專利名稱：自發(fā)光型平面顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用了向真空中發(fā)射電子的圖像顯示裝置，特別是涉及具有背板和前板的自發(fā)光型平面顯示裝置，其中，上述背板包括具有用納米材料構(gòu)成的電子源的陰極電極和控制來自該電子源的電子發(fā)射量的柵極電極，上述前板具有利用從該背板發(fā)出的電子的激勵(lì)而發(fā)光的熒光體層和陽極電極。
背景技術(shù)：
作為在高亮度、高清晰方面表現(xiàn)優(yōu)良的顯示裝置，以往廣泛使用彩色陰極射線管。但是，伴隨著近些年來的信息處理裝置和電視播放的高像質(zhì)化，對(duì)具有高亮度、高清晰的特性并且重量輕、省空間的平面型顯示裝置的需求日益增加。
作為其典型的例子，液晶顯示裝置、等離子體顯示裝置等已經(jīng)實(shí)用化。此外，特別是作為可高亮度化的顯示裝置，利用了從電子源向真空中發(fā)射電子的電子發(fā)射式顯示裝置、以低功耗為特征的有機(jī)EL顯示器等各種形式的平板式顯示裝置也即將實(shí)用化。另外，不需要輔助照明光源的等離子體顯示裝置、電子發(fā)射式顯示裝置或有機(jī)EL顯示裝置，被稱為自發(fā)光型平面顯示裝置。
在這樣的平面型顯示裝置中，上述電子發(fā)射式顯示裝置，已知有具有由C.A.Spindt等提出的錐形電子發(fā)射構(gòu)造的顯示裝置、具有金屬-絕緣物-金屬(MIM)型電子發(fā)射構(gòu)造的顯示裝置、具有利用由量子論的隧道效應(yīng)引起的電子發(fā)射現(xiàn)象的電子發(fā)射構(gòu)造(也稱為表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子源)的顯示裝置、以及利用金剛石膜、石墨膜或以碳納米管為代表的納米管等具有的電子發(fā)射現(xiàn)象的顯示裝置等。
作為自發(fā)光型平面顯示裝置的一個(gè)例子的電子發(fā)射式顯示裝置是在背板和前板這二者的內(nèi)周邊緣插入密封框并進(jìn)行密封，使由該背板、前板和密封框形成的內(nèi)部保持為真空而構(gòu)成的。其中，上述背板在內(nèi)面形成有電子發(fā)射型電子源和作為控制電極的柵極電極，上述前板在與該背板相對(duì)的內(nèi)面具有多種顏色的熒光體層和陽極電極(陽極)。
背板，在優(yōu)選玻璃或陶瓷等的背面基板之上具有在第1方向延伸且在與該第1方向交叉的第2方向并列設(shè)置、并具有電子源的多個(gè)陰極電極，和在第2方向延伸在第1方向并列設(shè)置的柵極電極。由陰極電極和柵極電極之間的電位差控制來自電子源的電子的發(fā)射量(包括發(fā)射的開、關(guān))。
另外，前板在由玻璃等透光性材料形成的前面基板之上具有熒光體層和陽極電極。密封框在背板和前板的內(nèi)周邊緣由玻璃料等接合材料固定。由背板、前板和密封框形成的內(nèi)部的真空度，例如為10-5～10-7Torr左右。在顯示面尺寸較大的顯示裝置中，在背板和前板之間插入間隙保持構(gòu)件(也稱間隔物或隔壁)地固定，使兩基板間的空間保持為預(yù)定的間隔。
涉及將作為納米管的典型例子的碳納米管用作電子源的自發(fā)光型平面顯示裝置的現(xiàn)有技術(shù)，已由下述“非專利文獻(xiàn)1”等公開。
Applied Physics Letters，vol.80(21)，pp.4045-4047(2002)發(fā)明內(nèi)容但是，在將碳納米管用作電子源的自發(fā)光型平面顯示裝置中，重要的是構(gòu)成使碳納米管的優(yōu)良的電子發(fā)射特性充分發(fā)揮的電極構(gòu)造。作為其一，為了以低電壓進(jìn)行柵極電極動(dòng)作，需要將電子源和柵極電極之間的距離控制在幾微米至幾十微米左右的范圍內(nèi)。因此，需要應(yīng)用光刻工藝，從而成為低價(jià)格化的一大障礙。
本發(fā)明就是為了解決上述現(xiàn)有課題而做出的，其目的在于提供一種使用了以碳納米管為代表的納米材料作為電子源的自發(fā)光型平面顯示裝置，能夠使用常用的涂敷工藝，能容易且廉價(jià)地制作能充分發(fā)揮作為納米材料電子源的優(yōu)良性能的電極構(gòu)造。
為了達(dá)到這樣的目的，本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的陰極電極、柵極電極和聚焦柵極電極中的兩個(gè)電極在同一面上相鄰地形成，并多層層疊設(shè)置該電極構(gòu)造，由此能減少形成各電極用的印刷工藝的次數(shù)，大幅地放寬制作電極構(gòu)造時(shí)的對(duì)位精度，因此能解決背景技術(shù)的課題。
另外，本發(fā)明的另一自發(fā)光型平面顯示裝置，最好在上述結(jié)構(gòu)中，陰極電極和柵極電極形成在第一層，該柵極電極的總線和聚焦柵極電極形成在第二層，由此能解決背景技術(shù)的課題。
另外，本發(fā)明的另一自發(fā)光型平面顯示裝置，最好在上述結(jié)構(gòu)中，陰極電極和柵極電極形成在第一層，該柵極電極的總線形成在第二層，將聚焦柵極電極電分離而形成的第1聚焦電極和第2聚焦電極形成在第三層，由此能解決背景技術(shù)的課題。
本發(fā)明的另一自發(fā)光型平面顯示裝置，最好在上述結(jié)構(gòu)中，在陰極電極的表面形成含有納米材料的電子源層，由此能解決背景技術(shù)的課題。
另外，本發(fā)明的另一自發(fā)光型平面顯示裝置，最好在上述結(jié)構(gòu)中，陰極電極含有成為電子源的納米材料，由此能解決背景技術(shù)的課題。
另外，本發(fā)明的另一自發(fā)光型平面顯示裝置，最好在上述結(jié)構(gòu)中，陰極電極和柵極電極含有成為電子源的納米材料，由此能解決背景技術(shù)的課題。
另外，本發(fā)明的另一自發(fā)光型平面顯示裝置，最好在上述結(jié)構(gòu)中，成為電子源的納米材料是由碳構(gòu)成的納米管、納米線圈或具有納米尺寸的形狀的材料，或是含有碳、硼、氮這三種元素中的2種或2種以上元素的納米管、納米線圈或具有納米尺寸的形狀的材料之中的任意一種材料，由此能解決背景技術(shù)的課題。
本發(fā)明并不限于上述各結(jié)構(gòu)和后述的實(shí)施方式中記載的結(jié)構(gòu)，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)，可做各種變更。
