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偏轉(zhuǎn)軛磁芯及其制造方法

文檔序號:2967396閱讀:546來源:國知局
專利名稱:偏轉(zhuǎn)軛磁芯及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的偏轉(zhuǎn)軛磁芯。
背景技術(shù)
本發(fā)明所涉及類型的偏轉(zhuǎn)軛磁芯用于構(gòu)造偏轉(zhuǎn)軛。通過在一個偏轉(zhuǎn)軛磁芯上設(shè)置一個水平偏轉(zhuǎn)線圈和一個垂直偏轉(zhuǎn)線圈而構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)軛被安裝在陰極射線管(CRT)的管頸與錐體之間。從設(shè)在管頸處的電子槍中發(fā)出的電子束被沿著水平和垂直方向偏轉(zhuǎn)。在一種標(biāo)準(zhǔn)偏轉(zhuǎn)軛磁芯中,頸部開口的形狀和錐部開口端的形狀均為圓形。
現(xiàn)有技術(shù)中的另一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯公開于日本已審查的專利公開文獻(xiàn)No.1996-28194中,其采用了一種在頸部具有圓形開口端和在錐部具有橢圓形開口端的結(jié)構(gòu)。此外,日本未審查的專利公開文獻(xiàn)No.1995-37525中公開了一種技術(shù),其中通過將偏轉(zhuǎn)軛磁芯的內(nèi)表面成型為近乎橢圓形并將偏轉(zhuǎn)軛磁芯的外表面成型為近乎完全圓形,可以提高偏轉(zhuǎn)效率,而又不會損傷成型性能。日本已審查的專利公開文獻(xiàn)No.1996-7781中也公開了一種類似的偏轉(zhuǎn)軛磁芯。
然而,這些現(xiàn)有技術(shù)未考慮到磁芯截面積與芯內(nèi)磁通分布密度之間的關(guān)系,從而產(chǎn)生一個問題,即芯內(nèi)磁通密度不一致,而且在芯內(nèi)磁通密度較高的磁芯區(qū)域中會出現(xiàn)磁飽和,從而導(dǎo)致圖象平面失真。
這些類型的偏轉(zhuǎn)軛磁芯是通過將鐵氧體粉末或類似物模制成型為管狀以獲得特定的最終形狀而形成的。模制制品上可以預(yù)先成型出分割槽,從而可以沿著分割槽而被分割為兩個磁芯件,以便容易地裝入水平偏轉(zhuǎn)線圈和垂直偏轉(zhuǎn)線圈。
如日本未審查的專利公開文獻(xiàn)No.1995-37525、日本未審查的實(shí)用新型公開文獻(xiàn)No.1996-194和美國專利No.4,754,190中所公開,現(xiàn)有技術(shù)中的偏轉(zhuǎn)軛上的分割槽通常設(shè)在兩個在水平軸線上彼此面對著的位置上。
然而,這種結(jié)構(gòu)中的分割槽被設(shè)在水平偏轉(zhuǎn)磁場最密的區(qū)域中。垂直偏轉(zhuǎn)磁場具有大約60至100Hz的低頻率,而水平偏轉(zhuǎn)磁場具有大約20至120KHz的高頻率,因此水平偏轉(zhuǎn)磁場是導(dǎo)致磁芯損耗的主要因素。此外,由于存在設(shè)置于水平偏轉(zhuǎn)磁場最密區(qū)域中的分割槽,因此,會導(dǎo)致這些區(qū)域的截面積減小,其結(jié)果是,水平偏轉(zhuǎn)磁場所致磁通的密度變得極高,從而進(jìn)一步增加磁芯損耗。眾所周知的是,在這些情況下出現(xiàn)的磁芯損耗與磁通密度的2至2.5次方成正比增加。因此,會產(chǎn)生一個問題,即在設(shè)有分割槽的兩個沿水平軸線上彼此面對的位置上,磁芯溫度將升高。
另外,如果如日本已審查的專利公開文獻(xiàn)No.1996-28194和日本未審查的專利公開文獻(xiàn)No.1995-37525中所公開的那樣,面向著錐體的開口端具有沿長軸的長直徑和沿短軸的短直徑,則由于成型模具結(jié)構(gòu)的作用,磁芯密度在毗鄰短軸處會減小。這將導(dǎo)致毗鄰短軸的磁芯強(qiáng)度降低,并引起磁芯和類似物碎裂。
由于如前所述在磁芯中存在一個低磁芯密度區(qū)域,因此磁芯在燒制過程中會不均勻地收縮,從而導(dǎo)致顯著變形。
在實(shí)際模制制品上,預(yù)先在分割槽的兩側(cè)成型出了夾持槽。在利用這種偏轉(zhuǎn)軛磁芯制作偏轉(zhuǎn)軛時,偏轉(zhuǎn)軛磁芯首先沿著分割槽被分割為兩件,隨后,一個隔離器、一個水平偏轉(zhuǎn)線圈和一個垂直偏轉(zhuǎn)線圈被裝入,再將分開的磁芯件組裝起來。接下來,夾子被設(shè)置在位于分割槽兩側(cè)的夾持槽中,以將兩個磁芯件相連。這個過程將導(dǎo)致磁芯溫度的上升,而且磁芯或類似物的碎裂更加容易。
在現(xiàn)有技術(shù)中,錐部開口端的形狀是橢圓形或矩形,而頸部開口端的形狀為圓形。這樣的結(jié)構(gòu)不適合于支承一字排列式陰極射線管,這種射線管是通過沿直線設(shè)置與三原色相對應(yīng)的三個電子槍而獲得的。
日本已審查的專利公開文獻(xiàn)No.1996-28194中公開了一種采用狹槽結(jié)構(gòu)的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,它是這樣構(gòu)造的,即沿著磁芯內(nèi)表面連續(xù)延伸并以徑向模式設(shè)置多個從頸部延伸到錐部的凸出部分,并且在形成于凸出部分之間的槽上設(shè)置一個水平偏轉(zhuǎn)線圈和一個垂直偏轉(zhuǎn)線圈。然而,由于水平偏轉(zhuǎn)線圈和垂直偏轉(zhuǎn)線圈的位置是以與凸出部分的位置相符的方式確定的,因此磁場分布不可調(diào)。所以,需要采用除偏轉(zhuǎn)軛之外的措施實(shí)現(xiàn)輔助調(diào)節(jié),例如采用鎮(zhèn)流器操作失真校正、枕形圖像失真校正或會聚特性校正。
作為解決上述問題的措施,日本實(shí)用新型專利No.2580242中公開了一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其具有與預(yù)先設(shè)計(jì)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈和水平偏轉(zhuǎn)線圈布線模式相對應(yīng)并且以非徑向模式形成的線圈導(dǎo)槽和凸出部分。
然而,在模制成型過程之后,該實(shí)用新型專利中公開的偏轉(zhuǎn)軛磁芯不能夠沿著磁芯軸線(管軸線)脫模,這是因?yàn)?,為了使偏轉(zhuǎn)軛磁芯能夠沿著磁芯軸線脫模,凸出部分必須相對于磁芯軸線以徑向模式形成。
在利用這種類型的偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)造偏轉(zhuǎn)軛時,磁芯必須具有高級別的尺寸精度,而且磁芯和陰極射線管必須以高級別的精度組裝,以確保電子束如設(shè)計(jì)的那樣偏轉(zhuǎn),因?yàn)殡娮邮茄刂D(zhuǎn)軛磁芯的內(nèi)表面偏轉(zhuǎn)的。由于磁芯通過一個隔離器安裝在陰極射線管上,因此磁芯必須以極高的精度安裝在隔離器上,以確保磁芯和陰極射線管以高級別的精度組裝。
然而,由于偏轉(zhuǎn)軛磁芯是由鐵氧體粉末模制品燒制成型出的燒結(jié)制品,因此必然會因燒結(jié)收縮而出現(xiàn)變形。此時出現(xiàn)的熱收縮率甚至可以達(dá)到10%至20%,從而導(dǎo)致燒結(jié)磁芯的體積只有未燒結(jié)磁芯的體積的大約60%。因此,磁芯與陰極射線管的組裝精度變差,這會妨礙電子束如設(shè)計(jì)的那樣精確偏轉(zhuǎn)。因此,會出現(xiàn)問題,例如因失聚而導(dǎo)致的圖像質(zhì)量差。
上面討論的因燒結(jié)磁芯變形而引起的問題可以通過磁芯研磨而解決。然而,如果錐部開口端的形狀是非圓形的,則難以研磨磁芯的內(nèi)表面。出于這個原因,在現(xiàn)有技術(shù)中,如果偏轉(zhuǎn)軛磁芯的錐部開口端被成型為非圓形,則在錐部和頸部處的磁芯內(nèi)表面均不研磨。因此,因燒結(jié)變形而導(dǎo)致的問題未被解決。
此外,如果錐部開口端被成型為非圓形形狀,如前所述,則在將磁芯安裝到隔離器上時,磁芯的外表面上沒有明顯的標(biāo)記可以用作定位基準(zhǔn)。出于這種原因,難以將偏轉(zhuǎn)軛磁芯精確地安裝在隔離器上,因而難以將偏轉(zhuǎn)軛磁芯的軸線與陰極射線管的軸線對齊,從而對組裝精度能夠提高的程度構(gòu)成限制。
通過研磨偏轉(zhuǎn)軛磁芯的內(nèi)表面可以消除這種問題。為達(dá)到這個目的而可以采用的研磨方法包括日本未審查的專利公開文獻(xiàn)No.1989-319226中公開的方法,其中頸部被從內(nèi)側(cè)夾持住并且通過旋轉(zhuǎn)砂輪或類似物而研磨外表面。然而,這種現(xiàn)有公開文獻(xiàn)中一點(diǎn)也沒有提到內(nèi)表面的研磨。
此外,錐部開口端被成型為大致矩形的偏轉(zhuǎn)軛磁芯不能夠利用旋轉(zhuǎn)砂輪研磨。因此,在將這樣的偏轉(zhuǎn)軛磁芯與陰極射線管組裝到一起時,難以將偏轉(zhuǎn)軛磁芯的軸線與陰極射線管的軸線對齊,從而對組裝精度能夠提高的程度構(gòu)成限制。
由于錐部在開口端處的外形是非圓形、橢圓形、大致矩形或類似形狀的,因此連續(xù)延伸到錐部開口端的外表面具有曲面形狀。例如,日本未審查的專利公開文獻(xiàn)No.1996-7781中公開了一種磁芯,它的錐部在開口端處的外形通過多個不同半徑的圓弧組合而構(gòu)成為大致橢圓形。
這種磁芯的外表面上沒有任何明顯的標(biāo)記用于在將偏轉(zhuǎn)軛磁芯相對于陰極射線管定位時使用。出于這個原因,難以精確地將偏轉(zhuǎn)軛磁芯定位在隔離器上,因而難以將偏轉(zhuǎn)軛磁芯的軸線與陰極射線管的軸線對齊,從而對組裝精度能夠提高的程度構(gòu)成限制。
在研磨偏轉(zhuǎn)軛磁芯時,必須利用夾具或類似物夾持住偏轉(zhuǎn)軛磁芯,以便提高偏轉(zhuǎn)精度和偏轉(zhuǎn)軛磁芯相對于陰極射線管的定位精度。偏轉(zhuǎn)軛磁芯可以在頸部或錐部開口端處被夾持住。沿磁芯軸線在特定長度上具有幾乎恒定外徑的頸部可以用作機(jī)械式夾持部分。然而,當(dāng)錐部被用作機(jī)械式夾持部分時,會受到以下限制。
即,一個在錐部開口端的整個外周上幾乎平行于磁芯軸線延伸的曲面構(gòu)成了一個帶狀部分,而這個帶狀部分可以用作夾持部分。帶狀部分的寬度通常為5mm或以下。如果錐部在開口端處的外形是近乎圓形的,則即使采用了寬度為5mm或以下的帶狀部分,也可以確保足夠級別的機(jī)械式夾持力。
然而,對于錐部在開口端處的外形為矩形的磁芯,如果將寬度為5mm或以下的帶狀部分用作夾持部分的話,則不能夠承受在機(jī)械加工過程中施加在錐部上的外力,從而導(dǎo)致磁芯落下或者出現(xiàn)碎裂、裂縫或類似情況。最終,在這種類型的偏轉(zhuǎn)軛磁芯中,必須將沿磁芯軸線在特定長度上具有幾乎恒定外徑的頸部上的區(qū)域用作機(jī)械式夾持部分。
在這種條件下,沿磁芯軸線方向并對磁芯特性有影響的頸部長度、夾持穩(wěn)定性和磁芯體積等的正確選擇是很重要的。例如,為了獲得更輕質(zhì)的磁芯,在錐部的磁芯截面積減小后,沿磁芯軸線在特定長度上具有幾乎恒定外徑的頸部的長度會變得過長,從而引起一個問題,即可能會出現(xiàn)發(fā)熱和磁飽和。
另一方面,如果在頸部沒有設(shè)置出外徑幾乎恒定的區(qū)域,或者這樣的區(qū)域只延伸了很短的距離,例如,如日本未審查的專利公開文獻(xiàn)No.1995-37525中的

圖1和日本未審查的專利公開文獻(xiàn)No.1996-7781中的圖2所示,則在加工過程中偏轉(zhuǎn)軛磁芯不能夠被足夠穩(wěn)定地保持,因而偏轉(zhuǎn)軛磁芯不能夠承受加工過程中施加在其上的外力,從而導(dǎo)致磁芯落下或者出現(xiàn)碎裂、裂縫或類似情況。
本發(fā)明的內(nèi)容本發(fā)明的第一個目的是提供一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其最優(yōu)化了磁芯截面積與芯內(nèi)磁通分布密度之間的關(guān)系,并且能夠防止出現(xiàn)磁飽和。
本發(fā)明的第二個目的是提供一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其可以使磁芯損耗最小化并降低磁芯溫度。
本發(fā)明的第三個目的是提供一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其可以消除磁芯碎裂的危險。
本發(fā)明的第四個目的是提供一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其在燒制過程中不容易變形。
本發(fā)明的第五個目的是提供一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其可以使磁芯損耗最小化并降低磁芯溫度。
本發(fā)明的第六個目的是提供一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其可以消除磁芯碎裂的危險。
本發(fā)明的第七個目的是提供一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其在燒制過程中不容易變形。
本發(fā)明的第八個目的是提供一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其具有一個最優(yōu)化的形狀,以適用于具有與三原色相對應(yīng)并且沿直線設(shè)置的三個電子槍的一字排列式陰極射線管。
本發(fā)明的第九個目的是提供一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其在線圈定位方面提供了高級別的自由度,并且可以通過調(diào)節(jié)磁場分布而提高偏轉(zhuǎn)靈敏度、失真特性、會聚特性和類似性能。
本發(fā)明的第十個目的是提供一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其可以沿著磁芯軸線以高級別的可靠性脫模。
本發(fā)明的第十一個目的是提供一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,它的錐部開口端是非圓形的,而且在面向頸部的區(qū)域中具有一個圓孔,同時磁芯可以獲得高級別的尺寸精度。
本發(fā)明的第十二個目的是提供一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其可以以高級別的精度相對于陰極射線管定位,還要提供該磁芯的制造方法。
本發(fā)明的第十三個目的是提供一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其便于相對于陰極射線管精確定位。
本發(fā)明的第十四個目的是提供一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其可以在加工過程中被以穩(wěn)定的方式夾持,同時又能夠維持為達(dá)到特定性能所需的體積。
為了達(dá)到上述第一個目的,根據(jù)本發(fā)明的用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的偏轉(zhuǎn)軛磁芯具有一個從頸部開口端延伸到錐部開口端的孔。錐部處的孔向著錐部開口端加寬。錐部開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑。在從短軸處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過磁芯軸線的平面上的磁芯截面積最大。
本發(fā)明的發(fā)明人所作的研究揭示出,通過在偏轉(zhuǎn)軛磁芯上設(shè)置一個水平偏轉(zhuǎn)線圈和一個垂直偏轉(zhuǎn)線圈而構(gòu)造出偏轉(zhuǎn)軛,而且垂直偏轉(zhuǎn)磁場和水平偏轉(zhuǎn)磁場由單個線圈產(chǎn)生,則磁芯中產(chǎn)生的磁通不能獲得一致性。
具體地講,在現(xiàn)有技術(shù)中,在從水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度最低的位置處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線測量的30°至65°角度范圍內(nèi),芯內(nèi)磁通密度達(dá)到最高值,其中芯內(nèi)磁通密度是在各個平行并穿過磁芯軸線的截面上測量的,而頸部開口端和錐部開口端均被成型為圓形形狀。
為此,在根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯中可以確保在從短軸處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過磁芯軸線的平面上的磁芯截面積最大。
這樣,在整個磁芯中可以獲得芯內(nèi)磁通密度的一致性,從而防止局部磁飽和。如果磁芯采用這樣的形狀,即在30°至65°的角度范圍之外達(dá)到最大截面積,則在芯內(nèi)磁通密度很高的30°至65°角度范圍內(nèi)可能出現(xiàn)磁飽和。但如果通過增大整個磁芯的磁芯截面積而防止磁飽和,則所產(chǎn)生的磁芯必然具有低效率的形狀。
為達(dá)到第一個目的即防止磁飽和而實(shí)施的另一種措施是,確保在從短軸處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過磁芯軸線的平面上的磁芯截面積中的磁芯密度最大。
通過這種措施可以防止在芯內(nèi)磁通密度最高的30°至65°角度范圍內(nèi)出現(xiàn)局部磁飽和。如果磁芯采用這樣的形狀,即在30°至65°的角度范圍之外磁通密度最高,則在芯內(nèi)磁通密度很高的30°至65°角度范圍內(nèi)可能出現(xiàn)磁飽和。但在另一方面,如果增大整個磁芯的磁芯截面積,則磁芯必然具有低效率的形狀。
為了達(dá)到上面提到的第二個目的,根據(jù)本發(fā)明的用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的偏轉(zhuǎn)軛磁芯具有一個從頸部開口端延伸到錐部開口端的孔。錐部處的孔向著錐部開口端加寬。錐部開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑。偏轉(zhuǎn)軛磁芯上還設(shè)有毗鄰短軸在磁芯表面上沿著磁芯軸線延伸的分割槽。
