專利名稱：自發(fā)光顯示裝置和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括自發(fā)光元件的自發(fā)光顯示裝置和包括該自發(fā)光顯示裝 置的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來，人們積極地開發(fā)了將有機EL (電致發(fā)光)元件用作自發(fā)光元 件的自發(fā)光顯示裝置(有機EL顯示裝置)。有機EL元件是利用施加電場至 有機薄膜而發(fā)光的現(xiàn)象的元件。因為有才幾EL元件能夠在例如IOV或者更小 的施加電壓下被驅(qū)動，所以其功耗較低。此外，因為有機EL元件為如上所 述的自發(fā)光元件，所以不需要照明構(gòu)件(諸如液晶元件的照明構(gòu)件)，因此 易于減輕重量并減少厚度。此外，因為有4幾EL元件的響應(yīng)速度非常高(約 幾jas )，所以其具有在顯示的視頻中不產(chǎn)生殘留圖像的優(yōu)點。
對于采用這樣的有機EL元件的有機EL顯示裝置，具體地講，人們積 極地開發(fā)了有源矩陣有機EL顯示裝置，其中在每個像素中集成形成作為驅(qū) 動元件等的薄膜晶體管(TFT)(例如，參考曰本未審查專利申請公開No. 2007-310311 )。

發(fā)明內(nèi)容
在前述的日本未審查專利申請公開No.2007-310311等中，披露了形成在 每個像素中的像素電路。在某些情況下，R(紅)、G(綠)和B(藍(lán))每種 顏色的各像素電路的驅(qū)動晶體管和累積電容元件的尺寸根據(jù)所需的每個顯 示驅(qū)動電流的大小而不同。結(jié)果，在具體顏色的像素電路中，像素圖案密度 變得很高，因此圖案的缺陷率將因灰塵等而增加。在圖案缺陷率增加的情況 下，制造產(chǎn)率P爭低。
前述的缺點不僅存在于自發(fā)光元件為有機EL元件的情況，而且也存在 于無機EL元件或者LED (發(fā)光二極管)的情況。
考慮到前述的缺點，在本發(fā)明中，所希望的是提供能夠改善產(chǎn)率的自發(fā)光顯示裝置和電子設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，所提供的第一自發(fā)光顯示裝置包括像素層，其 中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自發(fā)光元件的多個顏色像素 構(gòu)成；以及像素電路層，其中形成有多個像素電路，每個像素電路由分別驅(qū) 動顏色像素的多個顏色像素電路構(gòu)成。在像素電路內(nèi)，該顏色像素電路的尺 寸根據(jù)使像素中的顏色自發(fā)光元件以相同的發(fā)光亮度發(fā)光的電流的大小比 率而非均等地設(shè)定。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，所提供的第一電子設(shè)備包括具有顯示功能的前述 第一自發(fā)光顯示裝置。
在本發(fā)明實施例的第一自發(fā)光顯示裝置和第一電子設(shè)備中，在像素電路 內(nèi)顏色像素電路的尺寸根據(jù)使像素中的顏色自發(fā)光元件以相同的發(fā)光亮度 發(fā)光的電流的大小比率而非均等地設(shè)定。因此，即使在每個顏色的像素中像 素電路中的元件尺寸根據(jù)驅(qū)動電流的大小而彼此不同，對應(yīng)像素電路中的像 素圖案密度也彼此均等。因此，避免了圖案缺陷率因具體顏色的像素電路中 像素圖案密度的增加而增加，并且減少了整個像素電路的圖案缺陷率。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，所提供的第二自發(fā)光顯示裝置包括像素層，其 中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自發(fā)光元件的多個顏色像素 構(gòu)成；以及像素電路層，其中形成有多個像素電路，每個像素電路由分別驅(qū) 動顏色像素的多個顏色像素電路構(gòu)成。顏色像素電路的每個包括具有有源層 和柵極電極的驅(qū)動晶體管。在像素電路內(nèi)，顏色像素電路的尺寸根據(jù)每個都 定義為驅(qū)動晶體管中的有源層和柵極電極彼此重疊的區(qū)域的重疊區(qū)域之間 的面積比而非均等地設(shè)定。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，所提供的第二電子設(shè)備包括具有顯示功能的前述 第二自發(fā)光顯示裝置。
在本發(fā)明實施例的第二自發(fā)光顯示裝置和第二電子設(shè)備中，在像素電路 內(nèi)顏色像素電路的尺寸根據(jù)每個都定義為驅(qū)動晶體管中的有源層和柵極電 極彼此重疊的區(qū)域的重疊區(qū)域之間的面積比而非均等地設(shè)定。因此，即使在 每個顏色的像素中驅(qū)動晶體管的元件尺寸根據(jù)重疊區(qū)域之間的面積而彼此 不同，對應(yīng)像素電路中的像素圖案密度也彼此均等。因此，避免了圖案缺陷 率因具體顏色的像素電路中像素圖案密度的增加而增加，并且減少了整個像 素電路的圖案缺陷率。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所提供的第三自發(fā)光顯示裝置包括像素層，其
中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自發(fā)光元件的多個顏色像素
構(gòu)成；以及像素電路層，其中形成有多個像素電路，每個像素電路由分別驅(qū) 動顏色像素的多個顏色像素電路構(gòu)成。顏色像素電路的每個包括電容元件。 此外，在像素電路內(nèi)顏色像素電路的尺寸根據(jù)顏色像素電路中的電容元件之 間的面積比而非均等地設(shè)定。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，所提供的第三電子設(shè)備包括具有顯示功能的前述 第三自發(fā)光顯示裝置。
在本發(fā)明實施例的第三自發(fā)光顯示裝置和第三電子設(shè)備中，在像素電路 內(nèi)顏色像素電路的尺寸根據(jù)顏色像素電路中的電容元件之間的面積比非均 等地設(shè)定。因此，即使在每個顏色的像素中累積電容元件的元件尺寸根據(jù)累 積電容元件的面積而彼此不同，對應(yīng)像素電路中的4象素圖案密度也彼此均 等。因此，避免了圖案缺陷率因具體顏色的像素電路中像素圖案密度的增加 而增加，并且減少了整個像素電路的圖案缺陷率。
根據(jù)本發(fā)明實施例的第一自發(fā)光顯示裝置或者第一電子設(shè)備，在像素電 路內(nèi)顏色像素電路的尺寸根據(jù)使像素中的顏色自發(fā)光元件以相同的發(fā)光亮 度發(fā)光的電流大小的比而非均等地設(shè)定。因此，對應(yīng)于每個顏色的像素電路 的像素圖案密度變?yōu)楸舜司龋⑶夷軠p少整個像素電路的圖案缺陷率。從 而，能改善產(chǎn)率。
根據(jù)本發(fā)明實施例的第二自發(fā)光顯示裝置或者第二電子設(shè)備，在像素電 路內(nèi)顏色像素電路的尺寸根據(jù)每個都定義為驅(qū)動晶體管中的有源層和柵極 電極彼此重疊的區(qū)域的重疊區(qū)域之間的面積比而非均等地設(shè)定。因此，對應(yīng) 于每個顏色的像素電路的像素圖案密度變?yōu)楸舜司?，并且能減少整個像素 電路的圖案缺陷率。從而，能改善產(chǎn)率。
根據(jù)本發(fā)明實施例的第三自發(fā)光顯示裝置或者第三電子設(shè)備，在像素電 路內(nèi)顏色像素電路的尺寸根據(jù)顏色像素電路中的電容元件之間的面積比而 非均等地設(shè)定。因此，對應(yīng)于每個顏色的像素電路的像素圖案密度變?yōu)楸舜?均等，并且能減少整個像素電路的圖案缺陷率。從而，能改善產(chǎn)率。
