專利名稱：使用激光來密封和接觸基板的方法以及電子模塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及使用激光來處理基板。尤其是，本發(fā)明涉及使用脈沖式激光來焊接含有電接觸區(qū)域的玻璃和/或半導體基板?；謇缈梢园ㄋ{寶石、石英或硅。
背景技術：
EP 1369912公開了一種使用激光束將倒裝芯片結合到芯片載體上的方法。該方法包括對齊芯片的接觸區(qū)域和芯片載體的接觸區(qū)域，并且發(fā)射激光束通過芯片或載體而到達對齊的接觸區(qū)域上，從而將它們彼此電結合。然而，接觸區(qū)域的周圍保持暴露于外界空氣(氧氣)和濕氣下，這會對正在制造的器件帶來有害的效果。
US 2004/207314,US 2005/174042,US 2003/197827 和 JP 2005/028891 公開了使用激光焊接來使半導體或玻璃基板的部分相接觸和接合的其它方法。然而，這些方法均無法制造出接觸和密封同時良好的結構。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是得到一種使用激光的基板的電接觸的改善方法，該方法還提供針對顆粒、氧氣和濕氣的保護。本發(fā)明的進一步的目的是提供一種密封良好的具有電接觸的電子模塊。通過根據(jù)獨立權利要求的方法和電子模塊達到了該目的。本發(fā)明基于如下發(fā)現(xiàn)，即激光可以誘導大致絕緣的基板材料和涂覆于其上的傳導層二者的熔合，這通過脈沖激光在它們的界面區(qū)上的掃描來實現(xiàn)。得到了這些區(qū)域的實際上完整的熔合(焊接)。在一個實施方案中，本發(fā)明提供了一種方法，其中使第一絕緣基板和至少一個第二絕緣基板熔合和電接觸，第一絕緣基板優(yōu)選為玻璃基板，其上具有至少一個第一傳導層，即接觸終端，第二絕緣基板優(yōu)選為玻璃或硅基板，其上具有至少一個第二傳導層。該方法包括堆疊第一和第二基板，使得在它們之間形成界面區(qū)，該界面區(qū)包括電接觸區(qū)，其中至少一個第一傳導層朝向且至少部分地對齊于至少一個第二傳導層；以及基板熔合區(qū)，其中絕緣基板朝向彼此，將來自激光源的多個相繼的聚焦的激光脈沖通過基板中的一個而聚焦于基板的界面區(qū)，選擇激光的脈沖時長、脈沖頻率和脈沖功率，以提供基板材料和傳導層的局部融化，將激光源和基板以預定的速度和路徑相對彼此移動，使得形成了界面區(qū)的結構性改變區(qū)，該結構性改變區(qū)與所述電接觸區(qū)和所述基板熔合區(qū)重疊。用語“絕緣基板”指所有的非傳導性基板，包括在微電子中經常用作晶片的固有半導性的基板。傳導層典型地為金屬層。
本發(fā)明提供了顯著的優(yōu)勢。首先，由于基板的機械和電連接在同一處理階段執(zhí)行，因此該方法簡單，并且提供了時間和成本的節(jié)省。第二，由于材料的直接熔合，焊縫可以完全密封地制造。第三，相同的激光照射方案可以用于在同一電子器件中的其它基板或元件的純機械或電的連接。第四，可以產生非常高質量和無孔的焊縫。根據(jù)一個實施方案，基板體中的至少一個對于所使用的激光波長是透明的。這允許激光被引導通過基板并聚焦到界面上，在那里單位體積的強度足夠高，以獲得基板或它們的接觸區(qū)域的加熱和焊接。本發(fā)明的一個目的是產生激光誘導的基板的焊接和電接觸，其中產生的焊縫具有更高的質量，即其實質上為無微裂縫的。這尤其是通過使用皮秒級激光脈沖來實現(xiàn)，該激光脈沖在基板上除了誘導非線性吸收之外還誘導相當顯著的線性吸收效應，假設它們在時間和空間上足夠頻繁地定向到基板上。因此，后續(xù)脈沖定向到基板上，使得其與先前脈沖的仍然足夠熱的點顯著地重疊，由于線性吸收，獲得了激光能量到基板上的額外吸收。除了增加的吸收，高的脈沖重復率會減少基板材料的微裂縫敏感性。這是因為先前脈沖能夠使得材料剛性更低，并且當后繼脈沖到來時，沖擊波將衰減。 