專利名稱：電子發(fā)射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子發(fā)射裝置。更特別地，本發(fā)明涉及具有間隔物加載區(qū)域的電子發(fā)射裝置，其中限定間隔物加載區(qū)域的寬度從而減小由于間隔物的充電而導(dǎo)致的屏幕圖像質(zhì)量變差。
背景技術(shù)：
通常，電子發(fā)射裝置分為利用熱陰極作為電子發(fā)射源的那些和利用冷陰極作為電子發(fā)射源的那些。有數(shù)種類型的冷陰極電子發(fā)射裝置，包括場(chǎng)發(fā)射器陣列(FEA)型、金屬-絕緣體-金屬(MIM)型、金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)型和表面導(dǎo)電發(fā)射器(SCE)型。
MIM型和MIS型電子發(fā)射裝置分別具有金屬/絕緣體/金屬(MIM)結(jié)構(gòu)和金屬/絕緣體/半導(dǎo)體(MIS)結(jié)構(gòu)的電子發(fā)射區(qū)域。當(dāng)電壓施加到絕緣體兩側(cè)的兩金屬、或者金屬和半導(dǎo)體時(shí)，電子從高電勢(shì)金屬或半導(dǎo)體遷移至低電勢(shì)金屬，在那里電子被聚集并被發(fā)射。
SCE型電子發(fā)射裝置包括形成在第一和第二電極之間的薄導(dǎo)電膜，所述第一和第二電極彼此面對(duì)地布置在基板上。高電阻電子發(fā)射區(qū)域或者微縫(micro-crack)電子發(fā)射區(qū)域位于薄導(dǎo)電膜上。當(dāng)電壓施加到第一和第二電極且電流施加到導(dǎo)電膜的表面時(shí)，電子從電子發(fā)射區(qū)域被發(fā)射。
FEA型電子發(fā)射裝置利用由具有低功函數(shù)或高長(zhǎng)徑比(aspect ratio)的材料制成的電子發(fā)射區(qū)域。當(dāng)在真空環(huán)境中暴露到電場(chǎng)時(shí)，電子從這些電子發(fā)射區(qū)域被容易地發(fā)射?；阢f(Mo)或硅(Si)的具有尖銳的前尖端結(jié)構(gòu)(tip structure)的電子發(fā)射區(qū)域已經(jīng)被使用。另外，包括碳質(zhì)材料例如碳納米管的電子發(fā)射區(qū)域已經(jīng)被使用。
盡管不同類型的電子發(fā)射裝置具有特定的結(jié)構(gòu)，但是它們基本上具有彼此密封從而形成真空容器(vacuum vessel)的第一和第二基板、布置在第一和第二基板之間的間隔物、形成在第一基板上的電子發(fā)射區(qū)域、用于控制電子從電子發(fā)射區(qū)域的發(fā)射的驅(qū)動(dòng)電極、形成在第二基板的面對(duì)第一基板的表面上的磷光體層(phosphor layer)、以及用于使從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子朝向磷光體層加速?gòu)亩鴮?dǎo)致發(fā)光以產(chǎn)生顯示的陽(yáng)極電極。
間隔物支承真空容器從而防止它變形和破裂，并維持第一和第二基板之間的恒定距離。間隔物可以與各磷光體層之間的非發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)地定位，從而它們不攔截從電子發(fā)射區(qū)域朝向磷光體層移動(dòng)的電子。
然而，實(shí)際上，對(duì)于電子發(fā)射裝置運(yùn)行期間電子束的實(shí)際軌跡，從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子中的一些并不從電子發(fā)射區(qū)域筆直地朝向在相應(yīng)像素處的磷光體層移動(dòng)，而是朝向非發(fā)光區(qū)域或者朝向在與目標(biāo)像素相鄰的像素處的不正確的磷光體層漫射(diffuse)。
這些偏離的電子會(huì)碰撞間隔物的表面，這又會(huì)根據(jù)間隔物材料而產(chǎn)生電荷例如正電勢(shì)或負(fù)電勢(shì)。表面帶電的間隔物會(huì)使電子束的軌跡歪曲，導(dǎo)致間隔物周圍的顯示均勻性變差以及從相鄰磷光體層的無(wú)意識(shí)發(fā)光，導(dǎo)致屏幕圖像質(zhì)量的總體變差。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明針對(duì)電子發(fā)射裝置、顯示裝置以及制造方法，其基本克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個(gè)或更多問(wèn)題。
