專利名稱：背面晶圓切割的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及處理晶圓，特別是指一種從該晶圓的背面切割的方法及/或系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
集成電路(IC)通常制造在半導(dǎo)體基板上或內(nèi)部的數(shù)組中。例如圖l是一具有多個IC 110形成于其上的典型半導(dǎo)體晶圓的透視圖。由在該半導(dǎo)體晶圓100上部表面上形成晶格圖案的切割線或道112分隔該IC 110。
由配置在帶架構(gòu)(未顯示于圖)上半導(dǎo)體晶圓100背部將該IC 110單一化并在沿著形成于半導(dǎo)體晶圓100的上部表面上的道112切割。切割通常由稱作切割機的切割機器實現(xiàn)，該切割機包含一夾住半導(dǎo)體晶圓100的夾頭桌和一用于切割半導(dǎo)體晶圓100的機械鋸或激光。機械鋸?fù)ǔ０恍D(zhuǎn)軸和一配置于軸上的切割刀片。該切割刀片可以包含，例如， 一圓盤似基座和一適合于基座側(cè)表面的外部圓周部份的環(huán)狀切割刃。該切割刃通常包含鉆石研磨粒。
道112通?？梢娪诎雽?dǎo)體晶圓100的上部。因此，從半導(dǎo)體晶圓100上部，機械鋸或激光可經(jīng)引導(dǎo)沿著道112切割半導(dǎo)體晶圓100成個別的IC。該帶架構(gòu)也參照了切割帶，于適當(dāng)?shù)那懈钪瞥唐陂g和其后抓住IC 110。然而在切割制程期間IC 110的上部表面是保持未防護的并可能由機械鋸或激光而損壞。例如，形成在半導(dǎo)體晶圓100上部表面的道112的金屬、低溫介電質(zhì)或其它材料可損壞該IC 110及/或該機械鋸。
圖2是一顯示于圖l半導(dǎo)體晶圓100的上部放大圖，說明金屬特征210、212形成于該晶圓上部表面的道112內(nèi)。該金屬特征210、 212可包括，例如，于制造制程期間使用的試料或測試電路和當(dāng)該半導(dǎo)體晶圓IOO切割時犧牲。一測試電路可包括，例如， 一稱作測試組件組(test element group ， Teg)的金屬圖案施加于半導(dǎo)體基板100上。該金屬特征210、 212趨向阻礙或反之損壞典型使用于切割制程的鉆石浸漬鋸。例如，由于Teg通常以如銅或類似軟金屬處理 所以機械鋸產(chǎn)生毛邊。此外，當(dāng)生產(chǎn)較薄晶圓，機械鋸導(dǎo)致較多的邊瑕疵。因
此良率(自晶圓生產(chǎn)的可用IC值)減少。
激光切割也可能損壞IC 110并減少良率。代替使用傳統(tǒng)的鋸刀片，激光 束聚焦在半導(dǎo)體晶圓100上部表面由此切割該半導(dǎo)體晶圓100成個別的IC 110。激光切割的制程產(chǎn)生過度的熱和碎片。該熱可能導(dǎo)致受熱影響的區(qū)域和 改換氧化層。裂縫可形成在受熱影響的區(qū)域并減少晶粒破裂強度。進一步，由 激光產(chǎn)生的碎片熔化在某一狀態(tài)并可能相當(dāng)難以移除。犧牲涂覆可用于保護該 IC 110上部表面免受激光切割期間的碎片。然后該犧牲涂覆必須在切割制程后 移除。另 一制程使用 一連接激光的水噴射。水噴射清洗掉切割制程期間的碎片。 然而犧牲涂覆和水噴射或其它清理制程增加整體切割制程的時間和費用。
因此，切割完成半導(dǎo)體晶圓的方法增加生產(chǎn)率并降低了良率。

發(fā)明內(nèi)容
本實施例揭露其中由刻劃制程提供用于半導(dǎo)體晶圓上部表面而導(dǎo)致刻劃 具有減少或沒有損壞或碎片于半導(dǎo)體晶圓的系統(tǒng)與方法。該半導(dǎo)體晶圓從其背 部刻劃。在某一實施例，緊接在背部研磨制程后但在移除背部側(cè)研磨帶前刻劃 晶圓背部。因此，防止自刻劃制程產(chǎn)生的碎片在該晶圓上部表面沉積。
