一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復合陰極層，所述復合陰極層包括依次疊層設(shè)置的金屬氧化物層、金屬酞菁化合物層和金屬層，所述金屬氧化物層的材料為二氧化鈦、氧化鋅、氧化鎂或氧化鋁；所述金屬酞菁化合物層的材料為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁釩或酞菁鎂；所述金屬層的材料為銀、鋁、鉑或金。該有機電致發(fā)光器件的復合陰極層能使光進行散射后回到器件底部，從而提高有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。本發(fā)明還提供了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 1987年，美國Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke報道了有機電致發(fā)光 研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發(fā)光器 件（0LED)。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，10V下亮度達到lOOOcd/m 2,其發(fā)光效率為1. 511m/W、壽 命大于100小時。
[0003] 在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到器件外部，而其 他的部分會以其他形式消耗在器件外部，這是由于界面之間存在折射率的差(如玻璃與ΙΤ0 之間的折射率之差，玻璃折射率為1. 5, ΙΤ0為1. 8,光從ΙΤ0到達玻璃，就會發(fā)生全反射)， 引起了全反射的損失，從而導致發(fā)光器件的整體出光性能較低。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方 法。通過在電子注入層上制備復合陰極層，提高了有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0005] -方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極基板、空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復合陰極層，所述復合陰極層包 括依次疊層設(shè)置的金屬氧化物層、金屬酞菁化合物層和金屬層，
[0006] 所述金屬氧化物層的材料為二氧化鈦（Ti02)、氧化鋅（ZnO)、氧化鎂（MgO)或氧化 錯（A1 203);所述金屬酞菁化合物層的材料為酞菁銅（CuPc)、酞菁鋅（ZnPc)、酞菁f凡（VPc)或 酞菁鎂（MgPc);所述金屬層的材料為銀（Ag)、鋁（A1)、鉬（Pt)或金（Au)。
[0007] 優(yōu)選地，所述金屬氧化物層的厚度為10?50nm。
[0008] 優(yōu)選地，所述金屬酞菁化合物層的厚度為20?80nm。
[0009] 優(yōu)選地，所述金屬層的厚度為100?400nm。
[0010] 復合陰極層包括依次疊層設(shè)置的金屬氧化物層、金屬酞菁化合物層和金屬層。在 電子注入層之上制備一層金屬氧化物層，利用金屬氧化物粒徑較大的特點，可使表面形成 一層凹凸狀的微球表面，這種表面可以使光進行散射，使本來向側(cè)面發(fā)射的光經(jīng)過散射，回 到器件中間；同時，使后蒸鍍上去的金屬層可以也保持這種形狀，繼續(xù)對光進行散射，從而 提高出光效率；而在金屬氧化物層上制備一層易結(jié)晶的金屬酞菁化合物層，通過結(jié)晶，可形 成有序晶體結(jié)構(gòu)，使光線進行散射，進一步使光集中；而在金屬酞菁化合物層之上制備一層 金屬層，主要是起反射和導電作用，將散射進去的光通過金屬層的反射，回到器件底部，從 而出射到空氣中，提高發(fā)光效率。
[0011] 導電陽極基板可以為導電玻璃基板或?qū)щ娪袡C聚對苯二甲酸乙二醇酯基板。優(yōu) 選地，導電陽極基板為銦錫氧化物玻璃（ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃（ΑΖ0)或銦鋅氧化物玻璃 (ΙΖ0)。更優(yōu)選地，導電陽極基板為銦錫氧化物玻璃。
[0012] 空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限 定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用于本發(fā)明。
[0013] 優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰（M〇03)、三氧化鎢（W03)或五氧化二釩 (V 2〇5)，空穴注入層的厚度為20?80nm。
[0014] 更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鎢，厚度為40nm。
[0015] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二[4-[N，f -二（p-甲苯基）氨基]苯基] 環(huán)己烷（了六?〇、4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)或1^-(1-萘基），4'-二 苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺（NPB)，厚度為20?60nm。
[0016] 更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為Ν，Ν' - (1-萘基）-Ν，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二 胺（ΝΡΒ)，厚度為50nm。