在應(yīng)用于偏轉(zhuǎn)軛中時,一個水平偏轉(zhuǎn)磁芯和一個垂直偏轉(zhuǎn)磁芯被設(shè)置,以將短軸的位置設(shè)置在對應(yīng)于水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度最低的位置處。通過這種結(jié)構(gòu),由于分割槽設(shè)在水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度最低的位置處,因此水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通的密度受到分割槽的影響最小,從而降低磁芯損耗和磁芯處產(chǎn)生的熱量。
理想的模式是將分割槽成型為直線形,并且將分割槽敞開在頸部開口端邊緣上。這種結(jié)構(gòu)使得由諸如鐵氧體粉末或磁性金屬粉末等磁性粉末模制成型出的磁芯能夠光滑地脫模。
在另一種理想模式中,分割槽設(shè)置在一個外周表面和一個內(nèi)周表面上的彼此面對著的位置上。通過采用這種結(jié)構(gòu),可以容易地分割由鐵氧體粉末模制成型出的磁芯。
形成在外周表面上的分割槽與形成在內(nèi)周表面上的分割槽在頸部的開口端邊緣處彼此相互連續(xù)延伸。這種結(jié)構(gòu)使得磁芯容易分割。分割槽優(yōu)選為V形的,因?yàn)閂形可以有效地使磁芯容易分割為兩件。
為了達(dá)到上面提到的第三和第四個目的,根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管,并且具有一個外周表面。錐部處的外周表面向著錐部的開口端加寬。錐部開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑。至少一個第一凹入部分毗鄰短軸設(shè)在外周表面上。
本發(fā)明的發(fā)明人所作的研究揭示出,當(dāng)錐部開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑時,毗鄰短軸的磁芯密度最低。
為此,第一凹入部分設(shè)在根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的外周表面上。在利用磁性粉末如鐵氧體粉末壓縮模制成型偏轉(zhuǎn)軛磁芯時,磁性粉末可以被設(shè)在成型模具中的與第一凹入部分相對應(yīng)的凸出部分壓縮。其結(jié)果是,位于與凸出部分相對應(yīng)的第一凹入部分周圍的磁芯密度會增大。
另外,由于第一凹入部分毗鄰短軸位于外周表面上,因此毗鄰短軸的磁芯密度最終會增大。這樣,毗鄰短軸的磁芯強(qiáng)度會升高,從而防止磁芯出現(xiàn)碎裂。
此外,由于毗鄰短軸的磁芯密度會增大,如前所述,因此可以獲得更均勻的磁芯密度分布。其結(jié)果是,根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯在燒制過程中可以均勻地收縮,并且不容易變形。
為了達(dá)到上面提到的第五、第六和第七個目的,根據(jù)本發(fā)明的用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的偏轉(zhuǎn)軛磁芯具有一個從頸部開口端延伸到錐部開口端的孔。錐部處的孔向著錐部開口端加寬。錐部開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑。根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯上還設(shè)有毗鄰短軸在磁芯表面上沿著磁芯軸線延伸的分割槽,而且夾持槽在短軸的兩端設(shè)在外周表面上。
在應(yīng)用于偏轉(zhuǎn)軛中時,一個水平偏轉(zhuǎn)磁芯和一個垂直偏轉(zhuǎn)磁芯被設(shè)置,以將短軸的位置設(shè)置在對應(yīng)于水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度最低的位置處。在這種結(jié)構(gòu)中,由于分割槽設(shè)在水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通的密度最低的位置處,因此水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通的密度受到分割槽的影響最小,從而降低磁芯損耗和磁芯處產(chǎn)生的熱量。
本發(fā)明的發(fā)明人所作的研究揭示出,當(dāng)錐部開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑時,毗鄰短軸的磁芯密度最低。
為此,夾持槽形成在根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的外周表面上。在利用磁性粉末如鐵氧體粉末壓縮模制成型偏轉(zhuǎn)軛磁芯時,磁性粉末可以被設(shè)在成型模具中的與夾持槽相對應(yīng)的凸出部分壓縮。其結(jié)果是,位于與凸出部分相對應(yīng)的夾持槽周圍的磁芯密度會增大。
另外,由于夾持槽在短軸的兩端位于外周表面上,因此毗鄰短軸的磁芯密度最終會增大。所以毗鄰短軸的磁芯強(qiáng)度會升高,從而防止磁芯出現(xiàn)碎裂。
此外,由于毗鄰短軸的磁芯密度會增大,如前所述,因此可以獲得更均勻的磁芯密度分布。其結(jié)果是,根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯在燒制過程中可以均勻地收縮,并且不容易變形。
為了達(dá)到上面提到的第八個目的,根據(jù)本發(fā)明的用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的偏轉(zhuǎn)軛磁芯具有一個從頸部開口端延伸到錐部開口端的孔。錐部處的孔向著錐部開口端加寬。錐部開口端處的孔沿著一個完整的周邊彎曲,錐部和頸部二者處的孔均具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑。
由于偏轉(zhuǎn)軛磁芯具有一個這樣的孔,該孔在錐部和頸部中均具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑,因此,頸部也獲得了適宜的形狀,適用于具有與三原色相對應(yīng)并且沿直線設(shè)置的三個電子槍的一字排列式陰極射線管。這樣就提供出了具有適用于一字排列式陰極射線管中的最優(yōu)形狀的偏轉(zhuǎn)軛磁芯。
為了達(dá)到上面提到的第九和第十個目的,根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管,并且具有多個以徑向模式沿著從錐部至頸部的內(nèi)表面設(shè)置的凸出部分,其中多個槽形成在多個凸出部分之間。
凸出部分分開設(shè)置在頸部和錐部中,并且分別包括一個面對著磁芯軸線的表面,沿著一個從頸部向錐部延伸的方向看,該表面以與磁芯軸線之間的距離逐漸增大的方式傾斜。
如上所述,由于多個凸出部分沿著從錐部至頸部的內(nèi)表面以徑向模式設(shè)置,而且多個槽形成在多個凸出部分之間,因此可以防止偏轉(zhuǎn)線圈中的繞線在位于凸出部分之間的槽的表面上錯位。
另外,由于凸出部分分開設(shè)置在頸部和錐部中,因此可以以例如徑向模式和非徑向模式調(diào)節(jié)繞線分布,從而便于在偏轉(zhuǎn)軛組裝后校正失真和失聚。
此外,由于多個凸出部分沿著從錐部至頸部的內(nèi)表面以徑向模式設(shè)置,而且沿著一個從頸部向錐部延伸的方向看,它們的面對著磁芯軸線的表面以與磁芯軸線之間的距離逐漸增大的方式傾斜,因此在模制成型后,由磁性粉末如鐵氧體粉末模制成型出的偏轉(zhuǎn)軛磁芯可以沿著磁芯軸線(管軸線)的方向以高級別的可靠性容易地脫模。
為了達(dá)到上面提到的第十一和第十二個目的,根據(jù)本發(fā)明的用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的偏轉(zhuǎn)軛磁芯具有一個從頸部開口端延伸到錐部開口端的孔。錐部處的孔向著錐部開口端加寬。錐部處的孔具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑。頸部處的孔具有圓形形狀和一個磨削內(nèi)表面。
由于偏轉(zhuǎn)軛磁芯的頸部處的孔的內(nèi)表面被磨削,而且錐部處的孔被成型為非圓形形狀,頸部處的孔被成型為圓形形狀,因此頸部處的尺寸精度可以提高。這反過來又能夠在將由偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)造的偏轉(zhuǎn)軛安裝到陰極射線管上時確保高級別的組裝精度。頸部處的孔被成型為圓形形狀,并且可以利用例如旋轉(zhuǎn)式磨床而容易地磨削。
通過如上所述提高頸部處的孔的尺寸精度,磁芯軸線即孔的中心軸線的可以以高精度設(shè)置,這反過來又使得相對于磁芯軸線對錐部的外表面進(jìn)行表面磨削、再將通過磨削而獲得的平坦表面在磁芯相對于隔離器定位時用作基準(zhǔn)成為可能。這樣,磁芯可以相對于隔離器以高精度定位,從而最終將磁芯以高精度相對于陰極射線管定位。
根據(jù)本發(fā)明的另一種用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的偏轉(zhuǎn)軛磁芯具有一個從頸部開口端延伸到錐部開口端的孔。錐部處的孔向著錐部開口端加寬。至少錐部處的上述孔具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑以及一個磨削內(nèi)表面。
由于偏轉(zhuǎn)軛磁芯具有這樣一個孔,該孔在錐部處向著錐部開口端加寬并且具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑,因此磁芯可以用在帶寬闊顯示板的彩電圖像接收器陰極射線管中。
另外,由于錐部處的孔的內(nèi)表面被磨削,因此錐部處的孔的尺寸精度可以提高,從而在將偏轉(zhuǎn)軛磁芯安裝到陰極射線管中時獲得更高的組裝精度。
在一種理想模式中,也可以在頸部處磨削孔的內(nèi)表面,從而通過確保頸部和錐部均具有高級別的尺寸精度而進(jìn)一步提高偏轉(zhuǎn)軛安裝在陰極射線管上的組裝精度。
為了達(dá)到上面提到的第十三個目的,根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管并且具有一定的外形。錐部處的外形向著錐部開口端加寬。錐部在開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑并且包括至少一個錐部開口端外周表面上的磨削平坦表面。
如上所述,偏轉(zhuǎn)軛磁芯在錐部處具有一個向著錐部開口端加寬的外形,其中錐部在開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑。這種結(jié)構(gòu)可以在與帶寬闊顯示板的彩電圖像接收器陰極射線管結(jié)合使用時提高偏轉(zhuǎn)效率。
另外,在指向錐部開口端的外周表面上有至少一個磨削平坦表面。該磨削平坦表面平行于磁芯軸線延伸。通過將平坦表面用作基準(zhǔn)面,可以便于將磁芯軸線與陰極射線管的射線管軸線對齊。因此,可以容易地將偏轉(zhuǎn)軛磁芯相對于陰極射線管精確定位。
日本未審查專利公開文獻(xiàn)No.1989-319226中公開了一種磨削偏轉(zhuǎn)軛磁芯外表面的措施,其中頸部的內(nèi)側(cè)夾持住,外側(cè)通過旋轉(zhuǎn)砂輪或類似物磨削。在這種現(xiàn)有技術(shù)中,采用磨削程序是為了提高外表面的尺寸精度,而非為了將偏轉(zhuǎn)軛磁芯相對于陰極射線管精確定位。
在一種理想模式中,可以設(shè)有兩個或更多個磨削平坦表面,兩個相鄰表面彼此相隔大約90°或大約180°的角間隔,從而利用多個基準(zhǔn)面而將磁芯與陰極射線管更可靠地對齊。
為了達(dá)到上面提到的第十四個目的,根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管。錐部在開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑。此外,滿足5mm≤B≤A/2mm,其中A表示磁芯沿磁芯軸線的總長度,其為頸部沿磁芯軸線的長度B與錐部沿磁芯軸線的長度之和。
根據(jù)本發(fā)明,頸部指的是指向陰極射線管管徑的區(qū)域,頸部的外徑基本上保持恒定。錐部指的是磁芯上除頸部之外的剩余區(qū)域。沿磁芯軸線的長度指的是成型為管狀的偏轉(zhuǎn)軛磁芯沿著磁芯軸線方向測量的長度。
在加工偏轉(zhuǎn)軛磁芯的內(nèi)表面和類似區(qū)域時,頸部被用作夾持部分。如果頸部沿磁芯軸線的長度B小于5mm(B<5mm),則頸部不能夠被加工機(jī)械充分夾持,而且頸部受到的夾持力不夠大,因而不能承受加工過程所用機(jī)械施加的力或承受偏轉(zhuǎn)軛磁芯的重量,從而導(dǎo)致磁芯出現(xiàn)碎裂或裂縫。
另一方面,如果頸部沿磁芯軸線的長度B等于或大于5mm(B≥5mm),則頸部可以在加工過程中被以充分穩(wěn)定的方式夾持住??梢源_保夾持力足夠承受在磨削磁芯內(nèi)表面和類似區(qū)域時施加的機(jī)械作用力,并且能夠承受偏轉(zhuǎn)軛磁芯的重量,以防止磁芯落下或者出現(xiàn)碎裂或裂縫。其結(jié)果是,可以以高級別的精度和穩(wěn)定性加工偏轉(zhuǎn)軛磁芯的內(nèi)表面和類似區(qū)域,從而提高在將偏轉(zhuǎn)而磁芯安裝在陰極射線管上時的定位精度,最終可以獲得能夠在陰極射線管中精確控制電子束并且具高級別的偏折靈敏度的偏轉(zhuǎn)軛。只要頸部沿磁芯軸線的長度B等于或大于5mm并且等于或小于(A/2)mm,就不會出現(xiàn)與發(fā)熱和磁飽和有關(guān)的問題。
一旦頸部沿磁芯軸線的長度B超過了(A/2)mm,則錐部的截面積就會變得太小,從而導(dǎo)致與發(fā)熱和磁飽和有關(guān)的問題。
下面參照附圖解釋本發(fā)明的其他目的、結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點(diǎn)。附圖僅以實(shí)例的形式提供。
附圖簡述圖1是根據(jù)本發(fā)明的一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖;圖2是圖1所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正視圖;圖3是沿短軸X所作剖示圖(θ=0°);圖4是沿穿過磁芯軸線O1的長軸Y所作剖示圖(θ=90°);圖5是沿著設(shè)在30°至65°角度范圍內(nèi)的平面Xθ所作剖示圖;圖6是現(xiàn)有技術(shù)的偏轉(zhuǎn)軛磁芯所獲得的芯內(nèi)磁通密度特性曲線圖;圖7是利用根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)造的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的芯內(nèi)磁通密度特性曲線圖;圖8是沿短軸X所作剖示圖(θ=0°);
圖9是沿穿過磁芯軸線O1的長軸Y所作剖示圖(θ=90°);圖10是沿著設(shè)在30°至65°角度范圍內(nèi)的平面Xθ所作剖示圖;圖11中示出了一個可以用于制造圖1和2所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的模制步驟的實(shí)例;圖12中示出了一個在圖11所示步驟之后執(zhí)行的模制步驟;圖13中示出了一個用于制造圖1和2所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的模制步驟的實(shí)例;圖14中示出了一個在圖13所示步驟之后執(zhí)行的模制步驟;圖15是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖;圖16是圖15所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖;圖17是沿著圖15中的線17-17所作的局部放大剖視圖;圖18是沿著圖15中的線18-18所作的局部放大剖視圖;圖19是利用圖15至18中的偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)造的偏轉(zhuǎn)軛的俯視圖;圖20是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖;圖21是圖20所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正視圖;圖22是圖20所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的剖視圖;圖23是圖20所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的側(cè)向放大剖視圖;圖24是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖;圖25是圖24所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正視圖;圖26是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖;
