專利名稱：非蒸發(fā)型吸氣劑及其制造方法、以及顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及能吸附殘留在真空中的氣體、維持真空的吸氣劑，尤其涉及即使吸氣劑在其性能容易惡化的空氣中也能長時間地維持性能的非蒸發(fā)型吸氣劑、以及具備這樣的非蒸發(fā)型吸氣劑的顯示裝置。
背景技術：
通常，將能用物理方法和化學方法吸附在真空中存在的殘留氣體的物質叫做吸氣劑，對于作為吸氣劑使用的材料，為了盡可能長時期保持配置系列的真空，希望在真空中的殘留氣體的吸附速度高、而且能夠長期保持這種高吸附速度的材料。
作為這樣的吸氣劑材料，以往人們知道Ba、Li、AI、Zr、Ti、Hf、Nb、Ta、Th、Mo以及V等金屬單質或這些金屬的合金，但在真空中對這些金屬單質或金屬合金進行加熱、蒸發(fā)、露出潔凈的金屬表面后用化學方法吸附真空中的殘留氣體成分，將這樣的吸氣劑叫做蒸發(fā)型吸氣劑，另一方面，通過在真空中加熱、預先使在表面存在的氧化薄膜向內部擴散、每當加熱時在最外層露出金屬面、并吸附真空中的殘留氣體，將這樣的吸氣劑叫做非蒸發(fā)型吸氣劑。
非蒸發(fā)型吸氣劑主要由以Zr、Ti為主要成分的金屬單質、或由包含這些金屬的合金形成，通常，在不銹鋼、鎳鉻鐵合金等基片上使這些金屬或合金成膜，用通電加熱的設備連同基片一起加熱，并在發(fā)現吸氣劑能力后使用。
但是，當用一般所熟悉的真空蒸鍍等設備在不銹鋼、鎳鉻鐵合金等基片上形成Zr、Ti等單質金屬的薄膜的場合，在與大氣曝露的同時在成膜表面形成非常穩(wěn)定的氧化物，為要形成活性表面，在真空中必須加熱到800～900℃的高溫(Japan.J.Appl.Phys.Suppl.2，pt.1，49，1974)。并且，通常，由于在200℃以上，施行活性化處理后的這些單質金屬薄膜和真空中的殘留氣體才起反應，因此，在室溫附近幾乎沒有發(fā)揮吸氣劑性能。
因此，直到現在即使在低溫也實行了與真空中的殘留氣體發(fā)生反應、具有充分的吸氣劑性能的吸氣劑的各種改良。
但是，也存在這樣的缺點，即，若首先從成本這一點考慮，在其制造過程中不希望費時費工夫，另外，所謂在接近室溫的低溫下發(fā)現充分的吸氣劑性能，就是說吸氣劑容易發(fā)生反應，即吸氣劑的惡化快，根據使用環(huán)境不同不必長時間地維持所希望的特性。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供這樣的非蒸發(fā)型吸氣劑，即，該吸氣劑能持續(xù)殘留氣體的吸附能力，而且，尤其經歷顯示裝置的制造工藝過程中的高溫低真空狀態(tài)，也能確保充分的特性。
另外，本發(fā)明的目的在于使用干式而且簡便地提供具有所述性能的非蒸發(fā)型吸氣劑。
另外，本發(fā)明的目的在于提供內裝具有所述性能的非蒸發(fā)型吸氣劑、顯示性能優(yōu)良的顯示裝置。
本發(fā)明是這樣的非蒸發(fā)型吸氣劑，其特征在于，它具備沒有作為吸氣劑的功能的基體材料、以及被配置在該基體材料表面、以Ti為主要成分、并在其內部具有多個空隙的多晶膜。
另外，本發(fā)明是這樣的非蒸發(fā)型吸氣劑的制造方法，其特征在于，在其表面具有凹凸同時不具有作為吸氣劑的功能，在這樣的基體材料的該凹凸面上形成Ti為主要成分的多晶膜。
另外，本發(fā)明是在封裝外殼內部具備電子源和與它對向配置的熒光體的顯示裝置，其特征在于，在所述封裝外殼內具備上述的非蒸發(fā)型吸氣劑。


圖1A、圖1B是表示涉及本發(fā)明的圖象顯示裝置的一個形態(tài)的圖。
圖2是表示涉及本發(fā)明的圖象顯示裝置的其它形態(tài)的圖。
圖3是進一步表示涉及本發(fā)明的圖象顯示裝置的其它形態(tài)的圖。
