本實(shí)用新型涉及多晶硅制作技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種防堵塞的多晶硅CVD還原爐。

背景技術(shù)：

多晶硅是一種極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，又是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，是當(dāng)代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料，目前市場上多晶硅的制作方法大多是通過CVD還原爐制作方法，將三氯氫硅和氫氣一起通入CVD還原爐中，通過還原反應(yīng)生成單質(zhì)硅，反應(yīng)生成的硅直接沉淀在爐內(nèi)的硅芯表面，硅棒不斷生長從而達(dá)到生產(chǎn)需求，但是目前市場上的還原爐，在長時(shí)間使用后，三氯氫硅和氫氣容易在管道內(nèi)發(fā)生還原反應(yīng)生產(chǎn)硅單質(zhì)，導(dǎo)致硅單質(zhì)堵塞入氣管，使CVD還原爐無法正常使用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種防堵塞的多晶硅CVD還原爐，具備防堵塞的優(yōu)點(diǎn)，解決了背景技術(shù)中提到的目前市場上的還原爐，在長時(shí)間使用后，三氯氫硅和氫氣容易在管道內(nèi)發(fā)生還原反應(yīng)生產(chǎn)硅單質(zhì)，導(dǎo)致硅單質(zhì)堵塞入氣管，使CVD還原爐無法正常使用的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種防堵塞的多晶硅CVD還原爐，包括反應(yīng)爐和入氣管，所述反應(yīng)爐的底部固定安裝有入氣管，且入氣管的內(nèi)腔與反應(yīng)爐的內(nèi)腔相通，所述入氣管包括固定塊，所述固定塊的一側(cè)開設(shè)有入氣孔，且固定塊的另一側(cè)開設(shè)有與入氣孔相通的第一出氣孔和第二出氣孔，固定塊內(nèi)設(shè)置有T形管，T形管的進(jìn)氣口與入氣孔相通，且T形管的出氣端分別與第一出氣孔和第二出氣孔相通，所述第一出氣孔的內(nèi)腔與第一進(jìn)氣管的一端固定連接，所述第一進(jìn)氣管的另一端與反應(yīng)爐的底部連通，所述第二出氣孔的內(nèi)腔插接有第二進(jìn)氣管，所述第二進(jìn)氣管的一端與反應(yīng)爐的底部連通；

所述第二進(jìn)氣管的內(nèi)壁與限位卡環(huán)的外壁固定連接，所述限位卡環(huán)上開設(shè)有透氣孔，且限位環(huán)的頂部位于透氣孔的上方搭接有擋球，所述擋球的頂部與下?lián)醢宓牡撞抗潭ㄟB接，所述下?lián)醢屙敳康膱A心處與伸縮桿的底端固定連接，所述伸縮桿的頂部插入固定套筒的內(nèi)腔，且伸縮桿與固定套筒內(nèi)腔中的彈簧固定連接，所述固定套筒的頂部與上擋板的底部固定連接，所述上擋板的外表面與第二進(jìn)氣管的內(nèi)壁固定連接，且上擋板上開設(shè)有通孔。

優(yōu)選的，所述第一進(jìn)氣管和第二進(jìn)氣管與反應(yīng)爐的連接處固定安裝有隔溫裝置，隔溫裝置包括隔溫環(huán)，所述隔溫環(huán)中設(shè)置有隔溫墊。