通過下面的描述，本發(fā)明的其它和進(jìn)一步的目標(biāo)、特征和優(yōu)點將更加明 顯易懂。


圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明第一實施例的自發(fā)光顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的框
圖2是圖解圖1所示的每個像素中的像素電路的結(jié)構(gòu)示例的電路圖； 圖3是圖解圖2所示的像素電路結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖4是圖解根據(jù)第一實施例的各顏色像素的像素電路層的結(jié)構(gòu)示例的平 面圖5是圖解根據(jù)第一實施例的各顏色像素的自發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)示例的平 面圖6是圖解圖4和圖5所示的像素電路層和自發(fā)光元件的截面結(jié)構(gòu)示例 的截面圖7是圖解圖2所示的像素電路中的顯示驅(qū)動運行示例的時間波形流程
圖8是圖解根據(jù)比較示例的各顏色像素的像素電路層的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的平面
圖9是圖解根據(jù)比較示例的各顏色像素的自發(fā)光元件的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的平面
圖io是圖解根據(jù)第二實施例的各顏色像素的自發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)示例的 平面圖11是用于解釋可以在第一實施例的像素電路層和自發(fā)光元件中產(chǎn)生
的寄生電容成分的平面圖12A和12B是用于解釋圖11所示的寄生電容成分的示意性截面圖13是用于解釋圖11所示的寄生電容成分的電路圖14是用于解釋由圖ll所示的寄生電容成分引起的串?dāng)_現(xiàn)象的時間波
形流程圖15是圖解根據(jù)第三實施例的各顏色像素的自發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)示例的 平面圖16是圖解根據(jù)第四實施例的各顏色像素的像素電路層的結(jié)構(gòu)示例的 平面圖17是圖解根據(jù)第四實施例的各顏色像素的^像素電路層的另一個結(jié)構(gòu) 示例的平面圖；圖18是圖解本發(fā)明的自發(fā)光顯示裝置的第 一應(yīng)用示例的外觀的透視圖； 圖19A是圖解第二應(yīng)用示例從前側(cè)看的外觀的透視圖，而圖19B是圖 解第二應(yīng)用示例從后側(cè)看的外觀的透視圖20是圖解第三應(yīng)用示例的外觀的透視圖； 圖21是圖解第四應(yīng)用示例的外觀的透視圖22A是第五應(yīng)用示例打開狀態(tài)的主視圖，圖22B是其側(cè)視圖，圖22C 是第五應(yīng)用示例閉合狀態(tài)的主視圖，圖22D是其左i見圖，圖22E是其右視 圖，圖22F是其俯視圖，而圖22G是其仰視圖23是圖解根據(jù)本發(fā)明修改示例的像素電路結(jié)構(gòu)的電路圖24是圖解圖23所示的電路圖結(jié)構(gòu)的平面圖；和
圖25是圖解對應(yīng)于圖23所示的像素電路的自發(fā)光元件結(jié)構(gòu)的平面圖。
具體實施例方式
下面，將參考附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的實施例。 第一實施例
圖1圖解了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的自發(fā)光顯示裝置(有機EL顯示裝 置1)的總體結(jié)構(gòu)。有機EL顯示裝置1包括具有以矩陣狀態(tài)二維布置的像 素20的像素陣列部分2，以及布置在像素陣列部分2的周邊上的電源掃描電 路31、寫入掃描電路32和水平驅(qū)動電路33。在像素陣列部分2的mxn的 像素布置中，電源供應(yīng)線VL-1至VL-m和掃描線WL-1至WL-m連接到每 個像素行的像素，信號線DL-1至DL-n連接到每個像素列的像素。
像素陣列部分2形成在例如由玻璃板等制作的透明絕緣基板(未示出) 上，并且具有平板型的面板結(jié)構(gòu)。在像素陣列部分2中的每個像素20中， 如稍后所述，形成采用非晶硅TFT (薄膜晶體管)或者低溫多晶硅TFT的 像素電路。在像素電路中，如稍后所述，包括作為自發(fā)光元件的有機EL元 件和由金屬層、半導(dǎo)體層和絕緣層等組成的像素電路層。在像素電路中采用 低溫多晶硅TFT的情況下，電源掃描電路31、寫入掃描電路32和水平驅(qū)動 電路33也可以安裝在形成有像素陣列部分2的面板(基板)上。
寫入掃描電路32是通過給掃描線WL-1至WL-m逐行(line-sequentially ) 提供掃描信號而逐行掃描行單元中的像素20的電路。
電源掃描電路31是與寫入掃描電路32的逐行掃描同步地給電源供應(yīng)線VL-1至VL-m提供電源電壓的電路。
水平驅(qū)動電路33是給信號線DL-1至DL-n提供適當(dāng)?shù)幕诟鶕?jù)亮度信 息的圖片信號的顯示驅(qū)動電壓(具體地講，信號電位(后面將要描述的信號 電位Vsig))和參考電位(后面將要描述的參考電位Vo)的電路。
圖2是圖解形成在每個像素20中的像素電路的結(jié)構(gòu)示例的電路圖。像 素電路包括寫入晶體管21、驅(qū)動晶體管22、累積電容元件23和有機EL元 件24。電源供應(yīng)線VL、掃描線WL和信號線DL連接到像素電路。寫入晶 體管21和驅(qū)動晶體管22分別由N溝道型TFT構(gòu)造。寫入晶體管21和驅(qū)動 晶體管22的導(dǎo)電類型的組合不限于此，而是可以采用其它的組合。
在寫入晶體管21中，柵極連接到掃描線WL,源極連接到信號線DL, 并且漏極連接到驅(qū)動晶體管22的柵極和累積電容元件23的一端。寫入晶體 管21根據(jù)從寫入掃描電路32經(jīng)由掃描線WL施加給^I極的掃描信號而變成 導(dǎo)通狀態(tài)，并且由此對從水平驅(qū)動電路33經(jīng)由信號線DL提供的圖片信號 的信號電位Vsig進(jìn)行才采樣，并且將信號電位寫入像素20。寫入的信號電 位Vsig (顯示驅(qū)動電流)保持在累積電容元件23中。
在驅(qū)動晶體管22中，源極連接到累積電容元件23的另一端和有機EL 元件24的陽極(陽極電極)，并且漏極連接到電源供應(yīng)線VL。在電源供應(yīng) 線VL的電位處于"H(高電位)"的情況下，驅(qū)動晶體管22經(jīng)由電源供應(yīng) 線VL提供有電流。因此，驅(qū)動晶體管22根據(jù)保持在累積電容元件23中的 信號電位Vsig給有機EL元件24提供顯示驅(qū)動電流，并且電流驅(qū)動有機EL 元件24。
如上所述，累積電容元件23累積顯示驅(qū)動電流。
在有機EL元件24中，陰極(陰極電極)連接到公共連接到所有像素 20的公共電源供應(yīng)線25。
下面，將參考圖3至圖6詳細(xì)描述圖2所示像素電路的平面結(jié)構(gòu)示例和 截面結(jié)構(gòu)示例。
圖3圖解了一個像素20中的像素電路(像素電路層)的平面結(jié)構(gòu)示例。 該像素電路具有層疊結(jié)構(gòu)，其中第一金屬層M1、多晶硅層P1和第二金屬層 M2分別以絕緣層(未示出)(例如，由氧化硅(Si02 )等組成)在其間而從 基板側(cè)(未示出)依次層疊。第一金屬層Ml和第二金屬層M2例如分別由 鋁(Al)或銅(Cu)等組成。第一金屬層M1和第二金屬層M2與其間的連接接觸部分CT 12電連接。第二金屬層M2和多晶石圭層Pl與其間的接接觸 部分CT2P電連接。