[0017] 優(yōu)選地，發(fā)光層的發(fā)光材料為4-(二腈甲基)-2- 丁基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二-β -亞萘基蒽（ADN)、4, 4' -雙（9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯（BCzVBi )或8-羥基喹啉鋁（Alq3)，厚度為5?40nm。
[0018] 更優(yōu)選地，發(fā)光層的發(fā)光材料為4, 4'-雙（9-乙基-3-咔唑乙烯基）_1，Γ-聯(lián)苯 (BCzVBi)，厚度為 20nm。
[0019] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、l，2, 4-三唑衍 生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑（TPBI)，厚度為40?300nm。
[0020] 更優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為1，2, 4-三唑衍生物，厚度為120nm。
[0021] 優(yōu)選地，電子注入層的材料為碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、疊氮銫（CsN 3)或氟 化鋰（LiF);厚度為0· 5?10nm。
[0022] 更優(yōu)選地，電子注入層的材料為氟化鋰（LiF)，厚度為lnm。
[0023] 另一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0024] 在導電陽極基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子 注入層；
[0025] 在所述電子注入層上制備復合陰極層：先通過電子束蒸鍍的方式在所述電子注入 層上制備金屬氧化物層，再通過真空蒸鍍的方式在所述金屬氧化物層上依次制備金屬酞菁 化合物層和金屬層，得到有機電致發(fā)光器件；
[0026] 所述金屬氧化物層的材料為二氧化鈦（Ti02)、氧化鋅（ZnO)、氧化鎂（MgO)或氧化 錯（A1 203);所述金屬酞菁化合物層的材料為酞菁銅（CuPc)、酞菁鋅（ZnPc)、酞菁f凡（VPc)或 酞菁鎂（MgPc);所述金屬層的材料為銀（Ag)、鋁（A1)、鉬（Pt)或金（Au);
[0027] 所述電子束蒸鍍的能量密度為10?lOOW/cm2,所述真空蒸鍍過程中，真空度為 2X ΚΓ3?5X l(T5Pa，所述金屬酞菁化合物層的材料蒸鍍速率為0. 1?lnm/s，所述金屬氧 化物層和金屬層的材料蒸鍍速率為1?l〇nm/s。
[0028] 優(yōu)選地，所述金屬氧化物層的厚度為10?50nm。
[0029] 優(yōu)選地，所述金屬酞菁化合物層的厚度為20?80nm。
[0030] 優(yōu)選地，所述金屬層的厚度為100?400nm。
[0031] 導電陽極基板可以為導電玻璃基板或?qū)щ娪袡C聚對苯二甲酸乙二醇酯基板。優(yōu) 選地，導電陽極基板為銦錫氧化物玻璃（IT0)、鋁鋅氧化物玻璃（AZ0)或銦鋅氧化物玻璃 (IZ0)。更優(yōu)選地，導電陽極基板為銦錫氧化物玻璃。
[0032] 優(yōu)選地，將陽極基板進行如下清潔處理：依次采用洗潔精、去離子水各超聲清洗 15分鐘，然后再用烘箱烘干待用。
[0033] 空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限 定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用于本發(fā)明?？昭ㄗ⑷雽?、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和 發(fā)光層均可采用真空蒸鍍的方式制備，其具體操作條件不作特殊限定。
[0034] 優(yōu)選地，真空蒸鍍的溫度為100?500°C，真空度為1ΧΚΓ3?lXl(T 5Pa。
[0035] 優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰（M〇03)、三氧化鎢（W03)或五氧化二釩 (V 2〇5)，空穴注入層的厚度為20?80nm。
[0036] 更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鎢，厚度為40nm。
[0037] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二[4-[N，f -二（p-甲苯基）氨基]苯基] 環(huán)己烷（了六?〇、4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)或1^-(1-萘基），4'-二 苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺（NPB)，厚度為20?60nm。
[0038] 更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為Ν，Ν' - (1-萘基）-N，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二 胺（ΝΡΒ)，厚度為50nm。
[0039] 優(yōu)選地，發(fā)光層的發(fā)光材料為4_(二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二-β -亞萘基蒽（ADN)、4, 4' -雙（9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯（BCzVBi )或8-羥基喹啉鋁（Alq3)，厚度為5?40nm。
[0040] 更優(yōu)選地，發(fā)光層的發(fā)光材料為4, 4' -雙（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯 (BCzVBi)，厚度為 20nm。
