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維護機器部件的方法和裝置的制作方法

文檔序號:6829884閱讀:207來源:國知局
專利名稱:維護機器部件的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種維護機器部件的方法和裝置,該部件設(shè)置在機器的內(nèi)部空間,其中,內(nèi)部空間保持第一壓力并且通過裝載閘和具有第二壓力的環(huán)境隔離。
本發(fā)明還涉及一種用該方法設(shè)置的裝置,例如光刻投影裝置,和器件生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)
這里使用的術(shù)語“構(gòu)圖裝置”應(yīng)廣義地解釋為能夠給入射的輻射光束賦予帶圖案的截面的裝置,其中所述圖案與要在基底的靶部上形成的圖案一致;本文中也使用術(shù)語“光閥”。一般地,所述圖案與在靶部中形成的器件如集成電路或者其它器件的特殊功能層相對應(yīng)(如下文)。這種構(gòu)圖部件的示例包括■掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二進制型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類型,以及各種混合掩模類型。這種掩模在輻射光束中的布置使入射到掩模上的輻射能夠根據(jù)掩模上的圖案而選擇性的被透射(在透射掩模的情況下)或者被反射(在反射掩模的情況下)。在使用掩模的情況下,支撐結(jié)構(gòu)一般是一個掩模臺,它能夠保證掩模被保持在入射光束中的理想位置,并且如果需要該臺會相對光束移動。
■可程控反射鏡陣列。這種設(shè)備的一個例子是具有一粘彈性控制層和一反射表面的矩陣可尋址表面。這種裝置的理論基礎(chǔ)是(例如)反射表面的尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇檠苌涔?,而非尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇榉茄苌涔狻S靡粋€適當?shù)臑V光器,從反射的光束中濾除所述非衍射光,只保留衍射光;按照這種方式,光束根據(jù)矩陣可尋址表面的定址圖案而產(chǎn)生圖案??沙炭胤瓷溏R陣列的另一實施例利用微小反射鏡的矩陣排列,通過使用適當?shù)木植侩妶?,或者通過使用壓電致動器裝置,使得每個反射鏡能夠獨立地關(guān)于一軸傾斜。再者,反射鏡是矩陣可尋址的,由此尋址反射鏡以不同的方向?qū)⑷肷涞妮椛涔馐瓷涞椒菍ぶ贩瓷溏R上;按照這種方式,根據(jù)矩陣可尋址反射鏡的定址圖案對反射光束進行構(gòu)圖??梢杂眠m當?shù)碾娮友b置進行該所需的矩陣定址。在上述兩種情況中,構(gòu)圖部件可包括一個或者多個可程控反射鏡陣列。反射鏡陣列的更多信息可以從例如美國專利US5,296,891、美國專利US5,523,193、PCT專利申請WO98/38597和WO 98/33096中獲得,這些文獻在這里引入作為參照。在可程控反射鏡陣列的情況中,所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺,例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動的。
■可程控LCD陣列,例如由美國專利US 5,229,872給出的這種結(jié)構(gòu),它在這里引入作為參照。如上所述,在這種情況下支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺,例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動的。
為簡單起見,本文的其余部分在一定的情況下具體以掩模和掩模臺為例;可是,在這樣的例子中所討論的一般原理應(yīng)適用于上述更寬范圍的構(gòu)圖裝置。
