專(zhuān)利名稱(chēng)：自發(fā)光型顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及自發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
對(duì)于作為象素的光調(diào)制層采用發(fā)光二極管、液晶、有機(jī)EL(ElectroLuminescence，電致發(fā)光)等的顯示裝置，因其顯示部分能夠?yàn)楸⌒?，不僅可以使用于辦公設(shè)備以及計(jì)算機(jī)等的顯示裝置，而且其適用范圍也逐漸擴(kuò)大。在這些顯示裝置中，采用了有機(jī)EL的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置與LCD(液晶顯示裝置)相比，具有下述a～c項(xiàng)所示的優(yōu)點(diǎn)。
a.由于為自發(fā)光型，可以獲得鮮明的顯示以及寬廣的視角，而且因不需要背景光源，故耗電低、量輕、型薄。
b.響應(yīng)速度快，例如，相對(duì)于LCD為毫秒(msec)級(jí)，有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置而為微妙(μsec)級(jí)。
c.由于利用固體進(jìn)行發(fā)光，使用溫度范圍較寬。
由于上述這些優(yōu)點(diǎn)，不斷地對(duì)于這種自發(fā)光型液晶顯示裝置進(jìn)行開(kāi)發(fā)。特別地，通過(guò)與采用了多晶硅的薄膜晶體管(Poly Silicon Thin Film Transistor多晶硅TFT)進(jìn)行組合，正在盛行對(duì)于能夠進(jìn)行高清晰顯示的有源矩陣型構(gòu)造的多晶硅TFT型有機(jī)自發(fā)光型面板的研究。


圖10表示構(gòu)成這種以往的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置的陣列基板的概要剖視圖。在陽(yáng)極109以及陰極115之間固定有包含有機(jī)發(fā)光層113的有機(jī)薄膜層，向該有機(jī)發(fā)光層113注入電子以及空穴并且使之進(jìn)行再結(jié)合，生成激子并且利用它們躍遷時(shí)放出光而進(jìn)行發(fā)光。
有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置如圖10所示形成多晶硅層103、柵極絕緣膜104、將連接在由柵極電極105及源極·漏極電極107形成的驅(qū)動(dòng)TFT的陽(yáng)極109上進(jìn)行開(kāi)口的鈍化膜110及隔壁絕緣膜111。
以往，有機(jī)自發(fā)型顯示裝置的發(fā)光強(qiáng)度為L(zhǎng)CD的發(fā)光強(qiáng)度(100～150nt)的大約一半。
又，由于相鄰象素間串?dāng)_的發(fā)生，特別是進(jìn)行彩色顯示時(shí)在形成R、G、B的顯示象素的相鄰象素間顏色會(huì)發(fā)生混合，而使得對(duì)比度下降。
本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題，目的在于提供一種能夠提高向光出射面的光的取出效率的自發(fā)光型顯示裝置。
又，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制相鄰象素間串?dāng)_的產(chǎn)生的自發(fā)光型顯示裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第1方面對(duì)于將形成島狀的多個(gè)第1電極、與所述第1電極對(duì)向配置的第2電極、固定在所述第1以及第2電極間且至少包含發(fā)光層的自發(fā)光部分的多個(gè)顯示象素配置成矩陣狀并且將所述第1以及第2電極中的任一電極側(cè)作為光出射面的自發(fā)光型顯示裝置，其特點(diǎn)在于，將向所述光出射面?zhèn)纫鰪囊伙@示象素射向鄰接的其他顯示象素的光的光反射面設(shè)置在所述一顯示象素與所述其他顯示象素之間。