圖27是圖26所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖;圖28是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖;圖29是圖28所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖;圖30是圖28所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖;圖31是沿著圖28中的線31-31所作剖示圖;圖32是沿著圖28中的線32-32所作的局部放大剖視圖;圖33是現(xiàn)有技術(shù)的偏轉(zhuǎn)軛磁芯所展現(xiàn)的磁芯密度特性曲線圖;圖34是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯所獲得的磁芯密度特性曲線圖;圖35中示出了一個用于制造圖28至32所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的模制步驟的實(shí)例;圖36中示出了一個在圖35所示步驟之后執(zhí)行的模制步驟;圖37中示出了一個在圖36所示步驟之后執(zhí)行的模制步驟;圖38是用于解釋執(zhí)行圖37所示步驟所獲得的優(yōu)點(diǎn)的局部放大剖視圖;圖39是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖;圖40是圖39所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖;圖41是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖;圖42是圖41所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖;圖43是圖41和42所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖;圖44是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖;
圖45是圖44所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖;圖46是圖44和45所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖;圖47是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖;圖48是圖47所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖;圖49是圖47和48所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖;圖50是沿著圖47中的短軸X所作剖示圖;圖51是沿著圖47中的線51-51所作剖示圖;圖52是通過分割圖47至51所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯而獲得的磁芯件的仰視圖;圖53是用于解釋圖52中的磁芯件通過夾子而相連時的狀態(tài)的仰視圖;圖54是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖;圖55是圖54所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖;圖56是沿著圖54中的線56-56所作剖示圖;圖57是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖;圖58是圖57所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖;圖59是沿著圖57中的線59-59所作剖示圖;圖60是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖;圖61是圖60所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖;圖62是圖60所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖;圖63是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖;
圖64是圖63所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖;圖65是圖63所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖;圖66是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖;圖67是圖66所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正視圖;圖68是圖66和67所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正向剖視圖;圖69中示意性示出了由圖66至68所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)造的偏轉(zhuǎn)軛安裝在陰極射線管中時的狀態(tài);圖70中示出了圖66至68所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯與電子槍之間的關(guān)系;圖71是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖;圖72是圖71中的偏轉(zhuǎn)軛磁芯沿長軸Y所作剖示圖;圖73是圖71中的偏轉(zhuǎn)軛磁芯沿短軸X所作剖示圖;圖74是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖;圖75是圖74所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖;圖76是沿著圖74中的線76-76所作的局部放大剖視圖;圖77是沿著圖74中的線77-77所作的局部放大剖視圖;圖78中示出了一個用于制造圖74至77所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的模制步驟;圖79中示出了一個在圖78所示步驟之后執(zhí)行的模制步驟;圖80中示出了一個在圖79所示步驟之后執(zhí)行的模制步驟;圖81是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖;
圖82是圖81所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正視圖;圖83是圖81和82所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正向剖視圖;圖84中示出了一種用于在制造圖81至83所示的偏轉(zhuǎn)軛磁芯時研磨孔的內(nèi)表面的方法;圖85中也示出了這種用于在制造圖81至83所示的偏轉(zhuǎn)軛磁芯時研磨孔的內(nèi)表面的方法;圖86是圖81至83所示的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的外周表面在錐部處被研磨時的實(shí)例的俯視圖;圖87中示意性示出了由圖81至83所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)造的偏轉(zhuǎn)軛安裝在陰極射線管中時的狀態(tài);圖88是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖;圖89是圖88所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正向剖視圖;圖90是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖;圖91是圖90所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖;圖92是用于解釋另一種用于研磨偏轉(zhuǎn)軛磁芯的方法的剖視圖;圖93是示意性解釋一種用于研磨錐部內(nèi)表面的方法的俯視圖;圖94是示意性解釋這種用于研磨錐部內(nèi)表面的方法的剖視圖;圖95是用于解釋另一種用于研磨偏轉(zhuǎn)軛磁芯的方法的剖視圖;
圖96中示出了偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例;圖97是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖;圖98是圖97所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正視圖;圖99是圖97和98所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的剖視圖;圖100中示意性示出了利用根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)造的偏轉(zhuǎn)軛安裝在陰極射線管中時的狀態(tài);圖101中示出了在隔離器和偏轉(zhuǎn)軛磁芯組裝時將達(dá)到的關(guān)系;圖102是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖;圖103是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖;圖104是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖;圖105中示出了在偏轉(zhuǎn)軛磁芯、隔離器和陰極射線管組裝時將達(dá)到的關(guān)系;圖106是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖;圖107是圖106所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖;圖108是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖;圖109是圖108所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖;
圖110是圖108所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正向剖視圖;圖111是用于解釋圖108至110所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯被加工機(jī)械的夾持件夾持時的正視圖;圖112是圖111所示夾持狀態(tài)的仰視圖。
本發(fā)明的最佳實(shí)施方式圖1是一種根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖,圖2是圖1所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正視圖。偏轉(zhuǎn)軛磁芯被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管,并且具有一個從頸部3的開口端延伸到錐部1的開口端的孔2。錐部1處的孔2向著錐部1的開口端加寬。
錐部1的開口端處的外形具有沿短軸X的短直徑Dx1和沿長軸Y的長直徑Dy1。沿短軸X的短直徑Dx1與沿長軸Y的長直徑Dy1之間的關(guān)系表示為Dy1>Dx1。具體地講,錐部1的外形為一個帶弧形邊的四邊形,即帶圓角的四邊形,其具有在短軸X方向上彼此面對著的兩條邊,這兩條邊長于在長軸Y方向上彼此面對著的兩條邊。或者,外形也可以是橢圓形或類似形狀。形成在錐部1中的孔2的形狀也可以改變,以符合錐部1處采用的外形。
頸部3的外形和形成在頸部3處的孔2的形狀可以是圓形的,或者也可以采用與錐部1相同的形狀。短軸X和長軸Y穿過軸線O1并且彼此以直角相交。
在上面描述的結(jié)構(gòu)中,在從穿過磁芯軸線O1的短軸X處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線O1測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過磁芯軸線O1的平面上的磁芯截面積最大。短軸X穿過磁芯軸線O1的位置對應(yīng)于水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度最低的位置。
圖3是沿0°角所在平面即沿著短軸X所作的剖視圖,圖4是沿著穿過磁芯軸線O1的長軸Y所作的剖視圖(θ=90°),圖5是沿著設(shè)在30°至65°角度范圍內(nèi)的平面Xθ所作的剖視圖。如圖中所示,沿短軸X所取的磁芯截面積S01(見圖3)、沿長軸Y所取并且穿過磁芯軸線O1的磁芯截面積S02和沿著設(shè)在30°至65°角度范圍內(nèi)的平面Xθ所取的磁芯截面積S03具有以下關(guān)系S03>S02>S01。
在本實(shí)施例中,頸部3處的孔2具有圓形形狀,錐體1的內(nèi)表面連續(xù)延伸到頸部3的內(nèi)表面,而且孔2向著錐部1處的開口端加寬。因此,相對于角度θ而言,從頸部3處的孔2至錐部1的開口端的距離在繞著磁芯軸線O1測量的30°至65°的角度范圍內(nèi)最大。這意味著當(dāng)角度θ在30°至65°的角度范圍內(nèi)時,磁芯截面積最大。在本實(shí)施例中,除了能夠通過采用上面描述的結(jié)構(gòu)而增大截面積以外,當(dāng)角度θ在30°至65°的角度范圍內(nèi)時,錐部1的厚度也會增加,從而進(jìn)一步增大磁芯截面積。通過比較圖3至5,可以清楚查明這一特點(diǎn)。
此外,兩個凹槽9和11沿著短軸X的方向設(shè)在外周表面上,而分割槽13和15設(shè)在凹槽9和11之間。分割槽13和15分別形成在短軸X上并且為V形。
由前面描述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)軛可以這樣組裝,即沿著分割槽13和15分割偏轉(zhuǎn)軛磁芯,裝入一個垂直偏轉(zhuǎn)線圈和一個水平偏轉(zhuǎn)線圈,再將分割的磁芯件重新裝配起來。水平偏轉(zhuǎn)線圈的設(shè)置可以確保芯內(nèi)磁通密度在形成了分割槽13和15的短軸X處最低。垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生垂直偏轉(zhuǎn)磁場,該磁場與水平偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的水平偏轉(zhuǎn)磁場以直角相交。兩個磁芯件通過鉤掛在凹槽9和11之間的區(qū)域中的夾子(未示出)而相連。
圖6是現(xiàn)有技術(shù)的偏轉(zhuǎn)軛磁芯所獲得的芯內(nèi)磁通密度特性曲線圖,其中錐部和頸部均成型為圓形。在圖6中,橫軸表示角度(°),縱軸表示芯內(nèi)磁通密度(mT)。沿橫軸的角度(°)表示從短軸X處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線O1所取的角度值。曲線B11表示水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度特性曲線,曲線B12表示垂直偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度特性曲線,曲線B13表示水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度特性曲線B11和垂直偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度特性曲線B12合并而產(chǎn)生的組合芯內(nèi)磁通密度特性曲線。
如圖6所示,在利用由現(xiàn)有技術(shù)的偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)造的偏轉(zhuǎn)軛產(chǎn)生垂直偏轉(zhuǎn)磁場和水平偏轉(zhuǎn)磁場時,由于磁芯軸線周圍的磁芯截面積基本上保持恒定,因此磁芯內(nèi)的組合磁場密度不會達(dá)到一致,如特征曲線B13所示。
具體地講,當(dāng)繞著磁芯軸線O1所取的角度接近30°時,組合磁通密度急劇增加,并在40°角度處到達(dá)最大值,即超過150(mT)的級別。這意味著,如果偏轉(zhuǎn)軛磁芯是由在其操作溫度下的飽和芯內(nèi)磁通密度為大約150(mT)的材料制成的,則出現(xiàn)在40°角度附近的磁飽和會導(dǎo)致像平面失真。根據(jù)本發(fā)明,磁芯截面積在等于或超過30°的角度范圍內(nèi)增大,因此可以防止這種磁飽和。
雖然芯內(nèi)磁通密度在角度超過40°后會下降,但在角度到達(dá)65°之前仍保持相當(dāng)高。此外,在由形成于錐部1的開口端外形上的沿長軸Y的長直徑和沿短軸X的短直徑構(gòu)成的一個四邊形中,如果錐部1的開口端處的沿長軸Y的長直徑與沿短軸X的短直徑之比設(shè)置為4∶3,以與標(biāo)準(zhǔn)陰極射線管的形狀相符,則連接著一個角部和磁芯軸線O1的直線與短直徑之間的夾角為大約53°。
在由錐部1的開口端外形上的沿長軸Y的長直徑和沿短軸X的短直徑構(gòu)成的一個四邊形中,如果錐部1的開口端處的沿長軸Y的長直徑與沿短軸X的短直徑之比設(shè)置為16∶9,以與陰極射線管經(jīng)常采用的另一種形狀相符,則連接著一個角部和磁芯軸線O1的直線與短直徑之間的夾角為大約60.6°。
在這樣的偏轉(zhuǎn)軛磁芯中,合理的結(jié)構(gòu)是在相對于短軸X處的0°基準(zhǔn)角轉(zhuǎn)到53°角或60.6°角處達(dá)到最大磁芯截面積。此外,為了滿足實(shí)際應(yīng)用中的所需界限,需要確保磁芯截面積直至65°均不能出現(xiàn)磁飽和。
出于這些原因,本發(fā)明可以確保在從短軸X處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線O1測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過磁芯軸線O1的平面上的磁芯截面積最大。
