一種檢測(cè)8英寸拋光片痕量元素的檢測(cè)方法
【專利摘要】本發(fā)明創(chuàng)造提供一種檢測(cè)8英寸拋光片痕量元素的檢測(cè)方法，該檢測(cè)方法首先通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光的方法制備8英寸拋光片；然后通過(guò)X熒光光譜儀檢測(cè)硅拋光片中的痕量元素并進(jìn)行數(shù)據(jù)分析；最終得出各痕量元素的種類和含量。本發(fā)明創(chuàng)造具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是：采用半導(dǎo)體制造技術(shù)企業(yè)常用設(shè)備全反射X熒光光譜儀對(duì)8英寸拋光片痕量元素，不需要復(fù)雜的樣品前期處理過(guò)程，測(cè)定步驟簡(jiǎn)單，高效快速，檢測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確度高，有著廣闊的應(yīng)用前景。
【專利說(shuō)明】一種檢測(cè)8英寸拋光片痕量元素的檢測(cè)方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明創(chuàng)造屬于半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種檢測(cè)8英寸拋光片痕量元素的檢測(cè)方法。

【背景技術(shù)】
[0002]伴隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，電子器件正朝著高速度化，高集成度，高密度，高性能的方向發(fā)展。由于作為襯底的硅材料的直徑逐漸增大、超大規(guī)模集成電路的特征尺寸逐漸降低以及集成度逐漸提高等因素，對(duì)于硅片質(zhì)量的要求越來(lái)越高。
[0003]眾所周知，一些痕量元素對(duì)半導(dǎo)體的影響很大，例如一些深能級(jí)的金屬雜質(zhì)，這些雜質(zhì)可能很快在硅中擴(kuò)散，并起到復(fù)合中心的作用，嚴(yán)重影響少子壽命；這些雜質(zhì)也可能本身產(chǎn)生缺陷，并易于缺陷絡(luò)合，影響材料和器件的性能。因此，掌握一種能夠快速準(zhǔn)確的檢測(cè)8英寸拋光片中的痕量元素的檢測(cè)方法，對(duì)于提高硅拋光片的質(zhì)量，有著非常重要的作用。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明創(chuàng)造要解決的問(wèn)題是提供一種應(yīng)用全反射X熒光光譜儀檢測(cè)8英寸拋光片痕量元素的檢測(cè)方法。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明創(chuàng)造采用的技術(shù)方案是:1、一種檢測(cè)8英寸拋光片痕量元素的檢測(cè)方法，所述檢測(cè)方法包括如下步驟:
[0006]步驟一:在拋光設(shè)備中對(duì)8英寸硅片依次進(jìn)行邊緣拋光、粗拋光、精拋光工序，制備8英寸硅拋光片；
[0007]步驟二:將8英寸硅拋光片放置于全反射X熒光光譜儀中；
[0008]步驟三:在8英寸硅拋光片上隨機(jī)選取若干測(cè)試點(diǎn)；
[0009]步驟四:通過(guò)全反射X熒光光譜儀依次檢測(cè)8英寸硅拋光片上各測(cè)試點(diǎn)各痕量元素的熒光強(qiáng)度值。
[0010]優(yōu)選地，所述測(cè)試點(diǎn)數(shù)量不小于5個(gè)。
[0011 ] 優(yōu)選地，所述測(cè)試點(diǎn)的選取方法為隨機(jī)選取。
[0012]優(yōu)選地，所述測(cè)試點(diǎn)的選取方法為，首先在8英寸硅拋光片邊緣上均勻選取若干測(cè)試點(diǎn)，再在8英寸硅拋光片上均勻選取若干測(cè)試點(diǎn)。
[0013]優(yōu)選地，單個(gè)所述測(cè)試點(diǎn)的測(cè)試時(shí)間20?30min。
[0014]本發(fā)明創(chuàng)造具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是:采用半導(dǎo)體制造技術(shù)企業(yè)常用設(shè)備全反射X熒光光譜儀對(duì)8英寸拋光片痕量元素，檢測(cè)方法簡(jiǎn)單，同時(shí)全反射X熒光光譜儀的檢測(cè)速度非常快，縮短了檢測(cè)時(shí)間，采用該方法檢測(cè)能夠精確檢測(cè)痕量元素的種類及含量，同時(shí)檢測(cè)時(shí)間短，檢測(cè)成本低，提高了檢測(cè)效率。

【具體實(shí)施方式】
[0015]一種檢測(cè)8英寸拋光片痕量元素的檢測(cè)方法，所述檢測(cè)方法包括如下步驟:步驟一:在拋光設(shè)備中進(jìn)行8英寸硅拋光片的制備；步驟二:將8英寸硅拋光片放置于全反射X熒光光譜儀中；步驟三:在8英寸硅拋光片上確定測(cè)試點(diǎn)，所述測(cè)試點(diǎn)數(shù)量不小于5個(gè)，單個(gè)所述測(cè)試點(diǎn)的測(cè)試時(shí)間20?30min ;步驟四:通過(guò)全反射X熒光光譜儀依次檢測(cè)各測(cè)試點(diǎn)痕量元素的種類及含量。