現(xiàn)行的，因為該切割巷或道只可見于該上部表面，所以從原先的上部切割 晶圓。因此，切割工具(例如:激光或鋸子)必須與這些自晶圓上部的切割巷或道 調(diào)準(zhǔn)。在某一實施例，使用一紅外光源自該晶圓前側(cè)照射之，以允許該切割工 具與自晶圓背部的切割巷或道調(diào)準(zhǔn)。自背部切割有助于防止或減少瑕疵、斷裂 及/或激光產(chǎn)生的碎片沉積于晶圓上部表面。
根據(jù)上述，在某一實施例， 一種提供切割半導(dǎo)體晶圓的方法，該半導(dǎo)體晶 圓具有多個集成電路形成于該上部表面上或內(nèi)。該集成電路由一或多個可見于 半導(dǎo)體晶圓上部表面的道分隔。本方法包括以光照射半導(dǎo)體晶圓上部表面。部
分的光穿過該一或多個道至半導(dǎo)體晶圓底部表面。該方法也包括將穿自半導(dǎo)體 晶圓底部表面的部分光加以成像，以決定一或多個道位置相對半導(dǎo)體晶圓底部 表面。在道的位置決定后，對應(yīng)于該一或多個道的位置切割部分半導(dǎo)體晶圓底部表面。
在另一實施例，才是供一種制造集成電路的方法。該方法包括形成多個電子 電路構(gòu)件在半導(dǎo)體晶圓上部表面上或內(nèi)。該電子電路構(gòu)件由一或多個道分隔。 該方法也包括由保護層覆蓋電子電路構(gòu)件和自半導(dǎo)體晶圓第 一底部表面移除 部分該半導(dǎo)體晶圓以形成半導(dǎo)體晶圓第二底部表面。然后將該半導(dǎo)體晶圓第二 底部表面加以成像并決定一或多個道位置相對第二底部表面。然后，切割對應(yīng) 于一或多個道位置的部分第二底部表面。
在另一實施例，提供用于切割集成電路的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括一光源，其建 構(gòu)成照射晶圓上部表面； 一成像裝置，其建構(gòu)成產(chǎn)生對應(yīng)于自光源的光的影像
數(shù)據(jù)，該光自晶圓上部表面穿過至晶圓底部表面；和一處理器，其建構(gòu)成處理
影像數(shù)據(jù)，以至于在晶圓上部表面至晶圓底部表面上繪制切割巷的位置圖。 在另一實施例，提供用于切割集成電路的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括沿著晶圓表面
繪制切割巷的位置圖的機構(gòu)，該切割巷非可見于該晶圓表面，以及沿著對應(yīng)于
切割巷的路徑切割基板表面的機構(gòu)。
外加的觀點或優(yōu)勢將是明顯地于以下詳細(xì)描述的最佳的實施例，該實施例
制程參考所附的圖。


圖1是一具有多個IC形成于上的典型半導(dǎo)體晶圓俯視圖。
圖2是一圖1所顯示的半導(dǎo)體晶圓的放大上部圖標(biāo)，說明金屬特征形成在
晶圓上部表面的道。
圖3是一流程圖，說明根據(jù)本發(fā)明一實施例制造IC的過程。
圖4A至4G是一部分顯示的半導(dǎo)體工作件剖面圖，薄化該半導(dǎo)體且根據(jù)
圖3所示制程切割。 ，
具體實施例方式
為避開切割金屬特征(例如:測試電路)或諸如形成在半導(dǎo)體晶圓上部表面 的低溫介電質(zhì)的其它材料，可靠的實施例已揭露此中提供切割半導(dǎo)體晶圓背部 的系統(tǒng)與方法。該半導(dǎo)體表面的背部也參照此中的底部或底部表面且通常在一與IC和切割巷或線所形成的前側(cè)或上部表面的相反表面上。
為求便利，切割期通?？墒褂冒ㄍ跍?未穿過標(biāo)靶工作件的完全深度的 切割)和切割各處，其包括薄化(常與晶圓排分隔相關(guān))或切割(常與自晶圓排部 分單一相關(guān))。薄化與切割可交換使用在本揭露的上下文里。