可以使用一種裝置,其包括脈沖式激光源，用來發(fā)射具有預定時長、脈沖頻率和焦點直徑的激光脈沖，用來保持基板以使得激光能從脈沖激光源被引導通過基板中的一個到達基板的界面區(qū)的工具，用來以預定的速度且沿著預定的路徑相對脈沖式激光源來移動基板的工具。備選地，可以使用光學鏡片來引導激光束，例如來避免激光源和/或基板的移動。激光源和基板之間的有效光學距離布置為使得激光脈沖聚焦到基板的界面區(qū)上。這意味著有用來局部融化基板材料的足夠能量從各單個脈沖吸收到兩個基板上。已經發(fā)現(xiàn)，根據(jù)本發(fā)明的方法能生產出在所處理的材料中具有低量的微裂縫并因此所處理的元件具有高彎曲強度的所處理的基板。在本文獻中，用語“基板”廣義地指任何在適合的脈沖激光照射下會發(fā)生結構改變(融化和再固化)的靶材料或材料組合。基板可以是實質上均質的，或其可以包括多個由不同材料制造的區(qū)域或層。該區(qū)域或層可以是初始相連的。處理可以針對一個單個的層或區(qū)域，或者針對兩個或更多的層或區(qū)域的界面，這取決于所期望的效果。


本發(fā)明的進一步的實施方案和優(yōu)勢將參考附圖在下面具體的說明書中描述。圖I顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的焊接步驟的側視圖；圖2說明了通過圖I所示的步驟產生的焊接產品的側視圖；圖3a_3c顯示了 a)微電路、b)玻璃基板和c)包括根據(jù)本發(fā)明熔合和電連接的元件a)和b)的電子模塊的俯視圖和側視圖。圖3d顯示了利用本發(fā)明制造的多功能電子模塊的俯視圖；圖4a_4d說明了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的(O)LED顯示面板的焊接；圖5a和圖5b顯示了針對兩個不同的焦點直徑的作為頻率的函數(shù)的各位置處的激光脈沖的圖表；
圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明所處理的玻璃基板的微結構的剖視圖；圖7顯示了利用本發(fā)明產生的界面的剖視圖。
具體實施例方式圖I顯不了實施本方法的一種方式。提供了包括第一電接觸終端29A的第一基板28A (例如玻璃基板)和包括第二電接觸終端29B的第二基板28B (例如半導體芯片)?；?8A、28B —個置于另一個之上而形成為堆疊28，使得接觸終端29A、29B在它們的界面區(qū)處彼此對齊。之后，使用激光源20來產生 通過光學器件22的脈沖激光束24，該脈沖激光束24通過基板中的一個而聚焦到界面區(qū)，從而產生了到界面區(qū)的多個相繼和重疊的激光誘導的點。如圖2所示，在該步驟之后，堆疊28轉變?yōu)槿酆系亩询B28’，其中基板28A、28B已經在沒有接觸終端29A、29B的區(qū)域27處充分地熔合到一起。在接觸終端29A、29B的區(qū)域中，接觸終端已經充分地熔合到一起，使得提供了基板之間的電連接區(qū)29。圖3a顯示了包括基板32的微芯片，基板32包含有電功能部分33和多個接觸終端34。圖3b顯示了包括接觸終端36的基板31，當堆疊時，接觸終端36適于與微芯片的接觸終端34相適配。圖3c顯示了處于堆疊構型的微芯片和基板，以及使用本發(fā)明的方法布置在元件之間的焊接線37。焊接線與朝向彼此的接觸終端31、34以及接觸終端之外的區(qū)域重疊，并且在這種情況中形成閉合的環(huán)形。因此，得到了微芯片的核心針對散布在基板之間的外部濕氣和氧氣的密封保護。圖3d顯示了包括基板30的多功能器件，多個功能元件使用本方法附著在該基板30上。需要說明的是，并非所有的元件都需要包含兩種類型的熔合區(qū)(直接的基板熔合區(qū)和電接觸區(qū))。例如，濕度敏感的傳感器可以使用本方法被密封并接觸于更大的基板，但是顯示元件可以僅密封到更大的基板而不接觸(這通過一些其它方式實施)。