優(yōu)選的，所述第一進(jìn)氣管和第二進(jìn)氣管的外表面均套接有防護(hù)套。

優(yōu)選的，所述透氣孔為半徑是一點(diǎn)五厘米的圓形孔。

優(yōu)選的，所述第二進(jìn)氣管的半徑為五厘米，且擋球和下?lián)醢宓陌霃骄鶠槿迕住?/p>

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果如下：

1、本實(shí)用新型通過設(shè)置反應(yīng)爐和入氣管的配合使三氯氫硅和氫氣可以進(jìn)入反應(yīng)爐內(nèi)發(fā)生還原反應(yīng)生成硅單質(zhì)，通過設(shè)置固定塊、第一進(jìn)氣管和第二進(jìn)氣管的配合，使三氯氫硅和氫氣的混合氣體可以通過不同的管道進(jìn)入反應(yīng)爐內(nèi)進(jìn)行反應(yīng)，通過設(shè)置限位卡環(huán)、擋球、下?lián)醢?、伸縮桿、固定套筒、彈簧和上擋板的配合，使正常情況下的三氯氫硅和氫氣的混合氣體無法通過第二進(jìn)氣管，當(dāng)?shù)谝贿M(jìn)氣管發(fā)生堵塞時(shí)氣壓大于彈簧的彈力，從而使混合氣體頂起擋球從透氣孔和通孔中通過從而進(jìn)入反應(yīng)爐中，達(dá)到了當(dāng)入氣管堵塞時(shí)，依然可以向反應(yīng)爐中輸入混合氣體繼續(xù)進(jìn)行反應(yīng)的操作的效果。

2、本實(shí)用新型通過設(shè)置防護(hù)套來保護(hù)第一進(jìn)氣管和第二進(jìn)氣管，防止外部的撞擊對管道造成傷害導(dǎo)致管道破裂，從而使管道內(nèi)的氣體外泄。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型入氣管的結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖3為本實(shí)用新型隔溫裝置和入氣管的連接示意圖；

圖4為圖2中本實(shí)用新型A部的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1反應(yīng)爐、2入氣管、201固定塊、202入氣孔、203第一出氣孔、204第二出氣孔、205第一進(jìn)氣管、206第二進(jìn)氣管、3限位卡環(huán)、4透氣孔、5擋球、6下?lián)醢濉?伸縮桿、8固定套筒、9彈簧、10上擋板、11通孔、12隔溫裝置、121隔溫環(huán)、122隔溫墊、13防護(hù)套、14T形管。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請參閱圖1-4，一種防堵塞的多晶硅CVD還原爐，包括反應(yīng)爐1和入氣管2，反應(yīng)爐1的底部固定安裝有入氣管2，且入氣管2的內(nèi)腔與反應(yīng)爐1的內(nèi)腔相通，通過反應(yīng)爐1和入氣管2的配合，使三氯氫硅和氫氣的混合氣體可以通過入氣管2進(jìn)入反應(yīng)爐1中進(jìn)行還原反應(yīng)生成單質(zhì)硅，入氣管2包括固定塊201，固定塊201的一側(cè)開設(shè)有入氣孔202，且固定塊201的另一側(cè)開設(shè)有與入氣孔202相通的第一出氣孔203和第二出氣孔204，固定塊201內(nèi)設(shè)置有T形管14，T形管14的進(jìn)氣口與入氣孔202相通，且T形管14的出氣口分別與第一出氣孔203和第二出氣孔204相通，通過在固定塊201內(nèi)設(shè)置T形管14使第一出氣孔203和第二第二出氣孔204與入氣孔202相通，第一出氣孔203的內(nèi)腔與第一進(jìn)氣管205的一端連通，第一進(jìn)氣管205的另一端與反應(yīng)爐1的底部固定連接，第二出氣孔204的內(nèi)腔插接有第二進(jìn)氣管206，第二進(jìn)氣管206的一端與反應(yīng)爐1的底部連通，三氯氫硅和氫氣的混合氣體可通過第一進(jìn)氣管205進(jìn)入反應(yīng)爐1中，進(jìn)行反應(yīng)，同時(shí)也可以通過第二進(jìn)氣管206進(jìn)入反應(yīng)爐1中進(jìn)行反應(yīng)，第一進(jìn)氣管205和第二進(jìn)氣管206與反應(yīng)爐1的連接處固定安裝有隔溫裝置12，隔溫裝置12用于隔絕反應(yīng)爐1與第一進(jìn)氣管205和第二進(jìn)氣管206之間溫度的傳遞，防止反應(yīng)爐1內(nèi)的溫度過高傳遞到第一進(jìn)氣管205和第二進(jìn)氣管206中后，使氫氣和三氯氫硅的混合氣體直接在第一進(jìn)氣管205或者是第二進(jìn)氣管206中發(fā)生反應(yīng)，隔溫裝置12包括隔溫環(huán)121，隔溫環(huán)121中設(shè)置有隔溫墊122，隔溫墊122內(nèi)填充有導(dǎo)熱性差的材料比如木屑、泡沫和硅酸鋁纖維材料等，用于隔絕熱傳遞，第一進(jìn)氣管205和第二進(jìn)氣管206的外表面均套接有防護(hù)套13，防護(hù)套13用來保護(hù)第一進(jìn)氣管205和第二進(jìn)氣管206，防止外部的撞擊對管道造成傷害導(dǎo)致管道破裂，從而使管道內(nèi)的氣體外泄。

