本發(fā)明涉及一種電極組件，尤其涉及一種多晶硅還原爐的電極組件。

背景技術：

多晶硅生產過程中，還原爐內電極穿過還原爐底盤，將硅芯通過石墨套件及絕緣陶瓷環(huán)套件固定在電極上，通過電極為硅芯接通電流，加熱硅芯，從而達到發(fā)生還原化學氣相沉積所需溫度。其中石墨套件主要起到固定硅芯、支撐硅棒和與硅芯接觸導通電流的作用，絕緣陶瓷環(huán)主要起到隔絕電極與還原爐底盤，絕緣保護、避免放電現象發(fā)生的作用。

一般還原爐底盤上通過電極組件設置有多個電極，相應地，每個電極設置有一個石墨卡瓣和卡套，用于將一個硅芯夾持固定在其上，形成一一對應的設置關系，這樣在還原爐內可以有多個電極與硅芯，還原爐可以一次生長多個硅棒，然而，這樣的還原爐的生產效率不足，成本較高。

技術實現要素：

本發(fā)明要解決的技術問題是：提供一種生產成本更低的還原爐的電極組件。

一種多晶硅還原爐的電極組件，安裝在還原爐底盤上，包括與電極配合的第一卡座及安裝在第一卡座上的第二卡座，第一卡座上設置有用于安裝硅芯的第一安裝部，第二卡座上設置有用于安裝硅芯的第二安裝部。

本發(fā)明的多晶硅還原爐的電極組件，采用多個卡座套接、嵌合的方式，增加硅芯的密度，降低生產成本，而且不改變還原爐底盤等原有的還原爐結構，可以在原有的設備上完成改造，改造成本較低。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施方式一多晶硅還原爐的電極組件的安裝圖。

圖2為圖1所示的多晶硅還原爐的電極組件的第一卡座的剖視圖。

圖3為圖1所示的多晶硅還原爐的電極組件的嵌套卡座的剖視圖。

圖4為圖1所示的多晶硅還原爐的電極組件的第二卡座的剖視圖。

圖5為本發(fā)明實施方式二多晶硅還原爐的電極組件的第二卡套的剖視圖。

圖6為圖5所示第二卡套的俯視圖。

圖7為本發(fā)明實施方式三多晶硅還原爐的電極組件的第二卡套的剖視圖。

具體實施方式

下面結合圖示對本發(fā)明的多晶硅還原爐的電極組件進行詳細說明。

圖1為本發(fā)明的多晶硅還原爐的電極組件實施方式一的安裝圖，本發(fā)明的多晶硅還原爐的電極組件安裝在還原爐底盤10上，包括基礎絕緣件20、附加絕緣件22、第一卡座30、嵌套卡座32、第二卡座34、石墨卡套40以及石墨卡瓣42。電極50穿過還原爐底盤10嵌入在多晶硅還原爐的電極組件上與之電性連接。多晶硅還原爐的電極組件用于夾持和支撐硅芯，硅芯安裝在多晶硅還原爐的電極組件上，放置在多晶硅還原爐中，電極50通電加熱后，多晶硅還原爐內通入物料發(fā)生還原反應，生成的多晶硅沉積在硅芯上，硅芯不斷生長，直到長成預定規(guī)格的硅棒。

請同時參見圖2，第一卡座30包括導電部301、嵌合部303和第一安裝部305。其中，導電部301設置在第一卡座30的底面，開設有卡槽3011。卡槽3011與電極50配合。嵌合部303位于與第一安裝部305相對的另一表面，嵌合部303開設有嵌合槽3031，用于與嵌合卡座32配合。第一安裝部305位于遠離嵌合槽3031的另一端，用于與石墨卡套40以及石墨卡瓣42共同安裝夾持硅芯。