圖4A、4B是表示在涉及本發(fā)明的圖象顯示裝置中使用的熒光膜的圖。
圖5是表示在制造涉及本發(fā)明的圖象顯示裝置中使用的真空處理裝置的概要的模式圖。
圖6A、6B、6C、6D、6E、6F是用于說明涉及本發(fā)明的圖象顯示裝置的電子源基片的制造方法的圖。
圖7是用于說明用來制造涉及本發(fā)明的圖象顯示裝置的制造評價裝置的模式圖。
具體實施例方式
首先，第1本發(fā)明是這樣的非蒸發(fā)型吸氣劑，其特征在于，它具備不具有作為吸氣劑的功能的基體材料、以及被配置在該基體材料表面、以Ti為主要成分、并在其內部具有多個空隙的多晶膜。
另外，上述第1本發(fā)明作為理想的形態(tài)應包含如下內容所述基體材料在配置所述多晶膜的表面具有凹凸部分，所述凹凸的凸部分平均具有0.2μm～20μm范圍內的高度，所述凹凸的凸部分的平均間距在0.5μm～20μm的范圍內，所述多晶膜的晶粒的大小在100?！?000的范圍內，所述多晶膜由Ti組成。
另外，第2本發(fā)明是這樣的非蒸發(fā)型吸氣劑的制造方法，其特征為，在基體材料的表面具有凹凸部分，同時，在不具有作為吸氣劑的功能的基體材料的凹凸面上形成以Ti作為主要成分的多晶膜。
另外，上述第2本發(fā)明作為理想的形態(tài)應包含如下內容所述凹凸用噴砂法形成，所述凹凸用印刷法形成，所述凹凸部分是平均具有0.2μm～20μm范圍內的高度的凹凸，所述凹凸的凸部分的平均間距在0.5μm～20μm的范圍內，所述基體材料是以鎳鉻鐵合金作為主要成分的基體材料，所述基體材料是以銀組為主要成分的基體材料，所述以Ti主要成分的薄膜的形成用濺射法進行。
另外，第3本發(fā)明是在封裝外殼內具備電子源和與它對向配置的熒光體的顯示裝置，其特征在于，在所述封裝外殼內具備上述的非蒸發(fā)型吸氣劑。
此處，一種非蒸發(fā)型吸氣劑，其特征在于，在本發(fā)明中它具備不具有作為吸氣劑的功能的基體材料、以及配置在該基體材料表面、以Ti作為主要成分、并在其內部具有多個空隙的多晶膜，這樣的非蒸發(fā)型吸氣劑通過在其表面具有凹凸的、不具有鎳鉻鐵合金、銀等吸氣劑功能的基體材料的該凹凸面上形成由Ti組成的多晶膜而被制造。
另外，將本發(fā)明的非蒸發(fā)型吸氣劑的所述多晶膜的晶粒的大小控制在100?！?000的范圍內的技巧是將所述基體材料的至少縱向方向的基體材料表面的凹凸的凸部分的高度假定平均在0.2μm～20μm的范圍內，即，最好是再將基體材料的至少縱向方向的所述凹凸的凸部分的平均間距假定在0.5μm～20μm的范圍內。
另外，這樣的基體材料表面的凹凸的控制最好是使用噴砂法和印刷法進行，在這樣的基體材料上的以Ti作為主要成分的薄膜的形成最好使用濺射法。
上述的本發(fā)明的非蒸發(fā)型吸氣劑從以Ti作為主要成分這一點和是在其內部具有多個空隙的多晶膜這一點來看，與以以往的Ti作為主要成分薄膜的非蒸發(fā)型吸氣劑比較，是經過更長時間使殘留氣體的吸附能力能持續(xù)的吸氣劑。另外，由于通過在不具有作為吸氣劑的功能的基體材料的表面，就是說不是具有特別功能的基體材料、而是在通常的基體材料表面設置凹凸、并在這樣的凹凸面上成膜，如上所述，能形成在其內部具有多個空隙的多晶膜，因此，在電子源或圖象顯示裝置的制造過程中能以極低的成本進行制造。
以下，關于本發(fā)明的非蒸發(fā)型吸氣劑，以內裝該吸氣劑的顯示裝置為例，說明其實施形態(tài)。
在本發(fā)明中合適的形態(tài)的第1例應假定這樣構成，即，在圖象顯示裝置的圖象顯示區(qū)的外側設置配置在鎳鉻鐵合金板等基體材料上的非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜。