如果不需要密封性，可以僅實施電接觸。本發(fā)明的一項優(yōu)勢是，相同的激光照射方案可以用于這些情況中的每一種，借此簡化了這種多功能器件的制造。尤其是，本發(fā)明特別可用于焊接玻璃和/或半導體基板，例如硅，技術玻璃如石英、熔凝硅石、硼硅酸鹽、石灰玻璃、溫度膨脹系數(shù)調整的玻璃、藍寶石，陶瓷如氧化鋯、LiTaO等，以及這些材料的組合?；蹇梢园缬摄t、銅、金、銀、鑰或銦錫氧化物(ITO)制造的傳導區(qū)?？梢允褂帽痉椒ê附拥挠绕鋬?yōu)選的材料組合(基板I/傳導材料I-傳導材料2/基板2)為玻璃/鉻-鉻/玻璃玻璃/銅-銅/玻璃玻璃/銅-銅/硅玻璃/金-金/玻璃玻璃/金-金/硅玻璃/銀-銀/硅玻璃/鑰-鑰/玻璃玻璃/ITO-ITO/ 玻璃激光典型地被導向通過玻璃基板。激光脈沖被導向通過的基板的厚度典型地為100-500 μ m。較低的基板厚度是不相干的，但是至少300-1000 μ m的厚度可以成功地處理。基板上的金屬化部分的厚度典型地為O. 1-5 μ m,尤其是O. 1-3 μ m。根據(jù)一個實施方案，20-100ps的脈沖時長和脈沖頻率及移動速度調整到使得脈沖顯著地重疊，相繼的脈沖之間的距離小于焦點直徑的1/5。脈沖頻率優(yōu)選地為至少1MHz。在這個參數(shù)范圍內，已經發(fā)現(xiàn)，激光能量的非線性和線性的吸收均被最有效地利用，導致了比已知方法中的更高的總吸收率。因此，在隨后的脈沖到達的時刻，由于先前的脈沖，目標點仍然是熱的，材料針對所使用的波長是局部不透明的，但是已經具有初始顯著的吸收率，即高數(shù)量的自由載流子。換言之，由于先前的脈沖，傳導區(qū)的電子的數(shù)量非常高，并且材料表現(xiàn)為具有針對激光輻射的高吸收率的金屬樣靶。在典型的應用中，焦點直徑處于I-IOym的范圍內，導致脈沖之間的典型的最大距離處于200nm-2 μ m的范圍內。在基板中發(fā)生的物理現(xiàn)象的更詳細的描述在本申請人早先的PCT申請PCT/FI2009/050474中已給出。所描述的處理方案的另一優(yōu)勢是，可以使用較低的激光的峰值功率(典型地小于1012W/cm2)，平均功率仍然高于已知方法中的水平或至少與其相同。因此，在各單個脈沖導致的激光誘導的沖擊波之后跟隨有由導向到脈沖沖擊區(qū)的直接鄰近處的隨后脈沖所貢獻·的顯著的熱波。它的一個益處是單個脈沖所導致的局部裂縫被自動地修復，因為該鄰近處的融化效應很高。因此，根據(jù)本發(fā)明的處理所導致的結構性改變區(qū)是連貫的，并且是高質量的。典型地，使用的峰值功率為101(l-1012W/Cm2，尤其是ΙΟ δ^ΙΟ /αιι2。這顯著地少于在飛秒脈沖處理或多光子吸收處理方法中所要求的，并且具有如下結果，即激光誘發(fā)的缺陷的數(shù)量極大地減少。根據(jù)一個實施方案，提升脈沖頻率或降低移動速度，使得相繼的結構性改變點之間的距離小于所述焦點的直徑的1/10，優(yōu)選地小于它的1/20。這進一步提高了在基板中發(fā)生的線性吸收效應，并且有助于得到更均質的處理線。處理頻率優(yōu)選為至少4MHz，并且其可高達20MHz,甚至更高。在金屬化的區(qū)域中，相比未金屬化的區(qū)域，金屬箔的電子導致線性吸收效應增加。在此形成了等離子體云，其電子不僅嚴格地在金屬化區(qū)域中、而且還在玻璃或半導體基板中在金屬化區(qū)域的附近處增加了光的吸收。大致地，相繼的脈沖的重疊百分比的特征在于公式(I —(處理速度* (脈沖之間的時間)/焦點直徑))。圖5a和5b分別顯示了針對2 μ m和6 μ m的點直徑以及針對三個示例性處理速度的利用該公式所計算的沖擊基板各位置的脈沖的數(shù)量，其為處理頻率的函數(shù)。上面公開的優(yōu)選的脈沖參數(shù)范圍可以用來處理完全處于其標準狀態(tài)下的或在所使用的波長下為部分透明的基板。