[0041] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、l，2, 4-三唑衍 生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑（TPBI)，厚度為40?300nm。
[0042] 更優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為1，2, 4-三唑衍生物，厚度為120nm。
[0043] 優(yōu)選地，電子注入層的材料為碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、疊氮銫（CsN 3)或氟 化鋰（LiF);厚度為0· 5?10nm。
[0044] 更優(yōu)選地，電子注入層的材料為氟化鋰（LiF)，厚度為lnm。
[0045] 本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果：
[0046] (1)本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件，具有復合陰極層結(jié)構(gòu)，復合陰極層包括依次 疊層設(shè)置的金屬氧化物層、金屬酞菁化合物層和金屬層，金屬氧化物層能形成一層凹凸狀 的微球表面使光進行散射，金屬層可以也保持這種形狀，繼續(xù)對光進行散射；金屬酞菁化合 物層可形成有序晶體結(jié)構(gòu)，使光線進行散射，進一步使光集中；金屬層能有效將散射到器件 內(nèi)的光通過反射，回到器件底部，從而最終提高器件的發(fā)光效率；
[0047] (2)本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的制備工藝簡單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模 使用。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0048] 圖1是本發(fā)明實施例1制得的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0049] 圖2是本發(fā)明實施例1與對比實施例制備的有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率 的關(guān)系圖。
【具體實施方式】
[0050] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于 本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0051] 實施例1
[0052] -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0053] (1)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染 物；
[0054] (2)采用真空蒸鍍的方法在ΙΤ0玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0055] 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯?蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_ 5Pa。其中，空穴注入層的材質(zhì)為W03，厚度為40nm;空穴 傳輸層的材質(zhì)為NPB，厚度為50nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi，發(fā)光層厚度為20nm ;電子傳輸 層的材料為TAZ，厚度為120nm ;電子注入層的材料為LiF，厚度為lnm。
[0056] (3)在電子注入層上制備復合陰極層，得到有機電致發(fā)光器件；復合陰極層包括依 次層疊的金屬氧化物層、金屬酞菁化合物層和金屬層；
[0057] 復合陰極層的制備：先采用電子束蒸鍍的方式在電子注入層上制備一層厚度為 40nm的金屬氧化物層，材料為二氧化鈦（Ti0 2)，電子束蒸鍍的能量密度為30W/cm2,蒸鍍速 率為3nm/s ;再采用真空蒸鍍的方式在金屬氧化物層上制備一層厚度為50nm的金屬酞菁化 合物層，材料為酞菁銅（CuPc)，蒸鍍速率為0. 2nm/s ;最后在金屬酞菁化合物層上真空蒸鍍 制備一層厚度為300nm的金屬層，材料為Ag，蒸鍍速率為3nm/s，真空蒸鍍過程的真空度為 8Xl(T 5Pa。
[0058] 圖1是本發(fā)明實施例1制得的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實 施例有機電致發(fā)光器件，依次包括ΙΤ0玻璃基板1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、 電子傳輸層5、電子注入層6和復合陰極層7。所述復合陰極層7依次包括一層厚度為40nm 的金屬氧化物層71、一層厚度為50nm的金屬酞菁化合物層72和一層厚度為300nm的金屬 層73。該有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：ΙΤ0玻璃/W0 3/NPB/BCzVBi/TAZ/LiF/Ti02/CuPc/Ag， 其中，斜杠"/"表示層狀結(jié)構(gòu)，下同。
[0059] 實施例2
[0060] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0061] (1)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染 物；