此處，Ti薄膜是在其內部具有多個空隙的Ti的多晶膜，其多晶膜的晶粒的大小假定在100?！?000的范圍內。
另外，在本實施形態(tài)中的這樣的多晶膜在其表面是在平均為0.2μm～20μm的范圍內的凹凸，并配置在具有其凸部的平均間距在0.5μm～20μm的范圍內的凹凸的鎳鉻鐵合金板上。
即，本發(fā)明的實施形態(tài)的Ti薄膜是通過噴砂法或印刷法等在其表面形成平均為0.2μm～20μm的范圍內的凹凸，并預先在鎳鉻鐵合金板表面形成其凸部的平均間距為0.5μm～20μm的范圍內的凹凸后在這樣的鎳鉻鐵合金板的凹凸表面上用濺射法堆積Ti而形成。
圖1A是配置了非蒸發(fā)型吸氣劑的平面形狀圖象顯示裝置的模式圖。在圖1A中，電子源基片1具備多個電子放出元件13，形成支撐框3、以及與面板一起形成封裝外殼5。此外，關于電子源基片1的構成在后面敘述。在面板4中，在玻璃基體6上形成熒光膜7和金屬背8。在封裝外殼5的外側，變成使行選擇用的端子11和信號輸入端子12的構造，通過經由這些端子施加信號，使電子放出元件13的驅動成為可能，使放出的電子在高壓端子Hv加速后沖擊熒光膜、顯示圖象。面板4的、在存在熒光膜7和金屬背8的范圍中的電子沖擊部分是所謂圖象顯示區(qū)。非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜10如圖1B所示那樣、在鎳鉻鐵合金基片2上被形成，每個這樣的鎳鉻鐵基片使用吸氣劑支撐構件9被固定在支撐框3上。此外，在圖1A中，非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜10只在圖象顯示區(qū)外側的一邊被描繪，但也可以是圖象顯示區(qū)外側的任何一邊，另外，也可以設置在四邊中任意的多邊上。
另外，對于本發(fā)明所希望的第2形態(tài)，應在圖象顯示區(qū)內的構件上直接制作上述的Ti薄膜，但關于該形態(tài)將使用圖2詳述。
在圖2中，附加與圖1A、圖1B相同的符號意味著同一構件。在圖2中，在以圖象顯示區(qū)內的銀作為主要成分的X方向布線Do×1～Do×m上形成Ti薄膜10后在這樣的圖象顯示區(qū)內構成非蒸發(fā)型吸氣劑。這時，與所述的鎳鉻鐵合金基片相同，形成Ti薄膜的基體材料的X方向布線Do×1～Do×m在其表面是平均在0.2μm～20μm范圍內的凹凸，其凸部的平均間距具有0.5μm～20μm范圍內的凹凸。這樣的凹凸在本形態(tài)中，在形成Ti薄膜10時也預先在X方向布線Do×1～Do×m表面被形成。在形成時，在X方向布線Do×1～Do×m的形成后用噴砂法處理其表面，或者在X方向布線Do×1～Do×m的形成時控制包含銀的印刷漿的組成或燒成條件等。
另外，作為導電性物質的非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜10若附著在所希望的場所(此處為布線部分以外)，那么由于短路的原因，在制作時必需注意。例如，在布線狀況中準備具有開口的金屬掩膜，在進行充分的位置配合后用濺射法等制作Ti薄膜10。
在本發(fā)明中所希望的第3形態(tài)是在圖象顯示裝置的圖象顯示區(qū)內外配置非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜。圖3中所例示的形態(tài)是在圖象顯示區(qū)的外側的一邊以及在圖象顯示區(qū)內的X方向布線Do×1～Do×m上配置了非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜10的形態(tài)。在圖3中，只在圖象顯示區(qū)外側的一邊描繪，但也可以是在圖象顯示區(qū)外側的四邊中任何一邊，另外，也可以設置在四邊中任意的多邊上。另外，設置在圖象顯示區(qū)內的非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜10，如所述那樣，在制作時要充分注意以便不發(fā)生短路等。
