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一種熱穩(wěn)定性好MnZn軟磁鐵氧體材料的制作方法

文檔序號:11123391閱讀:1045來源:國知局

本發(fā)明涉及軟磁鐵氧體技術領域,尤其涉及一種熱穩(wěn)定性好MnZn軟磁鐵氧體材料。



背景技術:

伴隨著便攜式移動電子設備的普及,多媒體通信、數(shù)字網(wǎng)絡的高速發(fā)展,以及電磁兼容和抗電磁干擾等領域的需求,目前對Mn-Zn鐵氧體材料提出了更高更新的要求。隨著電子元器件的節(jié)能化,不斷提高熱穩(wěn)定性與磁導率一直是從事該專業(yè)的工程技術人員的追求。



技術實現(xiàn)要素:

基于背景技術存在的技術問題,本發(fā)明提出了一種熱穩(wěn)定性好MnZn軟磁鐵氧體材料,結晶均勻,晶粒間、晶界間的氣孔少,不僅具有高磁導率,而且熱穩(wěn)定性好。

本發(fā)明提出的一種熱穩(wěn)定性好MnZn軟磁鐵氧體材料,其原料包括:

優(yōu)選地,氧化鋅、四氧化三錳、氧化鐵的重量比為8-10:20-40:50-60。

優(yōu)選地,五氧化二妮、二氧化鈦、碳酸鈣、三氧化二硼、氧化硅的重量比為300-400:350-450:400-500:300-400:200-250。

優(yōu)選地,其原料包括:

優(yōu)選地,還包括改性聚丙烯酸鈉,改性聚丙烯酸鈉占原料總重量的1-2wt%。

優(yōu)選地,改性聚丙烯酸鈉采用如下工藝制備:將蛋白石粉體、聚丙烯酸鈉、水研磨至粒徑為20-40μm,加入結晶TiO2繼續(xù)研磨至粒徑為40-80μm,過濾,濾餅用去離子水洗滌,干燥,粉碎得到改性聚丙烯酸鈉。

優(yōu)選地,改性聚丙烯酸鈉采用如下工藝制備:按重量份將10-20份蛋白石粉體、5-10份聚丙烯酸鈉、40-60份水研磨至粒徑為20-40μm,加入15-25份結晶TiO2繼續(xù)研磨至粒徑為40-80μm,過濾,濾餅用去離子水洗滌,110-120℃干燥,粉碎得到改性聚丙烯酸鈉。

本發(fā)明采用常規(guī)制備工藝制得。

本發(fā)明通過調整主成分氧化鐵、四氧化三錳、氧化鋅的摩爾配比,同時適當?shù)卦黾雍线m的輔助成分氧化硅、二氧化鈦、五氧化二妮、三氧化二硼、碳酸鈣,并加入一定量的改性聚丙烯酸鈉,可有效改善性能,使本發(fā)明結晶均勻,并可減少晶粒間、晶界間的氣孔,不僅可保證本發(fā)明具有高磁導率,而且熱穩(wěn)定性好;本發(fā)明的改性聚丙烯酸鈉中,蛋白石粉體、聚丙烯酸鈉經(jīng)過混合研磨至一定粒徑,混合均勻程度極好,加入結晶TiO2進一步研磨,蛋白石粉體與結晶TiO2的結合程度極高,蛋白石粉體表面羥基密度與形成的各類缺陷,導致其與結晶TiO2表面形成的官能團的結合反應程度極好,使本發(fā)明不僅具有一定的粘結度,而且分散性好,不易團聚;改性聚丙烯酸鈉與主成分、輔助成分的結合性能極好,使本發(fā)明的綜合性能優(yōu)異。

具體實施方式

下面,通過具體實施例對本發(fā)明的技術方案進行詳細說明。

實施例1

本發(fā)明提出的一種熱穩(wěn)定性好MnZn軟磁鐵氧體材料,其原料包括:

本發(fā)明提出的一種熱穩(wěn)定性好MnZn軟磁鐵氧體材料,其原料包括:

還包括改性聚丙烯酸鈉,改性聚丙烯酸鈉占原料總重量的2wt%。

實施例3

本發(fā)明提出的一種熱穩(wěn)定性好MnZn軟磁鐵氧體材料,其原料包括:

還包括改性聚丙烯酸鈉,改性聚丙烯酸鈉占原料總重量的2wt%。

改性聚丙烯酸鈉采用如下工藝制備:按重量份將10份蛋白石粉體、10份聚丙烯酸鈉、40份水研磨至粒徑為20-40μm,加入25份結晶TiO2繼續(xù)研磨至粒徑為40-80μm,過濾,濾餅用去離子水洗滌,110℃干燥,粉碎得到改性聚丙烯酸鈉。

實施例4

本發(fā)明提出的一種熱穩(wěn)定性好MnZn軟磁鐵氧體材料,其原料包括:

還包括改性聚丙烯酸鈉,改性聚丙烯酸鈉占原料總重量的1wt%。

改性聚丙烯酸鈉采用如下工藝制備:按重量份將20份蛋白石粉體、5份聚丙烯酸鈉、60份水研磨至粒徑為20-40μm,加入15份結晶TiO2繼續(xù)研磨至粒徑為40-80μm,過濾,濾餅用去離子水洗滌,120℃干燥,粉碎得到改性聚丙烯酸鈉。

實施例5

本發(fā)明提出的一種熱穩(wěn)定性好MnZn軟磁鐵氧體材料,其原料包括:

還包括改性聚丙烯酸鈉,改性聚丙烯酸鈉占原料總重量的1.2wt%。

改性聚丙烯酸鈉采用如下工藝制備:將蛋白石粉體、聚丙烯酸鈉、水研磨至粒徑為20-40μm,加入結晶TiO2繼續(xù)研磨至粒徑為40-80μm,過濾,濾餅用去離子水洗滌,干燥,粉碎得到改性聚丙烯酸鈉。

以上所述,僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式,但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內,根據(jù)本發(fā)明的技術方案及其發(fā)明構思加以等同替換或改變,都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。

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