因此本發(fā)明一實(shí)施例的特征在于提供一種電子發(fā)射裝置，其使間隔物周圍的非正常發(fā)光和顯示均勻性變差最小化。
因此本發(fā)明一實(shí)施例的另一特征在于提供一種電子發(fā)射裝置，其使表面帶電的間隔物對(duì)所發(fā)射的電子的軌跡的影響最小化。
本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)可通過(guò)提供一種電子發(fā)射裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)，該電子發(fā)射裝置包括彼此面對(duì)的第一和第二基板，單元像素定義在所述第一和第二基板上；電子發(fā)射單元，其在所述第一基板上；磷光體層，其在所述第二基板的面對(duì)所述第一基板的表面上，每個(gè)磷光體層對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)單元像素；非發(fā)光區(qū)域，其在所述磷光體層之間；以及間隔物，其置于所述第一和第二基板之間且布置在所述非發(fā)光區(qū)域中，其中所述非發(fā)光區(qū)域包括加載有所述間隔物的間隔物加載區(qū)域，其中間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距滿足下列條件A/B≥約0.2，其中A表示間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。
所述間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距可滿足下面的條件A/B≤約0.5，其中A表示間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。黑層可形成在所述非發(fā)光區(qū)域處，所述間隔物加載區(qū)域的寬度可對(duì)應(yīng)于黑層的寬度。所述單元像素可沿所述第二基板的水平和垂直邊布置，所述間隔物可設(shè)置在沿所述第二基板的所述垂直邊定位的磷光體層之間，所述間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距沿所述第二基板的所述垂直邊確定。所述間隔物可具有壁形狀或柱形狀。
本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)還可通過(guò)提供一種顯示裝置實(shí)現(xiàn)，該顯示裝置包括第一基板，其包括電子發(fā)射元件；第二基板，其面對(duì)所述第一基板，所述第二基板包括沿第一方向布置的規(guī)則圖案，所述規(guī)則圖案具有設(shè)置在相鄰發(fā)光區(qū)域之間的間隔物加載區(qū)域，所述間隔物加載區(qū)域具有沿所述第一方向的第一長(zhǎng)度且所述發(fā)光區(qū)域具有沿所述第一方向的第二長(zhǎng)度，其中所述規(guī)則圖案具有沿所述第一方向的等于所述第一長(zhǎng)度和所述第二長(zhǎng)度的總和的節(jié)距，且其中所述第一長(zhǎng)度大于或等于所述節(jié)距的約五分之一；以及間隔物，其設(shè)置在所述間隔物加載區(qū)域中。
所述第一長(zhǎng)度可小于或等于所述節(jié)距的約一半。所述節(jié)距可對(duì)應(yīng)于所述顯示裝置的垂直方向。每個(gè)發(fā)光區(qū)域可包括沿第二方向布置的三種不同顏色發(fā)光元件，所述第二方向基本與所述第一方向直交。所述第二方向可對(duì)應(yīng)于所述顯示裝置的水平方向。所述顯示裝置可包括與所述間隔物加載區(qū)域?qū)?yīng)的非發(fā)光區(qū)域。所述非發(fā)光區(qū)域可以是黑層。
本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)還可通過(guò)提供一種制造顯示裝置的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，該方法包括在基板的表面上形成磷光體層，每個(gè)磷光體層對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)單元像素；在所述磷光體層之間形成非發(fā)光區(qū)域；以及在間隔物加載區(qū)域中布置間隔物，所述間隔物加載區(qū)域位于所述非發(fā)光區(qū)域中，其中間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距滿足下面的條件A/B≥約0.2，其中A表示間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。