根據(jù)本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置，陰極電極、柵極電極以及聚焦柵極電極中的兩個(gè)電極在同一面上相鄰地形成，該電極構(gòu)造多層層疊地形成，由此能減少形成各電極用的印刷工藝的工序數(shù)，大幅地放寬制作電極構(gòu)造時(shí)的對(duì)位精度，因此，能得到如下的極佳的效果，即、能夠使用常用的涂敷工藝，能容易且廉價(jià)地制作自發(fā)光型平面顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置，使陰極電極含有成為電子源的納米材料，由此能在陰極電極和電子源之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸，能夠降低陰極電極和電子源之間的電阻，因此，能得到如下的極佳的效果，即、能夠?qū)崿F(xiàn)可充分發(fā)揮納米材料的電子源的優(yōu)良性能的電極構(gòu)造。
根據(jù)本發(fā)明的以納米材料作為電子源的自發(fā)光型平面顯示裝置，用含有納米材料的同一材料形成陰極電極和柵極電極，由此能夠降低陰極電極和電子源之間的電阻，并且能大幅地放寬制作電極構(gòu)造時(shí)的對(duì)位精度，因此，可得到如下的極佳的效果，即、能夠使用常用的涂敷工藝，容易且廉價(jià)地制作自發(fā)光型平面顯示裝置。


圖1是從斜上方觀察實(shí)施例1的自發(fā)光型平面顯示裝置而得到的主要部分展開立體圖。
圖2是從斜下方觀察實(shí)施例1的自發(fā)光型平面顯示裝置而得到的主要部分展開立體圖。
圖3是示意地說明實(shí)施例1的背板的結(jié)構(gòu)例的主要部分俯視圖。
圖4是示意地說明實(shí)施例1的前板的結(jié)構(gòu)例的主要部分俯視圖。
圖5A是示意地說明實(shí)施例1的背板的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。
圖5B是圖5A的主要部分放大圖。
圖6A是示意地說明構(gòu)成實(shí)施例1的自發(fā)光型平面顯示裝置的前板的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。
圖6B是圖6A的主要部分放大圖。
圖7是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的說明圖。
圖8是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖7的說明圖。
圖9是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖8的說明圖。
圖10是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖9的說明圖。
圖11是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖10的說明圖。
圖12是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的另一構(gòu)造例的工藝的說明圖。
圖13是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖12的說明圖。
圖14是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖13的說明圖。
圖15是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖14的說明圖。
圖16是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的另一構(gòu)造例的工藝的說明圖。
圖17是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖16的說明圖。
圖18是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖17的說明圖。
圖19是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖18的說明圖。
圖20是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖19的說明圖。
圖21是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖20的說明圖。
圖22是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的另一構(gòu)造例的工藝的說明圖。
圖23是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖22的說明圖。
圖24是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖23的說明圖。
圖25是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖24的說明圖。
圖26是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖25的說明圖。
圖27是表示圖26的構(gòu)造的俯視圖。
圖28是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的另一構(gòu)造例的工藝的說明圖。
圖29是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖28的說明圖。
圖30是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖29的說明圖。
圖31是表示圖30的構(gòu)造的俯視圖。
圖32是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的另一構(gòu)造例的工藝的說明圖。
圖33是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖32的說明圖。