圖7是利用根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)造的偏轉(zhuǎn)軛芯的內(nèi)磁通密度特性曲線圖。在圖7中,橫軸表示角度(°),縱軸表示芯內(nèi)磁通密度(mT)。角度(°)表示從穿過磁芯軸線O1的短軸X處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線O1所取的角度值。曲線B21表示水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度特性曲線,曲線B22表示垂直偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度特性曲線,曲線B23表示水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度特性曲線B21和垂直偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度特性曲線B22合并而產(chǎn)生的組合芯內(nèi)磁通密度特性曲線。
如圖7中的組合磁通密度特性曲線B23清楚地顯示,根據(jù)本發(fā)明的組合磁通密度不會上升,而是平坦的,即使是在能夠?qū)е卢F(xiàn)有技術(shù)中的組合磁通密度顯著增加的30°至65°角度范圍內(nèi)。因此,根據(jù)本發(fā)明,可以在整個磁芯內(nèi)獲得芯內(nèi)磁通密度的一致性,以防止出現(xiàn)局部磁飽和。
另外,由于組合磁通密度的最大值從未超過140(mT),如圖7所示,因此即使偏轉(zhuǎn)軛磁芯是由在其操作溫度下的飽和芯內(nèi)磁通密度為大約150(mT)的材料制成的,也不會出現(xiàn)磁飽和。此外,由于磁芯不需要包含任何多余的、在現(xiàn)有技術(shù)中僅僅為了防止磁飽和而添加的附加部分,因此采用本發(fā)明還可以導(dǎo)致磁芯重量降低、使磁芯最小化并且降低制造成本。
另一種用于防止圖1和2所示的偏轉(zhuǎn)軛磁芯出現(xiàn)磁飽和的措施是這樣設(shè)置的,即在從短軸X處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線O1測量的30°至65°角度范圍內(nèi),確保在一個平行并穿過磁芯軸線O1的平面上的截面積內(nèi)的磁芯密度最高。短軸X穿過磁芯軸線O1的位置對應(yīng)于水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度最低的位置。
圖8是沿0°角所在平面即沿著短軸X所作的剖視圖,圖9是沿著穿過磁芯軸線O1的長軸Y所作的剖視圖(θ=90°),圖10是沿著設(shè)在30°至65°角度范圍內(nèi)的平面Xθ所作的剖視圖。
在這些圖中,在沿短軸X所取的磁芯截面積S01中的磁芯密度D01、在沿長軸Y所取并且穿過磁芯軸線O1的磁芯截面積S02中的磁芯密度D02和在沿著設(shè)在30°至65°角度范圍內(nèi)的平面Xθ上所取的磁芯截面積S03中的磁芯密度D03具有以下關(guān)系D03>D02>D01。利用特定的方法在模制成型過程中對材料進(jìn)行加載,可以控制這些位于磁芯截面積S01至S03中的磁芯密度D01至D03。磁芯的厚度可以在各個截面積上保持基本相同,或者可以在不同的磁芯截面積上有所變化。
在本實(shí)施例中,頸部3處的孔2具有圓形形狀,錐體1的內(nèi)表面連續(xù)延伸到頸部3的內(nèi)表面,而且孔2向著一個開口端面S1加寬。其結(jié)果是,相對于繞著磁芯軸線O1所取角度θ而言,從頸部3處的孔2至錐部1的開口端內(nèi)邊緣的距離在30°至65°的角度范圍內(nèi)最大。因此,在30°至65°的角度范圍內(nèi),磁芯截面積最大。
如前面參照圖6所作詳細(xì)解釋,如果偏轉(zhuǎn)軛是由穿過磁芯軸線的磁芯截面積基本上保持恒定的偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)造的,則由偏轉(zhuǎn)軛中產(chǎn)生的垂直偏轉(zhuǎn)磁場和水平偏轉(zhuǎn)磁場所產(chǎn)生并由特性曲線B13表示的組合磁通密度不會在磁芯內(nèi)達(dá)到一致。
具體地講,當(dāng)繞著磁芯軸線O1所取的角度接近30°時,組合磁通密度急劇增加,并在40°角度處到達(dá)最大值,即超過150(mT)的級別。這意味著,如果偏轉(zhuǎn)軛磁芯是由在其操作溫度下的飽和芯內(nèi)磁通密度為大約150(mT)的材料制成的,則出現(xiàn)在40°角度附近的磁飽和會導(dǎo)致像平面失真。根據(jù)本發(fā)明,磁芯密度在等于或超過30°的角度范圍內(nèi)會增大,因此可以防止這種磁飽和。
雖然芯內(nèi)磁通密度在角度超過40°后會下降,但在角度到達(dá)65°之前仍保持相當(dāng)高。此外,在由錐部1的開口端外形上的沿長軸Y的長直徑和沿短軸X的短直徑構(gòu)成的一個四邊形中,如果錐部1的開口端處的沿長軸Y的長直徑與沿短軸X的短直徑之比設(shè)置為4∶3,以與標(biāo)準(zhǔn)陰極射線管的形狀相符,則連接著一個角部和磁芯軸線O1的直線與短直徑之間的夾角為53°。
在由形成于錐部1的開口端外形上的沿長軸Y的長直徑和沿短軸X的短直徑構(gòu)成的一個四邊形中,如果錐部1的開口端處的沿長軸Y的長直徑與沿短軸X的短直徑之比設(shè)置為16∶9,以與陰極射線管經(jīng)常采用的另一種形狀相符,則連接著一個角部和磁芯軸線O1的直線與短直徑之間的夾角為60.6°。
在制作這樣的偏轉(zhuǎn)軛磁芯時,合理的結(jié)構(gòu)是在相對于短軸X處的0°基準(zhǔn)角轉(zhuǎn)過了53°角或60.6°角處達(dá)到最大磁芯密度。此外,為了滿足實(shí)際應(yīng)用中的所需界限,需要確保磁芯密度直至65°均不能出現(xiàn)磁飽和。
出于這些原因,本發(fā)明可以確保在從短軸X處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線O1測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過磁芯軸線O1的平面上的截面積中的磁芯密度最大。
多種方法中的任何一種均可以用于改變磁芯軸線O1周圍的磁芯密度,如前所述。這些方法的一個實(shí)例顯示于圖11至14中。圖11至14所示的方法可以在利用鐵氧體粉末模制偏轉(zhuǎn)軛磁芯的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用場合中采用。
圖11和12中示出了沿圖1中的短軸X方向看時的模制過程,圖中略去了一些不必要的細(xì)節(jié)。首先,如圖11所示,鐵磁體粉末33被充入一個由下模29、39、41和43組合而形成的模腔35中。磁性粉末33中的位于單點(diǎn)劃線下方的區(qū)域表示最終獲得的模制區(qū)域,位于單點(diǎn)劃線上方的區(qū)域表示將在模制過程中被壓縮的壓縮區(qū)域S7。
一個上模31沿著箭頭F1所示方向向下移動,以與下模29、39、41和43互鎖,因此而將磁性粉末33壓縮。其結(jié)果是,圖11中的壓縮區(qū)域S7被壓縮,如圖12所示,從而模制出一個具有錐部1和頸部3的偏轉(zhuǎn)軛磁芯。
圖13和14中示出了沿圖1中的設(shè)置為65°的θ角方向看時的模制過程。如圖13所示,被充入模腔35中的磁性粉末33中的位于單點(diǎn)劃線下方的區(qū)域表示最終獲得的模制區(qū)域,位于單點(diǎn)劃線上方的區(qū)域表示將在模制過程中被壓縮的壓縮區(qū)域S8。該壓縮區(qū)域S8大于沿圖1中的短軸X方向看時的壓縮區(qū)域S7(見圖11)。因此,通過上模31沿著箭頭F1所示方向向下移動,以與下模29、39、41和43互鎖并壓縮將磁性粉末33,從而如圖14所示模制出一個具有錐部1和頸部3的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,偏轉(zhuǎn)軛磁芯的磁芯密度可以提高。
如前面所解釋,偏轉(zhuǎn)軛磁芯在組合偏轉(zhuǎn)磁場所致磁通密度增大的30°至65°的角度范圍內(nèi)獲得最高磁芯密度,因此可以防止在組合偏轉(zhuǎn)磁場所致磁通密度很高的30°至65°角度范圍內(nèi)出現(xiàn)磁飽和(見圖1)。
另外,在不改變磁芯形狀的情況下,可以通過提高組合偏轉(zhuǎn)磁場所致磁通密度較高的區(qū)域中的磁芯密度而防止出現(xiàn)磁飽和。換言之,由于磁芯不需要包含任何多余的、但在現(xiàn)有技術(shù)中為防止磁飽和而添加的部分,因此采用本發(fā)明還可以導(dǎo)致磁芯重量降低、使磁芯最小化并且降低制造成本。
圖11至14中簡要示出了一種能夠提高磁芯密度的模制方法。顯然,根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯也可以利用除了這個實(shí)例中所示的方法之外的方法模制。
在圖1和2所示的實(shí)施例中,磁芯設(shè)有分割槽13和15,它們沿著磁芯軸線O1的方向延伸,并大致位于水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度最低的短軸X上。因此,因存在分割槽13和15而對水平偏轉(zhuǎn)磁場這一高頻磁場所導(dǎo)致芯內(nèi)磁通的密度造成的負(fù)面影響可以最小化,從而降低磁芯損耗和磁芯處產(chǎn)生的熱量。
在采用了將分割槽13和15設(shè)在外周表面和內(nèi)周表面上的彼此面對著的位置上的結(jié)構(gòu)后,可以容易地分割開通過鐵氧體模制而形成的磁芯。另外,通過將分割槽13和15成型為V形,可以更容易地分割磁芯。
圖15是一種根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖,圖16是圖15所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖,圖17是沿著圖15中的線17-17所作的端面放大剖視圖,圖18是沿著圖15中的線18-18所作的端面放大剖視圖。錐部1在開口端的外形為一個帶圓角的四邊形,即帶弧形邊的大致四邊形,其具有在短軸X方向上彼此面對著的兩條邊,這兩條邊長于在長軸Y方向上彼此面對著的兩條邊。
在本實(shí)施例中,同樣是在從短軸X處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線O1測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過磁芯軸線O1的平面上的磁芯截面積最大。短軸X穿過磁芯軸線O1的位置對應(yīng)于水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度最低的直徑位置。
圖中所示的偏轉(zhuǎn)軛磁芯包括多個沿著頸部3至錐部1的內(nèi)表面以徑向模式設(shè)置的凸出部分21和23,在多個凸出部分21之間和多個凸出部分23之間分別形成了多個槽251和252,如圖17和18中的端面放大圖所示。凸出部分21設(shè)在錐部1的內(nèi)表面上。凸出部分23設(shè)在頸部3的內(nèi)表面上并通過一個隔離部分27而與凸出部分21相隔。
圖19中示出了利用圖15至18中的偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)造的偏轉(zhuǎn)軛的俯視圖。如圖19所示,偏轉(zhuǎn)線圈19中的垂直偏轉(zhuǎn)線圈通過隔離部分27安置在被隔離的凸出部分21和13之間,如圖19所示(也見圖15至18)。盡管未示出,但偏轉(zhuǎn)軛中還設(shè)有水平偏轉(zhuǎn)線圈。
由于槽251和252設(shè)在凸出部分21和21之間和凸出部分23和23之間,因此偏轉(zhuǎn)線圈19可以纏繞在形成于凸出部分21和21之間和凸出部分23和23之間的槽251和252中,以確保偏轉(zhuǎn)線圈19不會錯位。
另外,由于在本實(shí)施例中錐部1的外形為大致矩形,因此偏轉(zhuǎn)靈敏度可以有效地提高,與此同時,通過將線圈設(shè)置在形成于凸出部分21和21之間和凸出部分23和23之間的槽251和252中,可以以高效率會聚磁通,從而進(jìn)一步提高偏轉(zhuǎn)靈敏度。
此外,由于頸部3處的凸出部分23與錐部1的凸出部分21通過隔離部分27彼此相隔,因此可以以徑向模式和非徑向模式調(diào)節(jié)偏轉(zhuǎn)線圈19的分布,從而便于在偏轉(zhuǎn)軛組裝后校正失真和失聚。
在本實(shí)施例中,錐部1的凸出部分21的數(shù)量等于或大于頸部3處的凸出部分23的數(shù)量。通過這種結(jié)構(gòu),一部分設(shè)置在多個形成于頸部3的凸出部分23和23之間的槽252中的垂直偏轉(zhuǎn)線圈可以在隔離部分27處分支出來,以將分支部分設(shè)置在形成預(yù)錐部1中的多個槽251中。因此,垂直偏轉(zhuǎn)線圈在錐部中的定位方案可以與頸部中的定位方案不同,從而為定位方案提供高級別的自由度。這一點(diǎn)在偏轉(zhuǎn)軛設(shè)計(jì)時是極為理想的。
在本實(shí)施例中,同樣是在從短軸X處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線O1測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過磁芯軸線O1的平面上的截面積中的磁芯密度最大。短軸X穿過磁芯軸線O1的位置對應(yīng)于水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度最低的直徑位置。
下面參照圖1和2作進(jìn)一步解釋。在圖1和2所示的實(shí)施例中,分割槽13和15沿著磁芯軸線O1的方向大致設(shè)在水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度最低的短軸X上。短軸X對應(yīng)于水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度最低的直徑,而長軸Y對應(yīng)于水平偏轉(zhuǎn)磁場所致磁通密度最高的直徑。
在現(xiàn)有技術(shù)中,分割槽設(shè)在主軸Y上,這意味著根據(jù)本發(fā)明的分割槽13和15的位置從現(xiàn)有技術(shù)中所采用的位置偏移了大約90°。在圖1和2中,兩個凹槽9和11沿著短軸X的方向設(shè)在外周表面上,而分割槽13和15設(shè)在凹槽9和11之間,位于短軸X上的分割槽13和15分別是V形的。
由上面描述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)造的偏轉(zhuǎn)軛可以這樣組裝,即沿著分割槽13和15分割偏轉(zhuǎn)軛磁芯,裝入一個垂直偏轉(zhuǎn)線圈和一個水平偏轉(zhuǎn)線圈,再將分割的磁芯件重新裝配起來。水平偏轉(zhuǎn)線圈的設(shè)置可以確保芯內(nèi)磁通密度在形成了分割槽13和15的短軸X處最低。垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生垂直偏轉(zhuǎn)磁場,該磁場與水平偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的水平偏轉(zhuǎn)磁場以直角相交。兩個磁芯件通過鉤掛在凹槽9和11之間的區(qū)域中的夾子(未示出)而相連。
由于分割槽13和15大致設(shè)在水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度最低的短軸X上,因此,因存在分割槽13和15而對水平偏轉(zhuǎn)磁場這一高頻磁場所導(dǎo)致芯內(nèi)磁通的密度造成的負(fù)面影響可以最小化,從而降低磁芯損耗和磁芯處產(chǎn)生的熱量。
分割槽13和15設(shè)在外周表面和內(nèi)周表面上的彼此面對著的位置上。通過采用這種結(jié)構(gòu),可以容易地分割開通過磁性粉末模制例如鐵氧體模制而形成的磁芯。另外,通過將分割槽13和15成型為V形,可以更容易地分割磁芯。
圖20是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖,圖21是圖20所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正視圖,圖22是沿著圖20中的短軸X所作的剖視圖,圖23是圖20的側(cè)向放大剖視圖。在這些圖中,以相同的參考號碼表示那些與圖1和2中相同的部件。在本實(shí)施例中,頸部3被成型為橢圓形并具有沿長軸Y的長直徑和沿短軸X的短直徑,這兩個直徑分別與錐部1處的沿長軸Y的長直徑和沿短軸X的短直徑對齊。這種偏轉(zhuǎn)軛磁芯適于用在具有以一字排列式結(jié)構(gòu)與三原色相對應(yīng)的三個電子槍的彩電圖像接收器中。頸部3中的孔2可以是圓形的。
錐部1在其開口端呈現(xiàn)為一個帶圓角的四邊形,即帶弧形邊的大致四邊形,其具有在短軸X方向上彼此面對著的兩條邊,這兩條邊長于在長軸Y方向上彼此面對著的兩條邊,這與圖1和2所示的實(shí)施例一樣。或者,外形也可以是橢圓形或類似形狀。形成在錐部1中的孔2的形狀也可以改變,以符合錐部1處采用的外形。
頸部3的外形和形成在頸部3處的孔2的形狀可以是圓形,或者也可以采用與錐部1相同的形狀。短軸X和長軸Y穿過軸線O1并且彼此以直角相交。
在毗鄰短軸X的磁芯表面上,設(shè)有沿著磁芯軸線O1的方向延伸的分割槽12至15。在本實(shí)施例中,分割槽12至15直線延伸并且敞開于頸部3的開口端邊緣上。另外,分割槽12至15設(shè)在外周表面和內(nèi)周表面上的彼此面對著的位置上。分割槽12至15分別被成型為V形。它們的深度d1和寬度W1(見圖23)可以均被設(shè)置為例如大約1mm。
設(shè)在外周表面上的分割槽12和設(shè)在內(nèi)周表面上的分割槽13被成型得通過一個設(shè)在頸部3的開口端面上的連接槽而彼此連接著。設(shè)在外周表面上的分割槽15和設(shè)在內(nèi)周表面上的分割槽14也被成型得通過一個設(shè)在頸部3的開口端面上的連接槽而彼此連接著。然而,也可以與圖中的分割槽不同,即分割槽12和分割槽13不是必須彼此相連。同樣,分割槽14和分割槽15也不是必須彼此相連。
在本實(shí)施例中,凹槽9和11設(shè)在每個分割槽12至15的兩側(cè),從而沿著分割槽12至15形成在外周表面上。
如前面所解釋,在利用由偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)軛產(chǎn)生垂直偏轉(zhuǎn)磁場和水平偏轉(zhuǎn)磁場時,水平偏轉(zhuǎn)磁場所致磁通密度B11在與0°基準(zhǔn)角相對應(yīng)的短軸X附近呈現(xiàn)出最低值。
