范圍內(nèi)，則確定所述測(cè)試點(diǎn)不存在缺陷；如果所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍夕卜，則確定所述測(cè)試點(diǎn)存在缺陷。可以通過(guò)遍歷每個(gè)測(cè)試點(diǎn)，從而確定存在缺陷的各測(cè)試點(diǎn)，也可以在得到各個(gè)測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)之后，進(jìn)行并行判斷，也即并行判斷各測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)是否位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍內(nèi)，從而確定存在缺陷的各測(cè)試點(diǎn)。
[0043]在步驟140之前，還包括:在垂直于參考復(fù)合絕緣子軸線的平面與所述參考復(fù)合絕緣子相交的第三預(yù)設(shè)數(shù)量的圓周上，統(tǒng)計(jì)各圓周上第四設(shè)定數(shù)量的等分點(diǎn)對(duì)應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)，得到所述預(yù)設(shè)電壓偏差范圍。
[0044]其中，參考復(fù)合絕緣子為無(wú)缺陷的復(fù)合絕緣子。
[0045]本實(shí)施例的技術(shù)方案，將微波源產(chǎn)生的高頻微波傳導(dǎo)至待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面的測(cè)試點(diǎn)，高頻微波在待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面的測(cè)試點(diǎn)處發(fā)生折射和反射，通過(guò)判斷測(cè)試點(diǎn)的反射波對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)是否位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍內(nèi)，可以檢測(cè)測(cè)試點(diǎn)是否存在缺陷。由于復(fù)合絕緣子采用非金屬材料，而高頻微波在非金屬材料中穿透能力強(qiáng)，不需要表面接觸、不需要耦合劑，基于反射波即可實(shí)現(xiàn)復(fù)合絕緣子內(nèi)部缺陷的無(wú)損檢測(cè)，提高了檢測(cè)的便捷性和應(yīng)用范圍；由于測(cè)量結(jié)果不依賴(lài)于外界環(huán)境的溫度、濕度和日照情況，提高了檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性。
[0046]進(jìn)一步優(yōu)選地，在根據(jù)所述反射波，得到所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)之后，所述方法還可以包括:
[0047]對(duì)所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)進(jìn)行低頻放大處理；
[0048]相應(yīng)地，判斷所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)是否位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍內(nèi)，并根據(jù)判斷結(jié)果確定所述測(cè)試點(diǎn)是否存在缺陷，具體為:
[0049]判斷經(jīng)低頻放大處理后的所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)是否位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍內(nèi)，并根據(jù)判斷結(jié)果確定所述測(cè)試點(diǎn)是否存在缺陷。
[0050]低頻放大器的放大倍數(shù)可以為50至100倍，放大前的信號(hào)是幾十毫伏的數(shù)量級(jí)，容易受到雜散信號(hào)的干擾，一定程度上影響了反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)的提取，而通過(guò)低頻放大器放大后，減小了雜散信號(hào)的干擾，有利于提取反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)。
[0051 ] 下面通過(guò)實(shí)例進(jìn)行說(shuō)明。
[0052]首先，在無(wú)缺陷的參考復(fù)合絕緣子表面選取測(cè)試點(diǎn)，測(cè)試點(diǎn)分布在該參考復(fù)合絕緣子表面無(wú)傘裙位置的5個(gè)圓周上，具體為在垂直于參考復(fù)合絕緣子軸線的平面與所述參考復(fù)合絕緣子相交的5個(gè)圓周上，并在每個(gè)圓周上選取24個(gè)等分點(diǎn)作為測(cè)試點(diǎn)，從而得到120個(gè)測(cè)試點(diǎn)。
[0053]通過(guò)直流電源為微波源提供6V直流電壓，控制微波源產(chǎn)生頻率為24GHz的高頻微波，通過(guò)依次將探頭接觸到各圓周上的24個(gè)測(cè)試點(diǎn)，將產(chǎn)生的高頻微波傳導(dǎo)至參考復(fù)合絕緣子表面的相應(yīng)測(cè)試點(diǎn)，分別統(tǒng)計(jì)每個(gè)圓周上24個(gè)測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)，得到預(yù)設(shè)電壓偏差范圍。
[0054]請(qǐng)參閱圖lb，橫坐標(biāo)為5個(gè)測(cè)試圓周，縱坐標(biāo)為每個(gè)圓周上24個(gè)測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)的讀數(shù)值，單位為伏，可以得到，每個(gè)圓周上24個(gè)測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)的讀數(shù)值極差分布在0.9V范圍內(nèi)，根據(jù)實(shí)際需要，可以對(duì)該極差范圍留出一定的裕度，例如將極差范圍調(diào)整為IV，將無(wú)缺陷位置對(duì)應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)的平均值作為參考值原點(diǎn)，從而得到預(yù)設(shè)電壓偏差范圍為該平均值±0.5V，換言之，預(yù)設(shè)電壓偏差范圍就是在無(wú)缺陷位置對(duì)應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)的平均值附近的±0.5V的范圍內(nèi)波動(dòng)，波動(dòng)偏差可以設(shè)定為100%，即某個(gè)測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)的讀數(shù)值相對(duì)于平均值偏移IV以上時(shí)可以判定該測(cè)試點(diǎn)處或?qū)?yīng)的內(nèi)部有缺陷存在。
[0055]實(shí)例I