具體地講，信號線DL由第一金屬層Ml和第二金屬層M2構(gòu)造。電源 供應(yīng)線VL和掃描線WL分別由第二金屬層M2構(gòu)造。
寫入晶體管21和驅(qū)動晶體管22分別由第 一金屬層M1 、第二金屬層M2 、 多晶硅層Pl和絕緣層(未示出)構(gòu)造。累積電容元件23由第一金屬層Ml、 多晶硅層Pl和絕緣層(未示出)構(gòu)造。
有機EL元件24經(jīng)由構(gòu)造為節(jié)點Na的連接接觸部分CT 23連接到圖3 所示的像素電路層。
圖4圖解了各顏色像素20 Rl、 20G1和20B1的像素電路(像素電路層) 的平面結(jié)構(gòu)示例。在該圖中，紅像素20R1、綠像素20G1和藍(lán)像素20B1沿 著電源供應(yīng)線VL和掃描線WL依次設(shè)置。就是說，像素20由R(紅)、G (綠)和B (藍(lán))的像素20R1 、 20G1和20B1構(gòu)造。分別為R、 G和B的 每個像素20R1、 20G1和20B1連接基于圖片信號提供顯示驅(qū)動電壓的信號 線(信號線DLr、 DLg和DLb)。
在紅像素20R1中，如圖4所示，形成寫入晶體管21Rl、驅(qū)動晶體管 22R1和累積電容元件23R1等。電源供應(yīng)線VL、掃描線WL和信號線DLr 連接到紅像素20R1。同樣，在綠像素20G1中，形成寫入晶體管21G1、驅(qū) 動晶體管22G1和累積電容元件23G1等。電源供應(yīng)線VL、掃描線WL和信 號線DLg連接到綠像素20Gl。此外，在藍(lán)像素20B1中，形成寫入晶體管 21Bl、驅(qū)動晶體管22B1和累積電容元件23B1等。電源供應(yīng)線VL、掃描線 WL和信號線DLb連接到藍(lán)像素20Bl。
在該實施例的像素電路層中，對應(yīng)于R、 G和B的像素20R1、 20Gl和 20B1的顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B根據(jù)每個有機EL元件24獲 得相同發(fā)光亮度所需的顯示驅(qū)動電流的大小比率而分別非均等地設(shè)定在像 素電路內(nèi)。具體地講，顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B根據(jù)像素電路 中驅(qū)動晶體管22R1、 22G1和22B1中的有源層(多晶硅層Pl )和柵極電極 (第二金屬層M2)的相對區(qū)域(重疊區(qū)域)在顏色《象素電路間的面積比而 在像素電路內(nèi)分別非均等地設(shè)定。此外，在像素電路內(nèi)，顏色像素電路的尺 寸26R、 26G和26B^4居累積電容元件23R1、 23G1和23B1在顏色像素電 路間的面積比而非均等地設(shè)定。然而，紅像素20R、綠像素20G和藍(lán)像素20B的總像素尺寸(總像素尺寸26RGB:例如約為100 jam)設(shè)定為與常規(guī) 的總像素尺寸相同。
顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B由下面的^^式1表示 (與G的像素20G1對應(yīng)的像素尺寸26G) < (與R的像素20R1對應(yīng) 的像素尺寸26R) < (與B的像素20B1對應(yīng)的像素尺寸26B ) ... 1
在該實施例的像素層中，如圖5所示的平面結(jié)構(gòu)示例，在像素內(nèi)R、 G 和B的像素20R1、20G1和20B1的各尺寸27R1、27G1和27B1均等地設(shè)定， 在像素內(nèi)R、 G和B的像素20R1、 20G1和20B1的形成位置均等地設(shè)定。 具體地講，在像素內(nèi)陽極電極281R1、 281G1和281B1以及發(fā)光層29Rl、 29G1和29B1的布置間距分別均等地設(shè)定，并且在^f象素內(nèi)陽極電極281R1、 281G1和281B1以及發(fā)光層29R1、 29G1和29B1的形成位置分別均等地設(shè) 定。更具體地講，在像素內(nèi)陽極電極281R1、 281G1和281B1的布置間距分 別均等地設(shè)定，在像素內(nèi)陽極電極281R1、 281G1和281B1的形成位置以及 進(jìn)一步地發(fā)光層29R1、 29G1和29B1的布置間3巨分別均等地設(shè)定，并且在 像素內(nèi)發(fā)光層29R1、 29G1和29B1的形成位置分別均等地設(shè)定。陽極電極 281R1、 281G1和281B1例如由ITO (氧化銦錫合成物)層疊在銀(Ag)或 Ag合金上的電極構(gòu)造。
如圖6 (沿著圖5中的II-II線剖取的截面結(jié)構(gòu)示例)的截面構(gòu)造示例所 示，有機EL元件24具有層疊結(jié)構(gòu)并且形成在像素電路層41上，其中層疊 結(jié)構(gòu)包括陽極電極281R1等、發(fā)光層29R1等、每個^象素共用的陰極電極282、 電連接到陰極電極282的輔助電極部分280-1、和絕^彖層42。陰極電極282 由諸如鋁(Al)、鎂(Mg)、 4丐(Ca)和鈉(Na)的金屬元素的單一物質(zhì)或 者合金構(gòu)造。
接下來，將詳細(xì)描述該實施例的有機EL顯示裝置1的運行和效果。 首先，將參考圖7及圖2描述有機EL顯示裝置1的基本運行(顯示驅(qū) 動每個像素20的像素電路的運行)。圖7是圖解圖2所示像素電路中的顯示 驅(qū)動運行示例的時間波形流程圖。在圖7中，(A)圖解掃描線電位V(WL)、 (B)圖解電源供應(yīng)線電位V(VL)、 (C)圖解信號線電位V(DL)、 (D)圖 解驅(qū)動晶體管22的4冊;fel電位Vg和(E)圖解驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs。 發(fā)光時間段段TO
首先，在時間tl前的發(fā)光時間段段TO中，有才幾EL元件24處于發(fā)光狀態(tài)(發(fā)光時間段段)。在發(fā)光時間段TO,電源供應(yīng)線VL的電位V (VL)處 于高電位("H，，狀態(tài))，顯示驅(qū)動電流(漏極到源極的電流)從電源供應(yīng)線 VL經(jīng)由驅(qū)動晶體管22提供給有機EL元件24。因此，有機EL元件24以與 顯示驅(qū)動電流對應(yīng)的亮度發(fā)光。 閾值矯正預(yù)備時間段T1
接下來，在時間tl，狀態(tài)變?yōu)橹鹦袙呙璧男聟^(qū)^:。此時，電源供應(yīng)線 VL的電位V (VL)從高電位移動到充分4氐于信號線DL ("L (低)"狀態(tài)) 的參考電位Vo的電位，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs變?yōu)閹缀醯扔谠摰碗?4立的電4立。
接下來，在時間t2，掃描信號從寫入掃描電路32輸出，掃描線DL的 電位移動到高電位側(cè)。因此，寫入晶體管21變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此時，因為從 水平驅(qū)動電路33給信號線DL提供參考電位Vo，所以驅(qū)動晶體管22的柵極 電位Vg變?yōu)閰⒖茧娢籚o。此時，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs是充分低于 參考電位Vo的電位。