本發(fā)明第2方面是對(duì)于第1方面的自發(fā)光型顯示裝置，其特點(diǎn)在于，還具備分別將所述第1電極電性絕緣的隔壁，所述第1或第2電極中通過(guò)所述發(fā)光層與所述光出射面對(duì)向配置側(cè)的電極的形成面利用形成在每個(gè)所述顯示象素邊緣上的所述隔壁的開(kāi)口的傾斜角而形成與光出射面成銳角的所述光反射面。
本發(fā)明的第3方面是對(duì)于第2方面的自發(fā)光型顯示裝置，其特征在于，經(jīng)過(guò)多個(gè)顯示象素連續(xù)地形成第2電極。
本發(fā)明第4方面是對(duì)于第2方面的顯示裝置，其特點(diǎn)在于，與所述光出射面對(duì)向配置的側(cè)的所述電極的形成面在每個(gè)所述顯示象素的邊緣全周上相對(duì)于光出射面成銳角。
本發(fā)明第5方面是對(duì)于第2方面的自發(fā)光型顯示裝置，其特點(diǎn)在于，所述多個(gè)第1電極分別利用隔壁進(jìn)行電性絕緣，在覆蓋所述隔壁的整個(gè)面上形成所述第2電極，利用形成在所述顯示象素邊緣的所述隔壁上的開(kāi)口的傾斜角，所述第2電極在每個(gè)所述顯示象素的邊緣上與光出射面成銳角。
附圖簡(jiǎn)述圖1是表示本發(fā)明的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置的有機(jī)自發(fā)光型面板陣列的構(gòu)造的平面圖。
圖2是表示圖1所示的有機(jī)自發(fā)光面板陣列的構(gòu)造的縱向剖視圖。
圖3是用于說(shuō)明一般的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置之一個(gè)象素的平面圖以及本發(fā)明的概要的顯示象素的平面圖。
圖4是為了說(shuō)明本發(fā)明的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置的第1實(shí)施形態(tài)而表示顯示象素的構(gòu)造的縱向剖視圖以及表示其特征部分的詳細(xì)構(gòu)造的縱向剖視圖。
圖5是表示在平面上配置本發(fā)明的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置的面板陣列的構(gòu)造部分的電路圖。
圖6是為了說(shuō)明本發(fā)明的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置的第2實(shí)施形態(tài)而表示顯示象素的構(gòu)造的縱向剖視圖。
圖7是用于說(shuō)明本發(fā)明的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置第3實(shí)施形態(tài)的顯示象素的縱向剖視圖。
圖8是用于說(shuō)明本發(fā)明的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置第4實(shí)施形態(tài)的顯示象素的縱向剖視圖。
圖9是在平面上配置本發(fā)明的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置的面板陣列的構(gòu)造部分的電路圖。
圖10是用于說(shuō)明以往的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置的構(gòu)造的顯示象素的縱向剖視圖。
符號(hào)說(shuō)明1象素11，11A，12，13 顯示象素S、M 開(kāi)口100 有機(jī)自發(fā)光面板陣列101 玻璃基板102 底涂層103 多晶硅層104 柵極絕緣膜106 層間絕緣膜107 源極·漏極電極108 布線109 陽(yáng)極110 鈍化膜
