本實(shí)用新型涉及一種電極組件，尤其涉及一種多晶硅還原爐的電極組件。

背景技術(shù)：

多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中，還原爐內(nèi)電極穿過(guò)還原爐底盤(pán)，將硅芯通過(guò)石墨套件及絕緣陶瓷環(huán)套件固定在電極上，通過(guò)電極為硅芯接通電流，加熱硅芯，從而達(dá)到發(fā)生還原化學(xué)氣相沉積所需溫度。其中石墨套件主要起到固定硅芯、支撐硅棒和與硅芯接觸導(dǎo)通電流的作用，絕緣陶瓷環(huán)主要起到隔絕電極與還原爐底盤(pán)，絕緣保護(hù)、避免放電現(xiàn)象發(fā)生的作用。

一般還原爐底盤(pán)上通過(guò)電極組件設(shè)置有多個(gè)電極，相應(yīng)地，每個(gè)電極設(shè)置有一個(gè)石墨卡瓣和卡套，用于將一個(gè)硅芯夾持固定在其上，形成一一對(duì)應(yīng)的設(shè)置關(guān)系，這樣在還原爐內(nèi)可以有多個(gè)電極與硅芯，還原爐可以一次生長(zhǎng)多個(gè)硅棒，然而，這樣的還原爐的生產(chǎn)效率不足，成本較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是：提供一種生產(chǎn)成本更低的還原爐的電極組件。

一種多晶硅還原爐的電極組件，安裝在還原爐底盤(pán)上，包括與電極配合的第一卡座及安裝在第一卡座上的第二卡座，第一卡座上設(shè)置有用于安裝硅芯的第一安裝部，第二卡座上設(shè)置有用于安裝硅芯的第二安裝部，還包括嵌合卡座，該嵌合卡座安裝在第一卡座上，嵌合卡座并與第二卡座配合，第一卡座具有嵌合部，嵌合部開(kāi)設(shè)有嵌合槽，嵌合卡座包括與該嵌合槽配合的嵌合凸起。

進(jìn)一步地，該嵌合部開(kāi)設(shè)有安裝槽，第二卡座包括與安裝槽配合的安裝凸起。

進(jìn)一步地，還包括基礎(chǔ)絕緣件，該基礎(chǔ)絕緣件安裝在第一卡座和還原爐底盤(pán)之間。

進(jìn)一步地，還包括附加絕緣件，附加絕緣件安裝在第二卡座下以支撐第二卡座。

進(jìn)一步地，第二卡座包括安裝臺(tái)階，附加絕緣件開(kāi)設(shè)有與安裝臺(tái)階配合的通孔。

進(jìn)一步地，第一卡座的第一安裝部數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)第一安裝部間隔分布。

進(jìn)一步地，第一卡座的第二安裝部數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)第二安裝部間隔分布。

進(jìn)一步地，第二卡座包括擴(kuò)展槽和導(dǎo)電臂，第二安裝部設(shè)置在導(dǎo)電臂的末端，導(dǎo)電臂和擴(kuò)展槽的外壁轉(zhuǎn)動(dòng)連接。

本實(shí)用新型的多晶硅還原爐的電極組件，采用多個(gè)卡座套接、嵌合的方式，增加硅芯的密度，降低生產(chǎn)成本，而且不改變還原爐底盤(pán)等原有的還原爐結(jié)構(gòu)，可以在原有的設(shè)備上完成改造，改造成本較低。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施方式一多晶硅還原爐的電極組件的安裝圖。

圖2為圖1所示的多晶硅還原爐的電極組件的第一卡座的剖視圖。

圖3為圖1所示的多晶硅還原爐的電極組件的嵌套卡座的剖視圖。

圖4為圖1所示的多晶硅還原爐的電極組件的第二卡座的剖視圖。

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施方式二多晶硅還原爐的電極組件的第二卡套的剖視圖。

圖6為圖5所示第二卡套的俯視圖。

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施方式三多晶硅還原爐的電極組件的第二卡套的剖視圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合圖示對(duì)本實(shí)用新型的多晶硅還原爐的電極組件進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

圖1為本實(shí)用新型的多晶硅還原爐的電極組件實(shí)施方式一的安裝圖，本實(shí)用新型的多晶硅還原爐的電極組件安裝在還原爐底盤(pán)10上，包括基礎(chǔ)絕緣件20、附加絕緣件22、第一卡座30、嵌套卡座32、第二卡座34、石墨卡套40以及石墨卡瓣42。電極50穿過(guò)還原爐底盤(pán)10嵌入在多晶硅還原爐的電極組件上與之電性連接。多晶硅還原爐的電極組件用于夾持和支撐硅芯，硅芯安裝在多晶硅還原爐的電極組件上，放置在多晶硅還原爐中，電極50通電加熱后，多晶硅還原爐內(nèi)通入物料發(fā)生還原反應(yīng)，生成的多晶硅沉積在硅芯上，硅芯不斷生長(zhǎng)，直到長(zhǎng)成預(yù)定規(guī)格的硅棒。

請(qǐng)同時(shí)參見(jiàn)圖2，第一卡座30包括導(dǎo)電部301、嵌合部303和第一安裝部305。其中，導(dǎo)電部301設(shè)置在第一卡座30的底面，開(kāi)設(shè)有卡槽3011。卡槽3011與電極50配合。嵌合部303位于與第一安裝部305相對(duì)的另一表面，嵌合部303開(kāi)設(shè)有嵌合槽3031，用于與嵌合卡座32配合。第一安裝部305位于遠(yuǎn)離嵌合槽3031的另一端，用于與石墨卡套40以及石墨卡瓣42共同安裝夾持硅芯。