如同以上的論述，該道通?？梢娪诎雽?dǎo)體晶圓上部表面。然而該道非可見 于半導(dǎo)體晶圓背部表面。因此，根據(jù)某一實施例，以穿越半導(dǎo)體晶圓的光波長 照射該半導(dǎo)體晶圓上部表面并偵測來自其背部的光。如同以下詳細(xì)論述，在某 一實施例，通過遍及紅外光源提供光。使用該偵測的光以繪制相對背部的道的 圖。然后對應(yīng)于所繪的道位置切割該背部。
在某一實施例，該半導(dǎo)體晶圓背部如同部分晶圓薄化制程切割。為減少IC 的厚度，在裝置制造后與在用于個別封裝切割前薄化半導(dǎo)體晶圓。為減少硅晶 圓原本的厚度至適合于最終封裝的一已縮減的厚度，背部研磨是一種方便的方 法。快速研磨半導(dǎo)體晶圓的背部表面并產(chǎn)生良好的整體厚度改變和表面潤飾。 減少半導(dǎo)體晶圓厚度通常改善封裝后的裝置冷卻。
在IC已形成于半導(dǎo)體晶圓上部表面后執(zhí)行薄化晶圓的制程。背部研磨帶 施加于半導(dǎo)體晶圓上部表面以保護該IC。然后半導(dǎo)體晶圓進入一研磨機器且
直到達到渴求的厚度后將背部表面接地。在便利制程上，然后移除該背部研磨 帶并配置半導(dǎo)體晶圓背部表面于帶架構(gòu)上。因此，暴露該半導(dǎo)體晶圓上部表面 并使用機械鋸或激光切割。
然而，根據(jù)可靠的實施例揭露此中，在切割制程期間保持該背部研磨帶以 適當(dāng)?shù)奈恢糜诎雽?dǎo)體晶圓上部表面上。因此，在研磨背部后，該研磨帶行同一
切割帶以保護并抓住該IC于適當(dāng)?shù)奈恢猛瑫r切割該半導(dǎo)體表面背部。在切割 后，然后該個別的IC能自研磨帶削去以用于封裝。技工將識別此中所揭露的，
在用于封裝置放之前，從研磨帶選擇的個別晶?？梢曅枰寡b。因為該研磨帶 不能從上部表面移除且切割前切割帶不能施加于晶圓的背部，較少的步驟可運
用在整體IC制造制程。因此，生產(chǎn)量增加。進一步，切割半導(dǎo)體晶圓背部以 減少對IC的損壞并增加良率。然而，在某一實施例，在切割半導(dǎo)體晶圓背部
后，該半導(dǎo)體晶圓背部放置于帶架構(gòu)上。然后研磨帶從半導(dǎo)體上部表面移除且 該帶架構(gòu)的帶延伸以允許個別的晶粒的挑選與放置。在這樣的一實施例，在從該帶選擇后與用于封裝置放前，個別的晶粒不需要倒裝。
現(xiàn)在參考所制作的圖，該圖中相似的參考符號對應(yīng)著相似的組件。主要地, 第 一參考符號數(shù)字指出在該圖碼中對應(yīng)于第 一次使用的組件。在以下的描述， 提供很多明確詳述用于本發(fā)明實施例的完善了解。然而，熟知該領(lǐng)域通常知識 者將識別本發(fā)明可實施在沒有一或多個明確詳述或具有其它方法、構(gòu)件或材 料。進一步，在一些因素下，為了避免遮掩本發(fā)明的觀點，廣為熟知的結(jié)構(gòu)、 材料和操作沒有顯示或詳細(xì)描述。此外，該描述特征、結(jié)構(gòu)或特性可合并在一 或多個實施例中任何適合的方法。
圖3是一流程圖說明根據(jù)某一實施例制造IC的制程300。在步驟310,制 程300包括在半導(dǎo)體晶圓上部表面上形成IC。該IC包括使用已知的制造半導(dǎo) 體IC制程之一或多層形成。如同根據(jù)圖1上述所述，該IC由形成在晶圓上部 表面的晶格圖案的道分隔。
在步驟312,在IC與晶圓上部表面上形成保護層。在某一實施例，該保 護層包括通用的背部研磨帶。建構(gòu)該保護層以在隨后制程步驟期間保護IC并 在晶圓切割后于適當(dāng)?shù)奈恢米プ≡揑C。在步驟314，由研磨晶圓的底部表面薄 化該晶圓，例如，使用一研磨機器。