111 隔壁絕緣膜111F 壁面112 陽(yáng)極緩沖層113 有機(jī)發(fā)光層114 陰極緩沖層115 陰極121 X方向驅(qū)動(dòng)電路123 Y方向驅(qū)動(dòng)電路131 密封部件133 玻璃基板200 有機(jī)自發(fā)光面板具體實(shí)施形態(tài)以下，參照附圖對(duì)于本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置具備有機(jī)自發(fā)光面板陣列。圖1是表示該有機(jī)自發(fā)光面板陣列100的概要平面圖。如圖1所示那樣，有機(jī)自發(fā)光面板陣列是并列設(shè)置3個(gè)綠(G)、紅(R)、藍(lán)(B)的顯示象素而構(gòu)成象素1，并且將這些象素1多個(gè)配置成矩陣狀而構(gòu)成顯示區(qū)域120。此時(shí)，形成縱橫尺寸都大于顯示區(qū)域120的玻璃基板101，特別地在圖面的右側(cè)以及下側(cè)空處較大，其中，在右側(cè)設(shè)置X方向驅(qū)動(dòng)電路并且同時(shí)與從各象素導(dǎo)出的布線122連接，在下側(cè)設(shè)置Y方向驅(qū)動(dòng)電路123并且同時(shí)與從各象素導(dǎo)出的布線124連接。
再者，圖2是將圖1所示的有機(jī)自發(fā)光型面板陣列100作為構(gòu)造要件而組合成的有機(jī)自發(fā)光面板200的縱向剖視圖，為了包圍有機(jī)自發(fā)光面板陣列100的顯示區(qū)域120、X方向驅(qū)動(dòng)電路121以及Y方向驅(qū)動(dòng)電路123而在其邊緣端部設(shè)置密封部件131。在該密封部件131上在其內(nèi)面例如安裝有涂覆沸石及BaO等的干燥劑132所形成的玻璃基板133，并且在內(nèi)部填充干燥氮?dú)狻Ｓ纱?，?gòu)成圖面的下方為顯示面的有機(jī)自發(fā)光面板200。這樣，利用該有機(jī)自發(fā)光面板200能夠構(gòu)成有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置。
該自發(fā)光型顯示裝置的顯示區(qū)域如圖3(a)中的放大圖所示，并列設(shè)置3個(gè)綠(G)、紅(R)、藍(lán)(B)的顯示象素11、12、13而構(gòu)成象素1，而且，如上所述，將這些象素1多個(gè)地配置成矩陣狀構(gòu)成顯示區(qū)域120。這樣，圖3(b)是表示該一個(gè)顯示象素分的概要平面圖。該顯示象素在以下將進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，而在中央部分與邊緣部分分別具有開(kāi)口，這些開(kāi)口在圖3(b)中用M、S表示。圖4(a)是沿該一個(gè)顯示象素的IV(a)-IV(a)的概要剖視圖，圖4(b)是其特征部分的放大剖視圖。
這樣的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置具備有機(jī)自發(fā)光面板100。該發(fā)光面板陣列100具有將上述顯示象素配置成矩陣狀的陣列基板以及與該陣列基板對(duì)向配置的對(duì)向基板。發(fā)光面板陣列100如上所述那樣被封入氮?dú)?。在本?shí)施形態(tài)中，顯示面為陣列基板側(cè)并且通過(guò)陽(yáng)極向外部取出光。
如此，由于陣列基板為有機(jī)自發(fā)光面板100的構(gòu)造部分，如圖1所示，由將顯示象素配置成矩陣狀的顯示區(qū)域120與邊緣部分構(gòu)成，在其邊緣區(qū)域上設(shè)置有配置在基板二邊上的X方向驅(qū)動(dòng)電路121與Y方向驅(qū)動(dòng)電路123。各顯示象素如圖5所示具備源極與信號(hào)線41連接、柵極與柵極線43連接并且作為選擇顯示象素的象素開(kāi)關(guān)的象素TFT44；利用由柵極與象素TFT44的漏極連接、源極與電流供給線42連接的作為驅(qū)動(dòng)元件的驅(qū)動(dòng)TFT45供給的電流進(jìn)行發(fā)光的顯示元件46。
在圖4(a)中表示各顯示象素的一部分的概要剖視圖。這里圖示的TFT是驅(qū)動(dòng)TFT，是顯示象素的一部分的概要剖視圖。在圖4(a)中，在具有光透光性的基板101上將底層102疊層，在該底涂層102形成的島狀多晶硅層103被劃分成源極區(qū)域103a、溝道區(qū)域103b、漏極區(qū)域103c。在包含該多晶硅層103的底涂層102的全面上形成有柵極絕緣膜104，在對(duì)應(yīng)于多晶硅層103的溝道區(qū)域103b的位置上通過(guò)柵極絕緣膜104形成柵極電極105。又，分別與多晶硅層的源極區(qū)域103a、漏極區(qū)域103b連接的源極電極以及漏極電極利用層間絕緣膜106與柵極電極電性絕緣。在該層間絕緣膜106上的規(guī)定象素區(qū)域上以透明部件例如ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)形成島狀的陽(yáng)極109并且與漏極電極電性連接。