圖34是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖33的說明圖。
圖35是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖34的說明圖。
圖36是制造本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的構(gòu)造例的工藝的接圖35的說明圖。
圖37是表示圖36的構(gòu)造的俯視圖。
圖38是說明本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的整體構(gòu)造的一個(gè)例子的除去一部分來表示的立體圖。
圖39是沿圖38的A-A’線切斷的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照實(shí)施方式的附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖1和圖2是說明本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)的示意圖，圖1是從斜上方觀察自發(fā)光型平面顯示裝置而得到的主要部分展開立體圖，圖2是從斜下方觀察自發(fā)光型平面顯示裝置而得到的主要部分展開立體圖。該自發(fā)光型平面顯示裝置，是構(gòu)成背板PNL1的背面基板SUB1和構(gòu)成前板PNL2的前面基板SUB2中間隔著密封框MFL被粘合起來而構(gòu)成的。
圖3是從上方觀察自發(fā)光型平面顯示裝置的背面基板SUB1的內(nèi)面而得到的主要部分俯視圖。在圖3中，在背面基板SUB1上，形成有在一個(gè)方向延伸，在與該一個(gè)方向交叉的另一個(gè)方向并列設(shè)置的多條陰極電極CL，和在上述另一個(gè)方向延伸、在上述一個(gè)方向并列設(shè)置的多條柵極電極GL。陰極電極CL和柵極電極GL隔著未圖示的絕緣層層疊著，在各交叉部分形成有碳納米管(納米材料)電子源。
向電子源提供電子的陰極電極CL構(gòu)成為各陰極電極分割成多組，各組的陰極電極與陰極電極總線電連接。柵極電極GL構(gòu)成為各柵極電極分割成多組，各組的柵極電極與柵極電極總線電連接。另外，后述的聚焦柵極電極也一樣，各聚焦柵極電極分割成多組，各組的聚焦柵極電極與聚焦柵極電極總線電連接。并且，構(gòu)成通過分別選擇陰極電極總線和柵極電極總線中的一部分，從所指定的位置的電子源發(fā)射電子的電子束組。
從陰極信號(hào)源(圖像信號(hào)源)S向形成于該背面基板SUB1上的陰極電極CL提供陰極信號(hào)(圖像信號(hào))，從柵極信號(hào)源(掃描信號(hào)源)G向柵極電極GL施加?xùn)艠O信號(hào)(掃描信號(hào))。從而從與柵極信號(hào)所選擇的柵極電極GL交叉的陰極電極CL的電子源發(fā)射電子束。
圖4是從上方觀察自發(fā)光型平面顯示裝置的前面基板SUB2的內(nèi)面?zhèn)榷玫降闹饕糠指┮晥D。在圖4中，在前面基板SUB2的內(nèi)面的顯示區(qū)域，依照?qǐng)D3所示的背面基板SUB1具有的電子源的形成位置，將多個(gè)紅色熒光體層PHR、綠色熒光體層PHG和藍(lán)色熒光體層PHB排列成帶狀，形成熒光體層PH。另外，該熒光體層PH也可以是點(diǎn)狀排列的。這些紅色熒光體層PHR、綠色熒光體層PHG以及藍(lán)色熒光體層PHB，彼此間由未圖示的黑矩陣(black matrix)膜劃分開，在該熒光體層PH和黑矩陣膜的背面的整個(gè)面上形成有背金(metalback)膜。
另外，在該前面基板SUB2上，如圖4所示在熒光體層PH的下層形成有陽極電極(陽極)AD。也可以在熒光體層PH的上層形成陽極電極AD。從圖1所示的高壓電源E向該陽極電極AD施加預(yù)定的陽極電壓。從陰極電極CL的電子源發(fā)射出的電子，被施加給陽極電極AD的高電壓加速，轟擊預(yù)定的熒光體層PH，使之以預(yù)定的顏色發(fā)光。通過在前面基板SUB2的顯示區(qū)域的整個(gè)區(qū)域控制熒光體層PH的發(fā)光來顯示2維的圖像。
在畫面尺寸大的平板顯示裝置中，為了使背面基板SUB1所具有的電子源和前面基板SUB2的熒光體層PH之間的間隔保持為預(yù)定值，在密封框MFL的內(nèi)部以預(yù)定的間隔設(shè)置由薄的玻璃板等構(gòu)成的多個(gè)隔壁(間隔物)。
圖5A、圖5B是示意地說明實(shí)施例1的背板的結(jié)構(gòu)例的俯視圖，圖5A是整體結(jié)構(gòu)圖，圖5B是圖5A的主要部分放大圖。在構(gòu)成背板的背面基板SUB1上，在圖5A的垂直方向形成有多條陰極電極CL，在圖5A的水平方向形成有多條柵極電極GL。陰極電極CL和柵極電極GL，雖未圖示，但間隔絕緣層交叉，在各交叉部分形成有上述的由碳納米管構(gòu)成的電子源部EMS。
該含有碳納米管的電子源部EMS，如上述那樣形成于在貫穿柵極電極GL和其下層的絕緣層(未圖示)的孔的底部露出的陰極電極CL內(nèi)。每個(gè)電子源部EMS與構(gòu)成彩色顯示時(shí)的1個(gè)像素(pixel)的子像素(subpixel)對(duì)應(yīng)。陰極電極CL的一端成為陰極電極引出線CLT，從陰極信號(hào)源S提供陰極信號(hào)(圖像信號(hào))。柵極電極GL的一端成為柵極電極引出線GLT，從柵極信號(hào)源G提供柵極信號(hào)(掃描信號(hào))。
圖6A、圖6B是示意地說明構(gòu)成實(shí)施例1的自發(fā)光型平面顯示裝置的前板的結(jié)構(gòu)例的俯視圖，圖6A是整體結(jié)構(gòu)圖，圖6B是圖6A的主要部分放大圖。在該前板的前面基板SUB2的內(nèi)面，紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的帶狀的各熒光體層PHR、PHG、PHB彼此間由遮光層(黑矩陣)BM劃分開，形成熒光體層PH，從而形成熒光面，在該熒光面上形成膜厚為幾十納米至幾百納米的膜來形成陽極電極AD。
該熒光面如下這樣形成，首先，涂敷混合了吸光物質(zhì)和感光性樹脂的漿液(slurry)，通過使用了掩模曝光和過氧化氫水等的已知的剝離(liftoff)法，依照電子源部EMS的橫向(水平方向)節(jié)距，在電子源部EMS間的中央位置形成帶狀的黑矩陣BM。