在底部表面至渴求的厚度而接地后，在步驟314,由所建構(gòu)穿過保護層與 半導(dǎo)體晶圓的光照射該保護層、該IC與晶圓上部表面。因此，該保護層和半 導(dǎo)體晶圓至少部分傳遞該光的波長。選擇該波長以至提供渴望的傳遞同時仍提 供足夠的分辨率以偵測該道。遍布該光以致充滿部分成像裝置(下面探討)可視 的場中的上部表面。進一步，建構(gòu)該光的強度以提供在此遍布面充足的光子數(shù) 量以致滿足該成像裝置的靈敏度臨界。
在步驟318,使用成像裝置偵測經(jīng)過晶圓底部表面的光。該成像裝置可包 括，例如，建構(gòu)CCD或CMOS影像器以偵測該光的波長。設(shè)置該成像裝置可 視的場以致提供足夠的分辨率以偵測該道。在某一實施例，成像裝置的可視的 場隨機排列到該光照射的面。為達到渴求的分辨率，成像裝置的可視的場可隨 較少于晶圓底部表面的面積。因此，成像裝置掃瞄過晶圓底部表面和合并該掃 描的影像以產(chǎn)生整體的影像。
在步驟320,使用該偵測光繪制相對晶圓底部表面的道位置圖。在某一實施例，道的位置是由底部表面影像繪制成圖并使用圖案識別以決定部分對應(yīng)于 道影像的整體影像。在某一實施例，圖案識別包括使用在空中攝影識別圖案的
技術(shù)。例如，可使用一霍式轉(zhuǎn)換(Houghtransform)技術(shù)決定是否線分段成不同 的部分影像，該部份影像是部分形成道的較長直線。在另一實施例，操作者由 成像裝置創(chuàng)造的影像中可見地定位出該道的位置以繪制道位置的圖且輸入該 道的位置于計算機里。然后使用該輸入的道位置以產(chǎn)生一刻劃的圖用于晶圓底 部表面隨機切割。
在步驟322，該制程包括切割對應(yīng)于所繪道位置的部分晶圓底部表面。該 底部表面可用機械鋸或激光切割。在可靠的實施例中，在未切割全通過該晶圓 的路線下刻劃該半導(dǎo)體晶圓以避免接觸在機械鋸刀片和任何測試裝置或其它 在晶圓上部表面上的結(jié)構(gòu)之間。因此，排除或減少在切割制程期間對該IC及/ 或鋸的損壞。在刻劃晶圓背部后，晶圓可崩裂或否則沿一刻劃線切割并且個別 的IC能自背部研磨帶移除以用于封裝。技工將識別所揭露于此中，挑選自研 磨帶的個別的晶?？梢曅枰寡b在用于封裝放置前。
在某一實施例，在切割半導(dǎo)體晶圓背部后，該半導(dǎo)體晶圓背部放置于帶架 構(gòu)上。然后研磨帶從半導(dǎo)體上部表面移除且該帶架構(gòu)的帶延伸以允許個別的晶 粒的挑選與放置。在這樣的一實施例，在從帶選擇后與用于封裝放置前，個別 的晶粒不需要倒裝。
由范例所示，圖4A至4G是部分示范的半導(dǎo)體工作件400的剖面圖，其 根據(jù)圖3所示制程300薄化且切割。該工作件400包含一具有上部表面412 的硅晶圓410和第一底部表面414。多個層416、 418形成在上部表面412。技 工將可識別出，該層416、 418可包括互連層和個別的層以形成電子電路。例 如，該層416、 418可包括諸如Cu、 Al、 Si02、 SiN、氟化硅酸鹽玻璃(FSG)、 碳化硅玻璃(OSG)、 SiOC、 SiOCN和其它使用于IC制造材料的材料。為說明 目的，顯示兩層416、 418。然而技工將可識別較少或較多的層可使用于多個 個IC。
在這例子中，于圖4A虛線所示的第一IC區(qū)域420和第二IC區(qū)域422形 成于該層416、 418。該第一IC區(qū)域420和第二IC區(qū)域422由道424彼此相 互分隔。雖然未顯示，但金屬測試結(jié)構(gòu)、低溫介電質(zhì)或其它材料可以形成于道424上。在某一實施例，道424的寬度(例如笫一 IC區(qū)域420和第二 IC區(qū)域 422間的距離)大約在8jum與12jum之間范圍。然而，技工將可識別道424 可有其它的寬度。例如，在其它具體實施例，道424的寬度大約在12jum與 50]um之間范圍。
