玻璃襯底的工藝方法
【專利摘要】本發(fā)明提供玻璃襯底的工藝方法，其包括以下步驟：氧化步驟，向所述反應腔室內通入氧氣，并開啟激勵電源，或者同時開啟偏壓電源，以對玻璃襯底表面上的掩膜進行氧化，從而在所述掩膜表面形成氧化層；刻蝕步驟，向所述反應腔室內通入刻蝕氣體，并開啟激勵電源和偏壓電源，以對玻璃襯底表面進行刻蝕，并在所述氧化層被完全消耗時停止向所述反應腔室內通入刻蝕氣體，并關閉激勵電源和偏壓電源；交替進行所述氧化步驟和刻蝕步驟，直至達到預定刻蝕深度。本發(fā)明提供的玻璃襯底的工藝方法，其不僅具有較高的刻蝕速率，而且還可以提高玻璃襯底相對于掩膜的刻蝕選擇比。
【專利說明】玻璃襯底的工藝方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及微電子【技術領域】，特別涉及一種玻璃襯底的工藝方法。【背景技術】
[0002] 目前，在MEMS器件的制造過程中，開始使用玻璃作為襯底材料，這是因為玻璃襯 底相比于硅襯底具有更高的絕緣性，從而使MEMS器件能夠應用在高電壓、高功率等的對絕 緣性要求較高的領域。在制造MEMS器件的各個制程中，刻蝕工藝作為重要的制程之一，其 主要工作過程為：在玻璃襯底上沉積掩膜，并在掩膜上刻蝕出圖形；刻蝕玻璃襯底表面上 的未被掩膜遮蓋的區(qū)域，從而在玻璃襯底表面上刻蝕出需要的圖形。
[0003] 在實際應用中，玻璃襯底的刻蝕工藝通常要求較大的刻蝕深度，為了既能夠獲得 理想的刻蝕形貌，又能夠具有較高的工藝效率，這就對玻璃襯底相對于掩膜的刻蝕選擇比 以及刻蝕速率提出了較高的要求。
[0004] 現有的一種玻璃襯底的刻蝕工藝采用單步刻蝕方法對玻璃襯底進行刻蝕，S卩，一 次性完成工藝所需的刻蝕深度。上述刻蝕工藝所能達到的刻蝕速率和刻蝕選擇比如表1所 示：
[0005] 表 1
【權利要求】
1. 一種玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，包括以下步驟： 氧化步驟，向所述反應腔室內通入氧氣，并開啟激勵電源，或者同時開啟偏壓電源，以 對玻璃襯底表面上的掩膜進行氧化，從而在所述掩膜表面形成氧化層； 刻蝕步驟，向所述反應腔室內通入刻蝕氣體，并開啟激勵電源和偏壓電源，以對玻璃襯 底表面進行刻蝕，并在所述氧化層被完全消耗時停止向所述反應腔室內通入刻蝕氣體，并 關閉激勵電源和偏壓電源； 交替進行所述氧化步驟和刻蝕步驟，直至達到預定刻蝕深度。
2. 如權利要求1所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，所述掩膜的材料包括鋁。
3. 如權利要求1所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述氧化步驟中，所述氧 氣的流量范圍在10?2000sccm。
4. 如權利要求3所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述氧化步驟中，所述氧 氣的流量范圍在50?500sccm。
5. 如權利要求1所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述氧化步驟中，所述 激勵電源輸出激勵功率的范圍在100?5000W，所述偏壓電源輸出偏壓功率的范圍在0? 500W。
6. 如權利要5所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述氧化步驟中，所述激勵 電源輸出激勵功率的范圍在1500?3000W，所述偏壓電源輸出偏壓功率的范圍在0?50W。
7. 如權利要求1所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述刻蝕步驟中，所述刻 蝕氣體包括氟化物。
8. 如權利要求1所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述刻蝕步驟中，所述刻 蝕氣體的流量范圍在10?2000sccm。
9. 如權利要求8所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述刻蝕步驟中，所述刻 蝕氣體的流量范圍在50?500sccm。
10. 如權利要求1所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述刻蝕步驟中，所述 激勵電源輸出激勵功率的范圍在100?5000W，所述偏壓電源輸出偏壓功率的范圍在50? 1000ff〇
11. 如權利要求10所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述刻蝕步驟中，所 述激勵電源輸出激勵功率的范圍在1500?3000W，所述偏壓電源輸出偏壓功率的范圍在 200 ?500W。
12. 如權利要求1所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在進行所述氧化步驟之 前，還包括下述步驟： 掩膜沉積步驟，在玻璃襯底表面沉積所述掩膜； 圖形定義步驟，使用光刻膠在掩膜表面上定義待刻蝕的圖形； 掩膜刻蝕步驟，刻蝕掩膜，以將所述光刻膠的圖形復制到所述掩膜上； 光刻膠去除步驟，去除光刻膠。
13. 如權利要求1所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在交替進行所述氧化步驟 和刻蝕步驟，直至達到預定刻蝕深度之后，還包括下述步驟： 掩膜去除步驟，去除玻璃襯底表面上的掩膜。
【文檔編號】B81C1/00GK104276764SQ201310291272
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2013年7月11日 優(yōu)先權日:2013年7月11日
【發(fā)明者】楊盟 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司