專利名稱：超薄磁芯pcb板式開關(guān)電源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及電源技術(shù)領(lǐng)域，詳細地講是一種超薄磁芯PCB板式開關(guān)電源。
背景技術(shù)：
眾所周知，電源是每種電子產(chǎn)品都要使用的部分，更小的體積與更大的功率是電 源行業(yè)不斷追求的目標(biāo)。傳統(tǒng)的磁芯PCB板式開關(guān)電源厚度較大、效率較低，不利于能源的 節(jié)約。
發(fā)明內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型提供一種超薄磁芯PCB板式開關(guān)電源，采 用多層PCB板繞線技術(shù)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的變壓器制造工藝，PCB線路與變壓器結(jié)合緊密，明顯減小 了電源板的整體厚度，解決了在一些特定場合和特定產(chǎn)品中對電源的體積及功率密度等的 高要求問題，采用高頻率的振蕩芯片及諧振技術(shù)有效減小變壓器磁芯的體積，提高了電源 的能源密度。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種超薄磁芯PCB板式開關(guān)電 源，設(shè)有輸入電路，其特征是輸入電路連接EMI濾波電路，EMI濾波電路連接輸入整流濾波 電路，輸入整流濾波電路分別與P麗控制電路、啟動和電源關(guān)閉電路連接，PWM控制電路分 別與超薄磁芯變壓器、輔助電壓電路、反饋控制電路及啟動和關(guān)閉電路連接，超薄磁芯變壓 器連接輸出濾波電路，輸出濾波電路連接反饋控制電路。本實用新型還可通過如下措施來實現(xiàn)超薄磁芯變壓器由五層PCB板疊合而成， 線圈部分是通過在PCB板上的鍍多層銅箔實現(xiàn)，共線鍍有四層線圈，第五層PCB板上鍍有反 饋線圈，反饋線圈的兩端分別為8端及9端，第四層PCB板上鍍有初級線圈B，初級線圈B的 兩端及中間節(jié)點分別為3端、5端及4端，第三層PCB板上鍍有次級線圈，次級線圈的兩端 分別為6端及7端，第二層PCB板上鍍有鍍有初級線圈A，初級線圈A的兩端分別為1端、2 端，1端、2端、3端、4端、5端、6端、7端、8端及9端通過PCB板上通孔內(nèi)的銅柱引到第一層 PCB板，PCB板上嵌有高頻磁芯。輸入整流濾波電路由二極管D25、電容C64、電容C63組成，二極管D25連接電容 C64和電容C63的正極，然后連接到超薄磁芯變壓器的初級，為超薄磁芯變壓器提供恒定的 直流電壓。PWM控制電路的二極管D18正極連接到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的D腳，D腳 通過電容C17和電阻R27連接到地，二極管D24的負(fù)極連接到光電耦合器U14-A的1腳，光 電耦合器U14-A的2腳通過二極管D33連接到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的V腳，二極管 D33的正極通過電阻R92和電容C60連接到地，二極管D24的負(fù)極連接到光電耦合器U7-A 的1腳，光電耦合器U7-A的2腳連接到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的C腳，C腳通過電阻 R74、電容C58和電容C56接地。輔助電壓電路由整流二極管D24、濾波電解電容C62、電阻R76、電容C57組成，整流二極管D24的負(fù)極連接濾波電解電容C62的正極，電容C62的負(fù)極連接輸出地。輸出整流濾波電路由二極管D27、電容C52、電容C50、濾波電感L9、電容C49組成， 超薄磁芯變壓器的次級連接到二極管D27的正極，再連接電容C52、電容C50的正極和濾波 電感L9的一端，濾波電感L9的另一端和電容C49的正極連接到直流電壓輸出端，電容C52、 電容C50和電容C49的負(fù)極一起連接到輸出地。