專利名稱：多晶硅還原爐電極棒分布結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型專利涉及一種電極棒分布結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種用于多晶硅還原爐上的電極棒分布結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前在太陽能多晶硅領(lǐng)域應(yīng)用最普遍的工藝路線是西門子法，作為西門子法生產(chǎn)多晶硅的核心設(shè)備，多晶硅還原爐內(nèi)主要進(jìn)行的反應(yīng)如下SiHCl3+H2-Si+3HC12SiHCl3-Si+SiCl4+2HCl上述反應(yīng)實質(zhì)上是氣相沉積反應(yīng)，反應(yīng)所需的溫度為1080度左右，沉積硅的載體就是硅棒，硅棒安裝在電極棒頂部，通過向硅棒通電，使得硅棒發(fā)熱，在硅棒外表面溫度為 1080度左右時進(jìn)行硅的沉積。當(dāng)硅棒數(shù)量較多時，硅棒間的輻射和硅棒對多晶硅還原爐內(nèi)部氣體流場的影響就非常明顯?，F(xiàn)有技術(shù)普遍采用同心圓的方式進(jìn)行硅棒的分布，這種布棒形式中心對稱，對于流場和熱場的均布起到一定的作用，但是實際使用情況證明，同心圓布棒形式內(nèi)圈硅棒和外圈硅棒生長不均勻，并且最外圈硅棒的偏心現(xiàn)象很明顯。另外，隨著設(shè)備制造技術(shù)的不斷進(jìn)步，多晶硅還原爐的大型化已經(jīng)成為了趨勢，從早期的9對棒(18根硅棒)還原爐發(fā)展到現(xiàn)在的36對棒(72根硅棒)、甚至48對棒(96根硅棒)還原爐，如果繼續(xù)采用同心圓的布棒方式，那么多晶硅還原爐的直徑會很大，不利于設(shè)備的制造。

實用新型內(nèi)容本實用新型提供的多晶硅還原爐電極棒分布結(jié)構(gòu)，目的在于使得多晶硅還原爐內(nèi)硅棒生長更加均勻，并且在多晶硅棒數(shù)量相同的情況下，減小多晶硅還原爐的直徑，降低設(shè)備制造成本并減少多晶硅廠房占地面積。為解決上述問題，本實用新型提供的多晶硅還原爐電極棒分布結(jié)構(gòu)，包括底盤；所述底盤上設(shè)有進(jìn)氣口、電極座，所述電極座上安裝有電極體，所述電極體上連接多晶硅棒，所述電極座在底盤上呈正多邊形分布。作為本實用新型的一種優(yōu)選方案，所述電極座與其相鄰電極座的間距為 200mnT400mm。作為本實用新型的一種優(yōu)選方案，所述多晶硅棒通過頂部橫梁連接，形成一對多晶硅棒，所述一對多晶硅棒之間的間距為200mnT400mm。作為本實用新型的一種優(yōu)選方案，所述電極座與其相鄰電極座的間距為 220140mm，所述多晶硅棒之間的距離為220140mm。作為本實用新型的一種優(yōu)選方案，所述進(jìn)氣口位于正多邊形的中心。本實用新型多晶硅還原爐電極棒分布結(jié)構(gòu)，通過電極座、電極體、多晶硅棒的正多邊形分布，以及進(jìn)氣口位于正多邊形的中心位置，使得混合氣進(jìn)氣均勻，流場穩(wěn)定，進(jìn)而使得還原爐內(nèi)硅棒的生長均勻。同時，相同的多晶硅棒數(shù)量的前提下，可以有效減小多晶硅還原爐的直徑，減小設(shè)備體積，降低設(shè)備制造成本并減少多晶硅廠房占地面積。

圖1為本實用新型多晶硅還原爐電極棒分布結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2為本實用新型多晶硅還原爐電極棒分布結(jié)構(gòu)的底盤俯視圖。附圖標(biāo)記。
權(quán)利要求1.多晶硅還原爐的電極棒分布結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 底盤，所述底盤上設(shè)有進(jìn)氣口、電極座，所述電極座上安裝有電極體，所述電極體上連接多晶硅棒，其特征在于所述電極座在底盤上呈正多邊形分布。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐的電極棒分布結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極座與其相鄰電極座的間距為200mnT400mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐的電極棒分布結(jié)構(gòu)，其特征在于所述多晶硅棒通過頂部橫梁連接，形成一對多晶硅棒，所述一對多晶硅棒之間的間距為200mnT400mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的多晶硅還原爐的電極棒分布結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極座與其相鄰電極座的間距為22(T240mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐的電極棒分布結(jié)構(gòu)，其特征在于所述進(jìn)氣口位于正多邊形的中心。
專利摘要本實用新型多晶硅還原爐電極棒分布結(jié)構(gòu)，包括底盤，所述底盤上設(shè)有進(jìn)氣口、電極座，所述電極座上安裝有電極體，所述電極體上連接多晶硅棒，所述電極座在底盤上呈正多邊形分布。本實用新型多晶硅還原爐電極棒分布結(jié)構(gòu)，通過電極座、電極體、多晶硅棒的正多邊形分布，以及進(jìn)氣口位于正多邊形的中心位置，使得混合氣進(jìn)氣均勻，流場穩(wěn)定，進(jìn)而使得還原爐內(nèi)硅棒的生長均勻。同時，相同的多晶硅棒數(shù)量的前提下，可以有效減小多晶硅還原爐的直徑，減小設(shè)備體積，降低設(shè)備制造成本并減少多晶硅廠房占地面積。
文檔編號C01B33/035GK202131105SQ201120229699
公開日2012年2月1日 申請日期2011年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月1日
發(fā)明者程佳彪, 茅陸榮, 許國文, 鄭飛龍 申請人:上海森松新能源設(shè)備有限公司