一種晶圓切割方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種晶圓切割方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體器件制備過程中，在晶圓中形成電路之后，需要對所述晶圓進(jìn)行切割，所述切割是將晶圓分割為電路體系完整的芯片或者晶粒單位的過程。
[0003]目前在深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)的切割(dicing)工藝中，首先在晶圓正面執(zhí)行DRIE步驟，以形成深溝槽，然后背部研磨(Grinding)至深反應(yīng)離子刻蝕溝槽(DRIEtrench),露出所述溝槽，以達(dá)到切割(Dicing)的目的，如圖1所示，但是研磨(Grinding)過程中研磨輪(grinding wheel)對晶圓的的切削和壓力極易導(dǎo)致深反應(yīng)離子刻蝕溝槽頂部邊緣發(fā)生嚴(yán)重的發(fā)生破裂(chipping),如圖2所示。
[0004]因此，需要對所述方法做進(jìn)一步的改進(jìn)，以便消除上述問題，提高器件的良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0006]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題提供了一種晶圓切割方法，包括:
[0007]步驟A1:提供晶圓，在所述晶圓中形成有溝槽；
[0008]步驟A2:選用臨時填充材料填充所述溝槽，以支撐所述溝槽；
[0009]步驟A3:對所述晶圓的背面進(jìn)行研磨，以露出所述臨時填充材料；
[0010]步驟A4:去除所述臨時填充材料，露出所述溝槽，以完成對所述晶圓的切割。
[0011]可選地，所述步驟A2中所述臨時填充材料包括膠粘劑。
[0012]可選地，所述步驟A2中所述臨時填充材料選用臨時鍵合膠。
[0013]可選地，在所述步驟A2中，選用旋轉(zhuǎn)涂覆的方法在所述溝槽中形成所述臨時填充材料。
[0014]可選地，所述旋轉(zhuǎn)涂覆的轉(zhuǎn)數(shù)為500-1500rpm，時間為20_60s。
[0015]可選地，在所述步驟A2和所述步驟A3之間還包括對所述臨時填充材料進(jìn)行烘焙的步驟，以固化所述臨時填充材料。
[0016]可選地，所述烘焙的溫度為150_180°C，所述烘焙時間為l_5min。
[0017]可選地，所述步驟A1包括:
[0018]步驟All:提供晶圓；
[0019]步驟A12:在所述晶圓上形成圖案化的掩膜層，所述掩膜層中形成有溝槽圖案；
[0020]步驟A13:以所述掩膜層為掩膜，蝕刻所述晶圓，以在所述晶圓中形成所述溝槽；
[0021]步驟A14:去除所述掩膜層。
[0022]可選地，在所述步驟A1中，選用深反應(yīng)離子刻蝕的方法形成所述溝槽。
[0023]可選地，所述溝槽的深度為100_300um。
[0024]可選地，所述步驟A3包括:
[0025]步驟A31:在所述晶圓的正面形成膠帶；
[0026]步驟A32:反轉(zhuǎn)所述晶圓，對所述晶圓的背面進(jìn)行研磨。
[0027]可選地，在所述步驟A4中選用清洗劑覆蓋所述晶圓表面3_5min,然后通過旋轉(zhuǎn)的方法去除所述臨時填充材料。
[0028]可選地，在所述步驟A4之后還進(jìn)一步包括步驟A5:選用異丙醇對所述晶圓進(jìn)行清洗并甩干。
[0029]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)DRIE切割工藝中研磨造成溝槽輪廓發(fā)生碎裂的問題，提供了一種新的DRIE切割方法，在所述方法中在DRIE結(jié)束后采用臨時鍵合膠將溝槽(trench)空腔填滿，通過溫和烘焙(soft bake)使之固化，然后進(jìn)行背部研磨，使得在研磨過程中晶圓邊緣得到支持而避免發(fā)生碎裂；在研磨完成后，采用對應(yīng)的溶劑去除臨時鍵合膠，克服了碎裂的問題，提高了切割效率和良率。
【附圖說明】
[0030]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0031]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中所述晶圓切割剖面示意圖；
[0032]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中所述晶圓切割后的SEM不意圖；
[0033]圖3為本發(fā)明一實施例中所述晶圓切割剖面示意圖；
[0034]圖4為本發(fā)明一實施例中所述晶圓切割后的SEM 意圖；
[0035]圖5為本發(fā)明一【具體實施方式】中所述晶圓切的工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0036]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0037]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0038]應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接至『或“耦合到”其它元件或?qū)訒r，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖诰娱g的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r，則不存在居間的元件或?qū)印?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0039]空間關(guān)系術(shù)語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向為在其它元件或特征“上”。因此，示例性術(shù)語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。
[0040]在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時，單數(shù)形式的“一”、“一個”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目的任何及所有組合。
[0041]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
[0042]實施例1
[0043]目前對具有高深寬比溝槽的晶圓進(jìn)行切割的方法如圖1所示，首先提供半導(dǎo)體襯底102，在所述半導(dǎo)體襯底102中通過深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)的方法形成若干具有高深寬比的溝槽103，然后將所述半導(dǎo)體襯底的正面貼上一層膠帶(tape) 101，并且將所述半導(dǎo)體襯底102反轉(zhuǎn)進(jìn)行背部研磨，以露出所述高深寬比的溝槽103，以達(dá)到切割(Dicing)的目的，如圖1所示。
[0044]在的DRIE切割中，在接近溝槽103和研磨溝槽(grinding trench)的時候研磨輪對晶圓的切削和壓力極易導(dǎo)致溝槽103頂部發(fā)生嚴(yán)重的碎裂(chipping)，如圖2所示。
[0045]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種新的晶圓切割方法，下面結(jié)合附圖3對本發(fā)明所述方法做進(jìn)一步的說明。
[0046]首先，執(zhí)行步驟201，提供晶圓202，在所述晶圓202中形成溝槽。
[0047]具體地，在該步驟中所述晶圓202可以選用以下所提到的材料中的至少一種:石圭、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SS0I)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。
[0048]