǎo)體芯片?？蓮木A上移除(例如分離)半導(dǎo)體芯片，并可將其以放置在封裝件或者其他電子器件中。

應(yīng)當(dāng)注意，圖27示出的某些步驟被描述為按照特定順序發(fā)生，但是這一順序并不是必須的。例如，可以按照任意的順序來執(zhí)行提供半導(dǎo)體襯底的步驟、提供掩模的步驟，以及形成薄膜結(jié)構(gòu)的步驟，以及/或者可以同時執(zhí)行上述步驟。

根據(jù)示例實施例，薄膜可以包括具有相對較大厚度的處理塊，該處理塊配置為支撐具有相對較小厚度(例如，小于處理塊的厚度)的薄膜片。此外，可通過處理襯底較為容易地形成處理塊。因此，可以使用較厚的處理塊而非較薄的薄膜片對薄膜進行處理，從而可避免較薄的薄膜片受到破壞。另外，在用于光刻之前，可以從薄膜片上容易地切除處理塊。因而，薄膜可以保護掩模，使其不會受到EUV光刻處理中產(chǎn)生的副產(chǎn)品的污染。

上述內(nèi)容是對各示例實施例的說明，而不應(yīng)理解為對其的限制。雖然已經(jīng)描述了幾個示例實施例，但是所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于理解，在不實質(zhì)性背離本發(fā)明的新穎性指教和優(yōu)點的前提下，可以對各示例實施例進行多種修改。相應(yīng)地，所有這些修改均旨在被包括在權(quán)利要求中定義的本發(fā)明的范圍之內(nèi)。在權(quán)利要求中，裝置加功能的特征旨在覆蓋本文所述的執(zhí)行所述功能的各種結(jié)構(gòu)，其不僅包括結(jié)構(gòu)性等效物，也包括等效結(jié)構(gòu)。因此，應(yīng)當(dāng)理解，上述內(nèi)容是對各示例實施例的說明，而不應(yīng)理解為限于所公開的特定示例實施例，對公開的示例實施例所作的修改以及其他示例實施例都旨在被包括在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。