然后，形成將該陽(yáng)極上進(jìn)行開(kāi)口的由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜110、由有機(jī)材料構(gòu)成的隔壁絕緣膜111、在陽(yáng)極上疊層至少具有有機(jī)發(fā)光層113的有機(jī)薄膜層，通過(guò)該有機(jī)薄膜層與陽(yáng)極對(duì)向地經(jīng)過(guò)多個(gè)象素連續(xù)地形成陰極115。有機(jī)薄膜層例如由陽(yáng)極緩沖層112、有機(jī)發(fā)光層113以及陰極緩沖層114構(gòu)成，陽(yáng)極緩沖層112以及陰極緩沖層114由無(wú)機(jī)材料或者有機(jī)材料的疊層膜構(gòu)成。
隔壁絕緣膜111如圖3(b)、圖4(a)以及(b)所示那樣，在相鄰的顯示象素間具有開(kāi)口。即，在各顯示象素的邊緣端更內(nèi)側(cè)的全周上形成隔壁絕緣膜111的開(kāi)口(斜線區(qū)域)S，該開(kāi)口S使得隔壁絕緣膜的陽(yáng)極109側(cè)的壁面相對(duì)于基板傾斜成銳角(θ＜90°)，最好大于45°。由此，能夠?qū)⒀貦M方向前進(jìn)的光即圖4中的光成分P2、P3通過(guò)由金屬模形成的陽(yáng)極115發(fā)生折射而在顯示面方向上前進(jìn)，因此，能夠提高顯示面板的發(fā)光強(qiáng)度。
以下，對(duì)于本實(shí)施形態(tài)的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
最初，準(zhǔn)備玻璃基板101，在該玻璃基板101的一主面上例如形成將膜厚50nm的SiNx與膜厚為100nm的SiOx疊層形成的底涂層102，接著，在底涂層102上例如形成膜厚50nm的多晶硅層103，通過(guò)將其形成圖案而形成薄膜晶體管的島形區(qū)域。
其次，在包含多晶硅層103的底涂層102的整個(gè)面上，例如形成由膜厚為140nm的SiOx構(gòu)成的柵極絕緣膜104，而且在柵極絕緣膜104上將膜厚為300nm的MoW疊層并且將使形成圖案，由此形成柵極電極105。
其次，從柵極絕緣膜104上將柵極電極105作為掩膜并注入離子，由此，將位于多晶硅層103的柵極電極下部的區(qū)域作為溝道區(qū)域并在其兩側(cè)形成源極區(qū)域以及漏極區(qū)域。
其次，在包含柵極電極105的柵極絕緣膜104的整個(gè)面上，例如形成由膜厚為660nm的SiOx構(gòu)成的層間絕緣膜106，接著形成ITO(indium Tin Oxide，氧化銦錫)的膜，使得該ITO形成圖案，作為在規(guī)定區(qū)域擴(kuò)張的島狀第1電極而形成陽(yáng)極109。
其次，打通穿過(guò)層間絕緣膜106以及柵極絕緣膜104到達(dá)源極區(qū)域、漏極區(qū)域的孔，在該孔中填充入金屬膜例如膜厚50nm的Mo、膜厚450nm的Al與膜厚100nm的Mo的疊層膜，由此，形成源極·漏極電極107。這樣，使得陽(yáng)極109與驅(qū)動(dòng)TFT的漏極連接。
其次，在包含陽(yáng)極109的表面的層間絕緣膜106上例如，形成膜厚450nm的SiNx構(gòu)成的鈍化膜110，設(shè)有露出陽(yáng)極109的表面的開(kāi)口。再者，在陽(yáng)極109的露出面以及鈍化膜110上設(shè)有絕緣性的隔壁絕緣膜111，設(shè)置箭頭M所示的部位即露出陽(yáng)極109的表面的第1開(kāi)口，同時(shí)形成箭頭S所示的部位即在顯示象素的邊緣端內(nèi)側(cè)形成第2開(kāi)口。覆蓋陽(yáng)極109的端部而設(shè)置該隔壁絕緣膜111的開(kāi)口，能夠防止與下述的陰極發(fā)生短路。又，箭頭S所示的部位的開(kāi)口如圖4(b)所示，隔壁絕緣膜111的陽(yáng)極109側(cè)的壁面111F與基板傾斜成銳角例如θ＝45°。