接下來，用漿液法反復(fù)形成紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的帶狀的各熒光體層PHR、PHG、PHB的圖案，形成黑矩陣BM位于各熒光體層PHR、PHG、PHB的兩側(cè)的熒光體層PH。另外，在形成了帶狀的各熒光體層PHR、PHG、PHB之后，雖未圖示，但在整個(gè)面上蒸鍍厚度為幾十至幾百納米的鋁，形成陽極電極AD。
使這樣制作出的前板中間隔著密封框MFL與上述背板重合，對(duì)電子源和熒光體進(jìn)行對(duì)位，將內(nèi)部抽真空并密封，制作成顯示板，附加驅(qū)動(dòng)電路等，完成自發(fā)光型平面顯示裝置。用玻璃料使前板與密封框MFL以及背板密封。上述密封是用印刷法或分配器(dispenser)涂敷法在密封面涂敷玻璃料，并在約450℃下加熱進(jìn)行熔融接合而完成的。另外，對(duì)密封前板、密封框以及背板而形成的內(nèi)部空間的抽真空，是從安裝在前板、密封框或背板中的任意一個(gè)(通常是背板的顯示區(qū)域外、密封框內(nèi)的適當(dāng)部位)上的排氣管排氣，在達(dá)到了預(yù)定的真空度的狀態(tài)下封住排氣管而完成的，并由此形成顯示板。
這樣制作出的顯示板，通過分別向陰極電極CL施加陰極信號(hào)、向柵極電極GL施加?xùn)艠O信號(hào)，并向加速電極AD施加相對(duì)于陰極電極CL為高電壓的加速電壓，能顯示所要的高品質(zhì)的圖像。
接下來，用圖7至圖11的主要部分放大立體圖說明本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的電子源的構(gòu)造例及其制造工藝。在這些圖中，詳細(xì)地示出了電子源陣列的子像素。
首先，如圖7所示，在優(yōu)選玻璃板的背面基板SUB1上，用絲網(wǎng)印刷法將在有機(jī)溶劑中含有銀微粒的電極形成用銀漿料涂敷成帶狀，然后，烘焙，同時(shí)形成陰極電極CL和柵極電極GL。這些陰極電極CL和柵極電極GL，在背面基板SUB1上的同一平面上形成。該陰極電極CL的寬度約為30μm，與相鄰的未圖示的帶狀陰極電極之間的間隔約為240μm。陰極電極CL和柵極電極GL之間的間隔約為30μm。另外，陰極電極CL和柵極電極GL含有粒徑約為1μm的銀微粒，烘焙后的膜厚約為5μm。使這樣的陰極電極CL的帶狀構(gòu)造形成1280×3條＝3840條。
接下來，如圖8所示，在陰極電極CL的表面，用絲網(wǎng)印刷法涂敷在有機(jī)溶劑中含有粒徑約為1μm的銀微粒和直徑約為5nm的多壁碳納米管(multi-wall carbon nanotube)的銀漿料，形成電子源層EMS。
接下來，如圖9所示，在形成了陰極電極CL、電子源層EMS和柵極電極GL的背面基板SUB1上，用絲網(wǎng)印刷法涂敷玻璃料，烘焙，形成絕緣層INS。在該絕緣層INS上，在與柵極電極GL的形成位置對(duì)應(yīng)的部分形成有與柵極電極GL連通的柵極電極接觸孔GHL。該絕緣層INS的膜厚，在烘焙后約為5μm。
接下來，如圖10所示，在與該絕緣層INS上的柵極電極接觸孔GHL對(duì)應(yīng)的部位和預(yù)定部位，用絲網(wǎng)印刷法涂敷在有機(jī)溶劑中含有銀微粒的電極形成用銀漿料，烘焙，同時(shí)形成柵極電極用總線GBL和聚焦柵極電極FGL。該柵極電極用總線GBL和聚焦柵極電極FGL，由粒徑約為1μm的銀微粒構(gòu)成，烘焙后的膜厚約為5μm。分別形成這樣的柵極電極用總線GBL和聚焦柵極電極FGL各720條。
接下來，如圖11所示，以柵極電極用總線GBL和聚焦柵極電極FGL為掩模，用干蝕刻法或濕蝕刻法蝕刻絕緣層INS，由此形成電子源孔CHL。因此，在電子源孔CHL的內(nèi)部，露出在陰極電極CL上形成的電子源層EMS和柵極電極GL的靠近陰極電極CL側(cè)的一部分。
最后，對(duì)電子源層EMS進(jìn)行使碳納米管起毛用的表面處理。該表面處理，可使用激光照射、等離子體處理或機(jī)械處理等方法。由此制作出能進(jìn)行柵極動(dòng)作和電子束聚焦的碳納米管電子源構(gòu)造。在這樣的電子源中，陰極電極CL上的電子源層EMS和柵極電極GL相鄰地形成在背面基板SUB1的大致同一平面上。
這樣構(gòu)成的電子源構(gòu)造，通過向聚焦柵極電極FGL施加相對(duì)于陰極電極CL為正或負(fù)的電壓，能夠控制來自陰極電極CL的射束的發(fā)散角度。
在本實(shí)施例中，用銀形成了陰極電極CL、柵極電極GL、柵極電極用總線GBL以及聚焦柵極電極FGL，但是也可以使用具有必要的導(dǎo)電性的任何金屬。而且也可以使用合金或金屬多層膜。另外，陰極電極CL、電子源層EMS、柵極電極GL、柵極電極用總線GBL以及聚焦柵極電極FGL等的涂敷，并不限于絲網(wǎng)印刷法，也可以用噴墨法、其它特殊的印刷法或氣相生長法等。
接下來，用圖12至圖15所示的主要部分放大立體圖說明本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的電子源的另一構(gòu)造例及其制造工藝。在這些圖中，詳細(xì)地示出了電子源陣列的子像素。
首先，如圖12所示，在優(yōu)選玻璃板的背面基板SUB1上，用絲網(wǎng)印刷法將在有機(jī)溶劑中含有銀微粒的電極形成用銀漿料涂敷成帶狀，然后，烘焙，同時(shí)形成陰極電極CL和柵極電極GL的帶狀構(gòu)造。這些陰極電極CL和柵極電極GL，形成在背面基板SUB1上的同一平面上。該陰極電極CL的帶狀構(gòu)造的寬度約為30μm，與相鄰的帶狀陰極電極之間的間隔約為240μm。陰極電極CL和柵極電極GL之間的間隔約為30μm。
該陰極電極CL和柵極電極GL，含有粒徑約為1μm的銀微粒，該陰極電極CL和柵極電極GL的膜厚在烘焙后約為5μm。使這樣的陰極電極CL的帶狀構(gòu)造形成1280×3條＝3840條。
接下來，如圖13所示，在陰極電極CL上，用絲網(wǎng)印刷法涂敷在有機(jī)溶劑中含有粒徑約為1μm的銀微粒和直徑約為5nm的多壁碳納米管的銀漿料，形成電子源層EMS。