光刻投影裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下,構(gòu)圖部件可產(chǎn)生對應(yīng)于IC一個單獨層的電路圖案,該圖案可以成像在已涂敷輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(硅片)的靶部上(例如包括一個或者多個電路小片(die))。一般的,單一的晶片將包含相鄰靶部的整個網(wǎng)格,該相鄰靶部由投影系統(tǒng)逐個相繼輻射。在目前采用掩模臺上的掩模進行構(gòu)圖的裝置中,有兩種不同類型的機器。一類光刻投影裝置是,通過將全部掩模圖案一次曝光在靶部上而輻射每一靶部;這種裝置通常稱作晶片分檔器或者分步重復(fù)裝置。另一種裝置(通常稱作分步掃描裝置)通過在投射光束下沿給定的參考方向(“掃描”方向)依次掃描掩模圖案、并同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底臺來輻射每一靶部;因為一般來說,投影系統(tǒng)有一個放大系數(shù)M(通常<1),因此對基底臺的掃描速度V是對掩模臺掃描速度的M倍。關(guān)于如這里描述的光刻設(shè)備的更多信息可以從例如美國專利US6,046,729中獲得,該文獻這里作為參考引入。
在用光刻投影裝置的制造方法中,(例如在掩模中的)圖案成像在至少部分由一層輻射敏感材料(抗蝕劑)覆蓋的基底上。在這種成像步驟之前,可以對基底可進行各種處理,如涂底漆,涂敷抗蝕劑和軟烘烤。在曝光后,可以對基底進行其它的處理,如曝光后烘烤(PEB),顯影,硬烘烤和測量/檢查成像特征。以這一系列工藝為基礎(chǔ),對例如IC的器件的單層形成圖案。這種圖案層然后可進行任何不同的處理,如蝕刻、離子注入(摻雜)、鍍金屬、氧化、化學(xué)—機械拋光等完成一單層所需的所有處理。如果需要多層,那么對每一新層重復(fù)全部步驟或者其變化。最終,在基底(晶片)上出現(xiàn)器件陣列。然后采用例如切割或者鋸斷的技術(shù)將這些器件彼此分開,單個器件可以安裝在載體上,與管腳等連接。關(guān)于這些步驟的進一步信息可從例如Peter van Zant的“微型集成電路片制造半導(dǎo)體加工實踐入門(Microchip FabricationA Practical Guideto Semiconductor Processing)”一書(第三版,McGraw Hill PublishingCo.,1997,ISBN 0-07-067250-4)中獲得,這里作為參考引入。
為了簡單起見,投影系統(tǒng)在下文稱為“鏡頭”;可是,該術(shù)語應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng),包括例如折射光學(xué)裝置,反射光學(xué)裝置,和反折射系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可以包括根據(jù)這些設(shè)計類型中任一設(shè)計的操作部件,該操作部件用于引導(dǎo)、整形或者控制輻射投射光束,這種部件在下文還可共同地或者單獨地稱作“鏡頭”。另外,光刻裝置可以具有兩個或者多個基底臺(和/或兩個或者多個掩模臺)。在這種“多級式”器件中,可以并行使用這些附加臺,或者可以在一個或者多個臺上進行準備步驟,而一個或者多個其它臺用于曝光。例如在美國專利US5,969,441和WO98/40791中描述的二級光刻裝置,這里作為參考引入。
在本文件中,使用的術(shù)語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射,包括紫外輻射(例如具有365,248,193,157或者126nm的波長)和極遠紫外輻射(EUV)(例如具有5-20nm的波長范圍),和粒子束,如離子束或者電子束。
為了制造例如,小特征的高質(zhì)量芯片,需要將用于產(chǎn)生這種芯片的圖案正確地并且精確地投射到基底上。這意味著需要限制污染顆粒的存在,因為即使是單個污染顆粒也可以干擾圖案的正確投射。
在基底曝光于投射光束之前,基底涂敷抗蝕劑,用不同的機械手將其裝卸并放置到不同的處理位置。每個處理和裝卸步驟都會產(chǎn)生污染顆粒。這些污染顆粒在裝卸基底的夾子上、放置基底的底座和卡盤等上面堆積。
在投射光束路徑上例如在基底最上面的污染顆粒阻止所投射的輻射到達基底。這將導(dǎo)致投射誤差,經(jīng)常產(chǎn)生帶有缺陷的芯片。
另一方面,基底底面即支撐基底的面上的污染顆粒,可能引起基底錯誤地定位或者基底彎曲。當污染顆粒在支撐基底的基底載體表面上時會發(fā)生同樣的情況。這可能引起投射光束聚焦時的基底偏移和誤差,同樣可能產(chǎn)生有缺陷的芯片。
為了獲得光刻投影裝置的最佳結(jié)果,維護過程需要在正常基座上進行。這種維護過程可能包括一種或者多種行為,如清洗過程、替換過程、修復(fù)過程和/或(耗費品的)補充過程。
在多數(shù)光刻投影裝置中,采取多種措施來減少污染顆粒的產(chǎn)生和轉(zhuǎn)移。然而,仍然不能完全杜絕光刻投影裝置中出現(xiàn)污染顆粒。這就是為什么每個光刻投影裝置都需要打開以使其在正常基座上進行清洗,這個過程非常耗時。