請(qǐng)同時(shí)參見(jiàn)圖3，嵌合卡座32包括與第一卡座30的嵌合槽3031配合的嵌合凸起321和用于安裝第二卡座34的安裝槽323。

請(qǐng)同時(shí)參見(jiàn)圖4，第二卡座34包括位于底面的安裝凸起341、環(huán)繞安裝凸起341的安裝臺(tái)階343、擴(kuò)展槽345、導(dǎo)電臂347及第二安裝部349。

其中，安裝凸起341與嵌合卡座32的安裝槽323相匹配，可以通過(guò)兩者的配合，將第二卡座34安裝在嵌合卡座32上。本實(shí)施方式中，嵌合卡座32的安裝槽323與第一卡座30的嵌合槽3031相同，也可以省略嵌合卡座32，將第二卡座34通過(guò)安裝凸起341與第一卡座30的嵌合槽3031的匹配安裝在第一卡座30上。

安裝臺(tái)階343用于與附加絕緣件22相配合。擴(kuò)展槽345位于與安裝臺(tái)階343相背的另一面，當(dāng)有更多的卡座需要安裝的時(shí)候，可以安裝在擴(kuò)展槽345上。本實(shí)施方式中，擴(kuò)展槽345與第一卡座30的嵌合槽3031尺寸相同，可以多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)件嵌合組裝。導(dǎo)電臂347從安裝凸起341直線延伸，第二安裝部349位于導(dǎo)電臂34的尾端，第二安裝部349用于與石墨卡套40以及石墨卡瓣42共同安裝夾持硅芯。

基礎(chǔ)絕緣件20和附加絕緣件22均為陶瓷件，其中基礎(chǔ)絕緣件20具有電極孔(圖未標(biāo))供電極50穿過(guò)，基礎(chǔ)絕緣件20用于支撐并絕緣第一卡座30.附加絕緣件22也有容納安裝臺(tái)階343的通孔(圖未標(biāo))，附加絕緣件22用于絕緣和支撐第二卡座34。

安裝時(shí)，基礎(chǔ)絕緣件20置于還原爐底盤(pán)10上，第一卡座30置于基礎(chǔ)絕緣件20上，電極50穿過(guò)基礎(chǔ)絕緣件20與第一卡座30的嵌合部303配合。嵌合卡座32安裝在第一卡座30上，通過(guò)嵌合凸起321和第一卡座30的嵌合槽3031相配合的方式。第二卡座34安裝在嵌合卡座32上，第二卡座34的安裝凸起341與嵌合卡座32的安裝槽323相匹配。安裝臺(tái)階343與附加絕緣件22的通孔配合，使附加絕緣件22絕緣支撐第二卡座34。

第一卡座30的第一安裝部305和第二卡座34的第二安裝部349均可以安裝硅芯，石墨卡瓣42和石墨卡座40共同將硅芯固定其上。這樣，本實(shí)用新型的多晶硅還原爐的電極組件就可以安裝兩個(gè)硅芯，較原來(lái)的安裝方式硅芯密度增加一倍。

使用過(guò)程中，由于硅芯密度增加，使還原爐內(nèi)的熱量利用率、物料利用率大幅增加，同時(shí)產(chǎn)出的硅棒數(shù)量也倍增，這樣就可以在節(jié)約熱量、物料的同時(shí)增加產(chǎn)出，降低生產(chǎn)成本。

本實(shí)用新型的多晶硅還原爐的電極組件，采用多個(gè)卡座套接、嵌合的方式，增加硅芯的密度，不改變還原爐底盤(pán)10等原有的還原爐結(jié)構(gòu)，可以在原有的設(shè)備上利用第一卡座30、嵌套卡座32、第二卡座34等部件的組合完成改造。其中，第一卡座30、嵌套卡座32、第二卡座34均可以作為標(biāo)準(zhǔn)件生產(chǎn)，按照需要組合。

請(qǐng)參見(jiàn)圖5和圖6，本實(shí)用新型多晶硅還原爐的電極組件實(shí)施方式二的第二卡座34與實(shí)施方式一類似，其不同在于，導(dǎo)電臂347與擴(kuò)展槽345的外壁可轉(zhuǎn)動(dòng)連接，擴(kuò)展槽345的外壁上有刻度，本實(shí)施方式中刻度為十二等角的刻度，可以根據(jù)刻度調(diào)整導(dǎo)電臂347的延伸方向，調(diào)整硅芯在三維空間上的分布。

請(qǐng)參見(jiàn)圖7，本實(shí)用新型多晶硅還原爐的電極組件實(shí)施方式三的第二卡座34包括有多個(gè)第二安裝部349，多個(gè)第二安裝部349等距排布，可以進(jìn)一步增加硅芯的數(shù)量。

當(dāng)然，第一卡座30的第一安裝部305也可以為多個(gè)，等距排布。

綜上所述，以上僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，不應(yīng)以此限制本實(shí)用新型的范圍。即凡是依本實(shí)用新型權(quán)利要求書(shū)及說(shuō)明書(shū)內(nèi)容所作的簡(jiǎn)單的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型專利涵蓋的范圍內(nèi)。