低電位設(shè)定為使得驅(qū)動晶體管22的柵極到源極的電壓Vgs大于驅(qū)動晶 體管22的閾值電壓Vth。如上所述，執(zhí)行各初始化使得驅(qū)動晶體管22的柵 極電位Vg變?yōu)閰⒖茧娢籚o,源極電位Vs變?yōu)榈碗娢?，由此完成了閾值?壓矯正運行的準(zhǔn)備。
閾值矯正時間段T2
接下來，在時間t3，電源供應(yīng)線VL的電位V (VL)從低電位移動到高 電位。驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs開始增加。在適當(dāng)?shù)臅r間，驅(qū)動晶體管 22的柵極到源極的電壓Vgs變?yōu)轵?qū)動晶體管22的閾^直電壓Vth。對應(yīng)于閾 值電壓Vth的電壓被寫入累積電容元件23。
為了方^f更起見，與閾值電壓Vth對應(yīng)的電壓寫入累積電容元件23的時 間段稱為閾值矯正時間段T2。在閾值矯正時間段T2中，為了使得電流僅流 到累積電容元件23側(cè)，并且防止電流流到有機EL元件24側(cè)，公共電源供
采樣時間段/遷移率矯正時間段T3
接下來，在時間t4，停止來自寫入掃描電路32的掃描信號的輸出，并 且掃描線WL的電位V (WL)移動到低電位側(cè)。因此，寫入晶體管21變?yōu)?非導(dǎo)通狀態(tài)。此時，驅(qū)動晶體管22的柵才及變?yōu)楦≈脿顟B(tài)。然而，因為柵極到源極的電壓Vgs與驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth是相等的，所以驅(qū)動晶 體管22處于截止?fàn)顟B(tài)。因此，漏極到源極的電流不流動。
接下來，在時間t5，信號線DL的電位V (DL)從參考電位Vo移動到 圖片信號的信號電位Vsig。在時間t6,掃描信號再一次從寫入掃描電路32 輸出，并且掃描線WL的電位V (WL)移動到高電位側(cè)。因此，寫入晶體 管21變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，并且對圖片信號的信號電位Vsig進(jìn)行采樣。
由于通過寫入晶體管21對信號電位Vsig進(jìn)行采樣，驅(qū)動晶體管22的 柵極電位Vg變?yōu)樾盘栯娢籚sig。此時，有機EL元件24首先處于截止?fàn)顟B(tài) (高阻抗?fàn)顟B(tài))。因此，驅(qū)動晶體管22的漏極到源;〖及的電流流入到與有機 .EL元件24并聯(lián)連接的寄生電容元件(未示出)，并且開始充電寄生電容元 件。
由于充電寄生電容元件，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs開始增加。在適 當(dāng)?shù)臅r間，驅(qū)動晶體管22的柵極到源極的電壓Vgs變?yōu)?Vsig+Vth-AV )。 就是說，源極電位Vs的增加部分AV可以從累積電容元件23中保持的電壓 (Vsig+Vth)推出，即源極電位Vs的增加部分AV ^f吏得累積電容元件23釋 放電荷，導(dǎo)致負(fù)反饋的狀態(tài)。因此，源極電位Vs的增加部分AV變?yōu)樨?fù)反饋 的反饋量。
如上所述，流過驅(qū)動晶體管22的漏極到源極的電流負(fù)反饋給驅(qū)動晶體 管22的柵極輸入，也就是負(fù)反饋給柵極到源極的電壓Vgs,由此完成了遷 移率矯正，其中消除了對驅(qū)動晶體管22的漏極到源^l的電流的遷移率p的 依賴性，也就是完成了矯正每個像素的遷移率p變化的遷移率矯正。
更具體地講，隨著圖片信號的信號電位Vsig的增加，漏極到源極的電 流增加，并且負(fù)反饋(矯正量)AV的反饋量的絕對值也增加。因此，能夠 實現(xiàn)根據(jù)發(fā)光亮度水平的遷移率矯正。此外，在圖片信號的信號電位Vsig 不變的情況下，隨著驅(qū)動晶體管22的遷移率p的增加，負(fù)反饋AV的反饋量 的絕對值也增加，并且因此消除了每個像素的遷移率p的變化。
發(fā)光時間段T4 (TO)
接下來，在時間t7,停止來自寫入掃描電路32的掃描信號的輸出，并 且掃描線WL的電位V (WL)移動到低電位側(cè)。因此，寫入晶體管21變?yōu)?非導(dǎo)通狀態(tài)。因此，驅(qū)動晶體管22的柵極與信號線DL分離。同時，漏極 到源極的電流開始流入有機EL元件24，由此有機EL元件24的陽極電位根據(jù)漏極到源極的電流而增加。
有機EL元件24的陽極電位的這種增加正好增加了驅(qū)動晶體管22的源 極電位Vs。因此，在驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs增加的情況下，由于累 積電容元件23的自舉運行(boot strap operation),驅(qū)動晶體管22的柵極電 位Vg相應(yīng)地增加。此時，柵極電位Vg的增加量與源4及電位Vs的增加量相 等。因此，在發(fā)光時間段T4中，驅(qū)動晶體管22的柵極到源極的電壓Vgs 恒定地保持為(Vin+Vth-AV)。
在像素陣列部分2中逐行完成上述的顯示驅(qū)動每個像素20中的像素電 路，由此在圖1所示的整個有機EL顯示裝置1上完成基于圖片信號的圖像 顯示。
接下來，將參考圖8和圖9以及圖4和圖5并與比較示例進(jìn)行對比來詳 細(xì)描述本發(fā)明特征部分的運行和效果。圖8和圖9圖解了根據(jù)比較示例的現(xiàn) 有有機EL顯示裝置中各顏色像素100R、100G和100B的像素電路層和有機 EL元件的平面結(jié)構(gòu)示例。在紅像素100R中，形成寫入晶體管101R、驅(qū)動 晶體管102R和累積電容元件103R等。電源供應(yīng)線VL、掃描線WL和信號 線DLr連接到紅像素100R。同樣，在綠像素100G中，形成寫入晶體管101G、 驅(qū)動晶體管102G和累積電容元件103G等。電源供應(yīng)線VL、掃描線WL和 信號線DLg連接到綠像素100G。此外，在藍(lán)像素100B中，形成寫入晶體 管101B、驅(qū)動晶體管102B和累積電容元件103B等。電源供應(yīng)線VL、掃 描線WL和信號線DLb連接到藍(lán)像素100B。
如圖8所示，在根據(jù)比較示例的有機EL顯示裝置中，分別對應(yīng)于R、 G和B的像素100R、 100G和100B的顏色像素電路的尺寸106R、 106G和 106B在像素電路內(nèi)分別均等地設(shè)定。此外，驅(qū)動晶體管102R、 102G和102B 的尺寸以及累積電容元件103R、 103G和103B的尺寸根據(jù)各有機EL元件 24獲得相同發(fā)光亮度所需的顯示驅(qū)動電流的大小而彼此不同。
因此，在具體顏色(在此情況下，具體地講，藍(lán)色像素100B)的像素 電路中，增加了像素圖案密度，并且因此增加了由灰塵等引起的圖案缺陷率。 因此，由于圖案缺陷率的增加，產(chǎn)率降低。
R、 G和B的像素IOOR、 100G和100B的像素構(gòu)造例如具有圖9所示 的平面結(jié)構(gòu)。就是說，以與該實施例的圖5相同的方式，在像素內(nèi)R、 G和 B的像素IOOR、 100G和100B的各尺寸27R1、 27G1和27B1分別均等地設(shè)定，并且在像素內(nèi)R、 G和B的像素100R、 100G和100B的形成位置分別 均等地設(shè)定。
同時，在該實施例的有機EL顯示裝置1中，如圖4所示，分別對應(yīng)于 R、 G和B的像素20R1、 20G1和20B1的顏色像素電路的尺寸26R、 26G和 26B根據(jù)每個有機EL元件24獲得相同發(fā)光亮度所需的顯示驅(qū)動電流的大小 比率而在像素電路內(nèi)分別非均等地設(shè)定。具體地講，顏色像素電路的尺寸 26R、 26G和26B根據(jù)像素電路中的驅(qū)動晶體管22R1、 22G1和22B1的有 源層(多晶硅層Pl )和柵極電極(第二金屬層M2 )的相對區(qū)域(重疊區(qū)域) 在顏色像素電路間的面積比而在像素電路內(nèi)分別非均等地設(shè)定。此外，顏色 像素電路的尺寸26R、 26G和26B根據(jù)累積電容元件23R1、 23G1和23B1 在顏色像素電路之間的面積比而在像素電路內(nèi)分別非均等地設(shè)定。
