用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法，所述方法包括：選擇包含問題圖案的特定圖案；對(duì)整個(gè)芯片進(jìn)行掃描以定位與所述特定圖案相匹配的特定區(qū)域；以及在所述特定區(qū)域內(nèi)實(shí)施光學(xué)鄰近修正修復(fù)。本發(fā)明所提供的用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法基于圖案匹配使得光學(xué)鄰近修正修復(fù)可以在錯(cuò)誤標(biāo)記指定的較小區(qū)域內(nèi)高效執(zhí)行，不對(duì)其他區(qū)域造成不期望的影響。
【專利說明】
用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)(OpticalProximity Correct1n repair, OPC repair)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路的復(fù)雜度越來越高，特征尺寸也變的越來越小。當(dāng)集成電路的特征尺寸接近光刻機(jī)曝光的系統(tǒng)極限，即特征尺寸接近或小于光刻光源時(shí)，硅片上制造出的版圖會(huì)出現(xiàn)明顯的畸變，該現(xiàn)象稱為光學(xué)鄰近效應(yīng)。為了應(yīng)對(duì)光學(xué)鄰近效應(yīng)，提出了分辨率增強(qiáng)技術(shù)。其中，光學(xué)鄰近修正(即0PC)已成為最重要的技術(shù)。
[0003]通常實(shí)施OPC以確保最終輪廓在垂直和水平方向上均具有足夠的關(guān)鍵尺寸(Critical Dimens1n,⑶)，同時(shí)需要滿足空間限制。OPC修復(fù)流程可以包括例如邊緣移動(dòng)，然而有些情形不適用邊緣移動(dòng)。例如輪廓的水平尺寸受到光罩規(guī)則檢查(Mask RuleCheck, MRC)的限制，同時(shí)它的垂直尺寸又受到設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(Design Rule Check, DRC)的限制。在此情況下，添加輔助圖形可能是一種解決方法。然而，有時(shí)進(jìn)行邊緣移動(dòng)和/或輪廓再成形(reshape)是必需的，現(xiàn)有的OPC修復(fù)流程對(duì)其無法進(jìn)行處理。實(shí)質(zhì)上，任何通過簡(jiǎn)單的邊緣移動(dòng)無法解決的壞點(diǎn)(weak point)都將對(duì)修復(fù)流程提出嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法，所述方法包括:選擇包含問題圖案的特定圖案；對(duì)整個(gè)芯片進(jìn)行掃描以定位與所述特定圖案相匹配的特定區(qū)域；以及在所述特定區(qū)域內(nèi)實(shí)施光學(xué)鄰近修正修復(fù)。
[0005]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述問題圖案包括關(guān)鍵尺寸不符合期望尺寸的圖案。
[0006]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述特定區(qū)域內(nèi)實(shí)施光學(xué)鄰近修正修復(fù)包括在所述特定區(qū)域內(nèi)的合適位置處添加不會(huì)在光刻膠上形成圖形的輔助圖形。
[0007]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述輔助圖形包括散射條(scattering bar, SB)。
[0008]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述散射條的參數(shù)基于所述問題圖案和工藝狀況來確定。
[0009]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述方法還包括對(duì)所述散射條的參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。
[0010]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述特定區(qū)域內(nèi)實(shí)施光學(xué)鄰近修正修復(fù)包括在所述特定區(qū)域內(nèi)使問題圖案重新進(jìn)行目標(biāo)定位(retarget)。
[0011]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述特定區(qū)域內(nèi)實(shí)施光學(xué)鄰近修正修復(fù)包括在所述特定區(qū)域內(nèi)使問題圖案進(jìn)行邊緣移動(dòng)。
[0012]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述方法是針對(duì)連接孔層的光學(xué)鄰近修正修復(fù)。
[0013]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述連接孔為接觸孔(contact，CT)。