反饋控制電路的電阻R76連接到穩(wěn)壓二極管VRl的負(fù)極，穩(wěn)壓二極管VRl的正極 通過電阻R92連接到二極管D33的正極，二極管D33的負(fù)極連接到T0P261LN開關(guān)控制芯片 Ull的引腳V，電阻R58連接光電耦合器U7-B的陽極，光電耦合器U7-B的陰極連接TL431 精密電壓監(jiān)視器UlO的陰極，TL431精密電壓監(jiān)視器UlO的陽極接輸出地，輸出電壓連接 電阻R59和電容C13，再同時連接到電阻R67和TL431精密電壓監(jiān)視器UlO的參考點，電容 C51和電阻R66連接在TL431精密電壓監(jiān)視器UlO的陽極和參考點兩端，整流二極管D24 負(fù)極經(jīng)跳線J5連接到光電耦合器U14-A的一端，光電耦合器U14-A的另一端通過跳線J4 連接到二極管D33的陽極，二極管D33的陰極連接到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的V腳， 穩(wěn)壓二極管VR4的陽極經(jīng)電阻R90連接光電耦合器U14-B的陽極，光電耦合器U14-B的陰 極連接輸出地，光電耦合器U7-A —端連接二極管D24的陰極，另一端通過濾波電感J9連接 到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的C腳，光電耦合器U7-A的另一端同時通過電容C56和電 阻R74、電容C58組成的濾波電路連接到輸入地。啟動和關(guān)閉電路的差模濾波器Ll的4腳連接到整流二極管D26，整流后再連接到 濾波電容C70濾波給電阻R70、電阻R69、電阻R80后連接到三極管Q3的基極，整流二極管 D26的負(fù)極通過濾波電容C70接地，電容C63、電容C64的正極通過電阻R65、電阻R68降壓 后連接到三極管Ql的集電極，T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的C腳通過電阻R9連接到三極 管Ql的基極和三極管Q3的集電極，電容C63、電容C64的正極通過電阻R83、電阻R84連 接到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的X腳，T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的X腳通過電阻R79 連接到三極管Q2的集電極，電阻R69的一端通過電阻R81連接到三極管Q2的基極，通過電 阻R78接地。本實用新型的有益效果是，采用多層PCB板繞線技術(shù)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的變壓器制造工 藝，PCB線路與變壓器結(jié)合緊密，明顯減小了電源板的整體厚度，解決了在一些特定場合和 特定產(chǎn)品中對電源的體積及功率密度等的高要求問題，采用高頻率的振蕩芯片及諧振技術(shù) 有效減小變壓器磁芯的體積，提高電源的能源密度。
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1為本實用新型的電路原理框圖。圖2為本實用新型的電路原理圖。圖3為本實用新型超薄磁芯變壓器邏輯圖。圖4為本實用新型超薄磁芯變壓器界面圖。圖5為本實用新型超薄磁芯變壓器第一層PCB板走線圖。圖6為本實用新型超薄磁芯變壓器第二層PCB板走線圖。圖7為本實用新型超薄磁芯變壓器第三層PCB板走線圖。[0021]圖8為本實用新型超薄磁芯變壓器第四層PCB板走線圖。圖9為本實用新型超薄磁芯變壓器第五層PCB板走線圖。圖中，1.輸入電路，2. EMI濾波電路，3.輸入整流濾波電路，4. P麗控制電路，5. 超薄磁芯變壓器，6.輔助電壓電路，7.輸出整流濾波電路，8.反饋控制電路，9.啟動和 關(guān)閉電路，
具體實施方式
圖1所示，本實用新型設(shè)有輸入電路1連接EMI濾波電路2，濾波電路2連接輸入 整流濾波電路3，輸入整流濾波電路3分別連接PWM控制電路、啟動和關(guān)閉電路9，PWM控制 電路4分別連接超薄磁芯變壓器5、輔助電壓電路6、反饋控制電路8及啟動和關(guān)閉電路9， 超薄磁芯變壓器5連接輸出整流濾波電路7，輸出整流濾波電路7連接反饋控制電路8。市電由輸入電路1進入電路板，經(jīng)EMI濾波電路2和輸入整流濾波電路3后得到 穩(wěn)定的直流電壓，直接送給超薄磁芯變壓器5在線路板上的初級繞組。在高頻內(nèi)置高耐壓 場效應(yīng)管的PWM控制電路4的控制下，在變壓器次級得到需要的交流電壓，經(jīng)輸出整流電路 6后得到適宜的直流電。變壓器次級輸出的直流電的誤差由反饋控制電路8送到PWM控制 電路4，PWM控制電路4調(diào)整其內(nèi)置的場效應(yīng)管的導(dǎo)通程度達到穩(wěn)定輸出電壓的目的。