圖4A顯示在制造階段，該硅晶圓410有一厚度(例如該上部表面412和第 一底部表面414間的距離)大約在250jum與1000jum之間范圍。如圖上述所 述，薄化該硅晶圓410，直到達到渴求的厚度后將該底部表面414接地。
如同顯示于圖4B,研磨帶426施加在上部表面412和層416、 418上。該 研磨帶426保護該第———一 IC區(qū)域420和第二 IC區(qū)域422，同時該硅晶圓通過研 磨該第一底部表面薄化，例如，使用一研磨機器。該研磨帶426可穿透過紅外 光。適合的背部研磨帶可取自，例如，日本東京的Furukawa Electric Co., LTD ， 日本東京的Lintec Corp. Advanced Materials Div.和日本鎌倉的Toyo Adtec Co., LTD。在某一實施例，研磨帶426適合穿透波長大約在1.2nm與1.3jum之間 范圍的紅外光。如圖上述所述，該硅晶圓410也適合于穿透該波長。
直到達到渴求減少的厚度(在圖4B虛線428所示)后將第一底部表面414 接地。當(dāng)顯示在圖4C至4G,該研磨制程產(chǎn)生第二底部表面430。在研磨后， 該硅晶圓有一大約在50|am與200 Mm之間范圍的減少厚度。假如上部表面 412和第二底部表面430是相當(dāng)平坦的，使用紅外光像成道位置是相當(dāng)容易的。 因此，在可靠的實施例中，該研磨制程可依序通過熟知該技藝的其它制程以平 坦第二底部表面430。
在研磨硅晶圓410以達渴求的厚度后，繪制與第二底部表面430相關(guān)的道 424位置圖以致于第二底部表面430能沿著道424刻劃。如同圖4C所示，建 構(gòu)紅外光源432以充滿部分研磨帶426、層416、 418和具有遍布紅外光434 的硅晶圓410。光源432可包括，例如，建構(gòu)一紅外發(fā)光二極管(LED)以產(chǎn)生 渴求的紅外光波段。雖然未顯示，也可使用濾波器以減少光源432產(chǎn)生的波長 范圍以達渴求的波段。
選擇紅外光434波長以致提供足夠穿過研磨帶426和硅晶圓410。硅晶圓 410傾向吸收較短波長。然而，較長的波長可減少分辨率導(dǎo)致道424不能自硅 晶圓410的背部偵測。在某一實施例，波長大約在1.2]im與1.3)am之間范圍。紅外光434強度足夠由位于硅晶圓410相反側(cè)的成像裝置436偵測。該成 像裝置436可包括建構(gòu)CCD或CMOS照相機，以在光穿透研磨帶和硅晶圓后 偵測該紅外光。例如，該成像裝置436可包括鎵或InGaAsCCD。在某一實施 例中，該成像裝置436包含a近紅外光照相機，其可取自加州，Indigo Operations ofGoleta, FLIR系統(tǒng)。
如同圖4C,成像裝置436與諸如微處理器、數(shù)字信號處理器或其它相似 的處理器438相通訊。處理器438控制成像裝置436的操作。處理器438包含 儲存在儲存裝置442的軟件以致形成多種所討論的工作此中諸如掃描第二底 部表面430,產(chǎn)生影像數(shù)據(jù)和制程影像數(shù)據(jù)以致繪出道424的位置圖。處理器 438可與通訊裝置440相通訊以致寄送及/或接收影像數(shù)據(jù)及/或所繪的道位置 圖。
選擇成像裝置436可視的場以致提供足夠的分辨率去偵測道和匹配由紅 外光434充滿的區(qū)域。在某一實施例，成像裝置436有一大約在450 ju m與550 jum之間范圍的可視場。如同上面所述，紅外光源432和成像裝置436可以在 工作片上掃描且掃描影像能合并以產(chǎn)生穿過第二底部表面430的整體紅外光 434影像。使用整體影像繪制道424的位置圖以與第二底部表面430相關(guān)。如 同上述所述，使用圖案識別諸如霍氏轉(zhuǎn)換或其它影像處理技術(shù)在某一實施例以 決定是否在多個部分整體影像的線分段是道424直線的較長部分。在另 一實施 例，操作者由經(jīng)成像裝置創(chuàng)造的影像中可見所定的道位置繪制道位置圖且輸入 該道的位置于處理器438用于儲存在儲存裝置442。然后該儲存的道位置用于 產(chǎn)生一刻劃的圖以用于隨后切割該晶圓底部表面。