[0014]本發(fā)明所提供的用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法基于圖案匹配使得光學(xué)鄰近修正修復(fù)可以在錯(cuò)誤標(biāo)記指定的較小區(qū)域內(nèi)高效執(zhí)行，不對(duì)其他區(qū)域造成不期望的影響。
【附圖說明】
[0015]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0016]附圖中:
[0017]圖1示出了接觸孔的關(guān)鍵尺寸出現(xiàn)異常的示例；
[0018]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法的流程圖；
[0019]圖3示出了采用圖2的方法進(jìn)行光學(xué)鄰近修正修復(fù)的示例；
[0020]圖4示出了采用圖2的方法后圖1的接觸孔的關(guān)鍵尺寸恢復(fù)正常的示意圖；以及
[0021]圖5示出了采用圖2的方法進(jìn)行光學(xué)鄰近修正修復(fù)的另一示例。
【具體實(shí)施方式】
[0022]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0023]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0024]在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
[0025]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明提出的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述夕卜，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0026]OPC已經(jīng)成為集成電路制造工藝中關(guān)鍵尺寸控制和良率提升不可缺少的途徑。例如，對(duì)接觸孔等連通孔的OPC程序(recipe)通常被調(diào)整用于確保最終的輪廓在垂直和水平方向上具有足夠的關(guān)鍵尺寸，同時(shí)它們又需要滿足空間限制。即使是調(diào)整較好的程序也可能使某些輪廓不符合規(guī)格。通常可以應(yīng)用修復(fù)流程來解決剩余的壞點(diǎn)。修復(fù)流程通常實(shí)施邊緣移動(dòng)來重新對(duì)接觸孔進(jìn)行目標(biāo)定位。然而，有時(shí)簡(jiǎn)單的邊緣移動(dòng)并不適用于某些情形。
[0027]圖1示出了接觸孔的關(guān)鍵尺寸出現(xiàn)異常的示例。如圖1所示，箭頭所指的接觸孔沿水平方向的關(guān)鍵尺寸偏小(例如圖1中示出為61.75納米(nm))，不符合規(guī)格。然而，該問題接觸孔的水平尺寸受到MRC的限制，同時(shí)垂直尺寸受到DRC的限制，因此不適用于通過簡(jiǎn)單的邊緣移動(dòng)來處理。這里，MRC對(duì)兩個(gè)接觸孔邊緣之間的最小距離有限制，DRC對(duì)接觸孔在AA區(qū)域上的最大延伸有限制。此時(shí)，可以通過添加輔助圖形來解決關(guān)鍵尺寸的問題。然而，對(duì)于一些情況，接觸孔移動(dòng)和再成形是必需的。在此情況下，現(xiàn)有的修復(fù)流程無法進(jìn)行處理。
[0028]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法200的流程圖。如圖2所示，方法200包括以下步驟:
[0029]步驟201:選擇包含問題圖案的特定圖案。具體地，可以選擇包含問題圖案的小片區(qū)域，以形成特定圖案。其中，問題圖案例如可以包括關(guān)鍵尺寸不符合期望尺寸的圖案。例如，如圖1所示箭頭指向的接觸孔由于其相對(duì)孤立的環(huán)境而導(dǎo)致其水平方向的關(guān)鍵尺寸偏小。
[0030]步驟202:對(duì)整個(gè)芯片進(jìn)行掃描以定位與該特定圖案相匹配的特定區(qū)域。具體地，可以采用圖案匹配的方法在整個(gè)芯片中定位出與步驟201中形成的特定圖案相匹配的圖案區(qū)域，以形成即將在其上進(jìn)行光學(xué)鄰近修正修復(fù)的特定區(qū)域。
[0031]步驟203:在該特定區(qū)域內(nèi)實(shí)施光學(xué)鄰近修正修復(fù)。其中，在特定區(qū)域內(nèi)實(shí)施光學(xué)鄰近修正修復(fù)可以包括在特定區(qū)域內(nèi)的合適位置處添加不會(huì)在光刻膠上形成圖形的輔助圖形。對(duì)于圖1示出的孤立接觸孔圖形，可以在其周圍添加亞分辨率輔助圖形，使其具有密集圖形的特性，從而改善其光強(qiáng)分布，提高成像質(zhì)量。