啟動 和關(guān)閉電路9負(fù)責(zé)電路在正常輸入電壓范圍內(nèi)的啟動及非正常輸入電壓條件下的PWM控制 電路4的關(guān)閉，輔助電壓電路6負(fù)責(zé)電路正常啟動后給PWM控制電路4提供穩(wěn)定的直流供 電電壓。圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9所示，超薄磁芯變壓器5由五層PCB板疊合而 成，線圈部分是通過在PCB板上的鍍多層銅箔實現(xiàn)，共線鍍有四層線圈，第五層PCB板上鍍 有反饋線圈，反饋線圈的兩端分別為8端及9端，第四層PCB板上鍍有初級線圈B，初級線圈 B的兩端及中間節(jié)點分別為3端、5端及4端，第三層PCB板上鍍有次級線圈，次級線圈的兩 端分別為6端及7端，第二層PCB板上鍍有鍍有初級線圈A，初級線圈A的兩端分別為1端、 2端，1端、2端、3端、4端、5端、6端、7端、8端及9端通過PCB板上通孔內(nèi)的銅柱引到第一 層PCB板，PCB板上嵌有高頻磁芯。圖1、圖2所示，EMI濾波電路2由差模濾波器Li、共模濾波器L2、R63、R64、濾波 電容C66組成，其中Ll由Ll-A和Ll-B組成。220V輸入與共模濾波器L2相連，共模濾波 器L2與保險絲F1、濾波電容C66、電阻R63、電阻R64連接，再連接到差模濾波器Li。EMI濾 波電路2降低了輸入電路的共模和差模干擾信號。EMI濾波電路2的輸出直接連到輸入整 流濾波電路。輸入整流濾波電路3由二極管D25、電容C64、電容C63組成。二極管D25連接電 容C64和電容C63的正極，然后連接到超薄磁芯變壓器Tl的初級，為超薄磁芯變壓器提供 恒定的直流電壓。輸入整流電路與超薄磁芯變壓器和PffM控制電路相連。PWM控制電路4由T0P261LN開關(guān)控制芯片U11、電容C17、電阻R27等組成。二極 管D18的正極連接到控制芯片Ull的D腳，D腳通過電容C17和電阻R27連接到地。二極 管D24的負(fù)極連接到光電耦合器U14-A的1腳，光電耦合器U14-A的2腳通過二極管D33 連接到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的V腳，二極管D33的正極通過電阻R92和電容C60連 接到地。二極管D24的負(fù)極連接到光電耦合器U7-A的1腳，光電耦合器U7-A的2腳連接到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的C腳，C腳通過電阻R74、電容C58和電容C56接地。超薄磁芯變壓器Tl與輸入整流電路、輔助電壓電路和輸出整流電路及PWM控制 電路相連。此元件為該電源的核心部件，它與傳統(tǒng)的變壓器結(jié)構(gòu)不一樣。它的線圈部分是 通過PCB板上的多層銅箔實現(xiàn)，磁芯是高品質(zhì)的高頻磁芯。此種結(jié)構(gòu)能將整個電源的高度 降低，實現(xiàn)了此產(chǎn)品的超薄性能。本電源采用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，電路中采用了電容C43、電阻 R93、電阻R62、穩(wěn)壓二極管VR2、電阻R72、二極管D18組成浪涌吸收回路來保護在T0P261LN 開關(guān)控制芯片Ull內(nèi)部的M0SFET。超薄磁芯變壓器Tl的1端與2端之間是初級線圈A， 4端與5端之間是初級線圈B，在線路板上結(jié)合為一個初級線圈。6端與7端之間是次級線 圈，8端與9端之間是反饋線圈。超薄磁芯變壓器Tl的3端連接到電容C63的正極，5端連 接到超薄變壓器的2端，1端連接到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的D腳，6端連接到輸出地 (電容C60的負(fù)極)，7端連接二極管D27的正極，8端連接輸出電源的地，9腳連接二極管D24 的正極。輔助電壓電路6由二極管D24、電容C62、電阻R76、電容C57組成。二極管D24的 負(fù)極連接電容C62的正極，電容C62的負(fù)極連接輸出地，作用是給PWM控制芯片提供穩(wěn)定的 工作電壓。二極管D24是整流二極管，電容C62是濾波電解電容。輸出整流濾波電路7由二極管D27、電容C52、電容C50、濾波電感L9、電容C49組 成，是典型的PAI型濾波電路，有效減小輸出電壓的紋波。超薄磁芯變壓器Tl的次級連接 到二極管D27的正極，再連接電容C52、電容C50的正極和濾波電感L9的一端。濾波電感 L9的另一端和電容C49的正極連接到直流電壓輸出端。電容C52、電容C50和電容C49的 負(fù)極一起連接到輸出地。