特別是在使用EUV輻射的光刻投影裝置中,打開光刻投影裝置非常耗時,因為它涉及對這種光刻投影裝置中建立的真空環(huán)境的破壞。在打開之后,需要重建真空環(huán)境,這可能要耗去24小時。另外,清洗處理是一個危險的過程。打開并清洗光刻投影裝置本身可能就是一個污染過程(例如,指印的污染)或者可能產(chǎn)生損壞部件。
如果還需要替換光刻投影裝置的損壞部件,就需要打開光刻投影裝置進行維護。這又會導(dǎo)致光刻投影裝置的污染或者損壞。
因而,維護過程(例如,清洗、替換、補充和/或修復(fù))可能是一個污染過程或者可能導(dǎo)致?lián)p壞。此外,維護過程本身和/或重建真空環(huán)境可能要花費較長時間。

發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明的一個目的是提供一種使維護過程所需時間最少以及使由于維護過程本身引起的污染和/或損壞最小的方法。根據(jù)本發(fā)明,通過開始的段落中所詳細說明的方法來實現(xiàn)該目的和其他目的,其特征在于-通過裝載閘將機器部件輸送出內(nèi)部空間,和-通過裝載閘將維護過的機器部件和單獨替換機器部件之一輸送到內(nèi)部空間。該方法不需要打開機器內(nèi)部,并且從而不會干擾機器內(nèi)部所保持的環(huán)境。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,該方法包括-在內(nèi)部空間外面清洗機器部件,使其成為所述維護過的機器部件,和-通過裝載閘將維護過的機器部件輸送到內(nèi)部空間。在不需要替換取出清洗的部件的情況下優(yōu)選采用這個方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,單獨替換的部件是一個潔凈的機器部件,并且它通過裝載閘輸送到內(nèi)部空間。在用備用部件替換從機器中取出的部件的情況下優(yōu)選采用這個方法。機器可以因部件替換而連續(xù)使用。這確保了更高的產(chǎn)量。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,可以通過連接系統(tǒng)將機器部件和機器連接和斷開。這種連接系統(tǒng)能夠精準地拾取和傳送機器部件。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,連接系統(tǒng)在連接和斷開過程中自對準。通過可以和對應(yīng)成形的槽連接的錐形突起形成這種自對準連接系統(tǒng)。這種自對準作用通過錐形實現(xiàn),并且即使突起相對于槽沒有完全對準時也能確保連接成功。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,機器部件是一個基底臺,其特征在于通過一個位移機構(gòu)將基底臺相對于卡盤移動。為了容易地拾取基底臺,可以使用這種位移機構(gòu)將基底臺相對于卡盤移動。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,相對于卡盤移動基底臺的步驟包括-移動銷和基底臺中的至少一個,其中銷在第一位置沿第一方向延伸穿過基底臺,移動沿基本上垂直于第一方向的第二方向進行,此時銷處于并不延伸穿過基底臺的第二位置;和-通過沿第一方向移動銷將基底臺相對于卡盤移動。
該方法提供一種簡單易行而且成本合算的方式從夾子接收和/或向夾子提供基底臺。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,采取旋轉(zhuǎn)的方式將銷和基底臺中至少一個沿第二方向移動。相對于基底臺旋轉(zhuǎn)銷(或者相反)是本發(fā)明一個節(jié)省空間的實施例。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,機器是光刻投影裝置。本方法可以有利地用于光刻工業(yè),因為光刻投影裝置包括保持低于環(huán)境壓力的內(nèi)部空間。這些裝置也非常昂貴,因此為了維護機器內(nèi)部而停止生產(chǎn)的成本很高。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,機器部件指的是用于夾住和松開基底的夾子和用于支撐基底的基底臺中的至少一個。將這些機器部件輸送進或者輸送出機器特別有益,因為這些機器部件和基底接觸,并且因此需要盡可能保持清潔。