在所繪與第二底部表面430相關(guān)的道424位置圖后，該第二底部表面430 沿著道424切割。圖4D說明一機械鋸刀片444切割一切口成第二底部表面430, 其位置對應(yīng)于道424。 一技工也將識別出激光可使用于替代鋸以切除該硅晶圓 410第二底部表面430。然而，假如執(zhí)行激光切割同時也執(zhí)行影像，第二底部 表面430的影像可能包括由激光產(chǎn)生的斑點，如此可能造成較難以決定道424 的位置。因此，將部份晶圓加以成像同時切割另一部分晶圓的應(yīng)用，使用切割 鋸是更佳的。然而，技工將識別影像制程技術(shù)可使用于移除自影像的斑點以促 進更正確的成像與激光切割。進一步，某一實施例，道424的位置繪制在激光執(zhí)行之前。因此第二底部表面430的影像不包括由激光產(chǎn)生的斑點。 一旦繪制
道424的圖，儲存位置信息和關(guān)掉光源432。然后第二底部表面430能由激光 沿著道424切割。
在切割制程期間，研磨帶426依舊在層416、 418與硅晶圓410的上部表 面412上以致保護IC區(qū)域420、 422免于碎片。研磨帶426也在適當(dāng)?shù)那懈钇?間和之后抓住工作片400。
如同圖4D-4F所示，在可靠的實施例刻劃第二底部表面430以致于避免 鋸刀片444和任一于道424區(qū)域內(nèi)的金屬測試結(jié)構(gòu)、低溫介電質(zhì)材料或其它可 位于硅晶圓410上部表面412上材料連接。因此，在刻劃制程期間，降低或減 少對IC區(qū)域420、 422及/或鋸刀刃444的損害。依據(jù)該應(yīng)用，第二底部表面 430可刻劃不同的深度。例如，圖4E說明 一刻劃部分446延伸大約一半在第 二底部表面430和上部表面412間。如同另一例，圖4F說明一刻劃部分448 大體上延伸至上部表面412。
如同圖4G，然后該第一 IC區(qū)域420和第二 IC區(qū)域422可自研磨帶426 完全切割和移除以用于個別封裝。在刻劃后，第一IC區(qū)域420和第二IC區(qū)域 422可切割，例如，由沿該刻劃線崩裂硅晶圓410。因此，由偵測與晶圓410 背部相關(guān)的道位置和沿該道位置切割晶圓410背部，在第一 IC區(qū)域420和第 二 IC區(qū)域422的碎片與瑕疵可能減少或排除。
熟知該技術(shù)的人士在不違背本發(fā)明基本原則下的上述描述實施例的細(xì)節(jié) 很多可改變是明顯。例如，能在未經(jīng)第一薄化晶圓切割晶圓背部。如同另一例， 能使用除了硅的其它晶圓材料或不同波長的其它光源。然而，諸如陶覺或類似 物的基板通常為非均勻的，造成光難以穿過它們而成像。因此，盡管能使用一 非均勻晶圓材料，大體上例如硅的均勻材料是更好的。
如同另一例，研磨帶未能穿透該用于成像的光。當(dāng)然，根據(jù)某一實施例， 研磨帶包括對應(yīng)于道及/或道交岔處的切割口或穿透窗口 。在這樣的實施例中， 自晶圓背部偵測經(jīng)切割口或窗口的照射以指出道的位置。因此，然后一切割工 具可與晶圓背部的道調(diào)準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種切割半導(dǎo)體晶圓的方法，該半導(dǎo)體晶圓具有多個集成電路形成于其上部表面上或內(nèi)，該集成電路由一或多個可見于半導(dǎo)體晶圓上部表面的道分隔，該方法包括以光照射該半導(dǎo)體晶圓上部表面，部分光經(jīng)一或多個道至半導(dǎo)體晶圓底部表面；將穿自半導(dǎo)體晶圓底部表面的部分光加以成像，以決定一或多個道相對該半導(dǎo)體晶圓底部表面的位置；以及對應(yīng)于一或多個道的位置而切割該部分半導(dǎo)體晶圓底部表面。