這是由于在實踐中，材料的雜質或晶格缺陷引發(fā)了光致電離過程和進一步的碰撞電離過程。需要說明的是，在通過更短的脈沖、尤其是通過飛秒級脈沖來處理基板中扮演關鍵角色的所謂的多光子吸收并不顯著地發(fā)生，并且甚至是不必要的。根據(jù)一個優(yōu)選的實施方案，所使用的波長處于近紅外范圍中，即O. 75-1. 4 μ m。該范圍已經被證實是適合的，不僅對于硅處理，并且還對于例如藍寶石和石英的高帶隙材料，這至少在使用已知的低頻率和/或飛秒級處理方法的任何工業(yè)方式中是難以處理的。根據(jù)一個實施方案，使用了非極化的激光。這導致基板中的電磁場方向是任意的，并且使得該方法不受基板的晶格參數(shù)的影響。換言之，非極化的光被發(fā)現(xiàn)對于寬泛種類的基板是有效的。圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明處理的玻璃基板的微結構的剖視圖。激光從上方導向到基板上，并且融化過程在所顯示結構的錐形末端(見箭頭)處起始?？梢钥闯觯哂?0ps或更大時長的脈沖在起始點提供了圓形形狀，這與更短的脈沖、尤其是亞皮秒的脈沖相反，后者具有尖銳的起始點和在起始點附近的高的破裂可能性。還能夠看出，在玻璃中產生的結構的直徑很寬，以至于功率密度對于多光子吸收而言是不足的，并且線性吸收效應朝著結構的上方部分加強。圖7顯示了利用本發(fā)明產生的界面的剖視圖，該界面包括在那里基板充分地彼此熔合的基板熔合區(qū)72，以及處于基板熔合區(qū)側部的電連接區(qū)71A、71B，在那里電導金屬層(未清楚地可視)充分地彼此熔合。可以看到，在基板熔合區(qū)72中，結構改變延伸了若干微米到每個基板，并且熔合非常徹底(密封的)。在該區(qū)域中，基板之間的連接的特征在于“散 布式的深度結合”。另一方面，在電連接區(qū)71A和71B中，由于因含金屬層的激光能量的更 多的局部吸收，即“表面結合”，結構性改變的深度更小。根據(jù)一個優(yōu)選的實施方案，所使用的激光源是纖維激光源。纖維激光具有如下優(yōu)勢，即它們能夠產生兆赫頻率范圍內的光，這被發(fā)現(xiàn)在處理速度和質量方面最為有意義，正如之前所討論的那樣。本文中的纖維激光意指其中有源增益介質是摻雜光纖的激光。摻雜可以通過例如輯、鏡、欽、摘、譜和錢的稀土兀素來完成。本發(fā)明具有如下優(yōu)勢，即在焊接中由于沒有單獨的接觸階段而能夠達到非常高的處理速度。另外，焊縫可以不透氣地密封式制造，并且具有非常高的質量。本發(fā)明可以用于焊接在集成電路和其它微器件的制造中使用的硅晶片和其它半導體材料。這樣的晶片包括通過任何已知的微制造工藝在晶片中和/或在晶片上建造的微電子器件，所述工藝例如為摻雜、離子注入、蝕刻、沉積和光刻布圖，以及用于將電流和/或電勢傳導到器件上的電子終端。特別的優(yōu)勢通過非常薄的晶片(例如< 200 μ m，尤其是< 100 μ m)來獲得，這用來例如制造顯示面板(例如LCD面板和(O) LED面板)。然而,本發(fā)明在原理上能夠用于任何厚度的晶片。根據(jù)一個實施方案，本發(fā)明用于焊接至少兩個具有界面區(qū)的疊加的層，該方法包括將激光脈沖聚焦到所述界面區(qū)上，用來獲得在界面區(qū)上的局部融化以及用來通過再固化將層焊接到一起。該焊接應用在圖2中示意性地說明。在該方法中，激光源20和光學器件22用于產生和聚焦激光束24到基板28的兩個分離的層28A和28B的界面上。多個施加在移動基板上的重疊的脈沖產生了根據(jù)上述原理連接層28A和28B的焊縫26。根據(jù)一個實施例，該基板包括兩個重疊的玻璃面板，它們在面板中的至少一個的邊緣區(qū)域處通過連續(xù)的縫焊接到一起。因此，例如顯示面板或光感面板可以使用本方法制造。圖4a和4b顯示了制造OLED顯示面板的一個例子。