其次，在包含陽(yáng)極109表面的隔壁絕緣膜111上，在堆積將空穴輸送層、空穴注入層等疊層為膜厚110nm的陽(yáng)極緩沖層112之后，疊層膜厚30nm的有機(jī)發(fā)光層113，在堆積由電子注入層等形成的膜厚30nm陰極緩沖層114之后，在整個(gè)面上形成陰極115。
結(jié)果，在從有機(jī)發(fā)光層113釋放出的光成分P1、P2、P3中，光成分P1直接向顯示面方向前進(jìn)，光成分P2、P3通過(guò)隔壁絕緣膜111在橫方向上前進(jìn)，由于位于箭頭S所示的隔壁絕緣膜111的開(kāi)口的陽(yáng)極109側(cè)的壁面上的陰極115而使之向顯示面方向上折射，提高了顯示面板的發(fā)光強(qiáng)度。
又，在顯示象素間配置圖示的布線108，在該構(gòu)造中最好設(shè)置使得光成分P2、P3向布線108更內(nèi)側(cè)進(jìn)行折射的傾斜面。
又，在本實(shí)施形態(tài)中，使得光成分P2、P3折射的傾斜面與基板面成45度，而從提高發(fā)光強(qiáng)度的觀點(diǎn)出發(fā)，只要使之為小于90度的銳角，就可以獲得很好效果。
然而，在上述實(shí)施形態(tài)中，當(dāng)著重研究圖4(a)或圖4(b)所示的部分時(shí)，光成分P3穿過(guò)隔壁絕緣膜111后通過(guò)陽(yáng)極緩沖層112由陰極115反射而朝向顯示面方向。根據(jù)這樣的構(gòu)造，根據(jù)陽(yáng)極緩沖層112的吸收系數(shù)(吸光系數(shù))光成分P3被衰減而向顯示面方向前進(jìn)，故從提高顯示面板的發(fā)光強(qiáng)度來(lái)看效率下降。為了防止這樣的情況，若在箭頭S所示的隔壁絕緣膜111的開(kāi)口的傾斜的壁面111F上直接附著陰極115，則能夠避免陽(yáng)極緩沖層112對(duì)于光成分P3的二次衰減作用。
圖6表示著重該方面的本發(fā)明的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置第2實(shí)施形態(tài)的顯示象素的縱向剖視圖。在圖6中，對(duì)于與圖4相同的部分賦與同一符號(hào)并且省略對(duì)其的說(shuō)明。與第1實(shí)施形態(tài)相同，在隔壁絕緣膜111上形成開(kāi)口之時(shí)，由箭頭S所示的部位上也形成使得陽(yáng)極109側(cè)的壁面111F例如大致為45度的第2開(kāi)口。這里表示的顯示象素11A在上述的第1開(kāi)口即由陽(yáng)極109上的隔壁絕緣膜所包圍的區(qū)域中形成陽(yáng)極緩沖層112、有機(jī)發(fā)光層113、陰極緩沖層114，在覆蓋它們的整個(gè)面上形成陰極115。因此，在箭頭S所示的部位大致傾斜成45度的隔壁絕緣膜111的壁面111F上直接覆蓋著陰極115。
如此，通過(guò)這樣的構(gòu)造，從有機(jī)發(fā)光層113向橫方向前進(jìn)的光成分P3(以及P2)在隔壁絕緣膜111的傾斜面上被陰極115直接反射，因此不會(huì)被上述的陽(yáng)極緩沖層112衰減，比圖2所示的實(shí)施形態(tài)能夠更進(jìn)一步地提高顯示面板的發(fā)光強(qiáng)度。
如上所述，在有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置的隔壁絕緣膜的相鄰的顯示象素間設(shè)置開(kāi)口，由于使得該隔壁絕緣膜的開(kāi)口的壁面與光出射面成銳角，故在顯示象素內(nèi)，能夠高效率地取出向光出射面以及平行方向漏出的光。
即，以高反射率的部件形成通過(guò)有機(jī)發(fā)光層并與光出射面對(duì)向側(cè)的電極，由于該電極在每個(gè)顯示象素的端部與光出射面形成銳角，故能夠高效率地向光出射面?zhèn)热〕鰪挠袡C(jī)發(fā)光層發(fā)出的光。
又，若經(jīng)過(guò)每個(gè)象素的邊緣端內(nèi)側(cè)全面形成該開(kāi)口時(shí)，則能夠防止光泄漏到相鄰的象素間，能夠防止串?dāng)_并且提高對(duì)比度，而且在進(jìn)行彩色顯示時(shí)也能夠防止相鄰象素間的混色。
采用例如Alq3等低分子系的有機(jī)發(fā)光材料通過(guò)蒸鍍等構(gòu)成上述第1以及第2實(shí)施形態(tài)的有機(jī)發(fā)光層。