根據(jù)另外一方面,本發(fā)明涉及一種裝置,它包括一個內(nèi)部空間,其中該內(nèi)部空間保持第一壓力并且通過裝載閘和具有第二壓力的環(huán)境分離,其特征在于,設(shè)置該裝置,以通過裝載閘將機器部件移出內(nèi)部空間,并且通過裝載閘將已維護的和單獨替換的機器部件之一接收載入內(nèi)部空間。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,該裝置是光刻投影裝置,它包括-用于提供投射光束的輻射系統(tǒng);-用于支撐構(gòu)圖裝置的支撐結(jié)構(gòu),該構(gòu)圖裝置用于根據(jù)所需圖案對投射光束進行構(gòu)圖;-用于保持基底的基底臺;和-用于將帶圖案的光束投射到基底的靶部上的投射系統(tǒng)。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,該裝置設(shè)置為在內(nèi)部空間的外清洗機器部件,使其成為所述的已維護的機器部件,并且通過裝載閘將已維護的機器部件輸送進內(nèi)部空間。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,單獨替換的部件是一個潔凈的機器部件,并且該裝置設(shè)置為通過裝載閘將單獨替換的部件輸送到內(nèi)部空間。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,可以通過一個連接系統(tǒng)將機器部件和機器連接或者斷開。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,連接系統(tǒng)在連接和斷開過程中自對準。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,機器部件是基底臺,并且還包括一個將基底臺相對于卡盤移動的位移機構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,位移機構(gòu)包括-一個銷,它可以在第一位置沿第一方向延伸穿過基底臺,通過銷沿第一方向的移動可以將基底臺相對于卡盤移動;和-一個移位機構(gòu),它將銷和基底臺中的至少一個沿基本上和第一方向垂直的第二方向移動,此時銷處于不延伸穿過基底臺的第二位置。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,采用旋轉(zhuǎn)方式將銷和基底臺中的至少一個沿第二方向移動。
盡管在本文中,具體地談到本發(fā)明所述的裝置用于制造ICs,但是應(yīng)該明確理解這些裝置可能具有其它應(yīng)用。例如,它可用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、液晶顯示板、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解,在這種可替換的用途范圍中,文中任何術(shù)語“劃線板”,“晶片”或者“電路小片(die)”的使用應(yīng)認為分別可以由更普通的術(shù)語“掩模”,“基底”和“靶部”代替。


下面將參照附圖僅用實例來描述本發(fā)明的實施例,附圖中對應(yīng)的標記表示對應(yīng)的部件,其中圖1示出一種根據(jù)本發(fā)明一個實施例的光刻投影裝置;圖2示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的光刻單元的示意性頂視圖,該光刻單元包括光刻投影裝置和軌道;圖3示意性地示出一種根據(jù)本發(fā)明一個實施例的裝載閘;圖4示意性地示出一種根據(jù)本發(fā)明一個實施例的裝載閘;圖5a和5b示意性地示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的基板臺;圖6a和6b示意性地示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的一種基底平臺的頂視圖;和圖7示意性地示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的基板臺的側(cè)視圖。
具體實施例方式
圖1示意性地示出一種根據(jù)本發(fā)明一個具體的實施例的光刻投影裝置1,該裝置包括-輻射系統(tǒng)Ex,IL,用于提供輻射投射光束PB(例如EUV輻射),在這種具體例子中,該輻射系統(tǒng)還包括一輻射源LA;-第一目標臺(掩模臺)MT,設(shè)有用于保持掩模MA(例如劃線板)的掩模保持器,并與用于將該掩模相對于物體PL精確定位的第一定位裝置PM連接;-第二目標臺(基底臺)WT,設(shè)有用于保持基底W(例如涂敷抗蝕劑的硅晶片)的基底保持器,并與用于將基底相對于物體PL精確定位的第二定位裝置PW連接;和-投射系統(tǒng)(“鏡頭”)PL(例如折射或折反射系統(tǒng)或者反射鏡組),用于將掩模MA的輻射部分成像在基底W的靶部C(例如包括一個或多個電路小片(die))上。