因此，即使像素電路中的元件尺寸(具體地講，驅(qū)動晶體管22R1、 22G1 和22B1的尺寸和累積電容元件23R1、 23G1和23B1的尺寸)根據(jù)顯示驅(qū)動 電流的大小、前述相對區(qū)域的面積和累積電容元件23Rl、 23G1和23B1的 面積等而彼此不同，分別對應(yīng)于R、 G和B的像素20R1、 20G1和20B1的 顏色像素電路的圖案密度也變?yōu)楸舜司?。因此，避免了因像素電路中的?素圖案密度的增加而導(dǎo)致的圖案缺陷率增加，并且減少了整個像素電路的圖 案缺陷率。
如上所述，在該實施例中，分別對應(yīng)于R、 G和B的像素20R1、 20G1 和20B1的顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B根據(jù)每個有機EL元件24 獲得相同發(fā)光亮度所需的顯示驅(qū)動電流的大小的比率而在像素電路內(nèi)分別 非均等地設(shè)定。因此，分別對應(yīng)于R、 G和B的像素20R1、 20G1和20B1 的顏色像素電路的圖案密度變?yōu)楸舜司?，并且減少了整個像素電路的圖案 缺陷率。因此，能夠改善產(chǎn)率。
具體地講，顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B根據(jù)像素電路中的驅(qū) 動晶體管22R1、 22G1和22B1的有源層(多晶硅層Pl )和柵極電極(第二 金屬層M2)相對區(qū)域(重疊區(qū)域)在顏色像素電路間的面積比而在像素電 路內(nèi)分別非均等地設(shè)定。因此，能夠獲得前述效果。
此外，顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B根據(jù)累積電容元件23R1、 23G1和23B1在顏色像素電路間的面積比而在像素電路內(nèi)分別非均等地設(shè) 定。因此，能夠獲得前述的效果。
1此外，在像素內(nèi)R、 G和B的像素20R1 、 20G1和20B1的各尺寸27R1 、 27G1和27B1分別均等地設(shè)定，并且在像素內(nèi)R、 G和B的像素20R1、 20G1 和20B1的形成位置均等地設(shè)定。因此，可以直接采用陽極電極281R1、281G1 和281B1和發(fā)光層29R1、 29G1和29B1的現(xiàn)有圖案而不需要任何修改。就 是說，盡管保持了現(xiàn)有圖案的面板等的亮度特性，但是能夠減少整個像素電 路的圖案缺陷率。
下面，將描述本發(fā)明的幾個其它實施例。對于與前述第一實施例中相同 的元件，采用與其相同的附圖標(biāo)記，并且適當(dāng)省略描述。 第二實施例
圖10圖解了在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的自發(fā)光顯示裝置(有機EL顯示 裝置)中各顏色像素20R2、 20G2和20B2的像素電路層和有機EL元件的平 面結(jié)構(gòu)示例。
在該實施例的像素電路層中，以與第一實施例相同的方式，根據(jù)每個有 機EL元件24獲得相同發(fā)光亮度所需的顯示驅(qū)動電流的大小在顏色像素電路 間的比率、像素電路中的驅(qū)動晶體管22R1、 22G1和22B1的多晶硅層Pl 和第二金屬層M2間的相對區(qū)域在顏色像素電路之間的面積比或者累積電容 元件23R1、 23G1和23B1在顏色像素電路之間的面積比，分別對應(yīng)于R、 G 和B的像素20R2、 20G2和20B2的顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B 在像素電路內(nèi)分別非均等地設(shè)定。
此外，在該實施例的有機EL元件中，與第一實施例不同，在像素內(nèi)R、 G和B的像素20R2、 20G2和20B2的各尺寸27R2、 27G2和27B2根據(jù)顏色 像素電路的尺寸26R、 26G和26B的比而非均等地設(shè)定。具體地講，在顏色 像素電路之間，陽極電極281R2、 281G2和281B2的布置間距27R2、 27G2 和27B2根據(jù)顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B而分別非均等地設(shè)定， 并且在顏色像素電路之間，發(fā)光層29R2、 29G2和29B2的布置間距27R2、 27G2和27B2根據(jù)顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B而分別非均等地設(shè) 定。
顏色像素電路的尺寸26R、26G和26B以及顏色像素的尺寸27R2、27G2 和27B2由下面的公式2和公式3表示
G顏色像素的尺寸27G2 < R顏色像素的尺寸27R2 < B顏色像素的尺寸 27B2 ... 2G顏色像素電路的尺寸26G < R顏色像素電路的尺寸26R < B顏色像素 電路的尺寸26B …3
接下來，與前述第一實施例的有機EL顯示裝置1進(jìn)行比較，參考圖11 至圖14以及圖IO描述該實施例的有機EL顯示裝置的運行和效果。
在前述第一實施例的像素電路層和有機EL元件24中，例如，如圖11 所示，在像素內(nèi)R、 G和B的顏色像素20R1、 20G1和20B1的尺寸27Rl、 27G1和27B1均等地設(shè)定，并且在像素內(nèi)R、 G和B的顏色像素20R1、 20G1 和20B1的形成位置均等地設(shè)定。因此，例如，如圖所示，在某些情況下， 一個顏色像素的陽極電極(在此情況下，綠像素20G1的陽極電極281R1 ) 和連接到與其相鄰的顏色像素的信號線(在此情況下，連接到藍(lán)像素20B1 的信號線DLb)沿著層疊方向彼此相對(重疊)。在此情況下，在其間產(chǎn)生 了寄生電容成分Cp。
就是說，在現(xiàn)有像素IOOR、 100G和100B中，例如，如圖12A的示意 性截面圖所示，顏色像素電路的尺寸(間距)106R、 106G和106B對應(yīng)于 顏色像素的尺寸(間距)27Rl、 27G1和27B1。因此，僅存在固有的電容成 分CrlOl、 CglOl和CMOl。同時，在前述第一實施例的像素20R1、 20G1 和20B1中，例如，如圖12B的示意性截面圖所示，顏色像素電路的尺寸(間 距)26R、 26G和26B不對應(yīng)于顏色像素的尺寸(間距)27Rl 、 27G1和27B1。 因此，寄生電容成分Cp產(chǎn)生在與相鄰像素重疊的區(qū)域中。例如，圖13示出 了圖解這樣的寄生電容成分Cp的電路圖。
在產(chǎn)生這樣寄生電容成分Cp的情況下，例如，如圖14的時間波形流程 圖(時間tll至tl8)所示，在對應(yīng)于發(fā)光像素(在此情況下，綠像素20G1) 的信號線(在此情況下，信號線DLg)中，受寄生電容成分Cp引起的耦合 的影響，會產(chǎn)生圖像質(zhì)量異常(串?dāng)_現(xiàn)象)。具體地講，根據(jù)對應(yīng)于藍(lán)像素 20B1的信號線DLb的電位V (DLb)的振幅，在綠驅(qū)動晶體管22的源極中 產(chǎn)生經(jīng)由寄生電容成分Cp而來自藍(lán)信號電位Vsig的耦合(diving:躍入)。
