專(zhuān)利名稱(chēng)：一種有效降低封裝熱阻大功率led燈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED照明裝置，具體為一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈。
背景技術(shù)：
對(duì)于大功率LED器件而言，盡可能減少傳熱回路中的熱沉數(shù)量是降低熱阻的一個(gè) 重要途徑，即芯片直接封裝在金屬散熱器上。然而，由于LED芯片與金屬材料之間熱膨脹系 數(shù)的不匹配，兩者受熱后會(huì)產(chǎn)生熱錯(cuò)配應(yīng)力，會(huì)導(dǎo)致LED器件發(fā)光失效或者導(dǎo)熱效果減弱 等不良后果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈，具有新
型的結(jié)構(gòu)，降低熱錯(cuò)配應(yīng)力，而又不大幅增加熱沉厚度。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為 —種有效降低封裝熱阻大功率LED燈，包括金屬基座和封裝在金屬基座上的了的 LED芯片以及金屬導(dǎo)線、封裝膠體，金屬基座與LED芯片之間設(shè)有用于緩沖LED芯片與金屬 基座之間的熱錯(cuò)配應(yīng)力的熱沉緩沖層。 所述熱沉緩沖層為電鍍?cè)O(shè)置于金屬基座上的FeNi合金層。 所述FeNi合金層厚度為2_5微米。 LED芯片與熱沉緩沖層采用共晶焊接的方式連接。 FeNi合金層含有36 %的Ni 。 金屬基座1選擇導(dǎo)熱性能較好的銅材料。 本發(fā)明的有益效果在于設(shè)置了 FeNi合金層作為熱沉緩沖層，降低熱錯(cuò)配應(yīng)力， 而又不大幅增加熱沉厚度，特別是FeNi合金層含有36%的附，的選擇，選用含有36%的附 的這一合金，效果最佳的。這種成分比的合金，稱(chēng)之為因瓦合金，也稱(chēng)為殷鋼，其熱膨脹系數(shù) 很低，趨近于零。另外是結(jié)合共晶焊工藝，更加有效降低熱錯(cuò)配應(yīng)力，保證大功率LED燈的 功效和使用壽命。


圖1、本發(fā)明一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
如圖1所示的一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈，包括金屬基座1和封裝在金 屬基座1上的了的LED芯片2以及金屬導(dǎo)線4、封裝膠體5，金屬基座1與LED芯片2之間 設(shè)有用于緩沖LED芯片與金屬基座之間的熱錯(cuò)配應(yīng)力的熱沉緩沖層3。
所述熱沉緩沖層3為電鍍?cè)O(shè)置于金屬基座1上的FeNi合金層。
所述FeNi合金層厚度為2-5微米。
FeNi合金層含有36%的附。 LED芯片2與熱沉緩沖層3采用共晶焊接的方式連接。
金屬基座1選擇導(dǎo)熱性能較好的銅材料。 本發(fā)明不僅局限于上述最佳實(shí)施方式，任何人在本發(fā)明的啟示下都可得出其他各 種形式的產(chǎn)品，但不論在其形狀或結(jié)構(gòu)上作任何變化，凡是具有與本發(fā)明相同或相近似的 技術(shù)方案，均在其保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈，包括金屬基座(1)和封裝在金屬基座(1)上的了的LED芯片(2)以及金屬導(dǎo)線(4)、封裝膠體(5)，其特征在于金屬基座(1)與LED芯片(2)之間設(shè)有用于緩沖LED芯片與金屬基座之間的熱錯(cuò)配應(yīng)力的熱沉緩沖層(3)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈，其特征在于所述熱 沉緩沖層(3)為電鍍?cè)O(shè)置于金屬基座(1)上的FeNi合金層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈，其特征在于所述 FeNi合金層厚度為2-5微米。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈，其特征在于， LED芯片(2)與熱沉緩沖層(3)采用共晶焊接的方式連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈，其特征在于FeNi 合金層含有36%的附。
全文摘要
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈，具有新型的結(jié)構(gòu)，降低熱錯(cuò)配應(yīng)力，而又不大幅增加熱沉厚度。技術(shù)方案為一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈，包括金屬基座和封裝在金屬基座上的LED芯片以及金屬導(dǎo)線、封裝膠體，金屬基座與LED芯片之間設(shè)有用于緩沖LED芯片與金屬基座之間的熱錯(cuò)配應(yīng)力的熱沉緩沖層。所述熱沉緩沖層為電鍍?cè)O(shè)置于金屬基座上的FeNi合金層。所述FeNi合金層厚度為2-5微米。LED芯片與熱沉緩沖層采用共晶焊接的方式連接。FeNi合金層含有36％的Ni。金屬基座1選擇導(dǎo)熱性能較好的銅材料。本發(fā)明的一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈新型結(jié)構(gòu)有效降低熱錯(cuò)配應(yīng)力，保證大功率LED燈的功效和使用壽命。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101696779SQ200910210879
公開(kāi)日2010年4月21日 申請(qǐng)日期2009年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月12日
發(fā)明者劉薇 申請(qǐng)人:東莞勤上光電股份有限公司;