如這里指出的,該裝置屬于反射型(例如具有反射掩模)。可是,一般來說,它還可以是例如透射型(例如具有透射掩模)。另外,該裝置可以利用其它種類的構(gòu)圖部件,如上述涉及的程控反射鏡陣列型。
源LA(例如,汞燈、受激準分子激光器、圍繞存儲環(huán)或者同步加速器中的電子束路徑的波動器、產(chǎn)生激光的等離子體源或者離子束源)產(chǎn)生一輻射束。該光束直接或橫穿過如擴束器Ex的調(diào)節(jié)裝置后,再照射到照射系統(tǒng)(照射器)IL上。照射器IL包括調(diào)節(jié)裝置AM,用于設(shè)定光束強度分布的外和/或內(nèi)徑向量(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。另外,它一般包括各種其它組件,如積分器IN和聚光器CO。按照這種方式,照射到掩模MA上的光束PB在其橫截面具有理想的均勻度和強度分布。
應(yīng)該注意,圖1中的輻射源LA可以置于光刻投影裝置的殼體中(例如當輻射源LA是汞燈時經(jīng)常是這種情況),但也可以遠離光刻投影裝置,其產(chǎn)生的輻射光束被(例如通過合適的定向反射鏡的幫助)引導(dǎo)至該裝置中;當光源LA是準分子激光器時通常是后面的那種情況。本發(fā)明和權(quán)利要求包含這兩種方案。
隨后,光束PB截取被保持在掩模臺MT中的掩模MA。橫穿掩模MA后,光束PB通過將光束PB聚焦到基底W的靶部C上的透鏡PL。在第二定位裝置(和干涉測量裝置IF)的輔助下,基底臺WT可以精確地移動,例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。類似的,例如在從掩模庫中機械取出掩模MA后或在掃描期間,可以使用第一定位裝置PM將掩模MA相對光束PB的光路進行精確定位。一般地,用圖1中未明確顯示的長沖程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位),可以實現(xiàn)目標臺MT、WT的移動??墒?,在晶片分檔器中(與分步掃描裝置相對),掩模臺MT可與短沖程致動裝置連接,或者固定。使用掩模對準標記M1,M2和基底對準標記P1,P2,可以對準掩模MA和基底W。
所示的裝置可以按照二種不同模式使用1.在步進模式中,掩模臺MT基本保持不動,整個掩模圖像被一次投射(即單“閃”)到靶部C上。然后基底臺WT沿x和/或y方向移動,以使不同的靶部C能夠由光束PB照射。
2.在掃描模式中,基本為相同的情況,但是所給的靶部C沒有暴露在單“閃”中。取而代之的是,掩模臺MT沿給定的方向(所謂的“掃描方向,例如y方向”)以速度v移動,以使投射光束PB掃描整個掩模圖像;同時,基底臺WT沿相同或者相反的方向以速度V=Mv同時移動,其中M是鏡頭PL的放大率(通常M=1/4或1/5)。在這種方式中,可以曝光相當大的靶部C而沒有犧牲分辨率。
圖2示出光刻單元中基底W處理過程的示意圖。圖2所示的光刻單元包括兩個主要部件軌道10和如圖1所示的光刻投影裝置1?;譝可以通過裝載閘LL從軌道10移到光刻投影裝置1,反之亦然,圖2中示出這兩個部件。如下所述,這種裝載閘LL用于克服軌道10和光刻投影裝置1之間的壓力差。
基底W放置在所謂的處理位置21上,圖2中示出了八個這種處理位置。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所公知的,在這些處理位置21中,可將基底W進行涂覆處理,也可以進行其他處理。這種處理位置21設(shè)有支撐基底W的支撐結(jié)構(gòu)(未示出)。
可以通過位于軌道10中的第一機械手(handler)30將基底W從處理位置21取出。這種機械手30可以包括由不同的臂狀部件形成的臂裝置(armset)31,各個臂狀部件能夠相對旋轉(zhuǎn)。臂裝置31的端部裝有一個夾子32,如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所公知的,它能夠夾住和松開基底W。第一機械手30從處理位置21拾取基底W并將其傳送到裝載閘LL。
位于光刻投影裝置1中的第二機械手30’在裝載閘LL的另一邊拾取基底W并在光刻投影裝置1內(nèi)將其輸送。第二機械手30’可以將基底W移送到預(yù)定位器50和/或基底平臺60,如下面參照圖4所進一步描述的,該基底平臺包括基底臺WT。預(yù)定位器50用于例如相對于第二機械手30’精確控制基底W的位置。僅當基底W相對于第二機械手30’的相對位置已知時,第二機械手30’才能夠?qū)⒒譝精確定位于基底平臺60上。預(yù)定位器50通常設(shè)有一個支撐結(jié)構(gòu)以支撐基底W,即一個基底臺。為了在曝光和/或?qū)蔬^程中移動基底W,可以定位基底平臺60(如箭頭T所示)。
