反熔絲結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型一種反熔絲結(jié)構(gòu)，包括設(shè)有第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)的第一端子、第二端子以及連接第一端子和第二端子的若干通孔連線，通孔連線位于第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)之間；在第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)之間增加通孔連線，在反熔絲熔通時(shí)，分別在第一端子和第二端子之間施加熔通電壓，由于通孔連線位于第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)之間，能夠增加通孔連線與第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)之間的電場(chǎng)，即施加的熔通電壓較小時(shí)也能夠?qū)崿F(xiàn)擊穿導(dǎo)通，進(jìn)而保證反熔絲在工作電壓較低的先進(jìn)制程中保持很好的良率和可靠性。
【專利說(shuō)明】反熔絲結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種反熔絲結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]反熔絲是一種電子器件，最初反熔絲的電阻十分大，不導(dǎo)通電流，當(dāng)電壓達(dá)到一定值時(shí)，便能夠?qū)⒎慈劢z導(dǎo)通。反熔絲廣泛用在永久性編程器件之中，例如一些可編程邏輯器件(Programmable Logic Devices, PLD)、可編程只讀存儲(chǔ)器(Programmable Read-OnlyMemory, PROM)等。
[0003]通常反熔絲是在金屬和導(dǎo)體之間形成一層薄薄的阻擋層，所述阻擋層通常為不定型娃(Amorphous Silicon),由于最初所述不定形娃并不能導(dǎo)體電流,然而隨著施加在不定形娃兩端有效電壓的提升，便能夠?qū)⒉欢ㄐ屯揶D(zhuǎn)化成多晶金屬娃(PolycrystallineSilicon-Metal)合金,其具有較低的電阻,從而能夠?qū)娏?。在其他例子中，反熔絲可以由鎢、鈦和硅組合而成。
[0004]然而，由于反熔絲的屬性會(huì)隨著時(shí)間的變化而出現(xiàn)一個(gè)趨勢(shì)，反熔絲長(zhǎng)期的可靠性如何是很重要的問(wèn)題。
[0005]請(qǐng)參考圖1，現(xiàn)有技術(shù)中，反熔絲結(jié)構(gòu)為梳狀結(jié)構(gòu)，包括:第一梳狀結(jié)構(gòu)10和第二梳狀結(jié)構(gòu)20，所述第一梳狀結(jié)構(gòu)10上設(shè)有若干第一插指11，所述第二梳狀結(jié)構(gòu)20上設(shè)有若干第二插指21，所述第一插指11和第二插指21交錯(cuò)排列，所述第一梳狀結(jié)構(gòu)10和第二梳狀結(jié)構(gòu)20相互隔離。
[0006]在反熔絲熔通時(shí)，可以在所述第一梳狀結(jié)構(gòu)10和第二梳狀結(jié)構(gòu)10上施加熔通電壓，使其由高阻態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)。
[0007]請(qǐng)參考圖2，現(xiàn)有技術(shù)中，反熔絲結(jié)構(gòu)還可以為梳狀-蛇形結(jié)構(gòu)，即在上述梳狀結(jié)構(gòu)的反熔絲結(jié)構(gòu)之間添加一蛇形結(jié)構(gòu)30，所述蛇形結(jié)構(gòu)30設(shè)于所述第一插指11和第二插指21之間，并與所述第一插指11和第二插指21均隔離。
[0008]然而，由于芯片版圖的規(guī)則限定，所述第一插指11和第二插指21之間的距離L、所述第一插指11和蛇形結(jié)構(gòu)30之間的距離通常均較大，在對(duì)上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行熔通時(shí)，所要施加的熔通電壓通常在幾十伏特才能擊穿上述結(jié)構(gòu)，并使之導(dǎo)通。實(shí)際上，反熔絲在正常使用時(shí)，其工作電壓一般為幾伏特，因此，上述結(jié)構(gòu)并不能達(dá)到先進(jìn)制程的需求。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0009]本實(shí)用新型的目的在于提供一種反熔絲結(jié)構(gòu)，能夠降低熔通電壓，其熔通電壓較小，進(jìn)而保證反熔絲在工作電壓較低的先進(jìn)制程中保持很好的良率和可靠性。
[0010]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提出了一種反熔絲結(jié)構(gòu)，包括:
[0011]第一端子、第二端子以及若干通孔連線，所述第一端子包括第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)，所述第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)相隔離，所述第二端子位于所述第一端子后一層，所述第二端子與所述通孔連線相連，所述通孔連線位于所述第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)之間。
[0012]進(jìn)一步的，所述第一梳狀結(jié)構(gòu)包括若干第一插指。
[0013]進(jìn)一步的，所述第二梳狀結(jié)構(gòu)包括若干第二插指。
[0014]進(jìn)一步的,所述第一插指或第二插指的間距(S2)范圍是5nm~200nm。
[0015]進(jìn)一步的，所述通孔連線與所述第一插指和第二插指正向--對(duì)應(yīng)。
[0016]進(jìn)一步的，所述通孔連線與所述第一插指和第二插指交錯(cuò)對(duì)應(yīng)。
[0017]進(jìn)一步的,所述通孔連線與所述第一插指交錯(cuò)對(duì)應(yīng),與所述第二插指正向--對(duì)應(yīng)。