第二進(jìn)氣管206的內(nèi)壁與限位卡環(huán)3的外壁固定連接，限位卡環(huán)3上開設(shè)有透氣孔4，透氣孔4為半徑是一點(diǎn)五厘米的圓形孔，且限位環(huán)3的頂部位于透氣孔4的上方搭接有擋球5，通過擋球5和透氣孔4的配合，使第一進(jìn)氣管205沒有被堵塞時(shí)混合氣體無法通過第二進(jìn)氣管206，從而避免了混合氣體在第二進(jìn)氣管206內(nèi)發(fā)生還原反應(yīng)生成硅，使第二進(jìn)氣管206發(fā)生堵塞，擋球5的頂部與下?lián)醢?的底部固定連接，下?lián)醢?頂部的圓心處與伸縮桿7的底端固定連接，伸縮桿7的頂部插入固定套筒8的內(nèi)腔，且伸縮桿7與固定套筒8內(nèi)腔中的彈簧9固定連接，固定套筒8的頂部與上擋板10的底部固定連接，上擋板10的外表面與第二進(jìn)氣管206的內(nèi)壁固定連接，且上擋板10上開設(shè)有通孔11，第二進(jìn)氣管206的半徑為五厘米，且擋球5和下?lián)醢?的半徑均為三厘米，當(dāng)?shù)谝贿M(jìn)氣管205發(fā)生堵塞時(shí)，氣體無法通過第一進(jìn)氣管205，當(dāng)氣壓大于彈簧9的彈性時(shí)，混合氣體便會頂起擋球5，并使伸縮桿7壓縮彈簧9收縮到固定套筒8的內(nèi)腔中，并且使混合氣體從透氣孔4和通孔11中進(jìn)入反應(yīng)爐1中。

使用時(shí)，將輸送三氯氫硅和氫氣的混合氣體的裝置的出氣口與固定塊201上的入氣孔202連通，然后進(jìn)行混合氣體的輸送，混合氣體通過T形管14進(jìn)入進(jìn)氣管205和第二進(jìn)氣管206中，由于擋球5和限位卡環(huán)3的配合，使得氣體無法通過第二進(jìn)氣管206進(jìn)入反應(yīng)爐1中，從而使氣體只能通過第一進(jìn)氣管205進(jìn)入反應(yīng)爐1中，當(dāng)?shù)谝贿M(jìn)氣管205發(fā)生堵塞時(shí)，氣體無法通過第一進(jìn)氣管205，當(dāng)氣壓大于彈簧9的彈性時(shí)，混合氣體便會頂起擋球5從透氣孔4和通孔11中進(jìn)入反應(yīng)爐1中，從而達(dá)到了即使第一進(jìn)氣管205發(fā)生堵塞時(shí)，依然不影響該CVD還原爐的正常工作。

需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。