接著，以圖3所示的圖象顯示裝置為代表例子，以下說明它的制造方法。
首先，制作圖3所示的封裝外殼5。
關于構成封裝外殼5的電子源基片1的電子放出元件的排列，可以采用各種排列。在圖3的電子源基片中作為電子放出元件的排列例示了單純的矩陣配置。所謂單純的矩陣配置就是在X方向和Y方向上使多個電子放出元件配置成行列形狀，配置在相同一行的多個電子放出元件的電極的一方共同與X方向的布線連接，而配置在相同一列的多個電子放出元件的電極的另一方共同與Y方向的布線連接。
在圖3的電子源基片1中，m根的X方向布線由Do×1～Do×m組成，并能夠用使用真空蒸鍍法、印刷法、濺射法等形成的導電性金屬等構成。布線的材料、膜厚、寬度要設計適當。Y方向布線由Doy1～Doyn的n根布線組成，與X方向一樣地被形成。在這些m根的X方向布線和n根的Y方向布線之間設置了未圖示的層間絕緣層，并在電路上使兩者分離(m、n都是正整數)。
未圖示的層間絕緣層由使用真空蒸鍍法、印刷法、濺射法等形成的SiO2等構成。例如，使形成X方向布線的電子源基片1全部或部分地形成所希望的形狀，尤其是適當地設定膜厚、材料、制造方法以便能經得住X方向布線和Y方向布線的交叉部分的電位差。X方向布線和Y方向布線分別作為外部端子11、12被引出。
電子放出元件13是表面?zhèn)鲗碗娮臃懦鲈?，并具備在基片面上以一定的間隔并列設置的一對元件電極和設置在一對元件電極之間的包含電子放出部分的導電性膜。此處，一對元件電極(未圖示)在電路上通過由導電性金屬等組成的結線與m根X方向布線和n根Y方向布線連接。在以上的構成中，能夠使用單純的矩陣布線選擇并能單獨地驅動一個個的元件。
在X方向布線和Y方向布線上，配置第1非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜10。在通過濺射法等使Ti成膜時，使用具有布線狀況的開口的金屬掩膜、充分關照不使在所希望的地方以外附著吸氣劑。
接著，在圖象顯示區(qū)的外側，設置作為第2非蒸發(fā)型吸氣劑的、配置在鎳鉻鐵合金基體材料上的Ti薄膜10。制作第2非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜的鎳鉻鐵合金基劑按照基劑的大小剪裁、通過點焊接法等使吸氣劑支撐構件9的一端和配置了鎳鉻鐵基體材料固定、用玻璃料等將另一端固定在支撐框3上。
下面，說明關于在圖3中所示的封裝外殼5的面板4。
圖4A、4B是在圖3的圖象顯示裝置中所使用的熒光膜的模式圖。熒光膜7在單色的場合，能夠只由熒光體構成。在彩色的熒光膜的場合，通過熒光體的排列可以由叫做黑色條紋或黑底等的黑色導電材料14和熒光體15構成。設置黑色條紋、黑底的目的在于，在彩色顯示的場合、通過將必要的三原色熒光體的各熒光體15之間的涂抹分開部分變成黑色而不使混色等顯眼，并控制熒光膜7中的外光反射的反差下降。作為黑色條紋的材料除了以通常使用的石墨作為主要材料之外，還能夠使用有導電性、光的透過和反射小的材料。此外，在面板4中，由于能使熒光膜7的導電性再提高，因此在熒光膜7的外面一側也可以設置透明電極(未圖示)。
將這樣制作的電子源基片1和面板4經由支撐框3用玻璃料等封裝起來、制作封裝外殼5。在進行封裝時，在彩色的場合，必需使各色熒光體和電子放出元件對應，并且充分的位置配合不可缺少。此外，在面板4、電子源基片1之間，通過設置叫做隔片的未圖示的支承體，也能夠構成對大氣壓具有充分強度的封裝外殼5。