所述間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距可滿足下面的條件A/B≤約0.5，其中A表示所述間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。該方法還可包括在所述非發(fā)光區(qū)域形成黑層。所述間隔物加載區(qū)域的寬度可對(duì)應(yīng)于黑層的寬度。


通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述其示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將變得更加明顯，附圖中圖1示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的局部剖視圖；圖2示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的FEA型電子發(fā)射裝置的局部分解透視圖；圖3和4示出圖2的FEA型電子發(fā)射裝置的局部剖視圖；圖5示出用于根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的FEA型電子發(fā)射裝置的電子發(fā)射單元的局部剖視圖；圖6示出用于圖2的FEA型電子發(fā)射裝置的發(fā)光單元的局部剖視圖；圖7示出圖2的FEA型電子發(fā)射裝置的局部平面圖；圖8示出柱形間隔物的透視圖；圖9示出間隔物加載區(qū)域的寬度對(duì)單元像素的垂直節(jié)距的比值與錯(cuò)誤顏色發(fā)射區(qū)域的長(zhǎng)度之間的關(guān)系的曲線圖；圖10示出電子發(fā)射裝置的錯(cuò)誤顏色發(fā)射區(qū)域的局部平面圖；圖11示出間隔物加載區(qū)域的寬度對(duì)單元像素的垂直節(jié)距的比值與屏幕亮度之間的關(guān)系的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖更全面地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的示例性實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以不同的形式實(shí)現(xiàn)，不應(yīng)被理解為局限于這里提出的實(shí)施例。更確切地，提供這些實(shí)施例使得本公開(kāi)將徹底和完整，將向本領(lǐng)域技術(shù)人員更充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。圖中，為了說(shuō)明的清楚而放大了層和區(qū)域的尺寸。還將理解，當(dāng)層被稱為在另一層或基板“上”時(shí)，它可以直接在其它層或基板上，或者還可以存在中間層。此外，應(yīng)明白，當(dāng)層被稱為在另一層“下”時(shí)，它可以直接在下面，還可以存在一層或更多中間層。另外，還將明白，當(dāng)層被稱為在兩層“之間”時(shí)，它可以是該兩層之間的唯一層，或者還可以存在一層或更多中間層。相似的附圖標(biāo)記始終表示相似的元件。
如圖1所示，電子發(fā)射裝置可包括彼此平行地布置且分隔開(kāi)預(yù)定距離的第一基板2和第二基板4。密封部件(未示出)可設(shè)置在第一基板2和第二基板4的外圍，從而在兩個(gè)基板之間形成被抽真空的內(nèi)部空間(真空室)。
電子發(fā)射單元100可設(shè)置在第一基板2的面對(duì)第二基板4的表面上，從而朝向第二基板4發(fā)射電子。發(fā)光單元200可設(shè)置在第二基板4的面對(duì)第一基板2的表面上，從而響應(yīng)于所發(fā)射的電子發(fā)出可見(jiàn)光，由此產(chǎn)生發(fā)光或顯示。
電子發(fā)射單元100可包括多個(gè)電子發(fā)射區(qū)域6和用于控制電子從電子發(fā)射區(qū)域6的發(fā)射的驅(qū)動(dòng)電極(未示出)。一個(gè)或更多電子發(fā)射區(qū)域6可設(shè)置在定義在第一基板2上的各單元像素處。電子發(fā)射區(qū)域6可通過(guò)驅(qū)動(dòng)電極控制，驅(qū)動(dòng)電極可開(kāi)啟或關(guān)閉各單元像素的電子發(fā)射或控制電子發(fā)射的量。