[0018]進(jìn)一步的,所述通孔連線與所述第一插指交錯(cuò)的長(zhǎng)度(S3)范圍是Onm~lOOnm。
[0019]進(jìn)一步的，所述通孔連線與所述第一插指或第二插指的水平距離(S1)范圍是20nm ~200nm。
[0020]進(jìn)一步的，一部分所述通孔連線位于所述第一插指上，另一部分所述通孔連線位于所述第二插指上。
[0021]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果主要體現(xiàn)在:在所述第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)之間增加通孔連線，所述通孔連線還連接第一端子，在熔通時(shí)，分別在所述第一端子和第二端子之間施加熔通電壓，由于所述通孔連線位于所述第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)之間，能夠增加所述通孔連線與第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)之間的電場(chǎng)，即施加的熔通電壓較小時(shí)也能夠?qū)崿F(xiàn)擊穿導(dǎo)通，進(jìn)而保證反熔絲在工作電壓較低的先進(jìn)制程中保持很好的良率和可靠性。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一梳狀結(jié)構(gòu)的反熔絲結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中一梳狀-蛇形結(jié)構(gòu)的反熔絲結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一中的反熔絲結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例二中的反熔絲結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例三中的反熔絲結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例四中的反熔絲結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本實(shí)用新型的反熔絲結(jié)構(gòu)進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型，而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0029]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本實(shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
[0030]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實(shí)用新型。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
[0031]實(shí)施例一
[0032]請(qǐng)參考圖3，在本實(shí)施例中，提出了一種反熔絲結(jié)構(gòu)，包括:
[0033]第一端子100、第二端子200以及若干通孔連線300，所述第一端子100包括第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)，所述第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)相隔離，所述第二端子200位于所述第一端子100的后一層，即若第一端子100位于第N層，則所述第二端子200位于第N+1層，其中，N為大于等于I的自然數(shù)；所述第二測(cè)試端子200與所述通孔連線300的一端相連，所述通孔連線300的另一端位于所述第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)之間。
[0034]在本實(shí)施例中，所述第一梳狀結(jié)構(gòu)包括若干第一插指110，所述第二梳狀結(jié)構(gòu)包括若干第二插指120，所述第一插指110或第二插指120的間距(S2)范圍是5nm?200nm，例如是50nm，所述通孔連線300與所述第一插指100和第二插指120正向一一對(duì)應(yīng)，即所述第一插指100和第二插指120 對(duì)應(yīng)，所述通孔連線300位于所述第一插指100和第二插指120的中心位置，如圖3所示，所述通孔連線300與所述第一插指110或第二插指120的水平距離SI范圍是20nm?200nm，例如是lOOnm。
[0035]在本實(shí)施例中，在進(jìn)行熔通時(shí)，將所述第一端子100設(shè)為陽(yáng)極，將所述第二端子200設(shè)為陰極，施加熔通電壓，可使所述反熔絲結(jié)構(gòu)擊穿導(dǎo)通。由于添加的通孔連線300能夠增加與所述第一插指100和第二插指120之間的電場(chǎng)強(qiáng)度，從而施加較小的熔通電壓幾伏特即可實(shí)現(xiàn)將所述反熔絲結(jié)構(gòu)擊穿導(dǎo)通，進(jìn)而保證反熔絲在工作電壓較低的先進(jìn)制程中保持很好的良率和可靠性。
[0036]實(shí)施例二
[0037]請(qǐng)參考圖4，在本實(shí)施例中，提出的反熔絲結(jié)構(gòu)包括的內(nèi)容與實(shí)施例一相同，具體的請(qǐng)參考實(shí)施例一，在此不再贅述。不同的是本實(shí)施例提出的反熔絲結(jié)構(gòu)中的所述通孔連線300與所述第一插指110和第二插指120交錯(cuò)對(duì)應(yīng)，即所述通孔連線300與所述第一插指110和第二插指120在水平位置上存在一定的位移差，所述通孔連線300與所述第一插指110交錯(cuò)的長(zhǎng)度S3范圍是Onm?IOOnm,例如是30nm。
[0038]在本實(shí)施例中，由于提出的反熔絲結(jié)構(gòu)中的通孔連線300與所述第一插指110和第二插指120交錯(cuò)對(duì)應(yīng)，即所述第一插指110和第二插指120能夠?qū)?yīng)到兩個(gè)通孔連線300，從而增加了所述第一插指110和第二插指120電場(chǎng)強(qiáng)度，更容易實(shí)現(xiàn)擊穿導(dǎo)通。