綠驅(qū)動晶體管22中的源極電位Vs和柵極電位Vg。在驅(qū)動晶體管22的柵極 電位Vg增加的狀態(tài)下寫入信號的情況下，例如，如在時間tl8和其后的發(fā) 光時間段T4中，與不串?dāng)_的情況相比柵極到源極的電壓Vgs減小，并且產(chǎn) 生圖像質(zhì)量異常(串?dāng)_現(xiàn)象)。因此，在該實施例中，如圖IO所示，顏色像素20R2、 20G2和20B2的 尺寸27R2、 27G2和27B2根據(jù)顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B的比 而非均等地設(shè)定。具體地講，根據(jù)顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B的 比，陽極電極281R2、 281G2和281B2的布置間距27R2、 27G2和27B2分 別非均等地設(shè)定，并且發(fā)光層29R2、 29G2和29B2的布置間距27R2、 27G2 和27B2分別非均等設(shè)定。由此，將不產(chǎn)生一個像素的陽極電極和連接到與 其相鄰像素的信號線之間的重疊區(qū)域，因此避免了寄生電容成分Cp的產(chǎn)生。
如上所述，在該實施例中，因為顏色像素20R2、 20G2和20B2的尺寸 27R2、 27G2和27B2根據(jù)顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B的比而非 均等地設(shè)定，所以除了前述第一實施例中的效果外，還可以避免產(chǎn)生寄生電 容成分Cp，并且可以消除圖像質(zhì)量異常(串?dāng)_現(xiàn)象)。從而，可以減少整個 像素電路的圖案缺陷率而不影響圖像質(zhì)量。
第三實施例
圖15圖解了在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的自發(fā)光顯示裝置(有機EL顯示 裝置)中顏色像素20R3、 20G3和20B3以及分別與其對應(yīng)的顏色像素電路 的平面結(jié)構(gòu)示例。
在該實施例的像素電路層中，以與前述的第一實施例相同的方式，根據(jù) 每個有機EL元件24獲得相同發(fā)光亮度所需的顯示驅(qū)動電流的大小的比、像 素電路中的驅(qū)動晶體管22R1、 22G1和22B1的多晶硅層Pl和第二金屬層 M2間的相對區(qū)域在顏色像素電路之間的面積比或者累積電容元件23Rl、 23G1和23B1在顏色像素電路之間的面積比，分別對應(yīng)于R、 G和B的像素 20R3、 20G3和20B3的顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B在像素電路 內(nèi)分別非均等地設(shè)定。
此外，在該實施例中，以與前述第一實施例相同的方式，在像素內(nèi)顏色 像素20R3、 20G3和20B3的尺寸均等地設(shè)定。
然而，在該實施例的有機EL元件中，與前述第一實施例和前述第二實 施例不同，在像素內(nèi)顏色像素20R3、 20G3和20B3的形成位置根據(jù)顏色像 素電路的尺寸26R、 26G和26B的比而非均等地設(shè)定。具體地講，陽極電極 281R1、 281G1和281B1和發(fā)光層29R1、 29G1和29B1的形成位置設(shè)定為， 使得一個像素的陽極電極和與連接到其相鄰像素的信號線沿著層疊方向彼 此不相對(不產(chǎn)生重疊區(qū)域)，并且電連接到陰極電極282的輔助配線部分280-3形成在陽極電極281R1、281G1和281B1與發(fā)光層29R1、29G1和29B1 的形成區(qū)域的間隙(niche)中。
因此，與前述的第一實施例不同，將不產(chǎn)生一個像素的陽極電極和連接 到與其相鄰像素的信號線之間的重疊區(qū)域。因此，避免了寄生電容成分Cp產(chǎn)生。
此外，與前述的第二實施例不同，因為在像素內(nèi)顏色像素20R3、 20G3 和20B3的尺寸(具體地講，發(fā)光層29R1 、 29G1和29B1等的尺寸)均等地 設(shè)定。因此，避免了對應(yīng)于每個顏色的視角特性差別和電流密度差別的壽命 時間差別。此外，避免了R、 G和B的白色平衡異常和垂直線尺寸的差別。
從而，在該實施例中，因為在像素內(nèi)顏色像素20R3、 20G3和20B3的 尺寸(具體地講，發(fā)光層29R1、 29G1和29B1等的尺寸)均等地設(shè)定，所 以除了前述第二實施例中的效果外，還可以減少整個像素電路的圖案缺陷率 而不影響圖像質(zhì)量，且不因每個顏色的視角特性差別和電流密度差別而改變 壽命特性。
第四實施例
圖16圖解了在根據(jù)本發(fā)明第四實施例的自發(fā)光顯示裝置(有機EL顯示 裝置)中顏色像素20R4、 20G4和20B4以及分別與其對應(yīng)的顏色像素電路 的平面結(jié)構(gòu)示例。圖17圖解了在根據(jù)該實施例的另一個自發(fā)光顯示裝置(有 機EL顯示裝置)中顏色像素20R5、 20G5和20B5以及分別與其對應(yīng)的顏色 像素電路的平面結(jié)構(gòu)示例。
在圖16所示的結(jié)構(gòu)示例中，在為R、 G和B的每個像素均等地布置顏 色像素電路的情況下(在假定像素尺寸106R、 106G和106B均等設(shè)定的情 況下)，各像素20R4、 20G4和20B4的驅(qū)動晶體管22R2、 22G2和22B2分 別布置在它們自己的顏色像素區(qū)域中。就是說，每個驅(qū)動晶體管22R2、 22G2 和22B2設(shè)置在定義為顏色像素電路區(qū)域的均等劃分的區(qū)域內(nèi)，其中該均等 劃分的區(qū)域在像素電路被均等地分成顏色像素電路時產(chǎn)生，該均等劃分的區(qū) 域?qū)?yīng)于每個驅(qū)動晶體管實際所屬的顏色像素電路。
此外，在圖17所示的結(jié)構(gòu)示例中，在為R、 G和B的每個像素均等地 布置顏色像素電路的情況下(在假設(shè)像素尺寸106R、 106G和106B均等設(shè) 定的情況下)，各像素20R5、 20G5和20B5的累積電容元件23R2、 23G2和 23B2分別布置在它們自己的顏色像素區(qū)域中。就是說，每個累積電容元件23R2、 23G2和23B2設(shè)置在定義為顏色像素電路區(qū)域的均等劃分的區(qū)域內(nèi)， 其中該均等劃分的區(qū)域在像素電路均等地分成顏色像素電路時產(chǎn)生，該均等 劃分的區(qū)域?qū)?yīng)于每個累積電容元件實際所屬的顏色像素電路。
由于前述結(jié)構(gòu)，與前述第一實施例不同，沒有產(chǎn)生一個像素的陽極電極 和連接到與其相鄰像素的信號線之間的重疊區(qū)域。從而，避免了寄生電容成 分Cp的產(chǎn)生。
如上所述，在該實施例中，驅(qū)動晶體管22R2、 22G2和22B2的每一個 或者累積電容元件23R2、 23G2和23B2的每一個都設(shè)置在定義為顏色像素 電路區(qū)域的均等劃分的區(qū)域內(nèi)，其中該均等劃分的區(qū)域在像素電路均等地分 成顏色像素電路時產(chǎn)生，該均等劃分的區(qū)域?qū)?yīng)于每個驅(qū)動晶體管或者每個 累積電容元件實際所屬的顏色像素電路。因此，除了前迷第一實施例的效果 外，還可以避免寄生電容成分Cp的產(chǎn)生，并且可以消除圖像質(zhì)量的異常(岸 擾現(xiàn)象)。結(jié)果，能夠減少整個像素電路的圖案缺陷率而不影響圖像質(zhì)量。
同樣，對應(yīng)于每個像素的每條信號線DLr、 DLg和DLb可以設(shè)置在定 義為顏色像素電路的均等劃分的區(qū)域內(nèi)，其中該均等劃分的區(qū)域在像素電路 均等地分成顏色像素電路時產(chǎn)生，該均等劃分的區(qū)域?qū)?yīng)于每條信號線實際 所屬的顏色像素電路。在此情況下，可以消除圖像質(zhì)量異常(串?dāng)_現(xiàn)象)， 并且可以減少整個電路的圖案缺陷率而不影響圖像質(zhì)量。