輸出濾波電路通過反饋控制電路將輸出電壓的變化反饋到PWM控 制電路，形成閉環(huán)的反饋網(wǎng)絡(luò)。反饋控制電路8由TL431精密電壓監(jiān)視器U10、光電耦合器U14、光電耦合器U7、 穩(wěn)壓二極管VRl等組成，光電耦合器U14由光電耦合器U14-A和光電耦合器U14-B組成。 反饋控制回路具體由過壓控制、電壓調(diào)整電路組成。電阻R76連接到穩(wěn)壓二極管VRl的負(fù) 極，穩(wěn)壓二極管VRl的正極通過電阻R92連接到二極管D33的正極，二極管D33的負(fù)極連接 到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的引腳V。此回路為過壓保護電路，能將輸出電壓控制在指 定的范圍之內(nèi)。電阻R58連接光電耦合器U7 (B)的陽極，光電耦合器U7 (B)的陰極連接 TL431精密電壓監(jiān)視器UlO的陰極，TL431精密電壓監(jiān)視器UlO的陽極接輸出地，輸出電壓 連接電阻R59和電容C13，再同時連接到電阻R67和TL431精密電壓監(jiān)視器UlO的參考 點。電容C51和電阻R66連接在TL431精密電壓監(jiān)視器UlO的陽極和參考點兩端。此回 路為電壓調(diào)整電路，微調(diào)控制輸出電壓的范圍，整流二極管D24負(fù)極經(jīng)跳線J5連接到光電 耦合器U14-A的一端，光電耦合器U14-A的另一端通過跳線J4連接到二極管D33的陽極， 二極管D33的陰極連接到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的V腳。穩(wěn)壓二極管VR4的陽極經(jīng) 電阻R90連接光電耦合器U14-B的陽極，光電耦合器U14-B的陰極連接輸出地，光電耦合器 U7-A 一端連接二極管D24的陰極，另一端通過濾波電感J9連接到T0P261LN開關(guān)控制芯片 Ull的C腳，光電耦合器U7-A的另一端同時通過電容C56和電阻R74、電容C58組成的濾波 電路連接到輸入地。啟動和關(guān)閉電路由三極管Q1、三極管Q2、三極管Q3等組成。差模濾波器Ll的4腳 連接到整流二極管D26，整流后再連接到濾波電容C70濾波給電阻R70、電阻R69、電阻R80
7后連接到三極管Q3的基極，整流二極管D26的負(fù)極通過濾波電容電容C70接地。以此電路 的方式來監(jiān)視輸入的市電的電壓大小。電容C63、電容C64的正極通過電阻R65、電阻R68 降壓后連接到三極管Ql的集電極，T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的C腳通過R9連接到三極 管Ql的基極和三極管Q3的集電極，電容C63、電容C64的正極通過電阻R83、電阻R84連 接到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的X腳，T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的X腳通過電阻R79 連接到三極管Q2的集電極，電阻R69的一端通過電阻R81連接到三極管Q2的基極，通過電 阻R78接地。T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull通過監(jiān)視C引腳的電流輸出調(diào)整控制輸出不同的占 空比來控制T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull內(nèi)部MOSFET的導(dǎo)通時間。輸出電壓通過監(jiān)視器 U2和光電耦器U7將反饋信號送給初級。電容C70、二極管D26檢測輸入電壓的狀態(tài)，由 T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull來控制電源的啟動、關(guān)閉和重啟。如果電壓輸入電壓在正常范 圍之內(nèi)，三極管Q3導(dǎo)通，三極管Ql截止，整流后的直流電壓通過電阻R65和電阻R68送給 T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的V引腳。T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的V引腳的門限電流 是25uA。