發(fā)光單元200可包括彼此間隔開(kāi)預(yù)定距離的磷光體層8，且可包括各磷光體層8之間的非發(fā)光區(qū)域。磷光體層8可分隔開(kāi)地形成在定義在第二基板4上的各單元像素處，或者磷光體層8可延伸在兩個(gè)或更多單元像素上。定義在第一基板2上的單元像素與定義在第二基板4上的單元像素在電子發(fā)射裝置的厚度方向上(在圖的z軸方向上)彼此對(duì)應(yīng)。
多個(gè)間隔物10可在第一基板2與第二基板4之間布置在非發(fā)光區(qū)域處(為清晰起見(jiàn)，僅示出一個(gè)間隔物)。具有間隔物10的非發(fā)光區(qū)域可定義為間隔物加載區(qū)域(spacer loading region)12。在電子發(fā)射裝置運(yùn)行期間由于間隔物10的帶電，電子束在間隔物加載區(qū)域12處會(huì)歪曲。
在根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的電子發(fā)射裝置中，根據(jù)定義在第一基板2或第二基板4上的單元像素的布置來(lái)定義間隔物加載區(qū)域12的尺寸，從而減小或消除由于電子束的歪曲而導(dǎo)致的屏幕圖像質(zhì)量變差，所述電子束的歪曲歸因于間隔物的帶電?，F(xiàn)在將參照利用冷陰極的FEA型電子發(fā)射裝置說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射單元、發(fā)光單元和間隔物加載區(qū)域的結(jié)構(gòu)。
如圖2至4所示，電子發(fā)射單元101可包括在第一基板2上例如條形圖案的且布置在平行于第一基板2的方向上的陰極電極14、形成在第一基板2的整個(gè)表面上且覆蓋陰極電極14的絕緣層、以及在絕緣層16上例如條形圖案的且布置在平行于第一基板并垂直于陰極電極14的方向上的柵極電極18。
陰極電極14和柵極電極18的交叉區(qū)域形成單元像素。一個(gè)或更多電子發(fā)射區(qū)域15可在各個(gè)單元像素處設(shè)置在陰極電極14上。開(kāi)口20可形成在絕緣層16和柵極電極18處，對(duì)應(yīng)于各電子發(fā)射區(qū)域15并暴露第一基板2上的電子發(fā)射區(qū)域15。
圖中示出的電子發(fā)射區(qū)域15具有圓平面形狀(circular plane shape)且沿每個(gè)各單元像素的陰極電極14的長(zhǎng)度布置。然而，電子發(fā)射區(qū)域15的平面形狀、每單元像素的數(shù)目、以及布置不局限于所示例子且可以以各種形式改變。
電子發(fā)射區(qū)域15可以用在施加電場(chǎng)的情況下發(fā)射電子的材料形成，例如碳質(zhì)材料、納米尺寸材料等。電子發(fā)射區(qū)域15可以用例如碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、硅納米線等或其組合形成，且可以通過(guò)絲網(wǎng)印刷、直接生長(zhǎng)、化學(xué)氣相沉積、濺射等形成。
在具有上述結(jié)構(gòu)的裝置中，陰極電極14可以電連接到電子發(fā)射區(qū)域15從而向電子發(fā)射區(qū)域施加電流以引起電子發(fā)射。柵極電極18可利用柵極電極18與陰極電極14之間的電壓差在電子發(fā)射區(qū)域15周圍形成電場(chǎng)，導(dǎo)致電子從電子發(fā)射區(qū)域15的發(fā)射。即，陰極電極14和柵極電極18可充當(dāng)用于控制電子發(fā)射的驅(qū)動(dòng)電極。
在另一實(shí)施例中，如圖5所示，陰極電極14′和柵極電極18′可互換。在電子發(fā)射單元102中，柵極電極18′可首先形成在第一基板2上，絕緣層16′可形成在第一基板2的整個(gè)表面上，覆蓋柵極電極18′。然后陰極電極14′可形成在絕緣層16′上。
電子發(fā)射區(qū)域15′可形成在絕緣層16′上且可以接觸陰極電極14′的側(cè)表面。對(duì)電極17可電連接到柵極電極18′同時(shí)在陰極電極14′之間與電子發(fā)射區(qū)域15′間隔開(kāi)。對(duì)電極17可用于將柵極電極18′的電場(chǎng)引到絕緣層16′之上從而在電子發(fā)射區(qū)域15′周圍形成強(qiáng)電場(chǎng)。
回到圖2至4所示的實(shí)施例，發(fā)光單元201可包括形成在第二基板4的面對(duì)第一基板2的表面上的紅、綠和藍(lán)磷光體層22R、22G和22B，非發(fā)光區(qū)域在各磷光體層22之間。磷光體層22不出現(xiàn)在非發(fā)光區(qū)域中，實(shí)際上可見(jiàn)光不從非發(fā)光區(qū)域發(fā)射。黑層(black layer)24可用例如鉻或鉻氧化物形成在非發(fā)光區(qū)域從而提高屏幕對(duì)比度。
