芯片接合膜、帶有切割片的芯片接合膜、半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及芯片接合膜、帶有切割片的芯片接合膜、半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的 制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 以往，在半導(dǎo)體裝置的制造過程中，在向引線框等被粘物固著半導(dǎo)體芯片時使用 銀漿。所述固著處理通過在引線框的焊盤等上涂敷漿狀的膠粘劑，在其上搭載半導(dǎo)體芯片 并使?jié){狀膠粘劑層固化來進行。
[0003] 但是，漿狀膠粘劑根據(jù)其粘度行為或劣化等在涂敷量或涂敷形狀方面產(chǎn)生較大的 偏差。結(jié)果，形成的漿狀膠粘劑厚度不均勻，因此半導(dǎo)體芯片的固著強度可靠性不足。例 如，漿狀膠粘劑的涂敷量不足時，半導(dǎo)體芯片與被粘物之間的固著強度降低，在后續(xù)的絲焊 工序中半導(dǎo)體芯片剝離。另一方面，漿狀膠粘劑的涂敷量過多時，漿狀膠粘劑一直流延到半 導(dǎo)體芯片上從而產(chǎn)生特性不良，成品率或可靠性下降。這樣的固著處理中的問題隨著半導(dǎo) 體芯片的大型化而變得特別顯著。
[0004] 在該漿狀膠粘劑的涂敷工序中，有將漿狀膠粘劑分別涂敷到引線框、形成芯片上 的方法。但是，該方法難以實現(xiàn)漿狀膠粘劑層的均勻化，另外漿狀膠粘劑的涂敷需要特殊裝 置或長時間。因此，以往提出了具有半導(dǎo)體芯片固定用的膠粘劑層的芯片接合薄膜（例如， 參考專利文獻1)。
[0005] 芯片接合膜在貼合到半導(dǎo)體晶片并與半導(dǎo)體晶片一起被切割后，與所形成的半導(dǎo) 體芯片一起從切割膠帶剝離。之后，半導(dǎo)體芯片通過芯片接合膜被固著于被粘物。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0007] 專利文獻
[0008] 專利文獻1 :日本特開平05-179211號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 發(fā)明要解決的課題
[0010] 本發(fā)明人對使用上述的芯片接合膜制造的半導(dǎo)體裝置進行了研宄。結(jié)果查明，半 導(dǎo)體芯片的背面由芯片接合膜覆蓋，因此即使產(chǎn)生碎片，也很難發(fā)現(xiàn)。
[0011] 本發(fā)明鑒于所述問題而進行，其目的在于提供能夠容易地確認半導(dǎo)體芯片的碎片 的芯片接合膜、及帶有切割片的芯片接合膜。另外，在于提供使用該芯片接合膜、或該帶有 切割片的芯片接合膜而制造的半導(dǎo)體裝置。另外，在于提供使用了該帶有切割片的芯片接 合膜的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0012] 解決課題的方法
[0013] 本發(fā)明人為了解決所述問題而進行了深入研宄。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過采用下述構(gòu)成的 芯片接合膜，能夠容易地確認半導(dǎo)體芯片的碎片，并完成了本發(fā)明。
[0014] 即，本發(fā)明所涉及的芯片接合膜的特征在于，將熱固化前在波長400nm下的透光 率設(shè)為Tl(% )、并將在120°C下加熱1小時后在波長400nm下的透光率設(shè)為T2(% )時，所 述Tl為80 %以上，所述Tl與所述Τ2之差（Τ1-Τ2)為20 %以下。
[0015] 根據(jù)所述構(gòu)成，所述Tl (%)為80%以上，因此在該芯片接合膜粘貼于半導(dǎo)體芯片 的背面的狀態(tài)、且熱固化前的狀態(tài)（例如，切割后的狀態(tài)）下，能夠容易地發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片 的背面、側(cè)面是否存在碎片。
[0016] 另外，所述Tl與所述T2之差（T1-T2)為20%以下，因此熱固化后（例如，在120°C 下加熱1小時后）也具有某種程度的透光性。因此，即使在熱固化后的狀態(tài)下，也能夠容易 地發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的背面、側(cè)面是否存在碎片。
[0017] 可見，根據(jù)本發(fā)明，在熱固化前及熱固化后這兩個狀態(tài)下，都能夠容易地發(fā)現(xiàn)半導(dǎo) 體芯片的背面、側(cè)面是否存在碎片。
[0018] 另外，在伴隨熱歷史的工藝、例如芯片接合、絲焊后，也能夠?qū)π酒雍夏さ目障?進行目視確認。
