帶有切割片的芯片接合膜、半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及帶有切割片的芯片接合膜、半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 以往，在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中有時(shí)使用在切割片上設(shè)置有芯片接合膜的帶有 切割片的芯片接合膜（例如參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。
[0003] 芯片接合膜在放置于高溫、高濕的環(huán)境并且在施加有載荷的狀態(tài)下長(zhǎng)期保存時(shí)， 有時(shí)發(fā)生固化。而且，由此會(huì)導(dǎo)致流動(dòng)性的降低、對(duì)半導(dǎo)體晶片的保持力降低、切割后剝離 性的降低。因此，帶有切割片的芯片接合膜多在-30~-10°c的冷凍、或-5~10°C的冷藏 狀態(tài)下保存的同時(shí)進(jìn)行運(yùn)送，由此，能夠?qū)崿F(xiàn)膜特性的長(zhǎng)期保存。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005] 專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0006] 專(zhuān)利文獻(xiàn)1 :日本特開(kāi)平05-179211號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 發(fā)明要解決的課題
[0008] 但是，在低溫狀態(tài)下運(yùn)送時(shí)，存在芯片接合膜產(chǎn)生裂紋、傷痕的問(wèn)題。另外，存在切 割片與芯片接合膜剝離的問(wèn)題。
[0009] 本發(fā)明鑒于所述問(wèn)題而進(jìn)行，其目的在于提供在低溫狀態(tài)下運(yùn)送時(shí)能夠抑制產(chǎn)生 裂紋、傷痕、并且能夠抑制切割片與芯片接合膜剝離的帶有切割片的芯片接合膜。另外，其 目的在于提供使用該帶有切割片的芯片接合膜制造的半導(dǎo)體裝置。另外，其目的在于提供 使用了該帶有切割片的芯片接合膜的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0010] 解決課題的方法
[0011] 本發(fā)明人為了解決所述問(wèn)題，進(jìn)行了深入研宄。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過(guò)采用下述構(gòu)成的帶 有切割片的芯片接合膜，由此在低溫狀態(tài)下運(yùn)送時(shí)能夠抑制產(chǎn)生裂紋、傷痕，并且能夠抑制 切割片與芯片接合膜剝離，并且完成了本發(fā)明。
[0012] 即，本發(fā)明所涉及的帶有切割片的芯片接合膜，其為在切割片上設(shè)置有芯片接合 膜的帶有切割片的芯片接合膜，其特征在于，所述芯片接合膜在〇°c下的損失彈性模量為 20MPa以上且500MPa以下。
[0013] 根據(jù)所述構(gòu)成，芯片接合膜在0°C下的損失彈性模量為500MPa以下，因此在低溫 狀態(tài)下具有某種程度的柔軟性。因此，在低溫狀態(tài)下運(yùn)送時(shí)，能夠抑制芯片接合膜產(chǎn)生裂 紋、傷痕。另外，由于芯片接合膜在低溫狀態(tài)下具有某種程度的柔軟性，因此與切割片的密 合性提高。結(jié)果，在低溫運(yùn)送等時(shí)，能夠抑制切割片與芯片接合膜剝離。
[0014] 另外，芯片接合膜在0°C下的損失彈性模量為20MPa以上，因此能夠保持作為膜的 形狀。
[0015] 所述構(gòu)成中，優(yōu)選所述切割片在0°C下的損失彈性模量為IOMPa以上且500MPa以 下。
[0016] 所述切割片在0°C下的損失彈性模量為500MPa以下時(shí)，在低溫狀態(tài)下具有某種程 度的柔軟性。因此，在低溫狀態(tài)下運(yùn)送時(shí)，能夠抑制切割片產(chǎn)生裂紋、傷痕。另外，由于切割 片在低溫狀態(tài)下具有某種程度的柔軟性，因此與芯片接合膜的密合性提高。結(jié)果，在低溫狀 態(tài)下，能夠進(jìn)一步抑制切割片與芯片接合膜剝離。
[0017] 另外，切割片在0°C下的損失彈性模量為IOMPa以上，因此能夠保持作為膜的形 狀。