陽(yáng)極電極26可用例如諸如鋁的金屬材料形成在磷光體層22和黑層24上。陽(yáng)極電極26接收加速電子束所需的高電壓，且在電子發(fā)射裝置運(yùn)行期間可將從磷光體層22朝向第一基板2發(fā)射的可見(jiàn)光反射回朝向第二基板4從而提高屏幕亮度。
在圖6所示的另一實(shí)施例中，陽(yáng)極電極26′可首先形成在第二基板4的表面上，然后磷光體層22和黑層24可形成在陽(yáng)極電極26′上。陽(yáng)極電極26′可由透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(ITO)形成使得它透射從磷光體層22發(fā)出的可見(jiàn)光。圖6的附圖標(biāo)記202表示發(fā)光單元。
單元像素也可與定義在第一基板2上的單元像素對(duì)應(yīng)地定義在第二基板4上。圖7示出圖2的FEA型電子發(fā)射裝置的局部平面圖，其示出了結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)，其中一磷光體層22分開(kāi)地形成在定義在第二基板4上的每個(gè)單元像素處。
間隔物10可布置在第一基板2與第二基板4之間從而維持第一基板2與第二基板4之間的恒定距離并支承該真空容器，從而防止其變形和破裂。
間隔物10可以為壁形狀，即具有矩形外形且垂直于第一基板2和第二基板4取向，并且可布置在柵極電極18之間并與其平行排列。供選地，間隔物可成形為柱，例如圖8所示的十字柱(cross pillar)10′。如圖7所示，間隔物10可位于磷光體層22之間，彼此間隔開(kāi)預(yù)定距離且沿圖的y軸方向取向。
用于間隔物10的間隔物加載區(qū)域12可具有與定義在第一基板2或第二基板4上的單元像素的垂直節(jié)距(pitch)B成比例的寬度A。間隔物加載區(qū)域12的寬度A是沿圖的y軸方向測(cè)量的兩相鄰單元像素之間的偏心距離(eccentric distance)。
參照?qǐng)D7，根據(jù)本發(fā)明，間隔物加載區(qū)域12的寬度A形成為與沿該寬度定位的單元像素的垂直節(jié)距B對(duì)應(yīng)。這樣，根據(jù)本發(fā)明，寬度A和垂直節(jié)距B滿足下面的公式比值A(chǔ)/B大于或等于約0.2。即，A/B≥約0.2(公式1)。
此外，根據(jù)本發(fā)明，寬度A和垂直節(jié)距B還優(yōu)選滿足下面的公式比值A(chǔ)/B小于或等于約0.5。即，A/B≤約0.5(公式2)。
用于參考，如圖7所示，一磷光體層22被設(shè)置用于各單元像素，磷光體層22的垂直節(jié)距用B表示。
圖9示出比值A(chǔ)/B(間隔物加載區(qū)域12的寬度A與單元像素的垂直節(jié)距B的比值)關(guān)于錯(cuò)誤顏色磷光體層發(fā)光區(qū)域(以下簡(jiǎn)稱為“錯(cuò)誤顏色發(fā)射區(qū)域”)的長(zhǎng)度的曲線圖。如圖10所示，錯(cuò)誤顏色發(fā)射區(qū)域意味著從電子發(fā)射區(qū)域朝向目標(biāo)單元像素發(fā)射的電子變?yōu)橄蛟谂c目標(biāo)單元像素相鄰的像素處的錯(cuò)誤顏色磷光體層行進(jìn)，導(dǎo)致不需要的可見(jiàn)光發(fā)射。圖10的附圖標(biāo)記28表示錯(cuò)誤顏色發(fā)射區(qū)域。
如圖9所示，曲線圖的垂直軸表示沿第二基板的方向(沿圖10的y軸方向)測(cè)量的錯(cuò)誤顏色發(fā)射區(qū)域的長(zhǎng)度。對(duì)于所示結(jié)果，磷光體層的水平寬度為130μm，間隔物的寬度為70μm，僅以綠磷光體層為目標(biāo)。如圖所示，根據(jù)間隔物加載區(qū)域12的變化的寬度A測(cè)量錯(cuò)誤顏色發(fā)射區(qū)域的長(zhǎng)度。
如圖9所示，當(dāng)間隔物加載區(qū)域12的寬度A對(duì)單元像素的垂直節(jié)距B的比值A(chǔ)/B小于約0.2時(shí)，發(fā)生錯(cuò)誤顏色發(fā)射。隨著比值A(chǔ)/B變得更小，錯(cuò)誤顏色發(fā)射區(qū)域的長(zhǎng)度變得更大。
在電子發(fā)射裝置運(yùn)行期間，如果電子碰撞間隔物10的表面，間隔物10可變得表面帶電且使經(jīng)過(guò)其附近的電子束的軌跡歪曲。因此，當(dāng)比值A(chǔ)/B小于約0.2時(shí)，間隔物10會(huì)定位得太接近磷光體層，使得間隔物周圍電子束的歪曲導(dǎo)致錯(cuò)誤顏色發(fā)射。然而，注意，本發(fā)明不限于該工作理論。