接著，使用在圖5中模式地表示的裝置對封裝外殼5施行必要的處理。
圖象顯示裝置20經由排氣管21與真空室22連接，而且經由閘門閥23與排氣裝置24連接。在真空室22中，為了測定內部壓力和大氣中的各成分的分壓，安裝了壓力計25、四極質量分析器26等。由于很難直接測定圖象顯示裝置20的封裝外殼5內部的壓力等，因此要測定該真空室22中的壓力、并控制處理條件。在真空室22中，由于將必要的氣體再輸入真空室22內、并控制大氣，因此連接氣體輸入管道27。輸入物質源29與該氣體輸入管道的另一端連接，輸入物質進入小玻璃瓶和高壓儲氣瓶后被貯藏。在氣體輸入管道的途中，設置用于控制引進輸入物質流量的輸入控制設備28。作為高輸入量控制設備，具體地說，根據輸入物質的種類可以分別使用能控制慢速漏泄閥等放掉的流量的閥門和質量流控制器等。
由圖5的裝置使封裝外殼5的內部排氣，例如，通過進行施加通電，實施發(fā)泡后形成電子放出部分。通過在多個X方向布線中順次施加(上卷)錯開相位的脈沖，也能夠集中與多個X方向布線連接的元件進行發(fā)泡。
發(fā)泡結束后，進行活性化工序。在封裝外殼5內，在充分排氣后，有機物質從氣體輸入管道27被輸入。在包含有機物質的大氣中，通過將電壓施加給各電子放出元件，碳或炭化物、乃至兩者的混合物堆積在電子放出部分后電子放出量急劇上升。這時的電壓的施加方法也可以將同時的電壓脈沖施加給用與上述發(fā)泡的場合相同的結線與一個方向的布線連接的元件。
在活性化工序結束后，最好與個別元件的場合一樣進行穩(wěn)定化工序。在加熱封裝外殼5、并保持在250～350℃的同時，經過根據不使用離子泵、吸附泵等的油的排氣裝置24的排氣管21進行排氣、變?yōu)橛袡C物質充分少的大氣。這時，就會使配置在圖象顯示裝置20中的非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜10也被加熱后進行活性化、并發(fā)現(產生)排氣能力。之后，使用噴槍將排氣管加熱、熔化后密封。
實施例以下舉出具體的實施例詳細說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不受這些實施例的限制，也包含實行對在達到本發(fā)明的目的的范圍內的各要素的置換和設計變更。
(實施例1)本實施例的圖象顯示裝置具有與在圖2中模式地表示的裝置相同的構成，在用印刷法形成的X方向布線(上布線)上配置了非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜。另外，本實施例的圖象顯示裝置具備這樣的電子源，即，作為電子放出元件，使多個(100行×300行)表面?zhèn)鲗碗娮臃懦鲈脝渭兙仃囋诨喜季€。首先，以下使用圖6A、6B、6C、6D、6E、6F說明關于電子基片的制法。
工序-a使用清洗劑、純水和有機溶劑充分洗凈玻璃基片51。在其上使用濺射法形成厚度0.5μm的硅氧化膜作為電子源基片。
之后，在電子源基片上，用感光性樹脂(RD-200N-41日立化成公司制造)形成應成為元件電極55、56和元件電極間間隙G的圖案，用真空蒸鍍法順次堆積厚度為5nm的Ti、厚度為100nm的Ni。用有機溶劑溶解感光性樹脂圖案分離Ni/Ti堆積膜，假定元件電極間隔G為3μm，元件電極寬度為300μm，并形成元件電極55、56(圖6A)。
工序-b之后，用絲網印刷法形成銀布線以便與元件電極的單側55接觸，在400℃燒成后形成所希望的形狀的下布線52(圖6B)。
工序-c
之后，用絲網印刷法在上下布線的交叉部分印刷所希望的層間絕緣層58，并在400℃燒成后形成(圖6C)。
工序-d用絲網印刷法印刷銀布線以便與不與下布線一側接觸的元件電極56接觸，在400℃燒成后形成上布線53(圖6D)。