[0018] 所述構(gòu)成中，優(yōu)選在測(cè)定溫度0°C、拉伸速度300mm/分鐘、T型剝離試驗(yàn)的條件下 從所述切割片剝離所述芯片接合膜時(shí)的剝離力為〇. 01N/20mm以上且2N/20mm以下。
[0019] 在測(cè)定溫度(TC、拉伸速度300mm/分鐘、T型剝離試驗(yàn)的條件下從所述切割片剝離 所述芯片接合膜時(shí)的剝離力為〇. 01N/20mm以上時(shí)，在低溫狀態(tài)下運(yùn)送時(shí)，能夠進(jìn)一步抑制 切割片與芯片接合膜剝離。另外，所述剝離力為2N/20mm以下時(shí)，在拾取時(shí)能夠適合地進(jìn)行 剝離。
[0020] 所述構(gòu)成中，優(yōu)選在測(cè)定溫度〇°C、拉伸速度300mm/分鐘、T型剝離試驗(yàn)的條 件下從所述切割片剝離所述芯片接合膜時(shí)的剝離力在〇°C下放置72小時(shí)前后的變化率 在-75%~75%的范圍。
[0021] 所述變化率為-75%~75%的范圍時(shí)，可以說(shuō)在0°C下保存時(shí)膜特性的變化少。因 此，能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)期保存。
[0022] 需要說(shuō)明的是，所述變化率由下述式得到。
[0023] [(放置后的剝離力）_(放置前的剝離力）V(放置前的剝離力）X 100(% )
[0024] 所述構(gòu)成中，優(yōu)選所述芯片接合膜在0°C下的拉伸斷裂伸長(zhǎng)率為10%以上且 500%以下。
[0025] 所述芯片接合膜在0°C下的拉伸斷裂伸長(zhǎng)率為10%以上時(shí)，在低溫運(yùn)送中能夠進(jìn) 一步不易斷裂。另外，所述芯片接合膜在〇°C下的拉伸斷裂伸長(zhǎng)率為500%以下時(shí)，能夠防 止芯片接合膜與切割片的剝離。
[0026] 所述構(gòu)成中，優(yōu)選相對(duì)于全部有機(jī)樹(shù)脂成分，所述芯片接合膜含有85重量％以上 的丙烯酸系共聚物。
[0027] 相對(duì)于全部有機(jī)樹(shù)脂成分，所述芯片接合膜含有85重量％以上的丙烯酸系共聚 物時(shí)，在低溫狀態(tài)下運(yùn)送時(shí)，能夠進(jìn)一步抑制產(chǎn)生裂紋、傷痕。
[0028] 所述構(gòu)成中，所述芯片接合膜優(yōu)選含有丙烯酸系共聚物，所述丙烯酸系共聚物通 過(guò)將含有丙烯酸丁酯及丙烯腈的單體原料聚合而得到，并且具有環(huán)氧基或羧基作為官能 團(tuán)。
[0029] 若含有具有作為官能團(tuán)的環(huán)氧基、或羧基的丙烯酸系共聚物，則能夠利用交聯(lián)形 成工序中的加熱通過(guò)所述官能團(tuán)而形成交聯(lián)。另外，若所述丙烯酸系共聚物為通過(guò)將含有 丙烯腈的單體原料聚合而得到的共聚物，則能夠提高交聯(lián)形成工序中的凝聚力。結(jié)果，能夠 提尚交聯(lián)形成工序后的粘接力。
[0030] 所述構(gòu)成中，所述芯片接合膜優(yōu)選含有軟化點(diǎn)為o°c以下的熱交聯(lián)劑。
[0031] 若含有軟化點(diǎn)為0°C以下的熱交聯(lián)劑，則在低溫狀態(tài)下也能夠抑制固定成分的含 量，因此在低溫狀態(tài)下運(yùn)送時(shí)，能夠得到不易因沖擊等造成開(kāi)裂的芯片接合膜。
[0032] 另外，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的特征在于使用所述所述的帶有切割片的芯片 接合膜而制造。
[0033] 另外，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于包括：
[0034] 準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備上述的帶有切割片的芯片接合膜；
[0035] 貼合工序，將所述帶有切割片的芯片接合膜的芯片接合膜與半導(dǎo)體晶片的背面貼 合；
[0036] 切割工序，將所述半導(dǎo)體晶片與所述芯片接合膜一起切割，形成芯片狀的半導(dǎo)體 芯片；
[0037] 拾取工序，將所述半導(dǎo)體芯片與所述芯片接合膜一起從所述帶有切割片的芯片接 合膜拾??；和
[0038] 芯片接合工序，通過(guò)所述芯片接合膜在被粘物上芯片接合所述半導(dǎo)體芯片。