面板48包括基層48A和前玻璃層48B，基層48A包含有源層49，其具有單個發(fā)光單元的陣列。初始時，層48A和48B —個置于另一個之上，使得需要密封保護的有源層49保持在它們之間。在那之后，使用本發(fā)明來圍繞著整個有源層產生焊縫46。優(yōu)選地，焊縫是無阻斷的(連續(xù)的)。因此，能夠為有源層形成針對粉塵和濕氣的有效屏障，同時有效地把面板的層粘接到一起而無須任何額外的例如粘合件的部件。由于頻繁的脈沖以及玻璃層的完整融化和再固化，接縫是非常不可滲透的。優(yōu)選地，面板48A、48B的電接觸可以同時實施，正如之前所討論的那樣。圖4c和4d顯不了關于兩個實施基板焊接的備選方案的備選詳細視圖。在圖4c的步驟中，玻璃層48A和48B在界面區(qū)彼此間隔開，而焊縫46A直接產生在它們之間。在圖4d的步驟中，額外的橋接層47布置在玻璃層48A和48B之間。橋接層47減小了玻璃之間的自由距離，并且保證了能發(fā)生層的完整的整合。焊縫46B因此產生在橋接層和前玻璃48B之間。橋接層47可以是金屬層。還可以在兩個基板上均具有橋接金屬層，該焊接包括將金屬層熔合到一起。除了制造顯示面板，在要求不透氣密封和電接觸的應用中，本焊接方法也能夠用于熔合任何其它的可激光焊接的元件和基板。這樣的需求可能產生在例如將微傳感器和其它微元件結合到基板上中、在晶片級封裝應用、溫度敏感元件的封裝、光學元件的集成以及微射流體元件的集成中。 上述實施方案和例子和附圖僅出于說明性目的給出，并且意為非限定性的。本發(fā)明的范圍將在下述權利要求中限定，本發(fā)明的范圍將在其完整的寬度下并且考慮到等效物地來解釋。
權利要求
1.一種使第一絕緣基板(28A)和至少一個第二絕緣基板(28B)熔合和電接觸的方法，其中所述第一絕緣基板(28A)上具有至少一個第一傳導層(29A)，所述第二絕緣基板(28B)上具有至少一個第二傳導層(29B)，所述方法包括 將第一和第二基板堆疊，使得在它們之間形成界面區(qū)，所述界面區(qū)包括 電接觸區(qū)，其中至少一個第一傳導層(29A)朝向且至少部分地對齊于至少一個第二傳導層(29B)，以及 基板熔合區(qū)，其中絕緣基板(28A，28B)直接地朝向彼此， 將來自激光源(20)的多個相繼的聚焦的激光脈沖通過基板中的一個而聚焦到基板(28A, 28B)的界面區(qū)，選擇激光的脈沖時長、脈沖頻率和脈沖功率，以提供基板(28A，28B)的材料和傳導層(29A, 29B)的局部融化， 將激光源(20)和基板相對彼此以預定的速度和路徑移動，使得形成了界面區(qū)的結構 性改變區(qū)，所述結構性改變區(qū)與所述電接觸區(qū)和所述基板熔合區(qū)重疊。
2.根據(jù)權利要求I所述的方法，其特征在于，所述結構性改變區(qū)包括連續(xù)的不透氣地密封的焊縫。
3.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，脈沖激光的路徑形成為閉合的環(huán)形，優(yōu)選地圍繞著所述基板(28A，28B)中的一個所包含的濕度敏感或氧氣敏感的元件。
4.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，至少一個所述基板(28A, 28B)包括具有多個作為所述傳導層的接觸終端的微芯片或顯示面板。
5.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述絕緣基板(28A，28B)中的至少一個包括玻璃面板。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，包括將所述激光通過所述玻璃面板聚焦到所述界面區(qū)。
7.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述基板(28A，28B)中的至少一個包括硅微芯片，所述第二接觸層形成所述硅微芯片的接觸終端。
