本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及深亞微米CMOS半導(dǎo)體器件以及半導(dǎo)體器件工藝；更具體地說，本發(fā)明涉及一種降低變?nèi)萜髯钚‰娙莸姆椒ā?/p>

背景技術(shù)：

在集成電路設(shè)計(jì)中，特別是RF電路，需要提供變?nèi)萜?變?nèi)萜?，供設(shè)計(jì)公司使用。變?nèi)萜鞯慕Y(jié)構(gòu)如圖1所示，N型阱1中形成源極2和漏極3，而且一般采用N型重?fù)诫s柵4，柵氧以及N型溝道(N型多晶硅,柵極氧化物以及N型阱)。表征變?nèi)萜鞯娜齻€(gè)參數(shù)為最大電容(Cmax)、零電位電容(C0)以及最小電容(Cmin)。

對(duì)設(shè)計(jì)來說，最大電容與最小電容的差值越大越好，因?yàn)樽畲箅娙軨max取決于柵氧厚度，對(duì)于一個(gè)節(jié)點(diǎn)，此值為定值，所以最大電容Cmax是定值；而對(duì)于最小電容Cmin，其取決于柵極氧化物厚度以及溝道耗盡寬度，而溝道耗盡寬度取決于溝道摻雜，主要是閾值電壓摻雜(閾值電壓閾值電壓注入)，溝道耗盡越大，則最小電容Cmin越小，而溝道閾值電壓摻雜的注入摻雜越少，耗盡越大，摻雜濃度與最小電容Cmin的關(guān)系如圖2所示。

因此，要降低最小電容Cmin，就需要降低閾值電壓注入摻雜濃度，而閾值電壓的注入劑量由長(zhǎng)溝器件的閾值電壓所確定，因此，由于傳統(tǒng)的變?nèi)萜骱推骷灿泌?，所以最小電容Cmin也沒法進(jìn)一步降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠降低變?nèi)萜髯钚‰娙莸姆椒ā?/p>

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種降低變?nèi)萜髯钚‰娙莸姆椒?，包括?/p>

第一步驟：進(jìn)行淺溝槽隔離制作，形成有源區(qū)；

第二步驟：利用第一光刻膠圖案，對(duì)核心NMOS區(qū)域和輸入輸出NMOS區(qū)域進(jìn)行阱注入形成P型阱；

第三步驟：利用第二光刻膠圖案，對(duì)核心NMOS區(qū)域和變?nèi)萜鲄^(qū)域執(zhí)行離子注入；

第四步驟：利用第三光刻膠圖案，在變?nèi)萜鲄^(qū)域通過注入形成N型阱。

優(yōu)選地，所述降低變?nèi)萜髯钚‰娙莸姆椒ㄟ€包括第五步驟：制作柵極氧化層并淀積柵極多晶硅，而且進(jìn)行柵極多晶硅的光刻和刻蝕以形成柵極。

優(yōu)選地，所述降低變?nèi)萜髯钚‰娙莸姆椒ㄟ€包括第六步驟：將刻蝕后的柵極多晶硅和柵極氧化層進(jìn)行修復(fù)氧化。

優(yōu)選地，所述降低變?nèi)萜髯钚‰娙莸姆椒ㄟ€包括：第七步驟：制作柵極側(cè)墻；第八步驟：進(jìn)行源漏注入以形成源漏極。

優(yōu)選地，在第二步驟不對(duì)變?nèi)萜鲄^(qū)域進(jìn)行離子注入。在第三步驟中不對(duì)輸入輸出NMOS區(qū)域進(jìn)行離子注入。

優(yōu)選地，第三步驟在核心NMOS區(qū)域的核心P型阱區(qū)域注入差值閾值電壓劑量的離子。

優(yōu)選地，第三步驟在變?nèi)萜鲄^(qū)域注入差值閾值電壓劑量的離子。

優(yōu)選地，所述降低變?nèi)萜髯钚‰娙莸姆椒ㄟ€包括：執(zhí)行退火，制作金屬硅化物，并且制作金屬前介質(zhì)、通孔、金屬插塞和金屬層。

本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法來降低變?nèi)萜鞯淖钚‰娙荩渲袑⒑诵腜型阱和輸入輸出P型阱閾值電壓注入劑量差值閾值電壓劑量引入到變?nèi)萜髦?，中和掉一部分N型阱閾值電壓注入，降低N型阱閾值電壓濃度，從而增加變?nèi)萜骱谋M，降低最小電容。

附圖說明

結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：

圖1示意性地示出了變?nèi)萜鹘Y(jié)構(gòu)的示意圖。

圖2示意性地示出了摻雜濃度與最小電容的關(guān)系。

圖3至圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的降低變?nèi)萜髯钚‰娙莸姆椒ǖ囊徊糠植襟E。