輸入整流后的直流電壓小于100VDC時候，T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull開關(guān)打 開。三極管Q2的作用是設(shè)定一個輸入交流電壓的下限值來限制T0P261LN開關(guān)控制芯片 Ull在欠壓時候的啟動。電阻R70、電阻R69、電阻R81和電阻R78控制三極管Q2的狀態(tài)， 當(dāng)三極管Q2導(dǎo)通時候使能T0P261LN開關(guān)控制芯片Ul 1，當(dāng)三極管Q2關(guān)閉時候，T0P261LN 開關(guān)控制芯片Ull的V引腳懸空使T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull處于非工作模式。當(dāng)輸入 電壓達到100V以前，三極管Q2—直處于關(guān)閉狀態(tài)，迫使T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull —直 處于非工作狀態(tài)。因為三極管Q2是截止的，所以T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的X引腳通 過電阻R79 —直是懸空的。本實用新型開關(guān)控制芯片Ull采用了 TOPSwitch的開關(guān)控制芯片T0P261LN，內(nèi)部 集成高電壓MOSFET和PWM控制器，使用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在有限的體積里集成了更多的功 能電路，減少了 PCB的其他硬件電路，縮減了此電源的體積。用此種PWM控制電路實現(xiàn)了電 源的高效功能，加上高頻超薄磁芯PCB板式變壓器同時實現(xiàn)了本電源的超薄功能。。
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權(quán)利要求一種超薄磁芯PCB板式開關(guān)電源，設(shè)有輸入電路，其特征是輸入電路連接EMI濾波電路，EMI濾波電路連接輸入整流濾波電路，輸入整流濾波電路分別與PWM控制電路、啟動和電源關(guān)閉電路連接，PWM控制電路分別與超薄磁芯變壓器、輔助電壓電路、反饋控制電路及啟動和關(guān)閉電路連接，超薄磁芯變壓器連接輸出濾波電路，輸出濾波電路連接反饋控制電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述超薄磁芯PCB板式開關(guān)電源，其特征在于所說的超薄磁芯變壓 器由五層PCB板疊合而成，線圈部分是通過在PCB板上的鍍多層銅箔實現(xiàn)，共線鍍有四層線 圈，第五層PCB板上鍍有反饋線圈，反饋線圈的兩端分別為8端及9端，第四層PCB板上鍍 有初級線圈B，初級線圈B的兩端及中間節(jié)點分別為3端、5端及4端，第三層PCB板上鍍有 次級線圈，次級線圈的兩端分別為6端及7端，第二層PCB板上鍍有鍍有初級線圈A，初級線 圈A的兩端分別為1端、2端，1端、2端、3端、4端、5端、6端、7端、8端及9端通過PCB板上 通孔內(nèi)的銅柱引到第一層PCB板，PCB板上嵌有高頻磁芯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述超薄磁芯PCB板式開關(guān)電源，其特征在于所說的輸入整流濾波 電路由二極管D25、電容C64、電容C63組成，二極管D25連接電容C64和電容C63的正極， 然后連接到超薄磁芯變壓器的初級，為超薄磁芯變壓器提供恒定的直流電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述超薄磁芯PCB板式開關(guān)電源，其特征在于所說的PWM控制電路 的二極管D18正極連接到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的D腳，D腳通過電容C17和電阻R27 連接到地，二極管D24的負(fù)極連接到光電耦合器U14-A的1腳，光電耦合器U14-A的2腳通 過二極管D33連接到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的V腳，二極管D33的正極通過電阻R92 和電容C60連接到地，二極管D24的負(fù)極連接到光電耦合器U7-A的1腳，光電耦合器U7-A 的2腳連接到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的C腳，C腳通過電阻R74、電容C58和電容C56 接地。