[0019] 所述構(gòu)成中，所述Tl與所述T2之比T2/T1優(yōu)選在0.75~1.0的范圍內(nèi)。
[0020] 若所述比T2/T1在0· 75~I. 0的范圍內(nèi)，則熱固化后（在120°C下加熱1小時后） 與熱固化前相比也具有某種程度的透光性。因此，在熱固化后的狀態(tài)下，能夠進一步容易地 發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的背面、側(cè)面是否存在碎片。
[0021] 另外，在伴隨熱歷史的工藝、例如芯片接合、絲焊后，對芯片接合膜的空隙的目視 確認也進一步變得容易。
[0022] 另外，本發(fā)明所涉及的帶有切割片的芯片接合膜為在切割片上設(shè)置有所述芯片接 合膜的帶有切割片的芯片接合膜，其特征在于，所述切割片在波長400nm下的透光率大于 80%〇
[0023] 根據(jù)所述構(gòu)成，切割片在波長400nm下的透光率大于80%，因此在所述帶有切割 片的芯片接合膜粘貼于半導(dǎo)體芯片的背面的狀態(tài)下，能夠容易地發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的背面、 側(cè)面是否存在碎片。
[0024] 所述構(gòu)成中，熱固化前的所述帶有切割片的芯片接合膜在波長400nm下的透光率 優(yōu)選大于50%。
[0025] 若熱固化前的所述帶有切割片的芯片接合膜在波長400nm下的透光率大于50%， 則在所述帶有切割片的芯片接合膜粘貼于半導(dǎo)體芯片的背面的狀態(tài)下，能夠更容易地發(fā)現(xiàn) 半導(dǎo)體芯片的背面、側(cè)面是否存在碎片。
[0026] 所述構(gòu)成中，相對于全部有機樹脂成分，所述芯片接合膜優(yōu)選含有50重量％以上 的丙烯酸系共聚物。
[0027] 若相對于全部有機樹脂成分，所述芯片接合膜含有50重量％以上的丙烯酸系共 聚物，則在熱固化前、固化后都可以提高芯片接合膜在波長400nm下的透光率。
[0028] 所述構(gòu)成中，所述芯片接合膜優(yōu)選含有丙烯酸系共聚物，所述丙烯酸系共聚物通 過將以50重量％以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的單體原料聚合而得 到。
[0029] 若所述芯片接合膜含有丙烯酸系共聚物，且所述丙烯酸系共聚物通過將以50重 量％以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的單體原料聚合而得到，則能夠進 一步提高芯片接合膜在波長400nm下的透光率。
[0030] 所述構(gòu)成中，所述切割片優(yōu)選由基材和粘合劑層構(gòu)成，所述粘合劑層含有丙烯酸 系共聚物，所述丙烯酸系共聚物通過將以50重量％以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基 丙烯酸烷基酯的單體原料聚合而得到。
[0031] 若所述粘合劑層含有丙烯酸系共聚物，且所述丙烯酸系共聚物通過將以50重 量％以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的單體原料聚合而得到，則能夠提 高所述粘合劑層在波長400nm下的透光率。
[0032] 所述構(gòu)成中，所述芯片接合膜優(yōu)選含有選自脂環(huán)式環(huán)氧樹脂及脂環(huán)式酸酐中的至 少1種以上作為熱固性樹脂。
[0033] 若所述芯片接合膜含有選自脂環(huán)式環(huán)氧樹脂及脂環(huán)式酸酐中的至少1種以上作 為熱固性樹脂，則在熱固化后能夠抑制黃變等，能夠?qū)峁袒蟮男酒雍夏ぴ诓ㄩL400nm 下的透光率保持得較高。
[0034] 所述構(gòu)成中，優(yōu)選所述芯片接合膜在120°C下的損失彈性模量為0. 05~0. 5MPa。
[0035] 若所述芯片接合膜在120°C下的損失彈性模量為0. 05MPa以上，則能夠容易地進 行絲焊。另一方面，若所述芯片接合膜在120°C下的損失彈性模量為0. 5MPa以下，則能夠提 高與被粘物的粘接性。
[0036] 另外，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的特征在于使用所述中記載的芯片接合膜、或 所述中記載的帶有切割片的芯片接合膜而制造。
[0037] 另外，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，包括：
[0038] 準備工序，準備所述中記載的帶有切割片的芯片接合膜；
[0039] 貼合工序，將所述帶有切割片的芯片接合膜的芯片接合膜與半導(dǎo)體晶片的背面貼 合；