[0056]本實(shí)例中，待測(cè)試復(fù)合絕緣子內(nèi)人為制造了一系列直徑為Imm的氣孔缺陷，沿該待測(cè)試復(fù)合絕緣子一個(gè)圓周表面檢測(cè)了 24個(gè)測(cè)試點(diǎn)，控制微波源產(chǎn)生頻率為24GHz的高頻微波，并將產(chǎn)生的高頻微波傳導(dǎo)至該待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面的24個(gè)測(cè)試點(diǎn)；獲取各測(cè)試點(diǎn)的反射波，得到各測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)，如圖1c所示，其中，橫坐標(biāo)為測(cè)試點(diǎn)位置，縱坐標(biāo)為各測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)，可知，無(wú)缺陷位置的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)分布在4.0V±0.6V的范圍內(nèi)，無(wú)缺陷位置的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)的平均值為4.0V,預(yù)設(shè)電壓偏差范圍為4.0V±0.6V，波動(dòng)偏差設(shè)定為100%，即測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)的讀數(shù)值相對(duì)于平均值偏移1.2V以上時(shí)可以判定內(nèi)部有缺陷存在，本實(shí)例中，有缺陷的位置的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)相對(duì)于平均值超出了大約1.8V，大于1.2V，所以判定有缺陷，實(shí)際也的確存在缺陷。
[0057]其中，有內(nèi)部缺陷的情況，測(cè)試點(diǎn)的反射波的電壓強(qiáng)度信息與平均值的偏移越大，則缺陷越大。
[0058]實(shí)例2
[0059]本實(shí)例中，待測(cè)試復(fù)合絕緣子為取自嶺深乙線N46塔中的復(fù)合絕緣子，沿該待測(cè)試復(fù)合絕緣子一個(gè)圓周表面檢測(cè)了 24個(gè)測(cè)試點(diǎn)，控制微波源產(chǎn)生頻率為24GHz的高頻微波，并將產(chǎn)生的高頻微波傳導(dǎo)至該待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面的24個(gè)測(cè)試點(diǎn)；獲取各測(cè)試點(diǎn)的反射波，得到各測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)，如圖1d所示，其中，橫坐標(biāo)為測(cè)試點(diǎn)位置，縱坐標(biāo)為各測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)，可知，大部分位置的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)分布在6.9V±0.5V的范圍內(nèi)，因此無(wú)缺陷位置的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)的平均值為6.9V，預(yù)設(shè)電壓偏差范圍為6.9V±0.5V，波動(dòng)偏差設(shè)定為100%，即測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)的讀數(shù)值相對(duì)于平均值偏移1.0V以上時(shí)可以判定內(nèi)部有缺陷存在，本實(shí)例中，在測(cè)試點(diǎn)17和測(cè)試點(diǎn)18的位置，反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)有一個(gè)明顯的尖峰，其讀數(shù)偏離平均值1.1V，超過(guò)了 1.0V，檢測(cè)結(jié)果為測(cè)試點(diǎn)17和測(cè)試點(diǎn)18位置處有缺陷。圖1e為本發(fā)明實(shí)施例一提供的實(shí)例2中待測(cè)試復(fù)合絕緣子沿測(cè)試圓周解剖形成的解剖截面圖，可以看到芯棒左下角的位置(對(duì)應(yīng)于測(cè)試點(diǎn)17和測(cè)試點(diǎn)18)有一個(gè)電流燒蝕形成的界面損傷，經(jīng)過(guò)測(cè)量，其深度大約為0.4_，也即測(cè)試點(diǎn)17和測(cè)試點(diǎn)18的位置確實(shí)存在缺陷。
[0060]需要說(shuō)明的是，由于不同型號(hào)的復(fù)合絕緣子對(duì)應(yīng)不同尺寸的護(hù)套厚度和芯棒直徑，但是不同型號(hào)的復(fù)合絕緣子對(duì)應(yīng)的護(hù)套厚度和芯棒直徑的差異不會(huì)特別大，而且不同廠家生產(chǎn)的復(fù)合絕緣子的配方成分不完全一樣，所以本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)方法中平均值和平均值附近的波動(dòng)范圍不能脫離具體復(fù)合絕緣子而確定，需要在型號(hào)相同的同一批絕緣子上測(cè)試多次才能確定。不過(guò)從大量實(shí)驗(yàn)來(lái)看，預(yù)設(shè)電壓偏差范圍為大致都是在無(wú)缺陷位置的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)的平均值的±0.5或±0.6V以?xún)?nèi)，沒(méi)有波動(dòng)太大的。
[0061]實(shí)施例二
[0062]請(qǐng)參閱圖2，為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0063]該檢測(cè)設(shè)備包括:供電電源210、微波源220、波導(dǎo)管230、定向耦合器240、微波檢測(cè)器250和數(shù)據(jù)采集卡260。
[0064]其中，供電電源210用于為微波源220提供直流工作電壓；微波源220與所述供電電源210連接，用于根據(jù)所述供電電源210提供的直流工作電壓，產(chǎn)生高頻微波；波導(dǎo)管230用于將所述微波源220產(chǎn)生的高頻微波傳導(dǎo)至待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面的測(cè)試點(diǎn)，還用于傳導(dǎo)所述測(cè)試點(diǎn)的反射波；定向耦合器240設(shè)置在所述波導(dǎo)管230中，用于分離提取所述波導(dǎo)管中的所述反射波，并將分離提取的反射波發(fā)送至微波檢測(cè)器250 ;微波檢測(cè)器250與所述定向耦合器240連接，用于從所述定向耦合器240接收分離提取的所述反射波，轉(zhuǎn)換為所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)；數(shù)據(jù)采集卡260與所述微波檢測(cè)器250連接，用于從所述微波檢測(cè)器250采集所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)，并將所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)發(fā)送至處理器，以使處理器判斷所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)是否位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