8.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在基板熔合區(qū)處產生第一基板(28A)和第二基板(28B) —起的完整局部熔合作為所述結構性改變區(qū)，并且在電接觸區(qū)處產生第一傳導層(29A)和第二傳導層(29B) —起的完整局部熔合作為所述結構性改變區(qū)。
9.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于， 所述脈沖時長為20-100ps， 所述脈沖頻率至少為1MHz，尤其地至少為4MHz， 調整脈沖激光的所述移動速度，使得相繼的脈沖彼此重疊。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于，相繼的脈沖之間的距離小于脈沖的焦點直徑的1/5，尤其是1/10，優(yōu)選是1/20。
11.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，傳導層的厚度小于Iμ In。
12.—種包括第一基板(28A)和第二基板(28B)的電子模塊,所述第一基板(28A)包括作為層施加于其上的第一傳導區(qū)(29A)的圖案，所述第二基板(28B)包括作為層施加于其上的第二傳導區(qū)(29B)的圖案，其特征在于，第一基板(28A)和第二基板(28B)處于堆疊式構型，使得在它們之間形成了界面區(qū)，所述界面區(qū)包括 電接觸區(qū)，其中至少一個第一傳導區(qū)(29A)朝向且至少部分地對齊于至少一個第二傳導區(qū)(29B)， 基板熔合區(qū)，其中絕緣基板(28A，28B)直接地朝向彼此， 連續(xù)的焊接線，其穿過所述熔合區(qū)和所述電接觸區(qū)，所述焊接線包括在基板熔合區(qū)處局部地彼此熔合的基板(28A，28B)的材料，以及在電接觸區(qū)處局部地彼此熔合的傳導區(qū)(29A, 29B)。
13.根據(jù)權利要求12所述的電子模塊，其特征在于， 所述第一基板(28A)是玻璃基板，并且 所述第二基板(28B)是微芯片。
14.根據(jù)權利要求12或13所述的電子模塊，其特征在于，所述連續(xù)的焊接線形成了所述基板之間的不透氣的密封以及所述基板之間的電連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種將第一絕緣基板(28A)和至少一個第二絕緣基板(28B)熔合和電接觸的方法，第一絕緣基板(28A)上具有至少一個第一傳導層(29A)，第二絕緣基板(28B)上具有至少一個第二傳導層(29B)，該方法包括將第一和第二基板(28A,28B)堆疊，使得在它們之間形成界面區(qū)，該界面區(qū)包括其中至少一個第一傳導層(29A)朝向并且至少部分地對齊于至少一個第二傳導層(29B)的電接觸區(qū)以及其中絕緣基板(28A,28B)直接地朝向彼此的基板融合區(qū)；將來自激光源的多個相繼的聚焦的激光脈沖通過基板(28A,28B)中的一個聚焦于基板(28A,28B)的界面區(qū)，選擇激光的脈沖時長、脈沖頻率和脈沖功率來提供基板(28A,28B)的材料和傳導層(29A,29B)的局部融化，并且將激光源和基板以預定的速度和路徑相對彼此移動，使得形成界面區(qū)的結構性改變區(qū)，該結構性改變區(qū)與所述電接觸區(qū)和所述基板融合區(qū)重疊。本發(fā)明提供了一種制造例如多功能電子器件的良好密封的連接和電接觸的方便方式。
文檔編號H01L21/60GK102893384SQ201180024487
公開日2013年1月23日 申請日期2011年5月17日 優(yōu)先權日2010年5月18日
發(fā)明者雅諾·康佳斯圖帕, 蒂娜·安貝爾拉, 山田一夫 申請人:可利雷斯股份有限公司