接下來，如圖14所示，在形成了陰極電極CL、電子源層EMS和柵極電極GL的背面基板SUB1上，用絲網(wǎng)印刷法涂敷玻璃料，烘焙，形成絕緣層INS。在該絕緣層INS上，在與柵極電極GL的形成位置對(duì)應(yīng)的部分形成有與柵極電極GL連通的柵極電極接觸孔GHL，在與電子源層EMS的形成位置對(duì)應(yīng)的部分形成有電子源孔CHL。該絕緣層INS的膜厚，在烘焙后約為5μm。由此構(gòu)成如下結(jié)構(gòu)，即、在電子源孔CHL的內(nèi)部，露出形成于陰極電極CL上的電子源層EMS和柵極電極GL的靠近陰極電極CL的一部分。
接下來，如圖15所示，在該絕緣層INS上，用絲網(wǎng)印刷法涂敷在有機(jī)溶劑中含有銀微粒的銀漿料，烘焙，同時(shí)形成柵極電極用總線GBL和聚焦柵極電極FGL。該柵極電極用總線GBL和聚焦柵極電極FGL，含有粒徑約為1μm的銀微粒，烘焙后的膜厚約為5μm。分別形成這樣的柵極電極用總線GBL和聚焦柵極電極FGL各720條。
最后，對(duì)在電子源孔CHL內(nèi)露出的電子源層EMS的表面進(jìn)行使碳納米管起毛用的表面處理。該表面處理，可使用激光照射、等離子體處理或機(jī)械處理等方法。由此制作出可進(jìn)行柵極動(dòng)作和電子束聚焦的碳納米管電子源構(gòu)造。
這樣構(gòu)成的電子源構(gòu)造，通過向聚焦柵極電極FGL施加相對(duì)于陰極電極CL為正或負(fù)的電壓，能夠控制來自電子源層EMS的射束的發(fā)散角度。
在本實(shí)施例中，用銀形成了陰極電極CL、柵極電極GL、柵極電極用總線GBL以及聚焦柵極電極FGL，但是也可以使用具有必要的導(dǎo)電性的任何金屬。而且也可以使用合金或金屬多層膜。另外，陰極電極CL、柵極電極GL、柵極電極用總線GBL以及聚焦柵極電極FGL等的涂敷，并不限于絲網(wǎng)印刷法，也可以用噴墨法、其它特殊的印刷法或氣相生長法等。
圖16至圖21是說明本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的另一構(gòu)造例及其制造工藝的說明圖。在這里，說明在顯示區(qū)域形成的電子源陣列的子像素。
首先，如圖16所示，在優(yōu)選玻璃板的背面基板SUB1上，用絲網(wǎng)印刷法將在有機(jī)溶劑中含有銀微粒的銀漿料涂敷成帶狀，烘焙，同時(shí)形成陰極電極CL和柵極電極GL的帶狀構(gòu)造。這些陰極電極CL和柵極電極GL，形成在背面基板SUB1上的大致同一平面上。該陰極電極CL的帶狀構(gòu)造的寬度約為30μm，與相鄰的帶狀陰極電極之間的間隔約為240μm。陰極電極CL和柵極電極GL之間的間隔約為30μm。
該陰極電極CL和柵極電極GL，由粒徑約為1μm的銀微粒構(gòu)成，該陰極電極CL和柵極電極GL的膜厚在烘焙后約為5μm。使這樣的陰極電極CL的帶狀構(gòu)造形成1280×3條＝3840條。
接下來，如圖17所示，在陰極電極CL的表面，用絲網(wǎng)印刷法涂敷在有機(jī)溶劑中含有粒徑約為1μm的銀微粒和直徑約為5nm的多壁碳納米管的銀漿料，形成電子源層EMS。
接下來，如圖18所示，在形成了陰極電極CL和柵極電極GL的背面基板SUB1上，用絲網(wǎng)印刷法涂敷玻璃料，烘焙，形成絕緣層INS1。在該絕緣層INS1上，在與柵極電極GL的形成位置對(duì)應(yīng)的部分形成有與柵極電極GL連通的柵極電極接觸孔GHL，在與電子源層EMS的形成位置對(duì)應(yīng)的部分形成有電子源孔CHL1。該絕緣層INS1的膜厚，在烘焙后約為5μm。由此構(gòu)成如下結(jié)構(gòu)，即、在電子源孔CHL1的內(nèi)部，露出形成于陰極電極CL上的電子源層EMS和柵極電極GL的靠近陰極電極CL的一部分。
接下來，如圖19所示，在該絕緣層INS1上，用絲網(wǎng)印刷法涂敷在有機(jī)溶劑中含有銀微粒的銀漿料，烘焙，形成柵極電極用總線GBL。該柵極電極用總線GBL，由粒徑約為1μm的銀微粒構(gòu)成，烘焙后的膜厚約為5μm。使這樣的柵極電極用總線GBL形成720條。
接下來，如圖20所示，在形成了柵極電極用總線GBL的絕緣層INS1上，用絲網(wǎng)印刷法涂敷玻璃料，烘焙，形成上部絕緣層INS2。在該絕緣層INS2上，在與上述電子源層EMS對(duì)應(yīng)的部分形成有與電子源孔CHL1連通的電子源孔CHL2，該電子源孔CHL2與電子源孔CHL1有大致相同的開口。該上部絕緣層INS2的膜厚，在烘焙后約為5μm。
接下來，如圖21所示，在該絕緣層INS2上，用絲網(wǎng)印刷法涂敷在有機(jī)溶劑中含有銀微粒的銀漿料，烘焙，同時(shí)形成被電分離了的第1聚焦柵極電極FGL1和第2聚焦柵極電極FGL2。該第1聚焦柵極電極FGL1和第2聚焦柵極電極FGL2，由粒徑約為1μm的銀微粒構(gòu)成，烘焙后的膜厚約為5μm。分別形成這樣的第1聚焦柵極電極FGL1和第2聚焦柵極電極FGL2各720條。
最后，對(duì)在電子源孔CHL2內(nèi)露出的電子源層EMS的表面進(jìn)行使碳納米管起毛用的表面處理。該表面處理，可使用激光照射、等離子體處理或機(jī)械處理等方法。由此制作出可進(jìn)行柵極動(dòng)作和電子束聚焦的碳納米管電子源構(gòu)造。
這樣構(gòu)成的電子源構(gòu)造，通過向第1聚焦柵極電極FGL1和第2聚焦柵極電極FGL2施加相對(duì)于陰極電極CL為正或負(fù)的電壓，能夠控制來自電子源層EMS的射束的發(fā)散角度。
在本實(shí)施例中，用銀形成了陰極電極CL、柵極電極GL、柵極電極用總線GBL、第1聚焦柵極電極FGL1以及第2聚焦柵極電極FGL2，但是也可以使用具有必要的導(dǎo)電性的任何金屬。而且也可以使用合金或金屬多層膜。另外，陰極電極CL、柵極電極GL、柵極電極用總線GBL、第1聚焦柵極電極FGL1以及第2聚焦柵極電極FGL2等的涂敷，并不限于絲網(wǎng)印刷法，也可以用噴墨法、其它特殊的印刷法或氣相生長法等。
圖22至圖27是說明本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的另一構(gòu)造例及其制造工藝的說明圖。在這里，說明在顯示區(qū)域形成的電子源陣列的子像素。
首先，如圖22所示，在優(yōu)選玻璃板的背面基板SUB1上，用絲網(wǎng)印刷法將在有機(jī)溶劑中含有銀微粒和多壁碳納米管的銀漿料涂敷成帶狀，烘焙，同時(shí)形成陰極電極CLC和柵極電極GLC。這些陰極電極CLC和柵極電極GLC，在背面基板SUB1上的大致同一平面上形成。該陰極電極CLC的寬度約為30μm，與相鄰的帶狀陰極電極之間的間隔約為240μm。陰極電極CLC和柵極電極GLC之間的間隔約為30μm。