其次，對(duì)于第3實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。
圖7是表示本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置的陣列基板的概要剖視圖。
在本實(shí)施形態(tài)中，例如采用多芴等的高分子系的有機(jī)發(fā)光材料通過(guò)噴射法與R、G、B對(duì)應(yīng)地形成有機(jī)發(fā)光層113。即，順次噴出高分子系的有機(jī)發(fā)光層材料，在作為第1電極的陽(yáng)極109上的隔壁絕緣膜111的開(kāi)口所對(duì)應(yīng)的位置上通過(guò)膜厚30nm的陽(yáng)極緩沖層112選擇性地形成有機(jī)發(fā)光層。在本實(shí)施形態(tài)中，例如使得有機(jī)發(fā)光層113形成膜厚為80nm。
如此，采用高分子系的有機(jī)發(fā)光材料形成有機(jī)發(fā)光層113，能夠容易地對(duì)應(yīng)于陣列基板的基板尺寸設(shè)計(jì)的變更。又，能夠在必要的位置選擇性地噴出發(fā)光材料，故能夠提高材料的利用效率。
其次，對(duì)于第4實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。
圖8表示本發(fā)明第4實(shí)施形態(tài)的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置的陣列基板的概要剖視圖。
本實(shí)施形態(tài)中，與驅(qū)動(dòng)TFT(驅(qū)動(dòng)元件)45連接的第1電極這里為陽(yáng)極109通過(guò)絕緣膜116與驅(qū)動(dòng)TFT45的漏極電極107b連接。
如此，由于在信號(hào)線41、TFT44，45上通過(guò)絕緣膜116配置第1電極，故與第1～第3實(shí)施形態(tài)所述與將信號(hào)線41與第1電極配置在同一平面的情況相比，能夠增大第1電極配置位置的自由度，而且還能夠增加發(fā)光面積。
又，各顯示象素1并不限于上述構(gòu)造，例如圖9所示也可以由根據(jù)X方驅(qū)動(dòng)電路121供給的掃描信號(hào)而選擇寫(xiě)入由Y方向驅(qū)動(dòng)電路123供給的視頻信號(hào)的顯示象素的象素開(kāi)關(guān)44、將通過(guò)象素開(kāi)關(guān)44從信號(hào)線41寫(xiě)入的視頻信號(hào)保持1個(gè)水平掃描期間的第1電容47、向顯示元件46供給基于視頻信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)元件45、復(fù)位電路48來(lái)構(gòu)成。
這里，象素開(kāi)關(guān)44例如由n型TFT構(gòu)成，驅(qū)動(dòng)元件45p例如由p型TFT構(gòu)成。又，復(fù)位電路48由配置在象素開(kāi)關(guān)的漏極—驅(qū)動(dòng)元件的柵極間的第2電容器48a、配置在驅(qū)動(dòng)元件45的柵極—漏極間的第1開(kāi)關(guān)48b、配置在驅(qū)動(dòng)元件45的漏極與顯示元件46的第1電極間的第2開(kāi)關(guān)48c構(gòu)成。
而且，這里顯示元件是指由第1電極、與第1電極對(duì)向配置的第2電極、固定在第1以及第2電極間的自發(fā)光部分構(gòu)成的疊層體。
而且，自發(fā)光部分(有機(jī)薄膜層)也可以由共通地形成在各色上的陽(yáng)極緩沖層、陰極緩沖層以及形成在每個(gè)顏色的發(fā)光層這3層層疊層構(gòu)成，也可以是由功能復(fù)合型的2層或單層構(gòu)成。
又，在上述的實(shí)施形態(tài)中，將陽(yáng)極作為透明電極設(shè)置在光出射面上、將陰極作為光反射電極設(shè)置在非光出射面?zhèn)壬?，而也可以以具有透光性的?dǎo)電膜形成陰極并設(shè)置將其設(shè)置在光出射面?zhèn)壬?、使得?yáng)極為導(dǎo)電膜與金屬層的疊層構(gòu)造等并將其設(shè)置在非光出射面?zhèn)壬稀?br> 又，在上述的實(shí)施形態(tài)中，對(duì)于通過(guò)配置TFT等的陣列基板向外部取出光的方式的自發(fā)光型顯示裝置進(jìn)行了說(shuō)明，而也可以以具有光透過(guò)型的導(dǎo)電膜形成第2電極而通過(guò)第2電極向外部取出光，無(wú)論何種情況下關(guān)鍵在于，將向光出射面?zhèn)热〕鰪囊伙@示象素射向相鄰其他顯示象素的光的出射面設(shè)置在一顯示象素與其他顯示象素之間。