在本發(fā)明的實(shí)施例中,沿磁芯軸線O1的方向延伸的分割槽12至15大致設(shè)在水平偏轉(zhuǎn)磁場所致磁通密度最低的短軸X上。其結(jié)果是,因存在分割槽12至15而對水平偏轉(zhuǎn)磁場所導(dǎo)致芯內(nèi)磁通的密度造成的負(fù)面影響可以最小化,從而降低磁芯損耗和磁芯處產(chǎn)生的熱量。
由于在本實(shí)施例中分割槽12至15直線延伸并且敞開于頸部3的開口端邊緣上,因此由諸如鐵氧體粉末或磁性金屬粉末等磁性粉末模制成型出的磁芯可以光滑地脫模。
另外,由于分割槽12至15設(shè)在外周表面和內(nèi)周表面上的彼此面對著的位置上,因此由磁性粉末模制成型出的磁芯可以容易地分割開。此外,由于設(shè)在外周表面上的分割槽12(15)和設(shè)在內(nèi)周表面上的分割槽13(14)被制作得通過一個形成在頸部3的開口端面上的連接槽而彼此相連,因此磁芯可以更容易地分割開。通過將分割槽12至15成型為V形,可以進(jìn)一步方便磁芯的分割。
圖24是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖,圖25是圖24所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正視圖。在本實(shí)施例中,錐部1和頸部3均被成型為橢圓形的形狀。通過將分割槽12至15大致設(shè)在水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度最低的短軸X上,可以實(shí)現(xiàn)磁芯損耗和磁芯處產(chǎn)生的熱量的降低。
圖26是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖,圖27是圖26所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖。由于圖26和27中的偏轉(zhuǎn)軛磁芯所采用的基本結(jié)構(gòu)與圖15至18所示的相同,因此重復(fù)解釋被略去。另外,由于圖26和27中的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的優(yōu)點(diǎn)與圖15至18所示的相同,因此重復(fù)解釋被略去。
圖26和27中的應(yīng)當(dāng)指出的特點(diǎn)是,分割槽12至15形成在短軸X上或附近。通過采用這種結(jié)構(gòu),因存在分割槽12至15而對水平偏轉(zhuǎn)磁場所導(dǎo)致芯內(nèi)磁通的密度造成的負(fù)面影響可以最小化,從而降低磁芯損耗和磁芯處產(chǎn)生的熱量。
如前所述,由于前面參照圖15至18作過解釋,不需要再對圖26和27所示的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行重復(fù)解釋。另外,在利用由圖20至27所示的任何一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯和偏轉(zhuǎn)線圈構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)軛產(chǎn)生垂直偏轉(zhuǎn)磁場和水平偏轉(zhuǎn)磁場時,通過確保在從短軸X處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線O1測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過磁芯軸線O1的平面上的磁芯截面積最大,可以防止磁飽和,如前面所解釋。
圖28是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖,圖29是圖28所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖,圖30是圖28所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖。另外,圖31是沿著圖28中的線31-31所作的剖視圖,圖32是沿著圖28中的線32-32所作的放大剖視圖。由于在圖28和29所示的偏轉(zhuǎn)軛磁芯中,頸部3和錐部1處的開口端被成型為與圖1和2中的實(shí)施例相同的形狀,因此以相同的參考號碼表示那些與圖1和2中相同的部件,并且不需要再對它們重復(fù)解釋。
圖中的偏轉(zhuǎn)軛磁芯在外周表面6上毗鄰短軸X設(shè)有至少一個第一凹入部分81至84。第一凹入部分的數(shù)量可以是任意的。第一凹入部分81至84毗鄰短軸X設(shè)在外周表面6上。具體地講,第一凹入部分81至84在短軸X的兩端設(shè)在外周表面6上。更具體地講,第一凹入部分81至84中的第一凹入部分81和82在短軸X的一端設(shè)在外周表面6上,而第一凹入部分83和84在短軸X的另一端設(shè)在外周表面6上。
另外,在本實(shí)施例中,第一凹入部分81和82在短軸X的一端彼此相隔著一段距離形成在外周表面6上。同樣,第一凹入部分83和84在短軸X的另一端彼此相隔著一段距離形成在外周表面6上。
圖中的第一凹入部分81至84形成為沿著磁芯軸線O1的方向延伸的直線槽。這些槽敞開在構(gòu)成了頸部3的外邊緣的開口端邊緣72上。第一凹入部分81至84分別由一個槽構(gòu)成,該槽可以具有例如2mm的寬度d2和4mm的寬度W2(見圖32)。
圖中的偏轉(zhuǎn)軛磁芯在外周表面6上毗鄰長軸Y設(shè)有至少一個第二凹入部分91或92。第二凹入部分的數(shù)量可以是任意的。第二凹入部分毗鄰長軸Y設(shè)在外周表面6上。在本實(shí)施例中,第二凹入部分91和92在長軸Y的兩端設(shè)在外周表面6上。
具體地講,第二凹入部分91和92中的第二凹入部分91在長軸Y的一端設(shè)在外周表面6上,而第二凹入部分92在長軸Y的另一端設(shè)在外周表面6上。圖中的第二凹入部分91和92形成為沿著磁芯軸線O1的方向延伸的直線槽。這些槽敞開在構(gòu)成了頸部3的外邊緣的開口端邊緣72上。
根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯包括形成在外周表面6上的第一凹入部分81至84。因此,在利用磁性粉末如鐵氧體粉末通過壓縮而模制成型偏轉(zhuǎn)軛磁芯時,帶有與第一凹入部分81至84相對應(yīng)的凸出部分的成型模具可以在模制成型過程中利用凸出部分壓縮磁性粉末,以使位于與凸出部分相對應(yīng)的第一凹入部分81至84周圍的磁芯密度增大。
另外,由于第一凹入部分81至84毗鄰短軸X設(shè)在外周表面6上,因此毗鄰短軸X的磁芯密度最終會增大。其結(jié)果是,毗鄰短軸X的磁芯強(qiáng)度會升高,從而防止磁芯出現(xiàn)碎裂。
此外,由于毗鄰短軸X的磁芯密度會增大,如前所述,因此可以獲得更均勻的磁芯密度分布。因此,根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯在燒制過程中可以均勻收縮,并且不容易變形。
本實(shí)施例中的偏轉(zhuǎn)軛磁芯包括毗鄰長軸Y形成在外周表面6上的第二凹入部分91和92。其結(jié)果是,第二凹入部分91和92附近的磁芯密度也象第一凹入部分81至84附近那樣會增大,從而提高了毗鄰長軸Y的磁芯密度。因此,在本實(shí)施例中可以獲得更均勻的磁芯密度分布,從而進(jìn)一步減小在燒制過程中出現(xiàn)變形的可能性。
圖33中示出了一個現(xiàn)有技術(shù)實(shí)例中的偏轉(zhuǎn)軛磁芯所展現(xiàn)的磁芯密度特性曲線。在這個偏轉(zhuǎn)軛磁芯中,頸部的外形是圓形的。在圖33中,橫軸表示角度(°),縱軸表示芯磁芯密度。橫軸上的角度(°)表示從短軸處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線所取的角度值。曲線U10表示這個現(xiàn)有技術(shù)實(shí)例中的磁芯密度特性曲線。
如圖中所示,在這種具有沿短軸X的短直徑和沿長軸Y的長直徑的現(xiàn)有技術(shù)偏轉(zhuǎn)軛磁芯中,會因成型模具的結(jié)構(gòu)而導(dǎo)致毗鄰短軸X的磁芯密度較低。具體地講,毗鄰短軸X的磁芯密度顯著低于毗鄰對角線P的磁芯密度。另外,毗鄰長軸Y的磁芯密度也略低于毗鄰對角線P的磁芯密度。
圖34中示出了圖28至32所示的偏轉(zhuǎn)軛磁芯所獲得的磁芯密度特性曲線圖,其中橫軸表示角度(°),縱軸表示芯磁芯密度。曲線U11表示本實(shí)施例所獲得的磁芯密度特性曲線,而虛線曲線U10表示圖33所示的現(xiàn)有技術(shù)特性曲線。
如圖34所示,在本實(shí)施例的偏轉(zhuǎn)軛磁芯中,毗鄰短軸X的磁芯密度明顯更高。其結(jié)果是,可以獲得更均勻的磁芯密度。另外,毗鄰長軸Y的磁芯密度也略微更高。這將導(dǎo)致更均勻的磁芯密度。
根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯通常是利用磁性粉末通過圖35至38所示的模制成型過程成型的。
圖35是沿著圖28中的短軸X所作的剖視圖。在本圖中,下模29、39、41和43組合起來而形成一個模腔35。一個伸向模腔35中的凸出部分40形成在下模39中。凸出部分40沿著磁芯軸線O1的方向直線延伸。
圖36中示出了一個在圖35所示步驟之后執(zhí)行的模制步驟,并且是沿著圖28中的短軸X所作的剖視圖。如圖36所示,磁性粉末33被充入模腔35中。磁性粉末可以是,例如鐵氧體粉末。磁性粉末33中的位于單點(diǎn)劃線下方的區(qū)域表示最終獲得的模制區(qū)域,位于單點(diǎn)劃線上方的區(qū)域表示將在模制過程中被壓縮的壓縮區(qū)域S7。
圖37中示出了一個在圖36所示步驟之后執(zhí)行的模制步驟,并且是沿著圖28中的短軸X所作的剖視圖。圖38是沿著圖28中的線32-32所作的放大剖視圖。
如圖37所示,一個上模31沿著箭頭F1所示方向向下移動,以與下模29、39、41和43互鎖,因此而將磁性粉末33壓縮。此時,壓縮力f1從下模39的凸出部分40施加到磁性粉末33上,如圖38所示,從而導(dǎo)致凸出部分40周圍的磁性粉末被壓縮。因此,第一凹入部分81至84附近的磁芯密度會增大。此外,由于第一凹入部分81至84設(shè)在短軸X附近,因此根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯中的毗鄰短軸X的磁芯密度會增大。
在本實(shí)施例中,第一凹入部分81至84分別被制作成沿著磁芯軸線O1的方向延伸的直線槽。通過采用這種模式,在模制成型后,由磁性粉末或類似物模制成型出的偏轉(zhuǎn)軛磁芯可以沿著磁芯軸線O1(管軸線)的方向容易地脫模。
圖35至38所示的模制成型過程只展示了一個實(shí)例,顯然,根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯也可以通過除此之外的其他方法模制成型。
圖39是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖,圖40是圖39所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖。在本實(shí)施例中,兩個第一凹入部分81和83毗鄰短軸X設(shè)在外周表面6上。
具體地講,第一凹入部分81和83在短軸X的兩端設(shè)在外周表面6上。更具體地講,第一凹入部分81在短軸X的一端設(shè)在外周表面6上,而第一凹入部分83在短軸X的另一端設(shè)在外周表面6上。在本實(shí)施例中,毗鄰短軸X的磁芯密度同樣會增大。
第一凹入部分81和83的底表面被成型為曲面形狀,以與孔2的形狀相符。因此,第一凹入部分81和83的底表面與孔2之間的磁芯厚度保持恒定。對于第二凹入部分91和92的底表面,也可采用相同的結(jié)構(gòu)。
或者,第一凹入部分81和83的底表面也可以分別局部構(gòu)造為平行于磁芯軸線O1的平坦表面。在這種情況下,平行于磁芯軸線O1的平坦表面可以被用作基準(zhǔn)面,以便于將偏轉(zhuǎn)軛磁芯的磁芯軸線O1與陰極射線管的射線管軸線對齊。這樣,可以容易地將偏轉(zhuǎn)軛磁芯相對于陰極射線管精確定位。相同的原理也可以應(yīng)用在第二凹入部分91和92的底表面上。
圖41是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖,圖42是圖41所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖,圖43是圖41和42所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖。在本實(shí)施例中,頸部3的開口端處的外形具有沿短軸X的短直徑Dx2和沿長軸Y的長直徑Dy2。短軸X和長軸Y穿過軸線O1并且彼此以直角相交。沿短軸X的短直徑Dx2與沿長軸Y的長直徑Dy2之間的關(guān)系表示為Dy2>Dx2。具體地講,頸部3在其開口端的外形為一個橢圓形?;蛘?,該外形也可以是大致矩形或橢圓形。
形成在錐部1和頸部3中的孔2的形狀與外形相符。更具體地講,孔2被加寬,以使頸部3處的橢圓型形狀變成錐部1處的四邊形形狀。
第一凹入部分81至84毗鄰短軸X設(shè)置,第二凹入部分91和92毗鄰長軸Y設(shè)置。第一凹入部分81至84和第二凹入部分91和92的定位采用了與圖28和29中相同的方案。在圖41至43所示的實(shí)施例中,毗鄰短軸X的磁芯密度同樣會增大。其結(jié)果是,可以獲得更均勻的磁芯密度。另外,毗鄰長軸Y的磁芯密度也略微更高,從而導(dǎo)致更均勻的磁芯密度。
圖44是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖,圖45是圖44所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖,圖46是圖44和45所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖。圖中的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的基本結(jié)構(gòu)與圖15至18所示的偏轉(zhuǎn)軛磁芯基本相同。因此對基本結(jié)構(gòu)和所產(chǎn)生優(yōu)點(diǎn)的重復(fù)解釋被略去。
在本實(shí)施例中,同樣是將第一凹入部分81至84毗鄰短軸X設(shè)在外周表面6上。其結(jié)果是,可以防止磁芯碎裂,而且在燒制過程中更不易出現(xiàn)變形,這與參照圖28至32所解釋的實(shí)施例相同。
在本實(shí)施例中,同樣是將第一凹入部分81至84在短軸X的兩端設(shè)在外周表面6上。具體地講,第一凹入部分81至84中的第一凹入部分81和82在短軸X的一端設(shè)在外周表面6上,而第一凹入部分83和84在短軸X的另一端設(shè)在外周表面6上。
另外,第一凹入部分81和82在短軸X的一端彼此相隔著一段距離形成在外周表面6上。同樣,第一凹入部分83和84在短軸X的另一端彼此相隔著一段距離形成在外周表面6上。第一凹入部分81至84形成為沿著磁芯軸線O1的方向延伸的直線槽。
另外,在本實(shí)施例中,同樣是將第二凹入部分91和92毗鄰長軸Y設(shè)在外周表面6上。第二凹入部分91和92在長軸Y的兩端設(shè)在外周表面6上。具體地講,第二凹入部分91在長軸Y的一端設(shè)在外周表面6上,而第二凹入部分92在長軸Y的另一端設(shè)在外周表面6上。第二凹入部分91和92形成為沿著磁芯軸線O1的方向延伸的直線槽。
另外,在利用由圖28至46所示任何一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯和偏轉(zhuǎn)線圈構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)軛產(chǎn)生垂直偏轉(zhuǎn)磁場和水平偏轉(zhuǎn)磁場時,通過確保在從短軸X處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線O1測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過磁芯軸線O1的平面上的磁芯截面積最大,可以防止磁飽和,如前面所解釋。
圖47是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖,圖48是圖47所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖,圖49是圖47所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖。圖50是沿著圖47中的短軸X所作的剖視圖,圖51是沿著圖47中的線51-51所作的剖視圖。在這些圖中,以相同的參考號碼表示那些與圖1和2中相同的部件,因而不必再對它們進(jìn)行重復(fù)解釋。
在這些圖中,沿磁芯軸線O1的方向延伸的分割槽12至15大致在短軸X上設(shè)在磁芯表面上。這些磁芯表面包括一個外周表面6和一個內(nèi)周表面8。短軸X的位置對應(yīng)于水平偏轉(zhuǎn)磁場所致芯內(nèi)磁通密度最低的位置,而長軸Y的位置對應(yīng)于水平偏轉(zhuǎn)磁場所致磁通密度最高的位置。根據(jù)本發(fā)明,夾持槽81至84在短軸X的兩側(cè)設(shè)在外周表面6上。
具體地講,在本實(shí)施例中,夾持槽81至84在短軸X的一端和另一端設(shè)在外周表面6上。更具體地講,夾持槽81和82在短軸X的兩側(cè)并在短軸X的一端設(shè)在外周表面6上,而夾持槽83和84在短軸X的兩側(cè)并在短軸X的另一端設(shè)在外周表面6上。圖中的夾持槽81至84分別形成為沿著磁芯軸線O1的方向延伸的直線槽。夾持槽81至84被制作得敞開在構(gòu)成頸部3的外邊緣的開口端邊緣上。夾持槽81至84可以具有例如2mm的寬度d2和4mm的寬度W2。
可以這樣利用上面描述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯制作偏轉(zhuǎn)軛,即首先沿著分割槽12至15分割偏轉(zhuǎn)軛磁芯,如圖52所示,以將偏轉(zhuǎn)軛磁芯分割為磁芯件51和52。