5.輔助電壓電路由整流二極管D24、濾波電解電容C62、電阻R76、電容C57組成，整流 二極管D24的負(fù)極連接濾波電解電容C62的正極，電容C62的負(fù)極連接輸出地。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述超薄磁芯PCB板式開關(guān)電源，其特征在于所說的輸出整流濾波 電路由二極管D27、電容C52、電容C50、濾波電感L9、電容C49組成，超薄磁芯變壓器的次級 連接到二極管D27的正極，再連接電容C52、電容C50的正極和濾波電感L9的一端，濾波電 感L9的另一端和電容C49的正極連接到直流電壓輸出端，電容C52、電容C50和電容C49的 負(fù)極一起連接到輸出地。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述超薄磁芯PCB板式開關(guān)電源，其特征在于所說的反饋控制電路 的電阻R76連接到穩(wěn)壓二極管VRl的負(fù)極，穩(wěn)壓二極管VRl的正極通過電阻R92連接到二 極管D33的正極，二極管D33的負(fù)極連接到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的引腳V，電阻R58 連接光電耦合器U7-B的陽極，光電耦合器U7-B的陰極連接TL431精密電壓監(jiān)視器UlO的 陰極，TL431精密電壓監(jiān)視器UlO的陽極接輸出地，輸出電壓連接電阻R59和電容C13，再 同時連接到電阻R67和TL431精密電壓監(jiān)視器UlO的參考點，電容C51和電阻R66連接在 TL431精密電壓監(jiān)視器UlO的陽極和參考點兩端，整流二極管D24負(fù)極經(jīng)跳線J5連接到光 電耦合器U14-A的一端，光電耦合器U14-A的另一端通過跳線J4連接到二極管D33的陽 極，二極管D33的陰極連接到T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的V腳，穩(wěn)壓二極管VR4的陽極 經(jīng)電阻R90連接光電耦合器U14-B的陽極，光電耦合器U14-B的陰極連接輸出地，光電耦合器U7-A —端連接二極管D24的陰極，另一端通過濾波電感J9連接到T0P261LN開關(guān)控制芯 片Ull的C腳，光電耦合器U7-A的另一端同時通過電容C56和電阻R74、電容C58組成的 濾波電路連接到輸入地。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述超薄磁芯PCB板式開關(guān)電源，其特征在于所說的啟動和關(guān)閉電 路的差模濾波器Ll的4腳連接到整流二極管D26，整流后再連接到濾波電容C70濾波給電 阻R70、電阻R69、電阻R80后連接到三極管Q3的基極，整流二極管D26的負(fù)極通過濾波電 容C70接地，電容C63、電容C64的正極通過電阻R65、電阻R68降壓后連接到三極管Ql的 集電極，T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的C腳通過電阻R9連接到三極管Ql的基極和三極管 Q3的集電極，電容C63、電容C64的正極通過電阻R83、電阻R84連接到T0P261LN開關(guān)控制 芯片Ull的X腳，T0P261LN開關(guān)控制芯片Ull的X腳通過電阻R79連接到三極管Q2的集 電極，電阻R69的一端通過電阻R81連接到三極管Q2的基極，通過電阻R78接地。
專利摘要本實用新型涉及一種超薄磁芯PCB板式開關(guān)電源，屬于電源領(lǐng)域。設(shè)有輸入電路，其特征是輸入電路連接EMI濾波電路，EMI濾波電路連接輸入整流濾波電路，輸入整流濾波電路分別與PWM控制電路、啟動和電源關(guān)閉電路連接，PWM控制電路分別與超薄磁芯變壓器、輔助電壓電路、反饋控制電路及啟動和關(guān)閉電路連接，超薄磁芯變壓器連接輸出濾波電路，輸出濾波電路連接反饋控制電路。
文檔編號H02M7/217GK201750350SQ201020167690
公開日2011年2月16日 申請日期2010年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月23日
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