[0040] 切割工序，將所述半導(dǎo)體晶片與所述芯片接合膜一起切割，形成芯片狀的半導(dǎo)體 芯片；
[0041] 拾取工序，將所述半導(dǎo)體芯片與所述芯片接合膜一起從所述帶有切割片的芯片接 合膜拾?。缓?br>[0042] 芯片接合工序，通過所述芯片接合膜在被粘物上芯片接合所述半導(dǎo)體芯片。
[0043] 根據(jù)所述構(gòu)成，芯片接合膜在熱固化前在波長400nm下的透光率Tl為80%以上， 因此在該芯片接合膜粘貼于半導(dǎo)體芯片的背面的狀態(tài)、且熱固化前的狀態(tài)（例如，切割工 序后的狀態(tài)）下，能夠容易地發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的背面、側(cè)面是否存在碎片。
[0044] 另外，所述Tl與所述T2之差（T1-T2)為20%以下，因此熱固化后（在120°C下加 熱1小時后）也具有某種程度的透光性。因此，即使在熱固化后的狀態(tài)下，也能夠容易地發(fā) 現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的背面、側(cè)面是否存在碎片。
【附圖說明】
[0045] 圖1為示出本發(fā)明的一個實施方式所涉及的帶有切割片的芯片接合膜的剖面示 意圖。
[0046] 圖2為用于說明本實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的一個制造方法的剖面示意圖。
[0047] 符號說明
[0048] 10帶有切割片的芯片接合膜
[0049] 11切割片
[0050] 12 基材
[0051] 14粘合劑層
[0052] 16芯片接合膜
[0053] 4半導(dǎo)體晶片
[0054] 5半導(dǎo)體芯片
[0055] 6被粘物
[0056] 7 焊線
[0057] 8密封樹脂
【具體實施方式】
[0058] (帶有切割片的芯片接合膜）
[0059] 以下對于本發(fā)明的一個實施方式所涉及的芯片接合膜、及帶有切割片的芯片接合 膜進行說明。關(guān)于本實施方式所涉及的芯片接合膜，可舉出以下說明的帶有切割片的芯片 接合膜中未貼合切割片的狀態(tài)的芯片接合膜。因此，以下中，對帶有切割片的芯片接合膜進 行說明，在其中說明芯片接合膜。圖1為示出本發(fā)明的一個實施方式所涉及的帶有切割片 的芯片接合膜的剖面示意圖。
[0060] 如圖1所示，帶有切割片的芯片接合膜10具有在切割片11上層疊有芯片接合膜 16的構(gòu)成。切割片11通過在基材12上層疊粘合劑層14而構(gòu)成，芯片接合膜16設(shè)置在粘 合劑層14上。
[0061] 需要說明的是，本實施方式中，對切割片11存在未被芯片接合膜16覆蓋的部分 14b的情況進行說明，但本發(fā)明所涉及的帶有切割片的芯片接合膜并不限定于該例，也可以 以覆蓋整個切割片的方式在切割片層疊芯片接合膜。
[0062] 關(guān)于芯片接合膜16,將熱固化前在波長400nm下的透光率設(shè)為Tl (%)、并將在 120°C下加熱1小時后在波長400nm下的透光率設(shè)為T2(% )時，所述Tl為80%以上，優(yōu)選 為82%以上，更優(yōu)選為85%以上。所述Tl (%)為80%以上，因此在芯片接合膜16粘貼于 半導(dǎo)體芯片的背面的狀態(tài)、且熱固化前的狀態(tài)（例如，切割后的狀態(tài)）下，能夠容易地發(fā)現(xiàn) 半導(dǎo)體芯片的背面、側(cè)面是否存在碎片。
[0063] 另外，所述Tl越高越優(yōu)選，但例如可以設(shè)為100%以下。
[0064] 需要說明的是，之所以使用在波長400nm下的透光率，其理由在于實現(xiàn)能夠進行 目視確認的目的。
[0065] 所述透光率Tl、T2可以通過構(gòu)成芯片接合膜16的材料進行控制。例如可以通過 適當(dāng)選擇構(gòu)成芯片接合膜16的熱塑性樹脂的種類、含量；熱固化劑的種類、含量；填料的平 均粒徑、含量來進行控制。
[0066] 芯片接合膜在波長400nm下的透光率（％ )由以下的條件求出。
[0067] 〈透光率測定條件〉
[0068] 測定裝置：紫外可見近紅外分光光度計V-670DS(日本分光公司制）
[0069] 波長掃描速度：2000nm/分鐘
[0070] 測定范圍：300 ~1200nm
[0071] 積分球單元：ISN_723
[0072] 點徑：1cm見方
[0073] 另外，對于芯片接合膜16而言，所述Tl與所述T2之差（T1-T2)為20%以下，優(yōu)選 為18%以下，更優(yōu)選為15%以下。所述Tl與所述T2之差（T1-T2)為20%以下，因此熱固 化后（在120°C下加熱1小時后）也具有某種程度的透光性。因此，在熱固化后的狀態(tài)下，