之后,在將磁芯件51和52裝配到一起之前,將一個隔離器、一個垂直偏轉(zhuǎn)線圈和一個水平偏轉(zhuǎn)線圈裝到磁芯件51和52上。水平偏轉(zhuǎn)線圈的設(shè)置可以確保芯內(nèi)磁通密度在設(shè)有分割槽12至15的短軸X處最低。垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生垂直偏轉(zhuǎn)磁場,該磁場與水平偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的水平偏轉(zhuǎn)磁場以直角相交。水平偏轉(zhuǎn)線圈和垂直偏轉(zhuǎn)線圈可以分別構(gòu)造為鞍形線圈。
通過將一個夾子97鉤掛在夾持槽81和82之間的區(qū)域中,并將另一個架子98鉤掛在夾持槽83和84之間的區(qū)域中,可以將磁芯件51和52裝配到一起,如圖53所示。應(yīng)當(dāng)指出,在圖53中略去了隔離器、垂直偏轉(zhuǎn)線圈和水平偏轉(zhuǎn)線圈。
如前面所解釋,在利用偏轉(zhuǎn)軛磁芯在偏轉(zhuǎn)軛中產(chǎn)生垂直偏轉(zhuǎn)磁場和水平偏轉(zhuǎn)磁場時,水平偏轉(zhuǎn)磁場所致磁通密度在與0°基準(zhǔn)角相對應(yīng)的短軸X附近呈現(xiàn)出最低值。
根據(jù)本發(fā)明,分割槽12至15被設(shè)置得沿著磁芯軸線O1的方向延伸,并大致位于水平偏轉(zhuǎn)磁場所致磁通密度最低的短軸X上。因此,因存在分割槽12至15而對水平偏轉(zhuǎn)磁場所導(dǎo)致芯內(nèi)磁通的密度造成的負(fù)面影響可以最小化,從而降低磁芯損耗和磁芯處產(chǎn)生的熱量。
由于在本實(shí)施例中分割槽12至15直線延伸并且敞開于頸部3的開口端邊緣,因此由諸如鐵氧體粉末或磁性金屬粉末等磁性粉末模制成型出的磁芯可以光滑地脫模。
另外,由于分割槽12至15設(shè)在外周表面和內(nèi)周表面上的彼此面對著的位置上,因此由磁性粉末模制成型出的磁芯可以容易地分割開。此外,由于設(shè)在外周表面上的分割槽12(15)和設(shè)在內(nèi)周表面上的分割槽13(14)被制作得通過一個形成在頸部3的開口端面上的連接槽而彼此相連,因此磁芯可以更容易地分割開。通過將分割槽12至15成型為V形,可以進(jìn)一步方便磁芯分割。
在錐部開口端的外形具有沿短軸X的短直徑和沿長軸Y的長直徑的偏轉(zhuǎn)軛磁芯中,通常會因成型模具的結(jié)構(gòu)而導(dǎo)致毗鄰短軸X的磁芯密度較低。根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯包括形成在外周表面6上的夾持槽81至84。因此,在利用磁性粉末如鐵氧體粉末通過壓縮而模制成型偏轉(zhuǎn)軛磁芯時,帶有與夾持槽81至84相對應(yīng)的凸出部分的成型模具可以在模制成型過程中利用凸出部分壓縮磁性粉末,以使位于與凸出部分相對應(yīng)的夾持槽81至84周圍的磁芯密度增大。
另外,由于夾持槽81至84在短軸X的兩側(cè)設(shè)在外周表面6上,因此毗鄰短軸X的磁芯密度最終會增大。其結(jié)果是,毗鄰短軸X的磁芯強(qiáng)度會升高,從而防止磁芯出現(xiàn)碎裂。
此外,由于毗鄰短軸X的磁芯密度會增大,如前所述,因此可以獲得更均勻的磁芯密度分布。因此,根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯在燒制過程中可以均勻收縮,并且不容易變形。
另外,設(shè)在短軸X兩側(cè)的夾持槽81至84周圍的磁芯密度會增大。因此,在根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯中,毗鄰短軸X的磁芯密度最終會增大。
在本實(shí)施例中,夾持槽81至84分別被制作為沿著磁芯軸線O1的方向延伸的直線槽。通過采用這種模式,在模制成型后,由磁性粉末或類似物模制成型出的偏轉(zhuǎn)軛磁芯可以沿著磁芯軸線O1(管軸線)的方向容易地脫模。
圖54是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖,圖55是圖54所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖,圖56是沿著圖54中的線56-56所作的剖視圖。在這些圖中,以相同的參考號碼表示那些與圖47至49中相同的部件,因而不必再對它們進(jìn)行重復(fù)解釋。
在圖54至56所示的實(shí)施例中,頸部3沿磁芯軸線O1的長度大于錐部1沿磁芯軸線O1的長度。沿磁芯軸線O1的方向延伸的分割槽12至15毗鄰短軸X設(shè)在磁芯表面上,而夾持槽81至84在短軸X的兩側(cè)設(shè)在外周表面6上。夾持槽81至84未在錐部1處設(shè)在外周表面6上,而只在頸部3處設(shè)在外周表面6上。
圖57是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖,圖58是圖57所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖,圖59是沿著圖57中的線59-59所作的剖視圖。在這些圖中,以相同的參考號碼表示那些與圖54至56中相同的部件,因而不必再對它們進(jìn)行重復(fù)解釋。在本實(shí)施例中,頸部3沿磁芯軸線O1的長度小于錐部1沿磁芯軸線O1的長度。
在圖57至59所示的實(shí)施例中,同樣是將沿磁芯軸線O1的方向延伸的分割槽12至15毗鄰短軸X設(shè)在磁芯表面上,而夾持槽81至84在短軸X的兩側(cè)設(shè)在外周表面6上。夾持槽81至84未在頸部3處設(shè)在外周表面6上,而只在錐部1處設(shè)在外周表面6上。
圖60是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖,圖61是圖60所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖,圖62是圖60所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖。在這些圖中,以相同的參考號碼表示那些與圖41至43中相同的部件,因而不必再對它們進(jìn)行重復(fù)解釋。在圖60至62所示的實(shí)施例中,同樣是將沿磁芯軸線O1的方向延伸的分割槽12至15毗鄰短軸X設(shè)在磁芯表面上,而夾持槽81至84在短軸X的兩側(cè)設(shè)在外周表面6上。
在圖54至62所示并在前面解釋的所有實(shí)施例中,分割槽12至15均毗鄰短軸X設(shè)在磁芯表面上。換言之,由于它們設(shè)置在這樣的位置上,即因它們的存在而對水平偏轉(zhuǎn)磁場所導(dǎo)致芯內(nèi)磁通的密度造成的負(fù)面影響可以最小化,因此可以降低磁芯損耗和磁芯處產(chǎn)生的熱量。
另外,在所有這些實(shí)施例中,夾持槽81至84在短軸X的兩側(cè)設(shè)在外周表面6上。因此,可以防止磁芯碎裂,而且在燒制過程中更不易出現(xiàn)變形。
圖63是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖,圖64是圖63所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖,圖65是圖63所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖。由于圖63至65所示的偏轉(zhuǎn)軛磁芯所采用的基本結(jié)構(gòu)和所產(chǎn)生的優(yōu)點(diǎn)與前面參照圖15至18所解釋的基本相同,因此不再重復(fù)解釋。
在圖63至65所示的實(shí)施例中,同樣是將分割槽12至15毗鄰短軸X設(shè)在磁芯表面上。換言之,由于它們設(shè)置在這樣的位置上,即因它們的存在而對水平偏轉(zhuǎn)磁場所導(dǎo)致芯內(nèi)磁通的密度造成的負(fù)面影響可以最小化,因此可以降低磁芯損耗和磁芯處產(chǎn)生的熱量。
另外,夾持槽81至84在短軸X的兩側(cè)設(shè)在外周表面6上。因此,可以防止磁芯碎裂,而且在燒制過程中更不易出現(xiàn)變形,這與圖47至62所示的實(shí)施例一樣。
此外,在利用由圖47至65所示任何一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯和偏轉(zhuǎn)線圈構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)軛產(chǎn)生垂直偏轉(zhuǎn)磁場和水平偏轉(zhuǎn)磁場時,通過確保在從短軸X處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線O1測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過磁芯軸線O1的平面上的磁芯截面積最大,可以防止磁飽和,如前面所解釋。
圖66是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖,圖67是圖66所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正視圖,圖68是圖66所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正向剖視圖。
圖66至68所示的實(shí)施例具有一個從頸部3的開口端延伸到錐部1的開口端的孔2。錐部1處的孔2向著錐部1的開口端加寬。在從錐部1的開口端處看時,孔2在整個外周上呈現(xiàn)為曲面形狀???在錐部1處具有這樣的形狀,即具有沿短軸X的短直徑Dx1和沿長軸Y的長直徑Dy1。短直徑Dx1與長直徑Dy1之間的關(guān)系表示為Dy1>Dx1???在頸部3處具有這樣的形狀,即具有沿短軸X的短直徑Dx2和沿長軸Y的長直徑Dy2。短直徑Dx2與長直徑Dy2之間的關(guān)系表示為Dy2>Dx2。
具體地講,孔2在錐部1的開口端處為四邊形形狀,其具有在短軸X方向上彼此面對著的兩條弧形邊,這兩條邊長于在長軸Y方向上彼此面對著的兩條弧形邊。孔2在頸部3的開口端處呈現(xiàn)為這樣的形狀,即在長軸Y方向上彼此面對著的兩條弧形邊與在短軸X方向上彼此面對著的兩條弧形邊相連。頸部3可以采用橢圓形或類似形狀。短軸X和長軸Y穿過軸線O1并且彼此以直角相交。
孔2在頸部3中在一個適宜的軸向長度內(nèi)沿著磁芯軸線O1的方向延伸并保持大致恒定的形狀,直至頸部的內(nèi)表面4連接到錐部1處。錐部1的內(nèi)表面連續(xù)延伸到頸部3的內(nèi)表面4并且向著錐部1的開口端加寬。
圖69中示意性示出了由圖66至68所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)造的偏轉(zhuǎn)軛8安裝在陰極射線管10中時的狀態(tài)。陰極射線管10包括一個顯示板12、一個錐體14、一個管頸16和電子槍18。偏轉(zhuǎn)軛8安裝在錐體14與管頸16之間。
通過在根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯17上設(shè)置被一個隔離器(未示出)支承著的偏轉(zhuǎn)線圈19,偏轉(zhuǎn)軛8被構(gòu)造出來。偏轉(zhuǎn)軛線圈19包括一個水平偏轉(zhuǎn)線圈和一個垂直偏轉(zhuǎn)線圈。陰極射線管10是彩電圖像接收器陰極射線管,并包括三個一字排列的電子槍18。
圖70中示出了根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯與對應(yīng)于三原色的三個電子槍18之間的關(guān)系。為了簡化,圖中未示出偏轉(zhuǎn)線圈、隔離器等等。如前面所解釋,根據(jù)本發(fā)明的線圈17呈現(xiàn)為這樣的形狀,即在頸部3和錐部1處均具有沿長軸Y的長直徑和沿短軸X的短直徑,因此,可以理想地應(yīng)用在具有以一字排列式結(jié)構(gòu)與三原色相對應(yīng)的三個電子槍的彩電圖像接收器中。
此外,兩個凹槽9和11毗鄰短軸X設(shè)在外周表面上,一個分割槽13設(shè)在凹槽9和11之間。分割槽13在短軸X上形成為大致V形。如圖69和70所示,偏轉(zhuǎn)軛8是這樣組裝的,即首先沿著分割槽13分割偏轉(zhuǎn)軛磁芯17,再設(shè)置隔離器和偏轉(zhuǎn)線圈19。之后,兩個分開的磁芯件通過鉤掛在凹槽9和11之間的區(qū)域中的夾子(未示出)而相連。
在利用由裝有偏轉(zhuǎn)線圈19的偏轉(zhuǎn)軛磁芯17構(gòu)造出的偏轉(zhuǎn)軛8產(chǎn)生垂直偏轉(zhuǎn)磁場和水平偏轉(zhuǎn)磁場時,如圖69所示,由產(chǎn)生的組合偏轉(zhuǎn)磁場所導(dǎo)致的芯內(nèi)磁通密度在磁芯17中不是一致的,并在從短軸X處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線O1測量的30°至65°角度范圍內(nèi)最高。出于這個原因,磁芯17可能會在磁通密度高的區(qū)域中出現(xiàn)飽和。兩種可以用于有效地防止這種飽和的措施已經(jīng)在前面解釋過了。
圖71是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖,圖72是圖71中的偏轉(zhuǎn)軛磁芯沿著長軸Y所作的剖視圖,圖73是圖71中的偏轉(zhuǎn)軛磁芯沿著短軸X所作的剖視圖。在本實(shí)施例中,錐部1處的開口端面和頸部3處的開口端面均被成型為橢圓形。本實(shí)施例也同樣理想地應(yīng)用在具有以一字排列式結(jié)構(gòu)與三原色相對應(yīng)的三個電子槍的彩電圖像接收器中。雖然詳細(xì)解釋被略去,但可以采用與前面解釋過的用于磁芯截面積和磁芯密度方面的相同原理防止出現(xiàn)磁飽和。
圖74是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖,圖75是圖74所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖,圖76是沿著圖74中的線76-76所作的放大剖視圖,圖77是沿著圖74中的線77-77所作的放大剖視圖。由于圖74至77所示的偏轉(zhuǎn)軛磁芯所采用的基本結(jié)構(gòu)和所產(chǎn)生的優(yōu)點(diǎn)與前面參照圖15至18所解釋的基本相同,因此不再重復(fù)解釋。
設(shè)在偏轉(zhuǎn)軛磁芯17的磁芯內(nèi)表面22上的多個凸出部分21和多個凸出部分23分布在四個區(qū)域中,這四個區(qū)域通過設(shè)在彼此面對位置上的多個連續(xù)凸出部分24和設(shè)在彼此面對位置上的多個連續(xù)凸出部分26而彼此分開。換言之,兩個凸出部分24設(shè)在彼此面對著的位置上,兩個凸出部分26也設(shè)在彼此面對著的位置上。
每個凸出部分21上的一個表面211面對著磁芯軸線O1并且以角度θ1傾斜,從而沿著方向Z從頸部3向著錐部1從磁芯軸線O1后退。每個凸出部分23上的一個表面231面對著磁芯軸線O1并且以角度θ2傾斜,從而沿著方向Z從頸部3向著錐部1從磁芯軸線O1后退。另外,磁芯內(nèi)表面22以角度θ3傾斜,以從磁芯軸線O1后退。盡管未作專門解釋,但相同的結(jié)構(gòu)也可以應(yīng)用在另一側(cè)磁芯表面上。
凸出部分21和23沿著磁芯內(nèi)表面22以徑向模式設(shè)置,其中表面211和213面對著磁芯軸線O1并且以角度θ1和θ2傾斜,從而沿著方向Z從頸部3向著錐部1從磁芯軸線O1后退。因此,由磁性粉末模制成型出的偏轉(zhuǎn)軛磁芯可以沿著磁芯軸線O1的方向以高級別的可靠性容易地脫模。接下來將參照圖78至80解釋這一點(diǎn)。圖78至80所示的方法可以用在由磁性粉末模制成型偏轉(zhuǎn)軛磁芯的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用場合中。
首先,如圖78所示,磁性粉末33被充入一個由下模29、39、41和43組合而形成的模腔35中。在上模31上沿著方向Z1設(shè)有角度為θ1、θ2和θ3的斜度,上模31即沿著該方向Z1平行于磁芯軸線O1移動。角度θ1、θ2和θ3基本上分別與錐部1的凸出部分21上的傾斜角度θ1、頸部3的凸出部分23上的傾斜角度θ2和磁芯內(nèi)表面22上的傾斜角度θ3(見圖76和77)相匹配。
接下來,上模31沿著箭頭Z1所示的方向向下移動,以使上模31與下模29、39、41和43互鎖,從而將磁性粉末33壓縮。這樣,如圖79所示,可以模制成型出一個偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其具有帶傾斜角度θ1的凸出部分21、帶傾斜角度θ2的凸出部分23和帶傾斜角度θ3的磁芯內(nèi)表面22。
之后,如圖80所示,上模31沿著箭頭Z2所示的方向平行于磁芯軸線O1移動,以將磁芯脫模。由于多個凸出部分21和23在模制磁芯中沿著磁芯內(nèi)表面22以徑向模式設(shè)置,而且它們的表面211和213面對著磁芯軸線O1并且以角度θ1和θ2傾斜,從而沿著平行于磁芯軸線O1的磁芯脫模方向Z2從磁芯軸線O1后退,因此磁芯能夠以高級別的可靠性容易地脫模。相同的原理也可以施加在磁芯內(nèi)表面22和其他表面上。
圖81是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖,圖82是圖81所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正視圖,圖83是圖81所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的剖視圖。由于圖81和82中的偏轉(zhuǎn)軛磁芯所采用的頸部3和錐部1開口端形狀與圖1和2所示實(shí)施例中的那些類似,因此以相同的參考號碼表示那些與圖1和2中相同的部件,并且不必再對它們進(jìn)行重復(fù)解釋。
在圖81和82中,頸部3處的孔2的內(nèi)表面構(gòu)成了一個磨削表面4。在圖83中以單點(diǎn)劃線表示的區(qū)域G1是被磨掉的磨削邊界。其結(jié)果是,由磨削表面4構(gòu)成的孔2的內(nèi)表面可以獲得可以獲得高級別的表面光潔度和高級別的尺寸精度。