[0062] (2)采用真空蒸鍍的方法在ΑΖ0玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0063] 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯?蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_5Pa。其中，空穴注入層的材質(zhì)為M〇03，厚度為80nm;空 穴傳輸層的材質(zhì)為TCTA，厚度為60nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為ADN，厚度為5nm ;電子傳輸層的材 料為TAZ，厚度為200nm ;電子注入層的材料為CsN3，厚度為10nm。
[0064] (3)在電子注入層上制備復合陰極層，得到有機電致發(fā)光器件；復合陰極層包括依 次層疊的金屬氧化物層、金屬酞菁化合物層和金屬層；
[0065] 復合陰極層的制備：先采用電子束蒸鍍的方式在電子注入層上制備一層厚度為 l〇nm的金屬氧化物層，材料為ZnO,電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2,蒸鍍速率為10nm/ s ;再采用真空蒸鍍的方式在金屬氧化物層上制備一層厚度為80nm的金屬酞菁化合物層， 材料為ZnPc，蒸鍍速率為0. lnm/s ;最后在金屬酞菁化合物層上真空蒸鍍制備一層厚度為 400nm的金屬層，材料為A1，蒸鍍速率為lOnm/s，真空蒸鍍過程的真空度為2X l(T3Pa。
[0066] 本實施例提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：ΑΖ0玻璃/M〇03/TCTA/ADN/TAZ/ CsN 3/ZnO/ZnPc/Al。
[0067] 實施例3
[0068] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0069] (1)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染 物；
[0070] (2)采用真空蒸鍍的方法在IZ0玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0071] 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯?蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_ 5Pa。其中，空穴注入層的材質(zhì)為V205，厚度為20nm;空 穴傳輸層的材質(zhì)為TCTA，厚度為30nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為Alq3，厚度為40nm ;電子傳輸層的材 料為TPBi，厚度為60nm ;電子注入層的材料為CsF，厚度為0· 5nm。
[0072] (3)在電子注入層上制備復合陰極層，得到有機電致發(fā)光器件；復合陰極層包括依 次層疊的金屬氧化物層、金屬酞菁化合物層和金屬層；
[0073] 復合陰極層的制備：先采用電子束蒸鍍的方式在電子注入層上制備一層厚度為 50nm的金屬氧化物層，材料為MgO,電子束蒸鍍的能量密度為lOOW/cm 2,蒸鍍速率為lnm/s ; 再采用真空蒸鍍的方式在金屬氧化物層上制備一層厚度為20nm的金屬酞菁化合物層，材 料為VPc，蒸鍍速率為lnm/s ;最后在金屬酞菁化合物層上真空蒸鍍制備一層厚度為100nm 的金屬層，材料為Pt，蒸鍍速率為lnm/s，真空蒸鍍過程的真空度為5 X l(T5Pa。
[0074] 本實施例提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：ΙΖ0玻璃/V205/TCTA/Alq 3/TPBi/ CsF/MgO/VPc/Pt。
[0075] 實施例4
[0076] -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0077] (1)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染 物；
[0078] (2)采用真空蒸鍍的方法在ΙΖ0玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0079] 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯?蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_ 5Pa。其中，空穴注入層的材質(zhì)為M〇03，厚度為30nm;空 穴傳輸層的材質(zhì)為TAPC，厚度為50nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為DCJTB，厚度為5nm ;電子傳輸層的 材料為Bphen，厚度為40nm ;電子注入層的材料為Cs2C03,厚度為lnm。
[0080] (3)在電子注入層上制備復合陰極層，得到有機電致發(fā)光器件；復合陰極層包括依 次層疊的金屬氧化物層、金屬酞菁化合物層和金屬層；
[0081] 復合陰極層的制備：先采用電子束蒸鍍的方式在電子注入層上制備一層厚度為 20nm的金屬氧化物層，材料為A1 203，電子束蒸鍍的能量密度為80W/cm2,蒸鍍速率為5nm/ s ;再采用真空蒸鍍的方式在金屬氧化物層上制備一層厚度為60nm的金屬酞菁化合物層， 材料為MgPc，蒸鍍速率為0. 2nm/s ;最后在金屬酞菁化合物層上真空蒸鍍制備一層厚度為 250nm的金屬層，材料為Au，蒸鍍速率為5nm/s，真空蒸鍍過程的真空度為5X l(T4Pa。
[0082] 本實施例提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：ΙΖ0玻璃/Mo03/TAPC/DCJTB/Bphen/ Cs2C03/Al203/MgPc/Au。