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包含在該部分光的影像上執(zhí)行圖案 識別以偵測乂十應(yīng)于道的線。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中執(zhí)行圖案識別包含執(zhí)行霍氏轉(zhuǎn)換Hough transform 。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中切割該部分底部表面包含在該底部表 面上刻劃線。
5. 如權(quán)利要求4所述的方法，進一步包含沿刻劃線將該半導(dǎo)體晶圓崩裂 成分隔的件。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中切割該部分底部表面包含用鋸刻劃該 底部表面。
7. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中切割該部分底部表面包含用激光刻劃 該底部表面。
8. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中該半導(dǎo)體晶圓包含硅。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中該光包含紅外光。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中該光的波長范圍大約在1.2nm至1.3 jLim之間。
11. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中建構(gòu)該光以穿過該半導(dǎo)體晶圓上部表 面上的保護層。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中該保護層包含研磨帶。
13. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中該光穿過該半導(dǎo)體晶圓上部表面上的 保護層中的切洞。
14. 一種制造集成電^^的方法，該方法包括形成多個電子電路構(gòu)件在半導(dǎo)體晶圓上部表面上或內(nèi)，該電子電路構(gòu)件由 一或多個道分隔；以保護層覆蓋該電子電路構(gòu)件；自半導(dǎo)體晶圓第一底部表面移除部分該半導(dǎo)體晶圓以形成第二半導(dǎo)體晶 圓底部表面；將該半導(dǎo)體晶圓第二底部表面加以成像以決定該一或多個道相對第二底 部表面的位置；將對應(yīng)于該一或多個道位置的部分第二底部表面加以切割。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中將第二底部表面加以成像包含 以光照射該半導(dǎo)體晶圓上部表面，部分光穿過該保護層和半導(dǎo)體晶圓；以及偵測穿過該半導(dǎo)體晶圓第二底部表面的部分光。
16. 如權(quán)利要求15項，進一步包含在部分光的影像上執(zhí)行圖案識別以偵 測對應(yīng)于道的線。
17. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中執(zhí)行該圖案識別包含執(zhí)行霍氏轉(zhuǎn)換。
18. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中該保護層包含研磨帶。
19. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中自第一底部表面移除部分該半導(dǎo)體 晶圓包含研磨該第一底部表面以暴露該第二底部表面。
20. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中切割該部分第二底部表面包含在第 二底部表面上刻劃線。
21. 如權(quán)利要求20所述的方法，進一步包含沿刻劃線將該半導(dǎo)體晶圓崩 裂成分隔的件。
22. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中切割該部分第二底部表面包含切割 過半導(dǎo)體晶圓至保護層。
23. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中切割該部分第二底部表面包含用鋸 刻劃該第二底部表面。
24. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中切割該部分第二底部表面包含用激光刻劃該第二底部表面。
25. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中該半導(dǎo)體晶圓包含硅晶圓。
26. 如權(quán)利要求25所述的方法，其中該光包含紅外光。
27. 如權(quán)利要求26所述的方法，其中該光的波長范圍大約為1.2ym至1.3 ju m之間。
28. —種用于切割集成電路的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括 一光源，其建構(gòu)成照射晶圓上部表面；一成像裝置，其建構(gòu)成產(chǎn)生對應(yīng)于來自光源的光的影像信息，該光自晶圓 上部表面至晶圓底部表面；以及一處理器，其建構(gòu)成處理該影像信息，如此以繪出在晶圓上部表面至晶圓 底部表面的切刻巷的位置圖。
29. 如權(quán)利要求第28項的系統(tǒng)，其中建構(gòu)該光源以提供遍及紅外的光。
30. 如權(quán)利要求第29項的系統(tǒng)，其中該紅外光的波長范圍大約在12jum 至1.3 jLim之間。
31. —用于切割集成電路的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包含沿晶圓表面繪制切割巷的位置圖的機構(gòu)，該切割巷未可見于晶圓表面；以及沿對應(yīng)于該切割巷的路徑切割基板表面的機構(gòu)。
全文摘要
由刻劃制程用于刻劃具有減少或沒有損壞或碎片至或在個別集成電路上的半導(dǎo)體晶圓(410)的系統(tǒng)與方法。該半導(dǎo)體晶圓(410)從其背部(430)刻劃。在某一實施例，緊接在背部研磨制程后但在移除背部側(cè)研磨帶(426)前刻劃晶圓(410)背部(430)。因此，防止自刻劃制程產(chǎn)生的碎片在該晶圓(410)上部表面(412)沉積。為決定相對晶圓(410)背部(430)的切割巷或道(424)的位置，建構(gòu)光(434)以照射晶圓(410)的上部(412)，該光穿過該研磨帶(426)與晶圓(410)。偵測自晶圓(410)背部(430)的光(434)，并繪制相對背部(430)的道圖。然后用鋸(444)或激光切割晶圓(410)背部(430)。
文檔編號H01L21/301GK101490812SQ200780026413
公開日2009年7月22日 申請日期2007年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月25日
發(fā)明者盧可偉, 理查·S.·哈洛斯 申請人:伊雷克托科學(xué)工業(yè)股份有限公司