為了產(chǎn)生日益減小的圖案,使用具有日益減小的波長的輻射將圖案投射到基底W上,例如使用EUV輻射。然而,EUV輻射不能透過包括玻璃在內(nèi)的物質(zhì),所以使用EUV輻射的光刻投影裝置保持真空環(huán)境Pvac,而在軌道10中可以保持更高的壓力例如環(huán)境壓力Penv。因此,通過裝載閘LL將掩模MA、基底W和/或這些部件移入或者移出光刻投影裝置1。
圖3示出裝載閘LL的示意性視圖。裝載閘LL由封閉一個內(nèi)部空間的壁形成。裝載閘LL還包括兩個門,第一個門13正對光刻投影裝置1,第二個門14正對軌道10。當兩個門13、14都關(guān)閉時,可以通過例如對裝載閘LL抽氣或者排氣的方式調(diào)整裝載閘LL內(nèi)的壓力。圖3還示出了放置在裝載閘內(nèi)的基底W。裝載閘可選地包括一個中間板(intermediate floor)15,這樣,基底W可以放置在中間板15上,或者可以放置在裝載閘LL的底部。
當裝載閘LL獲得真空環(huán)境Pvac時,可以將第一個門13打開,例如,可以通過第二機械手30’將基底W傳送到光刻投影裝置中或者從光刻投影裝置1中收集基底W。在第一個門13關(guān)閉之后,可以將裝載閘LL排氣直到獲得環(huán)境壓力Penv。然后可以打開第二個門14,通過第一機械手30將基底W傳送到軌道10中或者從軌道10中收集基底W。
如上所述,不能夠完全杜絕污染顆粒的產(chǎn)生。因此需要在正?;?regularbasis)內(nèi)或者按照要求對光刻投影裝置1進行維護。這通常意味著在適當?shù)膱龊闲枰獙⒐饪掏队把b置打開,并且破壞真空環(huán)境。重建真空環(huán)境要花費很長時間。另外,維護過程本身也可能是一個污染過程或者可能導(dǎo)致?lián)p壞。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,如上所述,可以給上述維護過程提供另一個可選的辦法。代替打開光刻投影裝置1并且可能因此破壞真空環(huán)境的這種方式,以一種方式設(shè)置光刻投影裝置1的部件,使得可以通過裝載閘LL從光刻投影裝置1中將它們拆卸。這可能需要使用上述現(xiàn)有的裝載閘LL完成,但是可以理解,這也可以使用特別為此設(shè)計的裝載閘LL來完成,例如具有更大的尺寸的裝載閘。
因此,可以在不打開光刻投影裝置1的情況下,將部件從光刻投影裝置1取出并維護(例如,清洗、補充或者修復(fù))。在維護過程中,可通過裝載閘LL將部件用另外的替換部件替換(例如,新的或者以前已維護過的但是不同的部件)。因而,光刻投影裝置1能夠因替換部件而繼續(xù)工作,同時拆卸的部件得到維護。當然,在維護期間替換部件不是必須的。但是,如果維護期間不進行部件替換,光刻投影裝置1就會出現(xiàn)運行故障。
優(yōu)選取出的光刻投影裝置1的機器部件是在上述處理期間與基底W或者掩模MA有接觸表面的部件。在一個實施例中,通過上述方法將夾子32’和基底臺WT從光刻投影裝置1中取出??梢岳斫?,其他機器部件例如消耗部件或者可能損壞或容易損壞的部件,可以通過上述方法從光刻投影裝置1取出。
圖4示出第二機械手30’的一部分,該機械手將夾子32’傳送到裝載閘LL。利用設(shè)置在臂裝置31’上的兩個突起34,將夾子32’和第二機械手30’的壁裝置31’連接起來。突起和夾子32’上對應(yīng)的槽接合,顯然,突起可以設(shè)置在夾子32’上,并且槽設(shè)置在臂裝置31’上??梢岳酶鞣N機構(gòu)將部件保持在一起,例如電力或者磁力??梢岳斫猓€可以使用其他系統(tǒng)連接夾子32’和臂裝置31’。第二機械手30’將夾子32’提供給中間板15。
通過第二機械手30’可將設(shè)置在裝載閘板上的第二夾子32’取出。優(yōu)選以這種方式選擇突起34和槽33的形狀,使其可以達到自對準效果。這意味著即使當臂裝置接近第二夾子32”時突起34和槽33沒有完全對準,但由于槽33的形狀,突起34仍然會進入槽33中,而且將導(dǎo)入理想位置。
可以對基底臺WT實行類似的處理?;着_WT因此可從基底平臺60上拆卸下來。在一個實施例中,可以從支撐基底臺的卡盤上將支撐并與基底接觸的基底臺部分移開,這樣,夾子能夠?qū)⒒着_從基底平臺上移開或者將基底臺提供給基底平臺。這種設(shè)置的一個有利之處在于可以不需要專用的連接系統(tǒng);夾子可以很方便地夾持基底臺而將其從卡盤上升高或者降低到卡盤上??梢杂萌魏窝b置來移動(離開或者向著卡盤)基底臺,包括,不受限制的專用致動裝置、可釋放彈簧結(jié)構(gòu)等。下面參照圖5a、5b、6a和6b描述這種基底臺移動機構(gòu)的實施例??蛇x擇地,基底臺是可釋放的但不從卡盤上移開。在這種情況下,為了將夾子連接到基底臺上,基底臺可能具有某些形式的連接系統(tǒng)。夾子為從軌道到基底臺和從基底臺到軌道的移動提供便利。以下參照圖7描述這種連接系統(tǒng)的一個實施例。