這些陰極電極CLC和柵極電極GLC，由粒徑約為1μm的銀微粒和直徑約為5nm的多壁碳納米管的混合物構(gòu)成，這些陰極電極CLC和柵極電極GLC的膜厚在烘焙后約為5μm。使這樣的陰極電極CLC的帶狀構(gòu)造形成1280×3條＝3840條。
接下來，如圖23所示，在形成了陰極電極CLC和柵極電極GLC的背面基板SUB1上，用絲網(wǎng)印刷法涂敷玻璃料，烘焙，形成絕緣層INS。在該絕緣層INS上，在與柵極電極GLC的形成位置對(duì)應(yīng)的部分形成有與柵極電極GLC連通的柵極電極接觸孔GHL。該絕緣層INS1的膜厚，在烘焙后約為5μm。
接下來，如圖24所示，在與該絕緣層INS上的柵極電極接觸孔CHL對(duì)應(yīng)的部位和預(yù)定部位上，用絲網(wǎng)印刷法涂敷在有機(jī)溶劑中含有銀微粒的電極形成用銀漿料，烘焙，同時(shí)形成柵極電極用總線GBL和聚焦柵極電極FGL。該柵極電極用總線GBL和聚焦柵極電極FGL，由粒徑約為1μm的銀微粒構(gòu)成，烘焙后的膜厚約為5μm。分別形成這樣的柵極電極用總線GBL和聚焦柵極電極FGL各720條。
接下來，如圖25所示，以柵極電極用總線GBL和聚焦柵極電極FGL為掩模，用干蝕刻法或濕蝕刻法蝕刻絕緣層INS，由此形成電子源孔CHL。由此，在電子源孔CHL的內(nèi)部，露出含有多壁碳納米管的陰極電極CLC和柵極電極GLC的靠近陰極電極CLC側(cè)的一部分。
接下來，如圖26所示，在柵極電極用總線GBL和聚焦柵極電極FGL的不需要露出的部分，用絲網(wǎng)印刷法涂敷玻璃料，烘焙，形成保護(hù)絕緣膜PRO。
接下來，如圖26的俯視圖、即圖27所示，通過金屬電鍍覆蓋在電子源孔CHL內(nèi)露出的柵極電極GLC的靠近陰極電極CLC側(cè)的一部分的表面地形成金屬膜。或用電解氧化法將在電子源孔CHL內(nèi)露出的柵極電極GLC的靠近陰極電極CLC側(cè)的一部分的表面氧化，使多壁碳納米管氧化，從而使其發(fā)射能力顯著降低。
最后，對(duì)露出的陰極電極CLC的表面進(jìn)行使碳納米管起毛用的表面處理。該表面處理，可使用激光照射、等離子體處理或機(jī)械處理等方法。
由此制作出可進(jìn)行柵極動(dòng)作和電子束聚焦的碳納米管電子源構(gòu)造。
在這樣的電子源構(gòu)造中，陰極電極CLC和柵極電極GLC在背面基板SUB1的大致同一平面上相鄰地形成。
這樣構(gòu)成的電子源構(gòu)造，通過向聚焦柵極電極FGL施加相對(duì)于陰極電極CLC為正或負(fù)的電壓，能夠控制來自陰極電極CLC的射束的發(fā)散角度。
在本實(shí)施例中，用銀形成了陰極電極CLC、柵極電極GLC、柵極電極用總線GBL以及聚焦柵極電極FGL，但是也可以使用具有必要的導(dǎo)電性的任何金屬。而且也可以使用合金或金屬多層膜。另外，陰極電極CLC、柵極電極GLC、柵極電極用總線GBL以及聚焦柵極電極FGL等的涂敷，并不限于絲網(wǎng)印刷法，也可以用噴墨法、其它特殊的印刷法或氣相生長法等。
圖28至圖31是說明本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的另一構(gòu)造例及其制造工藝的說明圖。在這里，說明在顯示區(qū)域形成的電子源陣列的子像素。
首先，如圖28所示，在優(yōu)選玻璃板的背面基板SUB1上，用絲網(wǎng)印刷法將在有機(jī)溶劑中含有銀微粒和多壁碳納米管的銀漿料涂敷成帶狀，烘焙，同時(shí)形成陰極電極CLC和柵極電極GLC。這些陰極電極CLC和柵極電極GLC，形成在背面基板SUB1上的大致同一平面上。該陰極電極CLC的寬度約為30μm，與相鄰的帶狀陰極電極之間的間隔約為240μm。陰極電極CLC和柵極電極GLC之間的間隔約為30μm。
這些陰極電極CLC和柵極電極GLC，由粒徑約為1μm的銀微粒和直徑約為5nm的多壁碳納米管的混合物構(gòu)成，這些陰極電極CLC和柵極電極GLC的膜厚在烘焙后約為5μm。使這樣的陰極電極CLC的帶狀構(gòu)造形成1280×3條＝3840條。
接下來，如圖29所示，在形成了陰極電極CLC和柵極電極GLC的背面基板SUB1上，用絲網(wǎng)印刷法涂敷玻璃料，烘焙，形成絕緣層INS。在該絕緣層INS上，在與柵極電極GLC的形成位置對(duì)應(yīng)的部分形成有與柵極電極GLC連通的柵極電極接觸孔GHL、在與電子源的形成位置對(duì)應(yīng)的部分形成有電子源孔CHL，該柵極電極接觸孔GHL和電子源孔CHL一體地形成。該絕緣層INS1的膜厚，在烘焙后約為5μm。由此構(gòu)成如下結(jié)構(gòu)，即、在電子源孔CHL1的內(nèi)部，露出陰極電極CLC和柵極電極GLC的靠近陰極電極CLC的一部分。
接下來，如圖30所示，在該絕緣層INS上，用絲網(wǎng)印刷法涂敷在有機(jī)溶劑中含有銀微粒的銀漿料，烘焙，同時(shí)形成柵極電極用總線GBL和聚焦柵極電極FGL。該柵極電極用總線GBL和聚焦柵極電極FGL，由粒徑約為1μm的銀微粒構(gòu)成，烘焙后的膜厚約為5μm。分別形成這樣的柵極電極用總線GBL和聚焦柵極電極FGL各720條。
接下來，如圖30的俯視圖、即圖31所示，通過金屬電鍍覆蓋在電子源孔CHL內(nèi)露出的柵極電極GLC的靠近陰極電極CLC側(cè)的一部分的表面地形成金屬膜?；蛴秒娊庋趸▽⒃陔娮釉纯證HL內(nèi)露出的柵極電極GLC的靠近陰極電極CLC側(cè)的一部分的表面氧化，使多壁碳納米管氧化，從而使其發(fā)射能力顯著降低。
最后，對(duì)在電子源孔CHL內(nèi)露出的陰極電極CLC的表面進(jìn)行使碳納米管起毛用的表面處理。該表面處理，可使用激光照射、等離子體處理或機(jī)械處理等方法。
由此制作出可進(jìn)行柵極動(dòng)作和電子束聚焦的碳納米管電子源構(gòu)造。
這樣構(gòu)成的電子源構(gòu)造，通過向聚焦柵極電極FGL施加相對(duì)于陰極電極CLC為正或負(fù)的電壓，能夠控制來自陰極電極CLC的射束的發(fā)散角度。
在本實(shí)施例中，用銀形成了陰極電極CLC、柵極電極GLC、柵極電極用總線GBL以及聚焦柵極電極FGL，也能使用具有必要的導(dǎo)電性的任何金屬。而且也可以使用合金或金屬多層膜。另外，陰極電極CLC、柵極電極GLC、柵極電極用總線GBL以及聚焦柵極電極FGL等的涂敷，并不限于絲網(wǎng)印刷法，也可以用噴墨法、其它特殊的印刷法或氣相生長法等。