圖84和85中示出了可以用于磨削孔2的內(nèi)表面的方法。如圖所示,頸部3處的孔2中的通過磨削而形成為圓形的內(nèi)表面可以容易地在磨削邊界G1處磨削,例如,利用一個磨削刀具6,例如砂輪,將磨削刀具6沿著箭頭Mz所示的方向旋轉(zhuǎn),并將磨削刀具6沿著箭頭Fz所示的方向移動。通過這個過程,孔2的內(nèi)表面變成具有高級別表面光潔度和高級別尺寸精度的磨削表面4。也可以旋轉(zhuǎn)磁芯,而非旋轉(zhuǎn)磨削刀具6。在這種情況下,磁芯既可以單向旋轉(zhuǎn)也可以雙向旋轉(zhuǎn)。
由于可以通過上面描述的磨削過程而提高頸部3處的孔2的尺寸精度,因此作為孔2的中心軸線的磁芯軸線O1可以以高精度設(shè)置。這反過來又使得相對于磁芯軸線O1而對錐部1的外表面進(jìn)行表面磨削成為可能,如圖86所示,從而使得通過磨削外表面而獲得的平坦表面區(qū)域101至104能夠在將磁芯相對于隔離器定位時用作基準(zhǔn)。因此,磁芯可以相對于隔離器以高精度定位,從而最終將磁芯以高精度相對于陰極射線管定位。雖然圖86中示出了這樣一個實(shí)例,其中通過在磨削邊界G3至G6處磨削外表面而獲得四個磨削平坦表面101至104,但磨削平坦表面101至104的數(shù)量可以是任意的??梢杂兴膫€或更少的磨削平坦表面,例如一至三個磨削平坦表面,或者也可以有四個或更多的磨削平坦表面。
圖87中示意性示出了由圖81至83所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)造的偏轉(zhuǎn)軛安裝在陰極射線管10中時的狀態(tài)。陰極射線管10中設(shè)有一個顯示板12、一個錐體14、一個管頸16和電子槍18。偏轉(zhuǎn)軛8包括一個根據(jù)本發(fā)明的磁芯17和一個隔離器20,并且安裝在錐體14與管頸16之間。帶有一個水平偏轉(zhuǎn)線圈和一個垂直偏轉(zhuǎn)線圈(未示出)的隔離器20設(shè)在磁芯17上。
由于根據(jù)本發(fā)明的磁芯17具有一個位于頸部3處的圓孔2,其中孔2在頸部3處由磨削表面4構(gòu)成,如圖81至83所示,因此頸部3處的尺寸精度可以提高。
另外,如圖86所示,在孔2的內(nèi)表面被磨削后,錐部1的外表面被相對于磁芯軸線O1作了表面磨削,以與孔2的中心軸線相匹配,而且通過磨削外表面而獲得的平坦表面區(qū)域101至104能夠在將磁芯相對于隔離器20定位時用作基準(zhǔn)。其結(jié)果是,磁芯17可以相對于隔離器20以高精度定位。因此,利用根據(jù)本發(fā)明的磁芯17構(gòu)造的偏轉(zhuǎn)軛8可以以極高的精度安裝在陰極射線管10中。
圖88是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖,圖89是圖88所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的剖視圖。本實(shí)施例中的孔2在錐部1中成型為橢圓形???在頸部3中成型為圓形,其內(nèi)表面構(gòu)成磨削表面4。因此,頸部3處的尺寸精度可以提高。這樣,由本實(shí)施例中的磁芯17構(gòu)造出的偏轉(zhuǎn)軛8可以以高精度安裝在陰極射線管上(見圖87)。
圖90是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖,圖91是圖90所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖。由于圖90和91所示的偏轉(zhuǎn)軛磁芯所采用的基本結(jié)構(gòu)和所產(chǎn)生的優(yōu)點(diǎn)與前面參照圖15至18所解釋的基本相同,因此不再重復(fù)解釋。
在圖90和91所示的實(shí)施例中,頸部3處的凸出部分23的端面設(shè)置在一個圓的圓周上,而且凸出部分23的端面分別形成一個磨削表面4,從而在頸部3處獲得高級別的尺寸精度。
圖92是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的剖視圖。在本實(shí)施例中,錐部1中的與開口端面5的內(nèi)邊緣51相連續(xù)的內(nèi)表面4被磨削。其結(jié)果是,錐部1的內(nèi)表面4可以通過磨削而獲得高級別的表面光潔度和高級別的尺寸精度。
由于錐部1中的被磨削過的內(nèi)表面4是一個從頸部3向著開口端面S1加寬的曲面,因此不能利用旋轉(zhuǎn)砂輪磨削。這樣的曲面可以利用例如NC(數(shù)控)磨床(未示出)而有效地磨削。其他可以采用的磨削方法包括砂帶。接下來將解釋一種可以采用的與砂帶相關(guān)的方法。
圖93和94示意性顯示了一種利用砂帶的研磨方法。如圖93所示,一條砂帶60套在若干旋轉(zhuǎn)輥?zhàn)?1上,每個輥?zhàn)臃謩e向砂帶60施加張緊力,以使砂帶60與被磨削的曲面緊密接觸。隨著輥?zhàn)?1在這種狀態(tài)下旋轉(zhuǎn),砂帶60將移動,以磨削內(nèi)表面4上的與砂帶60相接觸的接觸區(qū)域。
如圖94所示,砂帶60的寬度被設(shè)置得與區(qū)域ΔX1至ΔXn的尺寸一致,這些區(qū)域是通過將內(nèi)表面4劃分為小區(qū)域而獲得的,而且上面描述的磨削過程在各個單獨(dú)的區(qū)域ΔX1,…ΔXn上依次進(jìn)行。通過這個過程而磨削了的錐部1的內(nèi)表面4變成一個具有高級別表面光潔度和高級別尺寸精度的磨削表面。
盡管未示出,但頸部3的內(nèi)表面也可以被磨削。在這種情況下,頸部3處的尺寸精度和錐部1處的尺寸精度均可以提高,從而進(jìn)一步提高偏轉(zhuǎn)軛安裝在陰極射線管上的組裝精度。頸部3也可以利用NC(數(shù)控)磨床、砂帶或類似物磨削,就像錐部1中那樣?;蛘?,如果頸部3中的孔被成型為圓形,則頸部3的內(nèi)表面可以利用旋轉(zhuǎn)式磨床磨削。
圖95是用于解釋一種與圖93和94所示磨削方法不同的磨削方法的剖視圖。在這種方法中,一個振動磨床用于磨削磁芯內(nèi)表面。振動磨床包括一個砂輪裝置62和一個驅(qū)動裝置63。砂輪裝置62被成型為與磁芯內(nèi)表面的形狀相符的三維形狀,并在其一端連接著驅(qū)動裝置63,以便沿磁芯軸線O1的方向振動。下面解釋磨削過程。
首先,頸部3處的磁芯端部被夾具64緊固住。之后,振動磨床的砂輪裝置插入錐部1的開口端中,而驅(qū)動裝置63啟動,以振動砂輪裝置62。其結(jié)果是,通過這個過程而被砂輪裝置62磨削出的磁芯內(nèi)表面變成具有高級別尺寸精度的磨削表面。
圖96中示出了偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例。在圖中,偏轉(zhuǎn)軛磁芯17的孔2在頸部3處成型為橢圓形,以便于應(yīng)用在一字排列式陰極射線管上。錐部1處的內(nèi)表面4被磨削。因此,偏轉(zhuǎn)軛磁芯17的錐部1處的尺寸精度可以提高,這反過來又提高了偏轉(zhuǎn)軛安裝在陰極射線管上的組裝精度。
另外,圖96中的偏轉(zhuǎn)軛磁芯17具有從頸部3向著錐部1加寬的孔2,其中孔2在頸部3處成型為橢圓形,這種磁芯可以理想地應(yīng)用在具有以一字排列式結(jié)構(gòu)布置著的三個電子槍以及一個寬闊顯示板的彩電圖像接收器陰極射線管中。
圖97是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖,圖98是圖97所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正視圖,圖99是剖視圖。由于圖97至99所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的頸部3和錐部1的開口端的形狀與圖1和2中所采用的形狀相同,因此以相同的參考號碼表示那些與圖1和2中相同的部件,并且不再重復(fù)解釋。
在本實(shí)施例中,孔2在錐部1的開口端5處成型為大致四邊形形狀,在頸部3的開口端7處成型為圓形形狀。然而,除此之外,孔2在頸部3的開口端7處的形狀也可以是橢圓形、大致四邊形或類似形狀。
錐部1包括一個位于外表面4上并且連續(xù)延伸到開口端5的磨削平坦表面101。在本實(shí)施例中,磨削平坦表面101沿著平行于磁芯軸線O1的方向延伸并且被設(shè)置得與磁芯軸線O1相隔一段距離ΔX1。
磨削平坦表面101是通過在錐部1處磨削外表面4而形成的。磨削平坦表面101的尺寸隨著錐部1處的外表面4的磨削深度而變化。希望磨削平坦表面101的長度L1與長直徑Dy1之間具有以下關(guān)系0.1≤(L1/Dy1)<1。
可以在外表面4上成型出兩個或更多個磨削平坦表面。另外,磨削過程可以利用磨輪、旋轉(zhuǎn)砂輪或類似物完成。
圖100中示意性示出了利用根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯構(gòu)造的偏轉(zhuǎn)軛安裝在陰極射線管10中時的狀態(tài)。陰極射線管10中設(shè)有一個顯示板12、一個錐體14、一個管頸16和電子槍18。偏轉(zhuǎn)軛8包括一個根據(jù)本發(fā)明的磁芯17和一個隔離器20并且設(shè)置在錐體14與管頸16之間。帶有一個水平偏轉(zhuǎn)線圈和一個垂直偏轉(zhuǎn)線圈(未示出)的隔離器20設(shè)在磁芯17上。
圖101中示出了在隔離器和偏轉(zhuǎn)軛磁芯組裝時將達(dá)到的關(guān)系。圖中未示出陰極射線管。如圖101所示,隔離器20包括一個平坦表面201,其可以用作基準(zhǔn)面并與陰極射線管的射線管軸線O2相隔一段距離ΔX1。
磁芯17具有從頸部3向著錐部1加寬的形狀,錐部1在開口端的外形具有沿短軸X的短直徑和沿長軸Y的長直徑。具有這種結(jié)構(gòu)并且用在帶寬闊顯示板的彩電圖像接收器陰極射線管中的磁芯能夠提高偏轉(zhuǎn)效率。
另外,磁芯17包括一個位于外表面4上并且連續(xù)延伸到開口端5的磨削平坦表面101。在將具有這種結(jié)構(gòu)的17與隔離器20組裝時,磨削平坦表面101被設(shè)置在平坦表面201上,因而可以容易地將磁芯17的磁芯軸線O1與陰極射線管的射線管軸線O2對齊。其結(jié)果是,可以容易地實(shí)現(xiàn)偏轉(zhuǎn)軛磁芯17相對于陰極射線管的精確定位。
圖102是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖。圖102中的實(shí)施例包括形成在外表面4上的磨削平坦表面101和102。磨削平坦表面101和102設(shè)在從開口端5處看時彼此面對著的位置上(毗鄰短軸X),其中磨削平坦表面101被設(shè)置得與磁芯軸線O1相隔一段距離ΔX1,磨削平坦表面102被設(shè)置得與磁芯軸線O1相隔一段距離ΔX2。另外,在本實(shí)施例中,錐部1處的沿短軸X的短直徑Dx4和沿長軸Y的長直徑Dy1之間具有以下關(guān)系Dy1>Dx4。
在本實(shí)施例中,兩個磨削平坦表面101和102可以在將磁芯與隔離器組裝時用作基準(zhǔn)面。其結(jié)果是,磁芯可以以更高級別的精度相對于陰極射線管定位。
盡管未示出,但除此之外磨削平坦表面101和102也可以形成在從開口端5處看時彼此面對著的位置上(毗鄰短軸X)。或者,磨削平坦表面101和102可以形成在彼此相隔大約90°的角間隔上。
圖103是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖。圖103中的實(shí)施例包括形成在外表面4上的磨削平坦表面101至104。磨削平坦表面101和102設(shè)在從開口端5處看時彼此面對著的位置上(毗鄰短軸X),其中磨削平坦表面101被設(shè)置得與磁芯軸線O1相隔一段距離ΔX1,磨削平坦表面102被設(shè)置得與磁芯軸線O1相隔一段距離ΔX2。磨削平坦表面103和104設(shè)在從開口端5處看時彼此面對著的位置上(毗鄰長軸Y),其中磨削平坦表面103被設(shè)置得與磁芯軸線O1相隔一段距離ΔY1,磨削平坦表面104被設(shè)置得與磁芯軸線O1相隔一段距離ΔY2。
另外,在本實(shí)施例中,錐部1處的沿短軸X的短直徑Dx4和沿長軸Y的長直徑Dy3之間具有以下關(guān)系Dy3>Dx4。
在本實(shí)施例中,通過將四個磨削平坦表面101至104用作基準(zhǔn)面,可以將磁芯與隔離器組裝起來。因此,同圖97所示實(shí)施例和圖102所示實(shí)施例相比,磁芯對于陰極射線管的定位精度可以更高。
圖104是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖。在圖104所示的實(shí)施例中,孔2在頸部3的開口端7處成型為橢圓形形狀。
圖105中示出了在偏轉(zhuǎn)軛磁芯、隔離器和陰極射線管組裝時的相互關(guān)系。在圖中,陰極射線管是具有以一字排列式結(jié)構(gòu)與三原色相對應(yīng)的三個電子槍的彩電圖像接收器陰極射線管(稱作一字排列式陰極射線管)。圖104中的磁芯107可以理想地應(yīng)用在這種一字排列式陰極射線管中。
圖106是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的俯視圖,圖107是圖106所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的仰視圖。由于圖106和107所示的偏轉(zhuǎn)軛磁芯所采用的基本結(jié)構(gòu)和所產(chǎn)生的優(yōu)點(diǎn)與前面參照圖15至18所解釋的基本相同,因此不再重復(fù)解釋。雖然在圖中只示出了一個毗鄰短軸X設(shè)置的磨削表面101,但也可以設(shè)置兩個或更多個磨削表面。
圖108是根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛磁芯的另一個實(shí)施例的正視圖,圖109是圖108所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的俯視圖,圖110是圖108所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的正向剖視圖。由于圖108至110所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的頸部3和錐部1的開口端的形狀與圖1和2中所采用的形狀相同,因此以相同的參考號碼表示那些與圖1和2中相同的部件,并且不再重復(fù)解釋。
圖108至110所示偏轉(zhuǎn)軛磁芯的特征在于滿足5mm≤B≤(A/2)mm,其中B表示頸部3沿磁芯軸線O1的長度,A表示磁芯總長度,其為長度B和錐部1沿磁芯軸線O1的長度之和。這個特點(diǎn)在例如研磨偏轉(zhuǎn)軛磁芯的內(nèi)表面時可以獲得極大的效果。下面參照圖111和112解釋這一點(diǎn)。
圖111是用于夾持偏轉(zhuǎn)軛磁芯的加工機(jī)械的正視圖,圖112是圖111所示加工機(jī)械的仰視圖。頸部3在多個位置上被加工機(jī)械的夾持裝置2夾持著。在圖示的實(shí)施例中,頸部3的圓形外周表面6在三個點(diǎn)上被夾持裝置2夾持著。在這種狀態(tài)下,包括頸部3的內(nèi)表面和類似區(qū)域在內(nèi)的有關(guān)區(qū)域?qū)⒈灰粋€研磨裝置(未示出)加工。在這個過程中,被夾持裝置2夾持著的磁芯可以繞著一個固定研磨裝置旋轉(zhuǎn)。
另外,如果外周表面6具有除圓形之外的形狀,則夾持裝置2的夾持位置和夾持位置的數(shù)量應(yīng)當(dāng)根據(jù)外周表面6的形狀而變化。盡管未示出,但除此之外也可以夾持住頸部3處的整個外周表面6,從而包圍住整個外周表面6。
如果頸部3沿磁芯軸線O1的長度B小于5mm,則加工機(jī)械的夾持裝置2不能足夠牢固地夾持住頸部3,因而難以加工偏轉(zhuǎn)軛磁芯的內(nèi)表面4。其結(jié)果是,被加工機(jī)械的夾持裝置2夾持著的頸部3不能承受磨削時的摩擦阻力或承受偏轉(zhuǎn)軛磁芯的重量,從而導(dǎo)致磁芯落下或者出現(xiàn)碎裂或裂縫。
另一方面,如果頸部3沿磁芯軸線O1的長度B為5mm或以上(B≥5mm),則可以確保加工機(jī)械的夾持裝置2與頸部3的外周表面6之間具有足夠大的接觸面積,其結(jié)果是,頸部3可以以充分牢固的方式夾持住,從而防止磁芯落下或者出現(xiàn)碎裂或裂縫。這樣,由于頸部3可以以牢固的方式被夾持著,因此可以以高精度加工偏轉(zhuǎn)軛磁芯的內(nèi)表面。最終的結(jié)果是,可以獲得能夠在陰極射線管中精確控制電子束并且具有良好的偏折靈敏度的偏轉(zhuǎn)軛。
只要頸部3沿磁芯軸線O1的長度B等于或大于5mm并且等于或小于(A/2)mm,就不會出現(xiàn)與發(fā)熱和磁飽和有關(guān)的問題。一旦頸部3沿磁芯軸線O1的長度B超過了(A/2)mm,則錐部1的截面積就會變得太小,從而導(dǎo)致與發(fā)熱和磁飽和有關(guān)的問題。錐部1和頸部3可以采用各種形狀和結(jié)構(gòu)。
另外,在利用由圖108至112所示的任何一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯和偏轉(zhuǎn)線圈構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)軛產(chǎn)生垂直偏轉(zhuǎn)磁場和水平偏轉(zhuǎn)磁場時,通過確保在從短軸X處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線O1測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過磁芯軸線O1的平面上的磁芯截面積最大,可以防止磁飽和,如前面所解釋。另外,顯然,參照圖108至112中的實(shí)施例所解釋的原理也可以用在如圖15至18所示構(gòu)造的偏轉(zhuǎn)軛磁芯中。
工業(yè)應(yīng)用性如前面所解釋,利用本發(fā)明可以獲得下列優(yōu)點(diǎn)。
(a)提供了一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其通過最優(yōu)化磁芯截面積與芯內(nèi)磁通分布密度之間的關(guān)系,從而防止出現(xiàn)磁飽和。