相反，對(duì)于根據(jù)本發(fā)明此實(shí)施例的電子發(fā)射裝置，其中比值A(chǔ)/B大于或等于約0.2，電子束在間隔物加載區(qū)域以外不歪曲且防止了錯(cuò)誤顏色發(fā)射。
當(dāng)比值A(chǔ)/B大于或等于約0.2時(shí)，錯(cuò)誤顏色發(fā)射可被有效防止。然而，如果比值A(chǔ)/B大于約0.5，則磷光體層的面積相對(duì)于第二基板會(huì)減小至顯示亮度變差的程度。
圖11示出比值A(chǔ)/B關(guān)于亮度的曲線圖。對(duì)于所示結(jié)果，電流密度為0.0304A/m2且陽(yáng)極電場(chǎng)為3.06V/μm。如圖11所示，利用根據(jù)本發(fā)明此實(shí)施例的電子發(fā)射裝置可獲得300cd/m2或更大的亮度，該電子發(fā)射裝置中比值A(chǔ)/B小于或等于約0.5。
如上所述，利用根據(jù)本發(fā)明此實(shí)施例的電子發(fā)射裝置，間隔物加載區(qū)域12的寬度A對(duì)單元像素的垂直節(jié)距B的比值A(chǔ)/B為能夠獲得高亮度屏幕而不導(dǎo)致錯(cuò)誤顏色發(fā)射。因此，根據(jù)本發(fā)明此實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的使用可防止屏幕圖像質(zhì)量由于間隔物帶電而變差且可導(dǎo)致所得顯示的亮度增大。
以FEA型電子發(fā)射裝置為背景提供了上述說(shuō)明，其中電子發(fā)射區(qū)域由施加電場(chǎng)時(shí)發(fā)射電子的材料形成。然而，本發(fā)明不限于FEA型電子發(fā)射裝置，而是可以應(yīng)用于具有電子發(fā)射源、磷光體層和間隔物的其它冷陰極電子發(fā)射裝置。
這里已經(jīng)公開(kāi)了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，盡管采用了特定術(shù)語(yǔ)，但是它們僅在普通和描述性意義上被使用和解釋，而不是用于限制。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，在不偏離權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射裝置，包括彼此面對(duì)的第一和第二基板，單元像素定義在所述第一和第二基板上；電子發(fā)射單元，其在所述第一基板上；磷光體層，其在所述第二基板的面對(duì)所述第一基板的表面上，每個(gè)磷光體層對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)單元像素；非發(fā)光區(qū)域，其在所述磷光體層之間；以及間隔物，其置于所述第一和所述第二基板之間且布置在所述非發(fā)光區(qū)域中，其中所述非發(fā)光區(qū)域包括加載有所述間隔物的間隔物加載區(qū)域，其中間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距滿足下面的條件A/B≥約0.2其中A表示所述間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。
2.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距滿足下面的條件A/B≤約0.5其中A表示所述間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。
3.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中黑層形成在所述非發(fā)光區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的電子發(fā)射裝置，其中所述間隔物加載區(qū)域的寬度對(duì)應(yīng)于所述黑層的寬度。
5.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述單元像素沿所述第二基板的水平和垂直邊布置，所述間隔物設(shè)置在沿所述第二基板的所述垂直邊定位的所述磷光體層之間，所述間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距沿所述第二基板的所述垂直邊確定。
6.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述間隔物具有壁形。
7.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述間隔物具有柱形。