[0032]具體地，可以在該特定區(qū)域內(nèi)的合適位置處添加散射條。散射條的參數(shù)可以基于問題圖案和工藝狀況來確定?？蛇x地，還可以對(duì)散射條的參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。例如，散射條的關(guān)鍵參數(shù)可以包括寬度和散射條的邊界到主圖形邊界的距離。這兩個(gè)參數(shù)的變化對(duì)散射條效果的影響很大。通過模擬，可以在特定工藝條件下對(duì)這兩個(gè)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。散射條技術(shù)不僅能進(jìn)行鄰近效應(yīng)校正、提高工藝焦深，而且還能降低掩膜誤差因子、減小光學(xué)透鏡色差的影響。散射條技術(shù)將孤立圖形和半密集圖形變?yōu)槊芗瘓D形，使其與密集圖形的工藝窗口相匹配，從而使整個(gè)圖形更容易加工。
[0033]圖3示出了采用圖2的方法進(jìn)行光學(xué)鄰近修正修復(fù)的示例。在圖3中以接觸孔為例，如圖3所示，箭頭指向的接觸孔為關(guān)鍵尺寸出現(xiàn)異常的接觸孔。如圖3所示，選擇包含問題圖案的一小片區(qū)域(如圖3中的橢圓圈中的區(qū)域)形成特定圖案，然后通過對(duì)整個(gè)芯片進(jìn)行掃描，定位到與特定圖案相匹配的特定區(qū)域，再在該特定區(qū)域的期望位置處精確地添加散射條。
[0034]以該方式，最終可以在期望位置處添加散射條，而不影響其他不同位置的散射條，結(jié)果的輪廓的關(guān)鍵尺寸得到了修復(fù)，正如圖4所示的。在圖4中，對(duì)圖1的接觸孔采用圖2的方法后，水平方向的關(guān)鍵尺寸得到了修復(fù)，增大為66.25納米。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在特定區(qū)域內(nèi)實(shí)施光學(xué)鄰近修正修復(fù)還可以包括在特定區(qū)域內(nèi)使問題圖案重新進(jìn)行目標(biāo)定位。圖5示出了采用圖2的方法進(jìn)行光學(xué)鄰近修正修復(fù)的另一示例，圖5以接觸孔為例，如圖5所示，形成特定圖案以及圖案匹配后，在特定區(qū)域?qū)嵤┙佑|孔重新目標(biāo)定位。特定圖案內(nèi)下側(cè)的小多邊形為問題圖案，問題圖案外側(cè)的方框指定經(jīng)重新目標(biāo)定位的接觸孔。
[0036]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，除了在特定區(qū)域內(nèi)添加散射條、重新目標(biāo)定位之夕卜，還可以在特定區(qū)域內(nèi)的期望位置處進(jìn)行任何其他的修復(fù)操作(例如在特定區(qū)域內(nèi)使問題圖案進(jìn)行邊緣移動(dòng)等)，而不會(huì)對(duì)其他位置的圖案產(chǎn)生影響，提供強(qiáng)健而高效的修復(fù)。
[0037]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法，其特征在于，所述方法包括: 選擇包含問題圖案的特定圖案； 對(duì)整個(gè)芯片進(jìn)行掃描以定位與所述特定圖案相匹配的特定區(qū)域；以及 在所述特定區(qū)域內(nèi)實(shí)施光學(xué)鄰近修正修復(fù)。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述問題圖案包括關(guān)鍵尺寸不符合期望尺寸的圖案。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述特定區(qū)域內(nèi)實(shí)施光學(xué)鄰近修正修復(fù)包括在所述特定區(qū)域內(nèi)的合適位置處添加不會(huì)在光刻膠上形成圖形的輔助圖形。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述輔助圖形包括散射條。5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述散射條的參數(shù)基于所述問題圖案和工藝狀況來確定。6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法還包括對(duì)所述散射條的參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述特定區(qū)域內(nèi)實(shí)施光學(xué)鄰近修正修復(fù)包括在所述特定區(qū)域內(nèi)使問題圖案重新進(jìn)行目標(biāo)定位。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述特定區(qū)域內(nèi)實(shí)施光學(xué)鄰近修正修復(fù)包括在所述特定區(qū)域內(nèi)使問題圖案進(jìn)行邊緣移動(dòng)。9.如權(quán)利要求1-8中的任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法是針對(duì)連接孔層的光學(xué)鄰近修正修復(fù)。10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述連接孔為接觸孔。
【文檔編號(hào)】G03F1/36GK106033172SQ201510121332
【公開日】2016年10月19日
【申請(qǐng)日】2015年3月19日
【發(fā)明人】杜杳雋
【申請(qǐng)人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司