(b)提供了一種不會碎裂的偏轉(zhuǎn)軛磁芯。
(c)提供了一種在燒制過程中不容易變形的偏轉(zhuǎn)軛磁芯。
(d)提供了一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其可以使磁芯損耗最小化并降低磁芯處產(chǎn)生的熱量。
(e)提供了一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其具有一個最優(yōu)化的形狀,以適用于具有與三原色相對應(yīng)的三個直線設(shè)置電子槍的一字排列式陰極射線管。
(f)提供了一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其在線圈布置方面提供了高級別的自由度,并且可以通過調(diào)節(jié)磁場分布而提高偏轉(zhuǎn)靈敏度、失真特性、會聚特性和類似性能。
(g)提供了一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其可以以可靠的方式沿著磁芯軸線脫模。
(h)提供了一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其具有成型為非圓形的錐部開口端面和成型為圓形的頸部孔,從而可以獲得高級別的尺寸精度。
(i)提供了一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其可以獲得高級別的尺寸精度,從而提高其在陰極射線管中的組裝精度。
(j)提供了一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其便于相對于陰極射線管精確定位。
(k)提供了一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其確保了足夠的體積,以達(dá)到所需的性能,并且可以在加工過程中以穩(wěn)定的方式被夾持。
權(quán)利要求
1.一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管,并且具有一個從頸部向著錐部加寬的孔;上述錐部在開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑,其特征在于在從上述短軸處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過上述磁芯軸線的平面上的磁芯截面積最大。
2.一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管,并且具有一個從頸部向著錐部加寬的孔;上述錐部在開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑,其特征在于在從上述短軸處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過上述磁芯軸線的平面上的磁芯截面積中的磁芯密度最大。
3.如權(quán)利要求1或2所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于多個凸出部分沿著從上述錐部至上述頸部的內(nèi)表面以徑向模式設(shè)置,以及多個槽形成在上述多個凸出部分之間。
4.如權(quán)利要求3所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述凸出部分分開設(shè)置在上述頸部和上述錐部中。
5.一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管,并且具有一個從頸部向著錐部加寬的孔;上述錐部在開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑,其特征在于沿著磁芯軸線延伸的分割槽毗鄰上述短軸設(shè)在一個磁芯表面上。
6.如權(quán)利要求5所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述分割槽沿直線延伸并且敞開在上述頸部的開口端邊緣上。
7.如權(quán)利要求5或6所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述分割槽設(shè)置在一個外周表面和一個內(nèi)周表面上的彼此面對著的位置上。
8.如權(quán)利要求7所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述外周表面上的上述分割槽與上述內(nèi)周表面上的上述分割槽在上述頸部的上述開口端邊緣處彼此相互連續(xù)延伸。
9.如權(quán)利要求5至8中任一所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述分割槽是V形的。
10.一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管,并且具有一個從頸部向著錐部加寬的外周表面;上述錐部在開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑,其特征在于至少一個第一凹入部分毗鄰上述短軸設(shè)在上述外周表面上。
11.如權(quán)利要求10所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述第一凹入部分是一個沿著磁芯軸線延伸的直線槽。
12.如權(quán)利要求10或11所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述第一凹入部分在上述短軸的兩端設(shè)在上述外周表面上。
13.如權(quán)利要求12所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于至少兩個第一凹入部分在上述短軸的每端彼此相隔著一段距離設(shè)在上述外周表面上。
14.如權(quán)利要求10至13中任一所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于至少一個第二凹入部分毗鄰上述長軸設(shè)在上述外周表面上。
15.如權(quán)利要求10至14中任一所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述頸部在開口端處的外形是圓形的。
16.如權(quán)利要求10至14中任一所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述頸部在開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑。
17.如權(quán)利要求10至16中任一所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,由磁性粉末成型出的模制件構(gòu)成。
18.一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管,并且具有一個從頸部向著錐部加寬的孔;上述錐部在開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑,其特征在于沿著磁芯軸線延伸的分割槽毗鄰上述短軸設(shè)在一個磁芯表面上;以及夾持槽在上述短軸的兩側(cè)設(shè)在一個外周表面上。
19.如權(quán)利要求18所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述分割槽在上述短軸的一端和另一端設(shè)在上述磁芯表面上;以及上述夾持槽在上述短軸的上述一端和上述另一端設(shè)在上述外周表面上。
20.如權(quán)利要求18或19所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述分割槽設(shè)置在上述外周表面和一個內(nèi)周表面上的彼此面對著的位置上。
21.如權(quán)利要求18至20中任一所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述夾持槽分別由一個沿著上述磁芯軸線延伸的直線槽構(gòu)成。
22.如權(quán)利要求18至21中任一所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述頸部在開口端處的外形是圓形的。
23.如權(quán)利要求18至21中任一所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述頸部在開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑。
24.如權(quán)利要求18至23中任一所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,由磁性粉末成型出的模制件構(gòu)成。
25.一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管,并且具有一個從頸部向著錐部加寬的孔,其特征在于上述錐部的開口端處的上述孔沿著一個完整的周邊彎曲,以及上述錐部和上述頸部二者處的上述孔均具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑。
26.如權(quán)利要求25所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于在從上述短軸處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過上述磁芯軸線的平面上的磁芯截面積最大。
27.如權(quán)利要求25所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于在從上述短軸處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過上述磁芯軸線的平面上的磁芯截面積中的磁芯密度最大。
28.一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管,并且具有多個沿著從上述錐部至上述頸部的內(nèi)表面以徑向模式設(shè)置的凸出部分,其中多個槽形成在上述多個凸出部分之間,其特征在于上述凸出部分分開設(shè)置在上述頸部和上述錐部上;以及上述凸出部分分別包括一個面對著磁芯軸線的表面,沿著一個從上述頸部向上述錐部延伸的方向看,上述表面以與上述磁芯軸線之間的距離逐漸增大的方式傾斜。
29.如權(quán)利要求28所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述錐部在開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑;以及在從上述短軸處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過上述磁芯軸線的平面上的磁芯截面積最大。
30.如權(quán)利要求28所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述錐部在開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑;以及在從上述短軸處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過上述磁芯軸線的平面上的磁芯截面積中的磁芯密度最大。
31.一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管,并且具有一個從頸部向著錐部加寬的孔,其特征在于上述錐部處的上述孔具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑;以及上述頸部處的上述孔具有圓形形狀和一個磨削內(nèi)表面。
32.如權(quán)利要求31所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于多個凸出部分沿著從上述錐部至上述頸部的內(nèi)表面以徑向模式設(shè)置;多個槽形成在上述多個凸出部分之間;以及上述頸部的上述孔中的上述凸出部分的端面被磨削。
33.如權(quán)利要求32所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述凸出部分分開設(shè)置在上述頸部和上述錐部中。
34.一種制造偏轉(zhuǎn)軛磁芯的方法,該偏轉(zhuǎn)軛磁芯被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管,并且具有一個從頸部向著錐部加寬的孔,上述錐部處的上述孔具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑,上述頸部處的上述孔具有圓形形狀,該方法包括以下步驟磨削上述頸部處的上述孔的內(nèi)表面;以及在磨削了上述頸部處的上述孔的內(nèi)表面后,對一個指向上述錐部開口端的外周表面進(jìn)行表面磨削。
35.一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管,并且具有一個從頸部向著錐部加寬的孔,其特征在于至少上述錐部處的上述孔具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑以及一個磨削內(nèi)表面。
36.如權(quán)利要求35所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述頸部處的上述孔具有一個磨削內(nèi)表面。
37.如權(quán)利要求35或36所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述頸部處的上述孔具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑。
38.一種磨削偏轉(zhuǎn)軛磁芯的方法,包括以下步驟利用NC磨床磨削上述磁芯的內(nèi)表面。
39.一種磨削偏轉(zhuǎn)軛磁芯的方法,包括以下步驟通過旋轉(zhuǎn)一條砂帶而磨削上述磁芯的內(nèi)表面。
40.一種磨削偏轉(zhuǎn)軛磁芯的方法,包括以下步驟利用振動磨床磨削上述磁芯的內(nèi)表面。
41.一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管,并且具有一個從頸部向著錐部加寬的外形,其特征在于上述錐部在開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑并且包括至少一個位于上述開口端的外周表面上的磨削平坦表面。
42.如權(quán)利要求41所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于兩個磨削平坦表面設(shè)在彼此相隔大約90°或大約180°角間隔的位置上。
43.如權(quán)利要求41所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于三個或四個磨削平坦表面設(shè)在任意兩個彼此相鄰的表面上的彼此相隔大約90°角間隔的位置上。
44.如權(quán)利要求41所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于在從上述短軸處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過上述磁芯軸線的平面上的磁芯截面積最大。
45.如權(quán)利要求41所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于在從上述短軸處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過上述磁芯軸線的平面上的磁芯截面積中的磁芯密度最大。
46.一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其被成型為一個用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的管,其包括一個從頸部向著錐部加寬的外形,上述錐部在開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑,其特征在于滿足5mm≤B≤A/2mm,其中A表示上述磁芯沿磁芯軸線的總長度,其為上述頸部沿上述磁芯軸線的長度B與上述錐部沿上述磁芯軸線的長度之和。
47.如權(quán)利要求46所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述頸部在開口端處的外形是圓形的。
48.如權(quán)利要求46所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于上述頸部在開口端處的外形具有沿短軸的短直徑和沿長軸的長直徑。
49.如權(quán)利要求46至48中任一所述的偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其特征在于多個凸出部分沿著從上述錐部至上述頸部的內(nèi)表面以徑向模式設(shè)置;以及多個槽形成在上述多個凸出部分之間。
全文摘要
一種偏轉(zhuǎn)軛磁芯,其通過最優(yōu)化磁芯截面積與磁通分布密度之間的關(guān)系而防止出現(xiàn)磁飽和。用于安裝在陰極射線管的管頸與錐體之間的偏轉(zhuǎn)軛磁芯具有一個從頸部3的開口端延伸到錐部1的開口端的孔2。錐部1處的孔2向著錐部1的開口端加寬。錐部1的開口端處的外形具有沿短軸X的短直徑Dx1和沿長軸Y的長直徑Dy1。在從上述短軸X處的0°基準(zhǔn)角開始繞著磁芯軸線O1測量的30°至65°角度范圍內(nèi),在一個平行并穿過上述磁芯軸線O1的平面上的磁芯截面積最大。
文檔編號H01J29/76GK1342326SQ00804444
公開日2002年3月27日 申請日期2000年3月14日 優(yōu)先權(quán)日1999年3月15日
發(fā)明者巖谷仁志, 伊藤信一郎, 安保實(shí), 小野雅啟 申請人:Tdk株式會社
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