工序-e用真空蒸鍍法堆積膜厚為100nm的Cr膜、并制作布線圖案，在其上用旋轉器旋轉涂敷Pd胺絡合物的溶液(ccp4230奧野制藥(股份)公司制造)，在300℃進行10分鐘的加熱燒成處理。另外，由這樣形成的、作為主要元素Pd組成的微粒、由該微粒構成的電子放出部分形成用的導電性膜54的厚度為8.5μm，薄片電阻值為3.9×104Ω/□。此外，這里所敘述的微粒膜是多個微粒集合的膜，作為該微細構造，形成微粒不僅是個別分散配置的狀態(tài)、而且微粒是相互鄰接或重疊的狀態(tài)(也包含島狀)的膜，所謂粒子直徑叫做關于在所述狀態(tài)下粒子形狀能夠識別的微粒的直徑。用酸腐蝕劑腐蝕Cr膜和燒成后的電子放出部分形成用的導電性膜54后形成所希望的圖案(圖6E)。
假定通過以上工序在電子源基片上使多個(100行×300行)電子放出部分形成用的導電性膜54與由下布線52和上布線53組成的單純矩陣連接。
工序-f準備厚度為50μm、寬度2mm、長度100mm的鎳鉻鐵合金基體材料，通過噴砂處理對該鎳鉻鐵合金基體材料進行處理以便使其變成所希望的表面凹凸，接著，通過濺射法使Ti成膜為約2.5μm的厚度。這樣，在鎳鉻鐵合金基體材料的凹凸表面制作形成薄膜的非蒸發(fā)型吸氣劑57，如在前面圖1中所說明的那樣，將該非蒸發(fā)型吸氣劑57配置在X方向布線上，并使用固定吸氣劑用的夾具安裝在支撐框3上。
通過以上工序形成具備非蒸發(fā)型吸氣劑的電子源基片。
工序-i下面，象以下那樣制作圖2所示的面板4。使用清洗劑、純水和有機溶劑充分洗凈玻璃基體6。在其上用印刷法涂敷熒光膜7，進行表面平滑處理(通常叫做攝制成膜)后，形成熒光體部分。此外，將熒光膜7假定為使條紋形狀的熒光體(R，G，B)14和黑色導電材料(黑色條紋)15交互地排列的、圖4A所示的熒光膜。而且，在熒光膜7上，用濺射法使由AI薄膜組成的金屬背8形成為0.1μm的厚度。
工序-j接著，象以下那樣制作圖2所示的封裝外殼5。
在將由所述的工序制作的電子源基片1固定在加強板(未圖示)上之后，將安裝了非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜10的支撐框3、以及上述面板4組合起來，并將電子源基片1的下布線和上布線分別與行選擇用的端子和信號輸入端子連接，嚴密調整電子源基片1和面板4的位置，密封后形成封裝外殼5。密封的方法是在接合部分涂敷玻璃料，在Ar氣體中進行450℃、30分鐘的熱處理后進行接合。此外，電子源基片1和加強板的固定也用同樣的處理進行。
接著，使用圖5所示的真空裝置進行下面的工序。
工序-k該工序進行以下處理(叫做發(fā)泡)，該處理用來對封裝外殼5的內部排氣，并使壓力在1×10-3Pa以下，在排列在電子源基片1上的所述多個電子放出部分形成用的導電性膜54上形成電子放出部分。
如圖7所示那樣，共同連接X方向布線2后接地。71是控制裝置，它控制脈沖發(fā)生器72和行選擇裝置74。73是電流計。通過行選擇裝置74從Y方向布線3選擇1行，并將脈沖電壓施加在它的上面。發(fā)泡處理對于Y方向的元件行在每1行(300個元件)上進行。所施加的脈沖波形用三角波脈沖，使波峰值緩緩上升。假定脈沖幅度T1＝1毫秒，脈沖間隔T2＝10毫秒。另外，在三角波脈沖之間，插入波峰值為0.1伏的矩形波脈沖，通過測量電流測定各行的電阻值。在電阻值超過3.3kΩ(每個元件為1MΩ)時，將結束該行的發(fā)泡，轉移到下一行的處理。所有的行都進行該處理，結束所有的所述導電性膜(電子放出部分形成用的導電性膜54)的發(fā)泡，在各導電性膜上形成電子放出部分，多個表面?zhèn)鲗碗娮臃懦鲈刹季€在單純矩陣中的電子源基片1。