請同時參見圖3，嵌合卡座32包括與第一卡座30的嵌合槽3031配合的嵌合凸起321和用于安裝第二卡座34的安裝槽323。

請同時參見圖4，第二卡座34包括位于底面的安裝凸起341、環(huán)繞安裝凸起341的安裝臺階343、擴展槽345、導電臂347及第二安裝部349。

其中，安裝凸起341與嵌合卡座32的安裝槽323相匹配，可以通過兩者的配合，將第二卡座34安裝在嵌合卡座32上。本實施方式中，嵌合卡座32的安裝槽323與第一卡座30的嵌合槽3031相同，也可以省略嵌合卡座32，將第二卡座34通過安裝凸起341與第一卡座30的嵌合槽3031的匹配安裝在第一卡座30上。

安裝臺階343用于與附加絕緣件22相配合。擴展槽345位于與安裝臺階343相背的另一面，當有更多的卡座需要安裝的時候，可以安裝在擴展槽345上。本實施方式中，擴展槽345與第一卡座30的嵌合槽3031尺寸相同，可以多個標準件嵌合組裝。導電臂347從安裝凸起341直線延伸，第二安裝部349位于導電臂34的尾端，第二安裝部349用于與石墨卡套40以及石墨卡瓣42共同安裝夾持硅芯。

基礎絕緣件20和附加絕緣件22均為陶瓷件，其中基礎絕緣件20具有電極孔(圖未標)供電極50穿過，基礎絕緣件20用于支撐并絕緣第一卡座30.附加絕緣件22也有容納安裝臺階343的通孔(圖未標)，附加絕緣件22用于絕緣和支撐第二卡座34。

安裝時，基礎絕緣件20置于還原爐底盤10上，第一卡座30置于基礎絕緣件20上，電極50穿過基礎絕緣件20與第一卡座30的嵌合部303配合。嵌合卡座32安裝在第一卡座30上，通過嵌合凸起321和第一卡座30的嵌合槽3031相配合的方式。第二卡座34安裝在嵌合卡座32上，第二卡座34的安裝凸起341與嵌合卡座32的安裝槽323相匹配。安裝臺階343與附加絕緣件22的通孔配合，使附加絕緣件22絕緣支撐第二卡座34。

第一卡座30的第一安裝部305和第二卡座34的第二安裝部349均可以安裝硅芯，石墨卡瓣42和石墨卡座40共同將硅芯固定其上。這樣，本發(fā)明的多晶硅還原爐的電極組件就可以安裝兩個硅芯，較原來的安裝方式硅芯密度增加一倍。

使用過程中，由于硅芯密度增加，使還原爐內的熱量利用率、物料利用率大幅增加，同時產出的硅棒數量也倍增，這樣就可以在節(jié)約熱量、物料的同時增加產出，降低生產成本。

本發(fā)明的多晶硅還原爐的電極組件，采用多個卡座套接、嵌合的方式，增加硅芯的密度，不改變還原爐底盤10等原有的還原爐結構，可以在原有的設備上利用第一卡座30、嵌套卡座32、第二卡座34等部件的組合完成改造。其中，第一卡座30、嵌套卡座32、第二卡座34均可以作為標準件生產，按照需要組合。

請參見圖5和圖6，本發(fā)明多晶硅還原爐的電極組件實施方式二的第二卡座34與實施方式一類似，其不同在于，導電臂347與擴展槽345的外壁可轉動連接，擴展槽345的外壁上有刻度，本實施方式中刻度為十二等角的刻度，可以根據刻度調整導電臂347的延伸方向，調整硅芯在三維空間上的分布。

請參見圖7，本發(fā)明多晶硅還原爐的電極組件實施方式三的第二卡座34包括有多個第二安裝部349，多個第二安裝部349等距排布，可以進一步增加硅芯的數量。

當然，第一卡座30的第一安裝部305也可以為多個，等距排布。

綜上所述，以上僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，不應以此限制本發(fā)明的范圍。即凡是依本發(fā)明權利要求書及說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內。