[0039]實(shí)施例三
[0040]請(qǐng)參考圖5，在本實(shí)施例中，提出的反熔絲結(jié)構(gòu)包括的內(nèi)容與實(shí)施例一相同，具體的請(qǐng)參考實(shí)施例一，在此不再贅述。不同的是本實(shí)施例提出的反熔絲結(jié)構(gòu)中的所述通孔連線300與所述第一插指110交錯(cuò)對(duì)應(yīng)，與所述第二插指120正向一一對(duì)應(yīng)，即所述通孔連線300與所述第一插指110在水平位置上存在一定的位移差，與所述第二插指120在水平位置不存在位移差。
[0041]在本實(shí)施例中，由于提出的反熔絲結(jié)構(gòu)中的通孔連線300與所述第一插指110交錯(cuò)對(duì)應(yīng)，與所述第二插指120正向一一對(duì)應(yīng)，即能夠增加通孔連線300的個(gè)數(shù)，從而增加了所述第一插指110和第二插指120電場(chǎng)強(qiáng)度，更容易實(shí)現(xiàn)擊穿導(dǎo)通。
[0042]實(shí)施例四[0043]請(qǐng)參考圖6，在本實(shí)施例中，提出的反熔絲結(jié)構(gòu)包括的內(nèi)容與實(shí)施例一相同，具體的請(qǐng)參考實(shí)施例一，在此不再贅述。不同的是，本實(shí)施例提出的反熔絲結(jié)構(gòu)中的一部分所述通孔連線300位于所述第一插指110上，另一部分所述通孔連線300位于所述第二插指120上，如圖6所示，其熔通方法與實(shí)施例一相同，在此不再贅述。
[0044]綜上，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的反熔絲結(jié)構(gòu)中，在所述第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)之間增加通孔連線，所述通孔連線還連接第一端子，在熔通時(shí)，分別在所述第一端子和第二端子之間施加熔通電壓，由于所述通孔連線位于所述第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)之間，能夠增加所述通孔連線與第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)之間的電場(chǎng)，即施加的熔通電壓較小時(shí)也能夠?qū)崿F(xiàn)擊穿導(dǎo)通，進(jìn)而保證反熔絲在工作電壓較低的先進(jìn)制程中保持很好的良率和可靠性。
[0045]上述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不對(duì)本實(shí)用新型起到任何限制作用。任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對(duì)本實(shí)用新型揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動(dòng)，均屬未脫離本實(shí)用新型的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 第一端子、第二端子以及若干通孔連線，所述第一端子包括第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)，所述第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)相隔離，所述第二端子位于所述第一端子的后一層，所述第二端子與所述通孔連線相連，所述通孔連線位于所述第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)之間。
2.如權(quán)利要求1所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一梳狀結(jié)構(gòu)包括若干第一插指。
3.如權(quán)利要求2所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二梳狀結(jié)構(gòu)包括若干第二插指。
4.如權(quán)利要求3所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一插指或第二插指的間距(S2)范圍是 5nm ~200nm。
5.如權(quán)利要求3所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔連線與所述第一插指和第二插指正向--對(duì)應(yīng)。
6.如權(quán)利要求3所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔連線與所述第一插指和第二插指交錯(cuò)對(duì)應(yīng)。
7.如權(quán)利要求3所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔連線與所述第一插指交錯(cuò)對(duì)應(yīng)，與所述第二插指正向一一對(duì)應(yīng)。
8.如權(quán)利要求6或7所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔連線與所述第一插指交錯(cuò)的長(zhǎng)度(S3)范圍是Onm~lOOnm。
9.如權(quán)利要求5、6或7所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔連線與所述第一插指或第二插指的水平距離(SI)范圍是20nm~200nm。
10.如權(quán)利要求3所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，一部分所述通孔連線位于所述第一插指上，另一部分所述通孔連線位于所述第二插指上。
【文檔編號(hào)】H01L23/525GK203553153SQ201320717904
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月14日
【發(fā)明者】甘正浩 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司