8.一種顯示裝置，包括第一基板，其包括電子發(fā)射元件；第二基板，其面對(duì)所述第一基板，所述第二基板包括沿第一方向布置的規(guī)則圖案，所述規(guī)則圖案具有設(shè)置在相鄰發(fā)光區(qū)域之間的間隔物加載區(qū)域，所述間隔物加載區(qū)域具有沿所述第一方向的第一長(zhǎng)度且所述發(fā)光區(qū)域具有沿所述第一方向的第二長(zhǎng)度，其中所述規(guī)則圖案具有沿所述第一方向的等于所述第一長(zhǎng)度和所述第二長(zhǎng)度的總和的節(jié)距，且其中所述第一長(zhǎng)度大于或等于所述節(jié)距的約五分之一；以及間隔物，其設(shè)置在所述間隔物加載區(qū)域中。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中所述第一長(zhǎng)度小于或等于所述節(jié)距的約一半。
10.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中所述節(jié)距對(duì)應(yīng)于所述顯示裝置的垂直方向。
11.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中每個(gè)發(fā)光區(qū)域包括沿第二方向布置的三種不同顏色發(fā)光元件，所述第二方向與所述第一方向基本直交。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中所述第二方向?qū)?yīng)于所述顯示裝置的水平方向。
13.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，還包括與所述間隔物加載區(qū)域?qū)?yīng)的非發(fā)光區(qū)域。
14.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中所述非發(fā)光區(qū)域?yàn)楹趯印?br> 15.一種制造顯示裝置的方法，包括在基板的表面上形成磷光體層，每個(gè)磷光體層對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)單元像素；在所述磷光體層之間形成非發(fā)光區(qū)域；以及在間隔物加載區(qū)域中布置間隔物，所述間隔物加載區(qū)域位于所述非發(fā)光區(qū)域中，其中間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距滿足下面的條件A/B≥約0.2其中A表示所述間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距滿足下面的條件A/B≤約0.5其中A表示所述間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括在所述非發(fā)光區(qū)域形成黑層。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述間隔物加載區(qū)域的寬度對(duì)應(yīng)于所述黑層的寬度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子發(fā)射裝置，其實(shí)施例包括彼此面對(duì)的第一和第二基板，單元像素定義在所述第一和第二基板上；電子發(fā)射單元，其在所述第一基板上；磷光體層，其在所述第二基板的面對(duì)所述第一基板的表面上，每個(gè)磷光體層對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)單元像素；非發(fā)光區(qū)域，其在所述磷光體層之間；以及間隔物，其置于所述第一和所述第二基板之間且布置在所述非發(fā)光區(qū)域，其中所述非發(fā)光區(qū)域包括加載有所述間隔物的間隔物加載區(qū)域，其中所述間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距滿足下面的條件A/B≥約0.2，其中A表示所述間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。
文檔編號(hào)H01J9/00GK1873888SQ20061005509
公開(kāi)日2006年12月6日 申請(qǐng)日期2006年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月31日
發(fā)明者全祥皓, 李炳坤 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社