[0039] 根據(jù)所述構(gòu)成，通過(guò)使用所述帶有切割片的芯片接合膜，由此能夠抑制芯片接合 膜、切割片產(chǎn)生裂紋、傷痕。另外，在低溫運(yùn)送等時(shí)，能夠抑制切割片與芯片接合膜剝離。結(jié) 果，使用該帶有切割片的芯片接合膜制造的半導(dǎo)體裝置的成品率提高。
【附圖說(shuō)明】
[0040] 圖1為示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的帶有切割片的芯片接合膜的剖面示 意圖。
[0041] 圖2為用于說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)制造方法的剖面示意圖。
[0042] 符號(hào)說(shuō)明
[0043] 10帶有切割片的芯片接合膜
[0044] 11切割片
[0045] 12 基材
[0046] 14粘合劑層
[0047] 16芯片接合膜
[0048] 4半導(dǎo)體晶片
[0049] 5半導(dǎo)體芯片
[0050] 6被粘物
[0051] 7 焊線(xiàn)
[0052] 8密封樹(shù)脂
【具體實(shí)施方式】
[0053] (帶有切割片的芯片接合膜）
[0054] 以下對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的帶有切割片的芯片接合膜進(jìn)行說(shuō)明。圖1 為示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的帶有切割片的芯片接合膜的剖面示意圖。
[0055] 如圖1所示，帶有切割片的芯片接合膜10具有在切割片11上層疊有芯片接合膜 16的構(gòu)成。切割片11通過(guò)在基材12上層疊粘合劑層14而構(gòu)成，芯片接合膜16設(shè)置在粘 合劑層14上。
[0056] 需要說(shuō)明的是，本實(shí)施方式中，對(duì)切割片11存在未被芯片接合膜16覆蓋的部分 14b的情況進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明所涉及的帶有切割片的芯片接合膜并不限定于該例，也可以 以覆蓋整個(gè)切割片的方式在切割片層疊芯片接合膜。
[0057] 芯片接合膜16在(TC下的損失彈性模量為20MPa以上且500MPa以下，優(yōu)選18MPa 以上且400MPa以下，更優(yōu)選15MPa以上且300MPa以下。芯片接合膜16在0°C下的損失彈 性模量為500MPa以下，因此在低溫狀態(tài)下具有某種程度的柔軟性。因此，在低溫狀態(tài)下運(yùn) 送時(shí)，能夠抑制芯片接合膜16產(chǎn)生裂紋、傷痕。另外，芯片接合膜16在低溫狀態(tài)下具有某 種程度的柔軟性，因此與切割片11的密合性提高。結(jié)果，在低溫運(yùn)送等時(shí)，能夠抑制切割片 11與芯片接合膜16剝離。
[0058] 另外，芯片接合膜16在(TC下的損失彈性模量為20MPa以上，因此能夠保持作為膜 的形狀。
[0059] 需要說(shuō)明的是，芯片接合膜在0°C下的損失彈性模量通過(guò)實(shí)施例記載的方法得到。
[0060] 所述損失彈性模量可以通過(guò)構(gòu)成芯片接合膜16的材料進(jìn)行控制。例如，可以通過(guò) 適當(dāng)選擇構(gòu)成芯片接合膜16的熱塑性樹(shù)脂的種類(lèi)、含量，填料的平均粒徑、含量來(lái)進(jìn)行控 制。
[0061] 芯片接合膜16在0°C下的拉伸斷裂伸長(zhǎng)率優(yōu)選為10%以上且500%以下，更優(yōu)選 為12%以上且400%以下，進(jìn)一步優(yōu)選為15%以上且300%以下。芯片接合膜16在0°C下 的拉伸斷裂伸長(zhǎng)率為10%以上時(shí)，在低溫運(yùn)送中能夠進(jìn)一步不易斷裂。另外，芯片接合膜 16在0°C下的拉伸斷裂伸長(zhǎng)率為500%以下時(shí)，能夠防止芯片接合膜與切割片的剝離。
[0062] 所述拉伸斷裂伸長(zhǎng)率可以通過(guò)構(gòu)成芯片接合膜16的材料進(jìn)行控制。例如，可以通 過(guò)適當(dāng)選擇構(gòu)成芯片接合膜16的熱塑性樹(shù)脂的種類(lèi)、含量，填料的平均粒徑、含量來(lái)進(jìn)行 控制。
[0063] 作為構(gòu)成芯片接合膜16的材料，可舉出熱塑性樹(shù)脂。
[0064] 作為所述熱塑性樹(shù)脂