[0083] 對比實施例
[0084] 為體現(xiàn)本發(fā)明的創(chuàng)造性，本發(fā)明還設(shè)置了對比實施例，對比實施例與實施例1的 區(qū)別在于對比實施例中的陰極為金屬單質(zhì)銀(Ag)，厚度為150nm，對比實施例有機電致發(fā) 光器件的具體結(jié)構(gòu)為ΙΤ0玻璃/W0 3/NPB/BCzVBi/TAZ/LiF/Ag，分別對應導電陽極玻璃基底、 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0085] 采用美國海洋光學Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國 吉時利公司的電流-電壓測試儀Keithley2400測試電學性能，日本柯尼卡美能達公司的 CS-100A色度計測試亮度和色度，得到有機電致發(fā)光器件的流明效率隨亮度變化曲線，以考 察器件的發(fā)光效率，測試對象為實施例1與對比實施例制備的有機電致發(fā)光器件。測試結(jié) 果如圖2所示。
[0086] 圖2是本發(fā)明實施例1與對比實施例制備的有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率 的關(guān)系圖。其中，曲線1為實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系圖； 曲線2為對比實施例制備的有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系圖。從圖2中可以 看到，在不同亮度下，實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的流明效率都比對比實施例制備 的有機電致發(fā)光器件的要大，實施例1的最大的流明效率為10. 731m/w而對比實施例的僅 為6. 631m/w，同時，隨著亮度的增大，對比實施例的流明效率衰減得更快。這說明，本實施例 的復合陰極層結(jié)構(gòu)，通過先制備一層金屬氧化物層，使表面形成一層凹凸狀的微球表面，使 本來向側(cè)面發(fā)射的光經(jīng)過散射回到中間，同時使后蒸鍍制備的金屬層也可保持這種形狀， 提高出光效率；另外，在金屬氧化物層上制備易結(jié)晶的金屬酞菁化合物層，能進一步使光集 中，而金屬層能將散射到器件內(nèi)的光進行反射，回到器件底部，從而最終提高了發(fā)光效率。 [0087] 以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為 本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、 發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復合陰極層，其特征在于，所述復合陰極層包括依次疊 層設(shè)置的金屬氧化物層、金屬酞菁化合物層和金屬層， 所述金屬氧化物層的材料為二氧化鈦、氧化鋅、氧化鎂或氧化鋁；所述金屬酞菁化合物 層的材料為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁釩或酞菁鎂；所述金屬層的材料為銀、鋁、鉬或金。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬氧化物層的厚度為 10 ?50nm。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬酞菁化合物層的厚 度為20?80nm。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬層的厚度為100? 400nm。
5. -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 在導電陽極基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入 層； 在所述電子注入層上制備復合陰極層：先通過電子束蒸鍍的方式在所述電子注入層上 制備金屬氧化物層，再通過真空蒸鍍的方式在所述金屬氧化物層上依次制備金屬酞菁化合 物層和金屬層，得到有機電致發(fā)光器件； 所述金屬氧化物層的材料為二氧化鈦、氧化鋅、氧化鎂或氧化鋁；所述金屬酞菁化合物 層的材料為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁釩或酞菁鎂；所述金屬層的材料為銀、鋁、鉬或金； 所述電子束蒸鍍的能量密度為10?l〇〇W/cm2,所述真空蒸鍍過程中，真空度為 2X ΚΓ3?5X l(T5Pa，所述金屬酞菁化合物層的材料蒸鍍速率為0. 1?lnm/s，所述金屬氧 化物層和金屬層的材料蒸鍍速率為1?l〇nm/s。
6. 如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化物 層的厚度為10?50nm。
7. 如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬酞菁化 合物層的厚度為20?80nm。
8. 如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬層的厚 度為100?400nm。
【文檔編號】H01L51/52GK104124367SQ201310143953
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2013年4月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月24日
【發(fā)明者】周明杰, 黃輝, 馮小明, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司