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低膨脹系數(shù)諧振柱的制作方法

文檔序號(hào):7129341閱讀:244來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):低膨脹系數(shù)諧振柱的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及通信設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種低膨脹系數(shù)諧振柱。
背景技術(shù)
隨著LTE (Long Term Evolution,長(zhǎng)期演進(jìn))頻段的深入開(kāi)發(fā)及廣泛應(yīng)用,新制式下的商用濾波器使用頻譜更多的集中在2. 3G 4G頻段范圍內(nèi)。目前在該頻段下一般采用殷鋼諧振桿來(lái)滿(mǎn)足苛刻的全溫要求。然而,殷鋼諧振桿的價(jià)格昂貴,使得能適應(yīng)2. 3G 4G頻段范圍的諧振柱的生產(chǎn)成本較高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題,提供一種能適應(yīng)2. 3G^4G頻段范圍的低膨脹系數(shù)諧振柱,該諧振柱具有較低的生產(chǎn)成本。為實(shí)現(xiàn)此目的,本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的低膨脹系數(shù)諧振柱,包括金屬諧振桿、頂部與金屬諧振桿連接的接地環(huán),所述金屬諧振桿和接地環(huán)分別開(kāi)設(shè)有相互連通的第一通孔和第二通孔,其特征在于所述接地環(huán)為三氧化二鋁接地環(huán),所述三氧化二鋁接地環(huán)的表面設(shè)有銀層,所述三氧化二鋁接地環(huán)的底部設(shè)有弧形凹面。所述金屬諧振桿的底部設(shè)有環(huán)形凸起,所述金屬諧振桿通過(guò)環(huán)形凸起與三氧化二鋁接地環(huán)的頂部連接。所述第一通孔和第二通孔為同軸布置,且第一通孔和第二通孔的直徑相等。本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置表面具有銀層的三氧化二鋁接地環(huán),使得本實(shí)用新型能適應(yīng)2. 3G 4G頻段范圍,且由于三氧化二鋁較殷鋼的價(jià)格要低,所以諧振柱的生產(chǎn)成本也得到了明顯的降低。另外,通過(guò)設(shè)置弧形凹面使本實(shí)用新型由環(huán)形接地取代面接地,提高了諧振柱的接地性能。

圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為圖I的仰視圖;圖3為本實(shí)用新型的使用狀態(tài)圖。其中,1 一金屬諧振桿、I. I一環(huán)形凸起、2—二氧化二招接地環(huán)、2. I一銀層、3—第一通孔、4 一弧形凹面、5—第二通孔、6—緊固螺釘、7—腔體、8 一蓋板、9 一調(diào)諧螺桿。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明如圖I和圖2所示的低膨脹系數(shù)諧振柱,包括金屬諧振桿I、頂部與金屬諧振桿I連接的接地環(huán),金屬諧振桿I和接地環(huán)分別開(kāi)設(shè)有相互連通的第一通孔3和第二通孔5,接地環(huán)為三氧化二鋁接地環(huán)2,三氧化二鋁接地環(huán)2的表面設(shè)有銀層2. 1,三氧化二鋁接地環(huán)2的底部設(shè)有弧形凹面4。金屬諧振桿I和鍍有銀層2. I的三氧化二鋁接地環(huán)2配合作為一個(gè)諧振單元使用,使得諧振柱在保證性能的前提下明顯降低了生產(chǎn)成本。另外,三氧化二鋁材料有僅次于殷鋼的低膨脹系數(shù),雖然本身不導(dǎo)電,但是通過(guò)在其表面鍍銀層2. I之后,使接地環(huán)具有良好的導(dǎo)電性能,其表面銀層2. I的附著力經(jīng)過(guò)驗(yàn)證能夠承受電子裝配及各項(xiàng)認(rèn)證測(cè)試。弧形凹面4使本實(shí)用新型由環(huán)形接地取代傳統(tǒng)的面接地形式,提高了三氧化二鋁接地環(huán)2的接地性能。上述技術(shù)方案中,金屬諧振桿I的材料選用45#鋼,45#鋼和三氧化二鋁配合使諧振柱具有較低的低膨脹系數(shù)。上述技術(shù)方案中,金屬諧振桿I的底部設(shè)有環(huán)形凸起I. 1,金屬諧振桿I通過(guò)環(huán)形凸起I. I與三氧化二鋁接地環(huán)2的頂部連接。環(huán)形凸起I. I使金屬諧振桿I與三氧化二鋁接地環(huán)2之間為環(huán)形接觸,能進(jìn)一步提高整個(gè)諧振柱的接地性能。上述技術(shù)方案中,第一通孔3和第二通孔5為同軸布置,且第一通孔3和第二通孔5的直徑相等。上述第一通孔3和第二通孔5為安裝孔,用于配合緊固螺釘6將金屬諧振桿I和三氧化二鋁接地環(huán)2固定在腔體7上。本實(shí)用新型使用時(shí);緊固螺釘6穿過(guò)金屬諧振桿I的第一通孔3和接地環(huán)的第二通孔5,將金屬諧振桿I和三氧化二鋁接地環(huán)2固定連接在腔體7 —端,腔體7的另一端設(shè)置蓋板8,蓋板8上設(shè)置與諧振柱配合的調(diào)諧螺桿9。本說(shuō)明書(shū)未作詳細(xì)描述的內(nèi)容屬于本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)。
權(quán)利要求1.一種低膨脹系數(shù)諧振柱,包括金屬諧振桿(I)、頂部與金屬諧振桿(I)連接的接地環(huán),所述金屬諧振桿(I)和接地環(huán)分別開(kāi)設(shè)有相互連通的第一通孔(3)和第二通孔(5),其特征在于所述接地環(huán)為三氧化二鋁接地環(huán)(2),所述三氧化二鋁接地環(huán)(2)的表面設(shè)有銀層(2. 1),所述三氧化二鋁接地環(huán)(2)的底部設(shè)有弧形凹面(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的低膨脹系數(shù)諧振柱,其特征在于所述金屬諧振桿(I)的底部設(shè)有環(huán)形凸起(I. 1),所述金屬諧振桿(I)通過(guò)環(huán)形凸起(I. O與三氧化二鋁接地環(huán)(2)的頂部連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的低膨脹系數(shù)諧振柱,其特征在于所述第一通孔(3)和第二通孔(5)為同軸布置,且第一通孔(3)和第二通孔(5)的直徑相等。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種低膨脹系數(shù)諧振柱,包括金屬諧振桿、頂部與金屬諧振桿連接的接地環(huán),所述金屬諧振桿和接地環(huán)分別開(kāi)設(shè)有相互連通的第一通孔和第二通孔,其特征在于所述接地環(huán)為三氧化二鋁接地環(huán),所述三氧化二鋁接地環(huán)的表面設(shè)有銀層,所述三氧化二鋁接地環(huán)的底部設(shè)有弧形凹面。本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置表面設(shè)有銀層的三氧化二鋁接地環(huán),使得本實(shí)用新型能適應(yīng)2.3G~4G頻段范圍,且由于三氧化二鋁較殷鋼的價(jià)格要低,所以諧振柱的生產(chǎn)成本也得到了明顯的降低。另外,通過(guò)設(shè)置弧形凹面使本實(shí)用新型由環(huán)形接地取代面接地,提高了諧振柱的接地性能。
文檔編號(hào)H01P7/00GK202737082SQ20122042187
公開(kāi)日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月23日
發(fā)明者胡文偉 申請(qǐng)人:武漢凡谷電子技術(shù)股份有限公司
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