圖6示出了針對(duì)變?nèi)萜髯钚‰娙莸膫鹘y(tǒng)制作的變?nèi)萜麟娙萸€和本發(fā)明方法制作的變?nèi)萜麟娙萸€的對(duì)比。

需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。

本方法提供一種降低變?nèi)萜髯钚‰娙軨min的方法。相比傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件制作過程，將核心P型阱和輸入輸出P型阱閾值電壓注入劑量差值Δ閾值電壓劑量引入到變?nèi)萜髦?，中和掉部分N型阱閾值電壓注入劑量，同傳統(tǒng)制作的變?nèi)萜飨啾龋@道多注入的閾值電壓劑量可以中和掉部分N型阱閾值電壓注入劑量，降低變?nèi)萜鲄^(qū)域的N型阱閾值電壓注入劑量，從而降低變?nèi)萜髯钚‰娙軨min。本發(fā)明的該方法在不增加成本的情況下降低了變?nèi)萜鞯淖钚‰娙?，提高變?nèi)萜鞯碾娙輩^(qū)間，增大設(shè)計(jì)窗口。

圖3至圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的降低變?nèi)萜髯钚‰娙莸姆椒ǖ囊徊糠植襟E。

如圖3至圖5所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的降低變?nèi)萜髯钚‰娙莸姆椒òǎ?/p>

第一步驟：進(jìn)行淺溝槽隔離制作，形成有源區(qū)；這是一個(gè)常見步驟，由此該步驟形成的具體結(jié)構(gòu)未在附圖中示出。

第二步驟：利用第一光刻膠圖案10，對(duì)核心NMOS區(qū)域20和輸入輸出NMOS區(qū)域30進(jìn)行阱注入形成P型阱，如圖3所示；

其中，在第二步驟不對(duì)變?nèi)萜鲄^(qū)域40進(jìn)行離子注入。

第三步驟：利用第二光刻膠圖案50，對(duì)核心NMOS區(qū)域20和變?nèi)萜鲄^(qū)域40執(zhí)行離子注入，如圖4所示；

其中，在第三步驟中不對(duì)輸入輸出NMOS區(qū)域30進(jìn)行離子注入。

其中，第三步驟在核心NMOS區(qū)域20的核心P型阱區(qū)域注入差值閾值電壓(ΔVt)劑量的離子。而且，第三步驟S3在變?nèi)萜鲄^(qū)域40注入差值閾值電壓劑量的離子。

第四步驟：利用第三光刻膠圖案60，在變?nèi)萜鲄^(qū)域40通過注入形成N型阱，如圖5所示；

隨后例如可以執(zhí)行下述常規(guī)步驟。

第五步驟：制作柵極氧化層并淀積柵極多晶硅，而且進(jìn)行柵極多晶硅的光刻和刻蝕以形成柵極；

第六步驟：將刻蝕后的柵極多晶硅和柵極氧化層進(jìn)行修復(fù)氧化；

這樣，MOS結(jié)構(gòu)的有源區(qū)和柵極就形成了。

第七步驟：制作柵極側(cè)墻；

第八步驟：進(jìn)行源漏注入以形成源漏極。

例如，隨后退火，制作金屬硅化物，接著制作金屬前介質(zhì)、通孔、金屬插塞和金屬層。

在傳統(tǒng)工藝中，分別形成核心P型阱和輸入輸出P型阱，包括溝道阻止注入和閾值電壓注入，這樣，沒辦法將P型阱引入到變?nèi)萜鲄^(qū)域，因?yàn)椴荒軐系雷柚棺⑷胍胱內(nèi)萜鲄^(qū)域，由于輸入輸出P型阱和核心P型阱的溝道阻止注入完全一樣，而核心P型阱閾值電壓注入劑量比輸入輸出P型阱劑量大差值閾值電壓劑量。本發(fā)明的方法首先將其相同部分同時(shí)注入到核心NMOS和輸入輸出NMOS區(qū)域，然后只在核心NMOS區(qū)域注入多出來的Δ閾值電壓劑量，本發(fā)明的方法的關(guān)鍵是在變?nèi)萜鲄^(qū)域注入P型差值閾值電壓劑量。對(duì)于多數(shù)情況，差值閾值電壓劑量是小于N型阱閾值電壓劑量的，這樣，差值閾值電壓劑量中和掉部分N型阱閾值電壓劑量，等于降低了N型阱閾值電壓劑量，所以降低了Cmin。

圖6示出了在相同偏壓Vbias下的針對(duì)變?nèi)萜髯钚‰娙莸膫鹘y(tǒng)制作的變?nèi)萜麟娙萸€100和本發(fā)明方法制作的變?nèi)萜麟娙萸€200的對(duì)比，從圖6可以看出，本發(fā)明的新方法制作的變?nèi)萜髯钚‰娙軨min比傳統(tǒng)方法降低40％。

此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。

可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。