圖5a示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的基底平臺60的側(cè)視圖?;灼脚_60包括一個卡盤61和一個基底臺WT?;灼脚_60還設(shè)有優(yōu)選三個或者更多個銷63(僅僅示出兩個)。銷63沿基本上垂直的方向上延伸穿過卡盤61和基底工作臺WT上的開口,并可以在基本上垂直的方向上移動,如箭頭所示。從圖5可以看出,基底臺WT上的開口比卡盤61上的開口直徑稍小。正如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所能理解的一樣,銷63一般用于支撐來自夾子32’的基底W,將基底W降低到基底臺WT并且將基底W從基底臺WT上升高,反之亦然。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,銷63還可以用于從卡盤舉起基底臺WT。可以將銷63水平移動一位移,使得它不再與基底臺WT上的開口對準。可選擇地或者另外,可通過一個移位機構(gòu)來水平地移動基底臺WT本身。因為基底臺WT上的開口比卡盤61上的開口直徑稍小,所以可以完成這種操作,從圖5b中可以看出。如果在基本垂直的方向上移動銷63,它們將基底臺WT從卡盤61上升高。然后,夾子32能將基底臺WT從銷63上取出,并進一步將其輸送到例如裝載閘LL。
圖6a和6b示出使用銷63從卡盤61上舉起基底臺WT的另一個實施例。圖6a示出基底臺WT的頂視圖,示出了三個開口,通過這三個開口,銷63可以在基本上垂直的方向上移動。為了將基底臺WT舉起,應(yīng)當以這種方式移動銷63,使得它們不再和基底臺WT上的開口對準。圖6b示出,通過移位機構(gòu)將銷63旋轉(zhuǎn),可以容易地實現(xiàn)這個目的。當然,可選地或者另外,也可以通過移位機構(gòu)將基底臺WT旋轉(zhuǎn)。
在圖5和圖6的實施例中,將這個過程反過來,使得可將基底臺WT輸送到基底平臺60上,并通過銷63將其降低到卡盤61上。
根據(jù)圖7所示的另一個實施例,夾子32’上設(shè)置了突起34,并且基底臺WT上設(shè)置了槽33,或者反之。突起34和槽33與圖4所討論的類似。然后,夾子32’能夠和基底臺WT接合,并且能夠容易地將基底臺WT升高或者降低。
雖然上面描述了本發(fā)明一些特殊的實施例,但可以理解,本發(fā)明可以采用不同于上述內(nèi)容的方法來實施。本發(fā)明不受上述內(nèi)容限制。
權(quán)利要求
1.一種對設(shè)置在機器(1)內(nèi)部空間(11)的機器部件進行維護的方法,其中內(nèi)部空間(11)保持第一壓力(Pvac)并且通過裝載閘(LL)和具有第二壓力(Penv)的環(huán)境隔離,其特征在于-通過裝載閘(LL)將機器部件(32,WT)輸送出內(nèi)部空間(11)并且-通過裝載閘(LL)將已維護的機器部件和單獨替換的機器部件中的一個輸送進內(nèi)部空間(11)。
2.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于-在所述內(nèi)部空間(11)的外面清洗機器部件(32,WT),使其成為所述的已維護的機器部件(32,WT)并且-通過該裝載閘(LL)將已維護的機器部件(32,WT)輸送進內(nèi)部空間(11)。
3.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于所述單獨替換的部件(WT,32)是一個潔凈的機器部件(WT,32),并且通過裝載閘(LL)將這個單獨替換的機器部件輸送進內(nèi)部空間(11)。
4.一種根據(jù)前面任一權(quán)利要求所述的方法,其中可以通過一個連接系統(tǒng)將該機器部件(32,WT)從該機器(1)上連接或者斷開。
5.一種根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中該連接系統(tǒng)(33,34)在連接和斷開過程中是自對準的。
6.一種根據(jù)前面任一權(quán)利要求所述的方法,其中該機器部件是基底臺,并且其特征在于,通過位移機構(gòu)將基底臺相對于卡盤移動。