工序-l在圖5的真空容器22內引進預先送進物質源29中的氰化苯，將壓力調整到1.3×10-3Pa，在測定元件電流If的同時、在上述電子源中施加脈沖，進行各電子放出元件的活性化處理。由脈沖發(fā)生器生成的脈沖波形是矩形波，波峰值為14V、脈沖寬度T1＝100μsec，脈沖間隔為167μsec。由行選擇裝置74每167μsec從D1×1到D×100順次更換選擇行，結果，T1＝100μsec、T2＝16.7msec的矩形波每行使相位少許移位后被施加在各元件行中。
電流計73以檢測矩形波脈沖在接通狀態(tài)(電壓為14V時)的電流平均值的方式使用，當該值達到600mA(每個元件2mA)時，結束活性化處理，使封裝外殼5內排氣。
工序-m一邊繼續(xù)排氣，一邊使整個圖象顯示裝置20和真空容器22在300℃保持10小時。根據該處理，認為被封裝外殼5和真空容器22的內壁等吸附的氰化苯及其分解物被除去。它通過Q-mass的觀察被確認。
在該工序中，通過保持圖象顯示裝置的加熱/排氣，不僅從內部進行氣體的除去，而且兼有進行具有Ti薄膜的非蒸發(fā)型吸氣劑的活性化處理。這時的加熱在300℃進行10小時，但不受此限制，不言而喻在對構件沒有不良影響的范圍內，即使更高溫實施，也能得到同樣的效果。另外，即使是300℃以下的低溫，通過延長加熱時間，在氰化苯的除去和非蒸發(fā)型吸氣劑的活性化的同時也能得到同樣的效果。
工序n在確認壓力達到1.3×10-5Pa以下后，用噴燈將排氣管21加熱后密封。
通過以上工序制成本實施例的圖象顯示裝置。
(比較例1)
制成與實施例1類似的圖象顯示裝置。本比較例的圖象顯示裝置是與圖2的圖象顯示裝置相同的構成，但沒有配置非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜10。
(比較例2)制成與實施例1類似的圖象顯示裝置。本比較例的圖象顯示裝置是與圖2的圖象顯示裝置相同的構成，但它是代替非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜10，配置了市場上出售的非蒸發(fā)型吸氣劑的構成。
(實施例2)與實施例1不同的是在X方向布線上和Y方向布線上形成非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜。
實施例2除代替實施例1的工序-f進行以下的工序-f-2以外與實施例1是共同的。
工序-f-2準備使開口保持成X方向布線(上布線)和Y方向布線(下布線)的形狀的金屬掩膜，在進行充分的位置配合后，用濺射法在X方向布線(上布線)上和Y方向布線(下布線)上使Ti薄膜成膜為約2.5μm的厚度。X方向布線(上布線)和Y方向布線(下布線)的表面粗糙度選擇具有與實施例1同樣所希望的表面粗糙度那樣的銀布線材料、以及絲網印刷的條件。由以上工序制成本實施例的圖象顯示裝置。
(實施例3)在圖3中示出最好地表示本實施例的特征的圖。
與實施例1和實施例2不同的是在圖象顯示區(qū)的外側、以及在圖象顯示區(qū)內側的X方向布線上和Y方向布線上也形成非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜。
在本實施例中，由實施例1的工序-f在圖象顯示區(qū)外、以及由實施例f-2在圖象顯示區(qū)內的X方向布線上和Y方向布線上分別形成非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜。
進行以上所述的實施例1～3以及比較例1～2的圖象顯示裝置的比較評價。