此外，更一般地講，對于選自驅(qū)動晶體管22R2、 22G2和22B2、累積 電容元件23R2、 23G2和23B2以及信號線DLr、 DLg和DLb的三個組中的 至少一組或多組，如果一組中的每個元件設(shè)置在定義為顏色像素電路區(qū)域的 均等劃分的區(qū)域內(nèi)，其中該均等劃分的區(qū)域在像素電路均等地分成顏色像素 電路時產(chǎn)生，該均等劃分區(qū)域?qū)?yīng)于每個元件實際所屬的顏色像素電路，則 就可以獲得該實施例的效果。
應(yīng)用示例
接下來，將參考圖18至圖22G描述在前述第一至第四實施例中描述的 自發(fā)光顯示裝置的應(yīng)用示例。前述第一至第四實施例中描述的自發(fā)光顯示裝 置(具體地講，有機EL顯示裝置)可以應(yīng)用于任何領(lǐng)域中的將從外面輸入 的圖片信號或者在內(nèi)部產(chǎn)生的圖片信號顯示為圖像或者圖片的電子設(shè)備，如 電視機、數(shù)碼相機、筆記本個人電腦、諸如移動電話的便攜式終端和攝像機。
第一應(yīng)用示例圖18是應(yīng)用前述實施例的自發(fā)光顯示裝置的電視機的外觀。該電視機
例如具有包括前面板511和濾光器玻璃512的圖片顯示屏部分510。圖片顯 示屏部分510由根據(jù)前述實施例等的自發(fā)光顯示裝置構(gòu)造。 第二應(yīng)用示例
圖19A和19B是應(yīng)用前述實施例的自發(fā)光顯示裝置的數(shù)碼相機的外觀。 該數(shù)碼相機例如具有用于閃光燈521的發(fā)光部分、顯示部分522、菜單開關(guān) 523和快門按4丑524。顯示部分522由才艮據(jù)前述實施例的自發(fā)光顯示裝置構(gòu)造。
第三應(yīng)用示例
圖20是應(yīng)用前述實施例的自發(fā)光顯示裝置的筆記^^個人電腦的外觀。 該筆記本個人電腦例如具有主體531、用于輸入字符等的操作的鍵盤532和 用于顯示圖像的顯示部分533。該顯示部分533由根據(jù)前述實施例的自發(fā)光 顯示裝置構(gòu)造。
第四應(yīng)用示例
圖21是應(yīng)用前述實施例的自發(fā)光顯示裝置的攝像機的外觀。該攝像機 例如具有主體541、提供在主體541的前側(cè)面的目標(biāo)攝取鏡頭542、攝像開 始/停止開關(guān)543和顯示部分544。該顯示部分544由根據(jù)前述實施例的自發(fā) 光顯示裝置構(gòu)造。
第五應(yīng)用示例
圖22A至22G是應(yīng)用前述實施例的自發(fā)光顯示裝置的移動電話的外觀。 在該移動電話中，例如，上殼體710和下殼體720通過連接部分(鉸鏈部分) 730連接。該移動電話具有顯示器740、副顯示器750、圖片燈760和照相機 770。顯示器740或者副顯示器750由才艮據(jù)前述實施例的自發(fā)光顯示裝置構(gòu) 造。
盡管本發(fā)明已經(jīng)參考第一至第四實施例以及應(yīng)用示例進(jìn)行了描述，但是 本發(fā)明不限于前述的實施例等，而是可以進(jìn)行各種修改。
例如，在前述實施例等中，盡管對顏色像素電路的尺寸26R、 26G和26B 或者顏色像素的尺寸27R2、 27G2和27B2由上述公式1至3表示的情況進(jìn) 行了描述，但是非均等布置的實施例不限于此。
此外，例如，如圖23至圖25所示的像素20-1中的像素電路，本發(fā)明 可以應(yīng)用于與有機EL元件24并聯(lián)地產(chǎn)生寄生電容成分240的情況(每個顏色的電容值不同)，并且每個顏色的電容值的差由累積電容元件23a和23b
等調(diào)整。
另外，在前述實施例等中，描述了由R、 G和B像素組成的結(jié)構(gòu)(在三 色像素的情況下)。然而，本發(fā)明不限于這樣的結(jié)構(gòu)。就是說，例如，本發(fā) 明能夠應(yīng)用于具有任意顏色數(shù)量的像素的結(jié)構(gòu)，例如，通過給其加入w(白 色)像素獲得的四色像素的情況、兩色像素的情況以及五色像素的情況。
此外，在前述實施例等中，描述了自發(fā)光元件是有機EL元件的情況。 然而，本發(fā)明也可應(yīng)用于采用其它的自發(fā)光元件(例如，無機EL元件或者 LED)的自發(fā)光顯示裝置等。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在所附權(quán)利要求或其等同特征的范圍內(nèi)， 可以根據(jù)設(shè)計要求和其他因素來進(jìn)行各種修改、組合、部分組合及替換。
本申請包含2008年6月18日提交至日本專利局的日本優(yōu)先權(quán)專利申請 JP 2008-159169所涉及的主題，將其全部內(nèi)容引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1、一種自發(fā)光顯示裝置，包括像素層，在該像素層中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自發(fā)光元件的多個顏色像素構(gòu)成；以及像素電路層，在該像素電路層中形成有多個像素電路，每個像素電路由分別驅(qū)動顏色像素的多個顏色像素電路構(gòu)成，其中在該像素電路內(nèi)，該顏色像素電路的尺寸根據(jù)使像素中的該顏色自發(fā)光元件以相同的發(fā)光亮度發(fā)光的驅(qū)動電流的大小比率而非均等地設(shè)定。
2、 才艮據(jù)權(quán)利要求1所迷的自發(fā)光顯示裝置，其中 在該像素內(nèi)該顏色像素的尺寸均等地設(shè)定，并且 在該像素內(nèi)該顏色像素的位置均等地設(shè)定。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的自發(fā)光顯示裝置，其中該顏色像素的每個中的該顏色自發(fā)光元件具有層疊結(jié)構(gòu)，該層疊結(jié)構(gòu)包 括陽極電極、發(fā)光層和陰極電極，在該像素內(nèi)該陽極電極的尺寸均等地設(shè)定， 在該像素內(nèi)該陽極電極的位置均等地設(shè)定， 在該像素內(nèi)該發(fā)光層的尺寸均等地設(shè)定，并且 在該像素內(nèi)該發(fā)光層的位置均等地設(shè)定。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其中在該像素內(nèi)，該顏色 像素的尺寸根據(jù)該像素電路內(nèi)的該顏色像素電路之間的尺寸比而非均等地設(shè)定。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的自發(fā)光顯示裝置，其中該顏色像素的每個中的該顏色自發(fā)光元件具有層疊結(jié)構(gòu)，該層疊結(jié)構(gòu)包 括陽極電極、發(fā)光層和陰極電極，并且根據(jù)該像素電路內(nèi)的該顏色像素電路之間的尺寸比，在該像素內(nèi)該陽極 電極的尺寸非均等地設(shè)定，并且在該像素內(nèi)該發(fā)光層的尺寸非均等地設(shè)定。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的自發(fā)光顯示裝置，其中該像素由R(紅)顏色像素、G (綠)顏色像素和B (藍(lán))顏色像素構(gòu)成，該l象素電路由R顏色像素電路、G顏色像素電路和B顏色像素電路構(gòu) 成，并且滿足公式"該G顏色像素的尺寸<該R顏色像素的尺寸<該B顏色像素 的尺寸"和公式"該G顏色像素電路的尺寸〈該R顏色像素電路的尺寸〈該 B顏色像素電路的尺寸"。