又，在上述的實(shí)施形態(tài)中，對(duì)于包圍各顯示象素的全周形成隔壁絕緣膜的開(kāi)口的情況進(jìn)行了說(shuō)明，并不限定于此，也可以沿著顯示象素的列方向形成條狀。特別地，當(dāng)進(jìn)行彩色顯示時(shí)，若R、G、B各色形成條狀，則能夠抑制相鄰象素間的混色。
又，作為自發(fā)光型顯示裝置是以有機(jī)自發(fā)光裝置中的電致發(fā)光顯示裝置為例進(jìn)行了說(shuō)明，本發(fā)明并不限定于此。
如上所述可知，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種可以提高向光出射面取出光的效率的自發(fā)光型顯示裝置。
又，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種可以抑制相鄰象素間的串?dāng)_的自發(fā)光型顯示裝置。
權(quán)利要求
1.一種自發(fā)光型顯示裝置，其特征在于，將具備至少包含發(fā)光層的自發(fā)光部分的多個(gè)顯示象素配置成矩陣狀，所述顯示象素具備相互電性絕緣的多個(gè)第1電極以及與所述第1電極對(duì)向配置的第2電極，將所述自發(fā)光部分固定在所述第1以及第2電極間，將所述第1以及第2電極中任一電極側(cè)作為光出射面，在所述顯示象素中將從一顯示象素射向鄰接的另一象素的光引向所述光出射面的光反射面設(shè)置在所述一顯示象素與所述另一顯示象素之間。
2.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光型顯示裝置，其特征在于，所述自發(fā)光型顯示裝置還具備分別與所述第1電極電性絕緣的隔壁，所述第1或第2電極中通過(guò)所述發(fā)光層與所述光出射面對(duì)向配置側(cè)的電極的形成面利用形成在每個(gè)所述顯示象素邊緣上的所述隔壁的開(kāi)口的傾斜角而形成與光出射面成銳角的所述光反射面。
3.如權(quán)利要求2所述的自發(fā)光型顯示裝置，其特征在于，經(jīng)過(guò)多個(gè)所述顯示象素連續(xù)地形成所述第2電極。
4.如權(quán)利要求2所述的自發(fā)光型顯示裝置，其特征在于，與所述光出射面對(duì)向配置的側(cè)的所述電極的形成面在每個(gè)所述顯示象素的邊緣全周上相對(duì)于光出射面成銳角。
5.如權(quán)利要求2所述的自發(fā)光型顯示裝置，其特征在于，所述多個(gè)第1電極分別利用隔壁進(jìn)行電性絕緣，在覆蓋所述隔壁的整個(gè)面上形成所述第2電極，利用形成在所述顯示象素邊緣的所述隔壁上的開(kāi)口的傾斜角，所述第2電極在每個(gè)所述顯示象素的邊緣上與光出射面成銳角。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠提高向光出射面的取出效率的有機(jī)自發(fā)光型顯示裝置。該自發(fā)光型顯示裝置的特征在于,將具備至少包含發(fā)光層的自發(fā)光部分的多個(gè)顯示象素配置成矩陣狀,所述顯示象素具備相互電性絕緣的多個(gè)第1電極以及與所述第1電極對(duì)向配置的第2電極,將所述自發(fā)光部分固定在所述第1以及第2電極間,將所述第1以及第2電極中的任意之一作為光出射面,在所述顯示象素中將從一顯示象素射向鄰接的其他顯示象素的光向所述光出射面取出的光反射面設(shè)置在所述一顯示象素與所述其他顯示象素之間。
文檔編號(hào)H01L27/15GK1366207SQ0113788
公開(kāi)日2002年8月28日 申請(qǐng)日期2001年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月9日
發(fā)明者后藤康正 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