圖32至圖37是說明本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的背板的另一構(gòu)造例及其制造工藝的說明圖。在這里，說明在顯示區(qū)域形成的電子源陣列的子像素。
首先，如圖32所示，在優(yōu)選玻璃板的背面基板SUB1上，用絲網(wǎng)印刷法將在有機(jī)溶劑中含有銀微粒和多壁碳納米管的電極形成用銀漿料涂敷成帶狀，烘焙，同時(shí)形成陰極電極CLC和柵極電極GLC。這些陰極電極CLC和柵極電極GLC，形成在背面基板SUB1上的大致同一平面上。該陰極電極CLC的寬度約為30μm，與相鄰的帶狀陰極電極之間的間隔約為240μm。陰極電極CLC和柵極電極GLC之間的間隔約為30μm。
這些陰極電極CLC和柵極電極GLC，由粒徑約為1μm的銀微粒和直徑約為5nm的多壁碳納米管的混合物構(gòu)成，這些陰極電極CLC和柵極電極GLC的膜厚在烘焙后約為5μm。使這樣的陰極電極CLC的帶狀構(gòu)造形成1280×3條＝3840條。
接下來，如圖33所示，在形成了陰極電極CLC和柵極電極GLC的背面基板SUB1上，用絲網(wǎng)印刷法涂敷玻璃料，烘焙，形成絕緣層INS1。在該絕緣層INS1上，在與柵極電極GLC的形成位置對(duì)應(yīng)的部分形成有與柵極電極GLC連通的柵極電極接觸孔GHL，在與電子源的形成位置對(duì)應(yīng)的部分形成有電子源孔CHL1，該柵極電極接觸孔GHL和電子源孔CHL1一體地形成。該絕緣層INS1的膜厚，在烘焙后約為5μm。由此構(gòu)成如下結(jié)構(gòu)，即、在電子源孔CHL1的內(nèi)部，露出陰極電極CLC和柵極電極GLC的靠近陰極電極CLC的一部分。
接下來，如圖34所示，在該絕緣層INS1上，用絲網(wǎng)印刷法涂敷在有機(jī)溶劑中含有銀微粒的銀漿料，烘焙，形成柵極電極用總線GBL。該柵極電極用總線GBL，由粒徑約為1μm的銀微粒構(gòu)成，烘焙后的膜厚約為5μm。使這樣的柵極電極用總線GBL形成720條。
接下來，如圖35所示，在形成了柵極電極用總線GBL的絕緣層INS1上，用絲網(wǎng)印刷法涂敷玻璃料，烘焙，形成上部絕緣層INS2。在該絕緣層INS2上，在與上述電子源部對(duì)應(yīng)的部分形成有與電子源孔CHL1連通的上部電子源孔CHL2，該上部電子源孔CHL2與電子源孔CHL1有大致相同的開口。該上部絕緣層INS2的膜厚，在烘焙后約為5μm。
接下來，如圖36所示，在絕緣層INS2上，用絲網(wǎng)印刷法涂敷在有機(jī)溶劑中含有銀微粒的電極形成用銀漿料，烘焙，同時(shí)形成第1聚焦柵極電極FGL1和第2聚焦柵極電極FGL2。該第1聚焦柵極電極FGL1和第2聚焦柵極電極FGL2，由粒徑約為1μm的銀微粒構(gòu)成，烘焙后的膜厚約為5μm。使這樣的第1聚焦柵極電極FGL1和第2聚焦柵極電極FGL2分別形成720條。
接下來，如圖36的俯視圖、即圖37所示，通過金屬電鍍覆蓋在上部電子源孔CHL2內(nèi)露出的柵極電極GLC的靠近陰極電極CLC側(cè)的一部分的表面地形成金屬膜?；蛴秒娊庋趸▽⒃陔娮釉纯證HL2內(nèi)露出的柵極電極GLC的靠近陰極電極CLC側(cè)的一部分的表面氧化，使多壁碳納米管氧化，從而使其發(fā)射能力顯著降低。
最后，對(duì)在電子源孔CHL2內(nèi)露出的陰極電極CLC的表面進(jìn)行使碳納米管起毛用的表面處理。該表面處理，可使用激光照射、等離子體處理或機(jī)械處理等方法。由此制作出可進(jìn)行柵極動(dòng)作和電子束聚焦的碳納米管電子源構(gòu)造。
這樣構(gòu)成的電子源構(gòu)造，通過向第1聚焦柵極電極FGL1和第2聚焦柵極電極FGL2施加相對(duì)于陰極電極CL為正或負(fù)的電壓，能夠控制來自陰極電極CLC的射束的發(fā)散角度。
在本實(shí)施例中，用銀形成了陰極電極CLC、柵極電極GLC、柵極電極用總線GBL、第1聚焦柵極電極FGL1以及第2聚焦柵極電極FGL2，但是也可以使用具有必要的導(dǎo)電性的任何金屬。而且也可以使用合金或金屬多層膜。另外，陰極電極CLC、柵極電極GLC、柵極電極用總線GBL、第1聚焦柵極電極FGL1以及第2聚焦柵極電極FGL2等的涂敷，并不限于絲網(wǎng)印刷法，也可以用噴墨法、其它特殊的印刷法或氣相生長法等。
由此制作出可進(jìn)行柵極動(dòng)作和電子束聚焦的碳納米管電子源構(gòu)造。
在這樣的電子源構(gòu)造中，陰極電極CLC和柵極電極GLC在背面基板SUB1的大致同一平面上相鄰地形成。
這樣構(gòu)成的電子源構(gòu)造，通過向第1聚焦柵極電極FGL1和第2聚焦柵極電極FGL2施加相對(duì)于陰極電極CL為正或負(fù)的電壓，能夠控制來自陰極電極CLC的射束的發(fā)散角度。
在本實(shí)施例中，用銀形成了陰極電極CLC、柵極電極GLC、柵極電極用總線GBL、第1聚焦柵極電極FGL1以及第2聚焦柵極電極FGL2，但是也可以使用具有必要的導(dǎo)電性的任何金屬。而且也可以使用合金或金屬多層膜。另外，陰極電極CLC、柵極電極GLC、柵極電極用總線GBL、第1聚焦柵極電極FGL1以及第2聚焦柵極電極FGL2等的涂敷，并不限于絲網(wǎng)印刷法，也可以用噴墨法、其它特殊的印刷法或氣相生長法等。
圖38是說明本發(fā)明的自發(fā)光型平面顯示裝置的整體構(gòu)造的一個(gè)例子的除去一部分而示出的立體圖。圖39是沿圖38的A-A’線切斷的剖視圖。在構(gòu)成背板PNL1的背面基板SUB1的內(nèi)面，具有陰極電極CLC和柵極電極GLC，在陰極電極CLC和柵極電極GLC的交叉部分形成有電子源。在陰極電極CLC的端部形成有陰極電極引出線CLT，在柵極電極GLC的端部形成有柵極電極引出線GLT。
在構(gòu)成前板PNL2的前面基板SUB2的內(nèi)面，形成有如上所述的陽極電極和熒光體層。構(gòu)成背板PNL1的背面基板SUB1和構(gòu)成前板PNL2的前面基板SUB2是在其周邊插入密封框MFL地被粘合起來的。為了使粘合后的間隙保持為預(yù)定值，在背面基板SUB1和前板PNL2之間，設(shè)立有優(yōu)選玻璃板的隔壁SPC。圖39是沿著該隔壁SPC的剖面，因此省略隔壁SPC的圖示。