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其中 在該像素內(nèi)該顏色像素的尺寸均等地設(shè)定，并且.在該像素內(nèi)，該顏色像素的位置根據(jù)該像素電路內(nèi)的該顏色像素電路之 間的尺寸比而非均等地設(shè)定。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的自發(fā)光顯示裝置，其中 該顏色像素的每個中的該顏色自發(fā)光元件具有層疊結(jié)構(gòu)，該層疊結(jié)構(gòu)包括陽極電極、發(fā)光層和陰極電極，在該像素內(nèi)該陽極電極的尺寸均等地設(shè)定， 在該像素內(nèi)該發(fā)光層的尺寸均等地設(shè)定，并且根據(jù)該像素電路內(nèi)的該顏色像素電路之間的該尺寸比，在該像素內(nèi)該陽 極電極的位置非均等地設(shè)定，并且在該像素內(nèi)該發(fā)光層的位置非均等地設(shè)定。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的自發(fā)光顯示裝置，其中該顏色像素的每個連接到用于根據(jù)圖片信號提供驅(qū)動電壓的信號線，并且該陽極電極和該發(fā)光層的位置設(shè)定為使得一個顏色像素的陽極電極和 連接到相鄰顏色像素的信號線彼此不重疊。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的自發(fā)光顯示裝置，其中電連接到該陰極電極
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其中 該顏色像素電路的每個包括驅(qū)動晶體管，并且該驅(qū)動晶體管設(shè)置在定義為顏色像素電路區(qū)域的均等劃分的區(qū)域內(nèi)，假 定該像素電路均等地分成顏色像素電路而產(chǎn)生該均等劃分的區(qū)域，該均等劃 分的區(qū)域?qū)?yīng)于該驅(qū)動晶體管本來所屬的顏色像素電路。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其中該顏色像素電路的每個包括電容元件，并且該電容元件設(shè)置在定義為顏色像素電路區(qū)域的均等劃分的區(qū)域內(nèi)，假定 該像素電路均等地分成顏色像素電路而產(chǎn)生該均等劃分的區(qū)域，該均等劃分 的區(qū)域?qū)?yīng)于該電容元件本來所屬的顏色像素電路。
13、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其中該顏色像素的每個連接到用于根據(jù)圖片信號提供驅(qū)動電壓的信號線，并且該信號線設(shè)置在定義為顏色像素電路區(qū)域的均等劃分的區(qū)域內(nèi)，假定該 像素電路均等地分成顏色像素電路而產(chǎn)生該均等劃分的區(qū)域，該均等劃分的 區(qū)域?qū)?yīng)于該信號線本來所屬的顏色像素電路。
14、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其中該像素由R顏色像素、 G顏色像素和B顏色像素構(gòu)成。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的自發(fā)光顯示裝置，其中滿足公式"該G顏 色像素的尺寸<該R顏色像素的尺寸〈該B顏色像素的尺寸"。
16、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其中該顏色自發(fā)光元件是 有機EL元件。
17、 一種自發(fā)光顯示裝置，包括像素層，在該像素層中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自 發(fā)光元件的多個顏色像素構(gòu)成；以及像素電路層，在該像素電路層中形成有多個像素電路，每個像素電路由 分別驅(qū)動顏色像素的多個顏色像素電路構(gòu)成，其中該顏色像素電路的每個包括具有有源層和柵極電極的驅(qū)動晶體管，并且在該像素電路內(nèi)，該顏色像素電路的尺寸根據(jù)每個都定義為該驅(qū)動晶體 管中的有源層和柵極電極彼此重疊的區(qū)域的重疊區(qū)域之間的面積比而非均 等地設(shè)定。
18、 一種自發(fā)光顯示裝置，包括像素層，在該像素層中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自 發(fā)光元件的多個顏色像素構(gòu)成；以及像素電路層，在該像素電路層中形成有多個像素電路，每個像素電路由分別驅(qū)動顏色像素的多個顏色像素電路構(gòu)成，其中該顏色像素電路的每個包括電容元件，并且在該像素電路內(nèi)，該顏色像素電路的尺寸根據(jù)該顏色像素電路中的電容 元件之間的面積比而非均等地設(shè)定。
19、 一種電子設(shè)備，包括具有顯示功能的自發(fā)光顯示裝置，該自發(fā)光顯 示裝置包括像素層，在該像素層中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自 發(fā)光元件的多個顏色像素構(gòu)成；以及像素電路層，在該像素電路層中形成有多個像素電路，每個像素電路由 分別驅(qū)動顏色像素的多個顏色像素電路構(gòu)成，其中在該像素電路內(nèi)該顏色像素電路的尺寸根據(jù)使像素中的該顏色自 發(fā)光元件以相同的發(fā)光亮度發(fā)光的驅(qū)動電流的大小比率而非均等地設(shè)定。
20、 一種電子設(shè)備，包括具有顯示功能的自發(fā)光顯示裝置，該自發(fā)光顯 示裝置包括像素層，在該像素層中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自 發(fā)光元件的多個顏色像素構(gòu)成；以及像素電路層，在該像素電路層中形成有多個像素電路，每個像素電路由 分別驅(qū)動顏色像素的多個顏色像素電路構(gòu)成，其中該顏色像素電路的每個包括具有有源層和柵極電極的驅(qū)動晶體管，并且在該像素電路內(nèi)，該顏色像素電路的尺寸根據(jù)每個都定義為該驅(qū)動晶體 管中的有源層和柵極電極彼此重疊的區(qū)域的重疊區(qū)域之間的面積比而非均 等地設(shè)定。
21、 一種電子設(shè)備，包括具有顯示功能的自發(fā)光顯示裝置，該自發(fā)光顯 示裝置包括像素層，在該像素層中形成有多個像素，每個像素由每個都具有顏色自 發(fā)光元件的多個顏色像素構(gòu)成；以及像素電路層，在該像素電路層中形成有多個像素電路，每個像素電路由 分別驅(qū)動顏色像素的多個顏色像素電路構(gòu)成，其中該顏色像素電路的每個包括電容元件，并且在該像素電路內(nèi)，該顏色像素電路的尺寸根據(jù)該顏色像素電路中的電容 元件之間的面積比而非均等地設(shè)定。
全文摘要
本發(fā)明提供了自發(fā)光顯示裝置和電子設(shè)備，并且可以改善該自發(fā)光顯示裝置的產(chǎn)率。在像素電路內(nèi)，對應(yīng)于R、G和B像素的各顏色像素電路的尺寸根據(jù)使像素中的顏色自發(fā)光元件以相同的發(fā)光亮度發(fā)光的驅(qū)動電流的大小比率而分別非均等地設(shè)定。因此，分別對應(yīng)于R、G和B像素的顏色像素電路的圖案密度變得彼此均等，并且減少整個像素電路的圖案缺陷。
文檔編號G06F1/16GK101609646SQ20091014619
公開日2009年12月23日 申請日期2009年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月18日
發(fā)明者富田昌嗣, 淺野慎 申請人:索尼株式會社