[0016]X射線熒光光譜儀的原理是:X射線照到樣品上激發(fā)樣品中的原子，使原子激發(fā)出具有特征能量和波長(zhǎng)的二次射線，然后收集和分析這些二次射線的能量和強(qiáng)度，可以確定樣品中各種元素的種類和含量。不同元素激發(fā)出的二次射線的能量和波長(zhǎng)不同，可據(jù)此來(lái)分析二次射線為何種元素發(fā)出的，進(jìn)行元素種類的定性分析。同時(shí)，二次射線的強(qiáng)度跟某一元素在樣品中的含量有關(guān)，因此，通過(guò)強(qiáng)度的測(cè)量可進(jìn)行某種元素的定量分析。
[0017]實(shí)施例:
[0018]步驟一:采用不二越公司生產(chǎn)的拋光機(jī)制備8英寸硅拋光片樣品，待用；步驟二:將8英寸硅拋光片樣品放入全反射X熒光光譜儀中；步驟三:采用隨機(jī)選點(diǎn)法選擇至少5個(gè)測(cè)試點(diǎn)；步驟四:通過(guò)全反射X熒光光譜儀依次檢測(cè)8英寸硅拋光片上各測(cè)試點(diǎn)各痕量元素的熒光強(qiáng)度值，單個(gè)測(cè)試點(diǎn)時(shí)間為20至30分鐘。
[0019]全反射X熒光光譜分析儀利用全反射技術(shù)，使樣品熒光的雜散本底比X射線熒光光譜儀降低了約4個(gè)量級(jí)，從而大大增強(qiáng)了能量分辨率和檢測(cè)的靈敏度和精確度，同時(shí)，全反射X熒光光譜儀是半導(dǎo)體制造技術(shù)中常用到的檢測(cè)儀器，一般的半導(dǎo)體制造技術(shù)公司都配備有此設(shè)備，因此，用全反射X熒光光譜分析儀檢測(cè)8英寸硅拋光片中的痕量元素，檢測(cè)時(shí)間短，檢測(cè)成本低，提高了檢測(cè)效率。
[0020]以上對(duì)本發(fā)明創(chuàng)造的一個(gè)實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但所述內(nèi)容僅為本發(fā)明創(chuàng)造的較佳實(shí)施例，不能被認(rèn)為用于限定本發(fā)明創(chuàng)造的實(shí)施范圍。凡依本發(fā)明創(chuàng)造申請(qǐng)范圍所作的均等變化與改進(jìn)等，均應(yīng)仍歸屬于本發(fā)明創(chuàng)造的專利涵蓋范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種檢測(cè)8英寸拋光片痕量元素的檢測(cè)方法，其特征在于:所述檢測(cè)方法包括如下步驟: 步驟一:在拋光設(shè)備中對(duì)8英寸硅片依次進(jìn)行邊緣拋光、粗拋光、精拋光工序，制備8英寸娃拋光片； 步驟二:將8英寸硅拋光片放置于全反射X熒光光譜儀中； 步驟三:在8英寸硅拋光片上選取若干測(cè)試點(diǎn)； 步驟四:通過(guò)全反射X熒光光譜儀依次檢測(cè)8英寸硅拋光片上各測(cè)試點(diǎn)各痕量元素的熒光強(qiáng)度值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種檢測(cè)8英寸拋光片痕量元素的檢測(cè)方法，其特征在于:所述測(cè)試點(diǎn)數(shù)量不小于5個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種檢測(cè)8英寸拋光片痕量元素的檢測(cè)方法，其特征在于:所述測(cè)試點(diǎn)的選取方法為隨機(jī)選取。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種檢測(cè)8英寸拋光片痕量元素的檢測(cè)方法，其特征在于:所述測(cè)試點(diǎn)的選取方法為，首先在8英寸硅拋光片邊緣上均勻選取若干測(cè)試點(diǎn)，再在8英寸娃拋光片上均勻選取若干測(cè)試點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種檢測(cè)8英寸拋光片痕量元素的檢測(cè)方法，其特征在于:單個(gè)所述測(cè)試點(diǎn)的測(cè)試時(shí)間20?30min。
【文檔編號(hào)】G01N23/223GK104390993SQ201410659999
【公開(kāi)日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年11月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月18日
【發(fā)明者】王丹, 王廣勇, 李諾, 尼志超, 張晉會(huì) 申請(qǐng)人:天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司