7.一種根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中相對于卡盤移動基底臺的步驟包括-沿基本上垂直于第一方向的第二方向移動銷(63)和基底臺中的至少一個,其中銷在第一位置沿第一方向延伸穿過基底臺,此時銷處于并不延伸穿過基底臺的第二位置;和-通過沿第一方向移動銷將基底臺相對于卡盤移動。
8.一種根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中采取旋轉(zhuǎn)的方式將銷和基底臺中的至少一個沿第二方向移動。
9.一種根據(jù)前面任一權(quán)利要求所述的方法,其中所述機器(1)是光刻投影裝置。
10.一種根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中該機器部件(32,WT)是用于夾住和松開基底(W)的夾子(32)和用于支撐基底(W)的基底臺(WT,60)中的至少一個。
11.一種裝置,包括內(nèi)部空間(11),其中該內(nèi)部空間(11)保持第一壓力(Pvac)并且通過裝載閘(LL)和具有第二壓力(Penv)的環(huán)境隔離,其特征在于,該裝置設(shè)置為通過裝載閘(LL)將機器部件(WT,32)移出該內(nèi)部空間(11)并且通過裝載閘(LL)載入該內(nèi)部空間(11)接受已維護的機器部件(32,WT)和單獨替換的機器部件中的一個。
12.一種根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置,其中該裝置是光刻投影裝置(1),它包括-用于提供投射光束(PB)的輻射系統(tǒng)(Ex,IL);-用于支撐構(gòu)圖裝置(MA)的支撐結(jié)構(gòu)(MT),該構(gòu)圖裝置(MA)用于根據(jù)所需圖案對投射光束(PB)進行構(gòu)圖;-用于保持基底(W)的基底臺(WT);和-用于將帶圖案的光束(PB)投射到該基底(W)的靶部(C)上的投射系統(tǒng)(PL)。
13.一種根據(jù)權(quán)利要求11或者權(quán)利要求12所述的裝置,其中該裝置設(shè)置為在內(nèi)部空間(11)的外面清洗機器部件(32,WT),使其成為所述已維護的機器部件(32,WT),并且通過裝載閘(LL)將已維護的機器部件(32,WT)輸送進內(nèi)部空間(11)。
14.一種根據(jù)權(quán)利要求11或者權(quán)利要求12所述的裝置,其中所述單獨替換的部件(WT,32)是一個潔凈的機器部件(WT,32),并且該裝置設(shè)置為通過裝載閘(LL)將這個單獨替換的機器部件輸送進內(nèi)部空間(11)。
15.一種根據(jù)權(quán)利要求11-14之一所述的裝置,其中可以通過一個連接系統(tǒng)將該機器部件(32,WT)從該機器(1)上連接或者斷開。
16.一種根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置,其中該連接系統(tǒng)(33,34)在連接和斷開過程中是自對準的。
17.一種根據(jù)權(quán)利要求11-16之一所述的裝置,其中該機器部件是基底臺,并且還包括將基底臺相對于卡盤移動的位移機構(gòu)。
18.一種根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中所述位移機構(gòu)包括-銷(63),它在第一位置沿第一方向延伸穿過基底臺,能夠通過銷沿第一方向的移動將基底臺相對于卡盤移動;和-移位機構(gòu),它將銷和基底臺中的至少一個沿基本上和第一方向垂直的第二方向移動,此時銷處于不延伸穿過基底臺的第二位置。
19.一種根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置,其中采取旋轉(zhuǎn)的方式將所述銷(63)和基底臺(WT)至少之一沿第二方向移動。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種維護機器部件的方法,該機器部件設(shè)置在機器(1)的內(nèi)部空間(11),其中該內(nèi)部空間(11)保持第一壓力(P
文檔編號H01L21/677GK1530754SQ20041003268
公開日2004年9月22日 申請日期2004年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月11日
發(fā)明者P·J·M·范格魯斯, P J M 范格魯斯 申請人:Asml荷蘭有限公司
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