評價是進行單純的矩陣驅動，使圖象顯示裝置全面發(fā)光，并測定輝度的經時變化。初期的輝度因實施例不同而異，相對地說，若繼續(xù)發(fā)光，輝度就慢慢地下降。這種狀況因測定的象素的位置不同而不同，沒有配置非蒸發(fā)型吸氣劑的Ti薄膜10的周邊象素的輝度下降得快，輝度不均勻變大。尤其，在比較例1中，輝度下降顯著，與實施例1～3的場合比較，當然比較例2的場合更明顯地惡化。另外，實施例1～3的各圖象顯示裝置比起比較例2的圖象顯示裝置明顯地惡化的程度小，長時間全都能顯示高品質的圖象。
本發(fā)明能持續(xù)保持殘留氣體的吸附能力，而且，尤其經歷顯示裝置的制造工藝過程中的高溫低真空狀態(tài)，也能提供能確保充分特性的非蒸發(fā)型吸氣劑。
另外，本發(fā)明能干式而且簡便地提供具有上述性能的非蒸發(fā)型吸氣劑。
另外，本發(fā)明能提供內裝具有上述性能的非蒸發(fā)型吸氣劑、并在顯示性能方面優(yōu)良的顯示裝置。
權利要求
1.一種非蒸發(fā)型吸氣劑，其特征在于，它具備沒有具有作為吸氣劑的功能的基體材料、以及配置在該基體材料表面的、以Ti作為主要成分、并在其內部具有多個空隙的多晶膜。
2.如權利要求1記載的非蒸發(fā)型吸氣劑，其特征在于，所述基體材料在配置了所述多晶膜的表面具有凹凸。
3.如權利要求2記載的非蒸發(fā)型吸氣劑，其特征在于，所述凹凸的凸部具有平均在0.2μm～20μm的范圍內的高度。
4.如權利要求3記載的非蒸發(fā)型吸氣劑，其特征在于，所述凹凸的凸部的平均節(jié)距在0.5μm～20μm的范圍內。
5.如權利要求1記載的非蒸發(fā)型吸氣劑，其特征在于，所述多晶膜的晶粒的大小在100?！?000的范圍內。
6.如利要求1記載的非蒸發(fā)型吸氣劑，其特征在于，所述多晶膜由Ti組成。
7.一種非蒸發(fā)型吸氣劑的制造方法，其特征在于，在基體材料表面具有凹凸、同時具有作為吸氣劑的功能，在這樣的基體材料的該凹凸表面形成以Ti為主要成分的多晶膜。
8.如權利要求7記載的非蒸發(fā)型吸氣劑的制造方法，其特征在于，所述凹凸用噴砂法形成。
9.如權利要求7記載的非蒸發(fā)型吸氣劑的制造方法，其特征在于，所述凹凸用印刷法形成。
10.如權利要求7記載的非蒸發(fā)型吸氣劑的制造方法，其特征在于，所述凹凸的凸部是具有平均在0.2μm～20μm范圍內的高度的凹凸。
11.如權利要求10記載的非蒸發(fā)型吸氣劑的制造方法，其特征在于，所述凹凸的凸部的平均間距在0.5μm～20μm的范圍內。
12.如權利要求記載的非蒸發(fā)型吸氣劑的制造方法，其特征在于，以所述Ti為主要成分的多晶膜的形成用濺射法進行。
13.一種顯示裝置，是在封裝外殼5內具備電子源和與它對向配置的熒光體的顯示裝置，其特征在于，在所述封裝外殼5內具備如權利要求1記載的非蒸發(fā)型吸氣劑。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供這樣的非蒸發(fā)型吸氣劑，該吸氣劑能持續(xù)殘留氣體的吸附能力，而且，尤其經歷在顯示裝置的制造工藝過程中的高溫低真空狀態(tài)，也能確保充分的特性。本發(fā)明是這樣的非蒸發(fā)型吸氣劑，其特征在于，它具備沒有具有作為吸氣劑的功能的基體材料，以及被配置在該基體材料表面的、以Ti為主要成分、并在其內部具有多個空隙的多晶膜。通過在其表面具有凹凸、同時在沒有具有作為吸氣劑的功能的基體材料的該凹凸表面上形成以Ti為主要成分的多晶膜，使得非蒸發(fā)型吸氣劑的制造變成可能。
文檔編號B01J20/30GK1401419SQ0214220
公開日2003年3月12日 申請日期2002年8月23日 優(yōu)先權日2001年8月23日
發(fā)明者時岡正樹, 長谷川光利, 重岡和也, 荒井由高 申請人:佳能株式會社