另外，由背板PNL1、前板PNL2以及密封框MFL密封了的內(nèi)部空間，從設(shè)于背板PNL1的一部分上的排氣管EXC排氣，達(dá)到預(yù)定的真空狀態(tài)。
權(quán)利要求
1.一種自發(fā)光型平面顯示裝置，其特征在于，包括背板，具有多個(gè)陰極電極、多個(gè)柵極電極以及聚焦柵極電極，由在上述陰極電極和上述柵極電極的交叉部形成的多個(gè)像素構(gòu)成顯示區(qū)域，上述多個(gè)陰極電極在第1方向延伸、在與該第1方向交叉的第2方向并列設(shè)置、并在表面具有電子源，上述多個(gè)柵極電極在上述第2方向延伸、在上述第1方向并列設(shè)置、并被施加控制從位于其與上述陰極電極的交叉部的電子源發(fā)射的電子的數(shù)量的電位，上述聚焦柵極電極與上述陰極電極和上述柵極電極是電絕緣的，控制從上述陰極電極上的電子源發(fā)射的電子束的發(fā)散角，以及前板，具有多種顏色的熒光體層和陽極電極，上述多種顏色的熒光體層利用從上述背板的上述顯示區(qū)域所具有的上述電子源發(fā)出的電子束的激勵(lì)而發(fā)光；并具有陰極電極總線，其電連接上述陰極電極被分割成多個(gè)組的各組的陰極電極；柵極電極總線，其電連接上述柵極電極被分割成多個(gè)組的各組的柵極電極的；以及聚焦柵極電極總線，其電連接上述聚焦柵極電極被分割成多個(gè)組的各組的聚焦柵極電極；還具有多層由上述陰極電極、上述柵極電極和上述聚焦柵極電極中的兩個(gè)電極在同一面上相鄰地形成的電極構(gòu)造。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光型平面顯示裝置，其特征在于上述陰極電極和上述柵極電極形成在第一層，上述柵極電極總線和上述聚焦柵極電極形成在第二層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光型平面顯示裝置，其特征在于上述陰極電極和上述柵極電極形成在第一層，上述柵極電極總線形成在第二層，上述聚焦柵極電極電分離地形成為第1聚焦電極和第2聚焦電極，并形成在第三層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光型平面顯示裝置，其特征在于在上述陰極電極的表面具有含納米材料的電子源層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光型平面顯示裝置，其特征在于上述陰極電極和上述柵極電極含有成為電子源的納米材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光型平面顯示裝置，其特征在于在上述背板和上述前板之間具有多個(gè)隔壁。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自發(fā)光型平面顯示裝置，其特征在于在上述陰極電極的表面具有含納米材料的電子源層。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自發(fā)光型平面顯示裝置，其特征在于上述陰極電極和上述柵極電極含有成為電子源的納米材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自發(fā)光型平面顯示裝置，其特征在于在上述背板和上述前板之間具有多個(gè)隔壁。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的自發(fā)光型平面顯示裝置，其特征在于在上述陰極電極的表面具有含納米材料的電子源層。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的自發(fā)光型平面顯示裝置，其特征在于上述陰極電極和上述柵極電極含有成為電子源的納米材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的自發(fā)光型平面顯示裝置，其特征在于在上述背板和上述前板之間具有多個(gè)隔壁。
13.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自發(fā)光型平面顯示裝置，其特征在于成為上述電子源的納米材料，是從由碳構(gòu)成的納米管、納米線圈或具有納米尺寸的形狀的材料，以及含有碳、硼、氮這三種元素中的2種或2種以上元素的納米管、納米線圈或具有納米尺寸的形狀的材料中選擇出的材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自發(fā)光型平面顯示裝置，其特征在于在上述背板和上述前板之間具有多個(gè)隔壁。
15.根據(jù)權(quán)利要求5所述的自發(fā)光型平面顯示裝置，其特征在于成為上述電子源的納米材料，是從由碳構(gòu)成的納米管、納米線圈或具有納米尺寸的形狀的材料，以及含有碳、硼、氮這三種元素中的2種或2種以上元素的納米管、納米線圈或具有納米尺寸的形狀的材料中選擇出的材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求5所述的自發(fā)光型平面顯示裝置，其特征在于在上述背板和上述前板之間具有多個(gè)隔壁。
全文摘要
本發(fā)明提供一種自發(fā)光型平面顯示裝置，陰極電極(CL)、柵極電極(GL)以及聚焦柵極電極(FGL)中的兩個(gè)電極在同一面上相鄰地形成，通過多層層疊設(shè)置該電極構(gòu)造，能減少形成各電極用的印刷工藝的工序數(shù)，大幅地放寬制作電極構(gòu)造時(shí)的對(duì)位精度。另外，通過用含有碳納米管的相同材料形成陰極電極(CL)和柵極電極(GL)，能在制作電極構(gòu)造時(shí)大幅地放寬對(duì)位精度。因此，能夠使用常用的印刷涂敷工藝等，能容易且廉價(jià)地制作自發(fā)光型平面顯示裝置。
文檔編號(hào)H01J1/30GK1828813SQ20061005782
公開日2006年9月6日 申請(qǐng)日期2006年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月2日
發(fā)明者岡井誠, 宗吉恭彥, 矢口富雄, 佐佐木進(jìn), 山崎哲也, 石川純, 林伸明 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立顯示器