降低關(guān)鍵尺寸的光學(xué)鄰近修正的邊緣定位誤差的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種降低光學(xué)鄰近修正的邊緣定位誤差的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造工藝中，光刻工藝處于中心地位，是集成電路生產(chǎn)中最重要的工藝步驟。為了克服由于關(guān)鍵尺寸(Critical Dimens1n,⑶)的縮小而帶來(lái)的一系列光學(xué)鄰近效應(yīng)(Optical Proximity Effect, ΟΡΕ),業(yè)界采用了很多分辨率增強(qiáng)技術(shù)(Resolut1nEnhancement Technology, RET),包括光學(xué)鄰近修正(Optical Proximity Correct1n,0PC)、相移掩模板(Phase Shifting Mask, PSM)等等技術(shù)。
[0003]光學(xué)鄰近修正主要是將待曝光模擬圖形與目標(biāo)圖形進(jìn)行比對(duì)，建立待曝光圖形的修正模式，再利用仿真器依據(jù)光照條件以及先前曝光結(jié)果等參數(shù)，進(jìn)行一連串復(fù)雜的修正計(jì)算。
[0004]當(dāng)前，28nm及以下的通孔邏輯區(qū)域具有許多對(duì)角線或者錯(cuò)列的密集設(shè)計(jì)。這種密集設(shè)計(jì)的節(jié)距密集且掩模版誤差增強(qiáng)因子(Mask Error Enhancement Factor,MEEF)較高，因而會(huì)使得OPC收斂劣化，進(jìn)而容易觸及掩模板制造工藝(Mask Rule Check,MRC)的極限。因此，較大的OPC邊緣定位誤差(Edge Placement Error7EPE)會(huì)在現(xiàn)有技術(shù)中得以保留并很難被修復(fù)。
[0005]傳統(tǒng)地，可以嘗試以下兩種方式來(lái)克服上述問(wèn)題:
[0006]I)根據(jù)幾何特征選擇較大的EPE邊緣，然后選擇其相鄰邊和相對(duì)邊，用標(biāo)簽控制方式來(lái)向外移動(dòng)該相鄰邊或者相對(duì)邊，只要它們不違法掩模板設(shè)計(jì)規(guī)則；
[0007]2)優(yōu)化次分辨率輔助圖形(Sub-Resolut1n Assistant Feature, SRAF)規(guī)則(寬度/長(zhǎng)度/間隔)以改變OPC后的形狀，該方式可以避免觸及MRC極限。
[0008]但，隨著芯片變得越來(lái)越大、越來(lái)越復(fù)雜，會(huì)出現(xiàn)成千上萬(wàn)的EPE誤差。因此，手動(dòng)調(diào)試不可能是合適的解決方案。因此，業(yè)界亟需一種優(yōu)化的自動(dòng)化方法來(lái)解決現(xiàn)有技術(shù)的上述不足。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]在現(xiàn)有技術(shù)的方法的基礎(chǔ)之上，本發(fā)明的發(fā)明人開(kāi)發(fā)出了一種套新的流程。
[0010]具體地，本發(fā)明提供了一種降低關(guān)鍵尺寸的光學(xué)鄰近修正的邊緣定位誤差的方法，包括:
[0011]a.對(duì)掩模板圖形進(jìn)行光學(xué)模擬，以模擬所述掩模板圖形經(jīng)光刻后于硅片上所形成的圖像，所述掩模板圖形中包含通孔；
[0012]b.解析所述通孔的輪廓，其中所述輪廓包含多條邊；
[0013]c.將解析出的通孔的輪廓同該通孔的目標(biāo)圖形進(jìn)行比較，以計(jì)算出該輪廓的邊緣定位誤差；
[0014]d.判斷該輪廓的邊緣定位誤差是否達(dá)到預(yù)設(shè)的輪廓目標(biāo)范圍；
[0015]e.如果該輪廓的邊緣定位誤差超出所述輪廓目標(biāo)范圍，則
[0016]el.檢查所述輪廓的多條邊中的每一條的優(yōu)先級(jí)；
[0017]e2.依照所述優(yōu)先級(jí)的次序，對(duì)所述掩模板圖形進(jìn)行修正，其中該修改包括:先調(diào)整所述多條邊中的具有高優(yōu)先級(jí)的邊以使該具有高優(yōu)先級(jí)的邊的邊緣定位誤差達(dá)到其目標(biāo)范圍，然后再調(diào)整具有低優(yōu)先級(jí)的邊；
[0018]e3.用經(jīng)步驟e2修正的掩模板圖形替換上述步驟a中的掩模板圖形，再對(duì)該經(jīng)步驟e2修正的掩模板圖形重新執(zhí)行該方法；以及
[0019]f.如果該輪廓的邊緣定位誤差達(dá)到所述輪廓目標(biāo)范圍，則完成對(duì)掩模板圖形的光學(xué)鄰近修正。
[0020]較佳地，在上述的方法中，在所述步驟e2中的再調(diào)整具有低優(yōu)先級(jí)的邊的過(guò)程中，允許調(diào)整所述具有低優(yōu)先級(jí)的邊，以使該具有低優(yōu)先級(jí)的邊的邊緣定位誤差超出其目標(biāo)范圍。
[0021]較佳地，在上述的方法中，所述邊的優(yōu)先級(jí)是根據(jù)該邊的邊緣定位誤差規(guī)范的嚴(yán)格程度來(lái)劃分。
[0022]較佳地，在上述的方法中，鄰近多晶硅橋的邊的優(yōu)先級(jí)高于鄰近有源區(qū)邊緣的邊的優(yōu)先級(jí)，且所述鄰近有源區(qū)邊緣的邊的優(yōu)先級(jí)高于遠(yuǎn)離多晶硅橋和有源區(qū)邊緣的邊的優(yōu)先級(jí)。
[0023]較佳地，在上述的方法中，在所述步驟e2中的再調(diào)整具有低優(yōu)先級(jí)的邊的過(guò)程中，調(diào)整所述具有低優(yōu)先級(jí)的邊，以使該低優(yōu)先級(jí)的邊的邊緣定位誤差為正值。
[0024]綜上所述，本發(fā)明的方法可以改善OPC質(zhì)量，獲得較小的邊緣定位誤差，并可以減少手動(dòng)調(diào)試時(shí)間、加快OPC程式的開(kāi)發(fā)。此外，本發(fā)明的方法還可以在不影響電氣性能的前提下改善制程范圍。
[0025]應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明以上的一般性描述和以下的詳細(xì)描述都是示例性和說(shuō)明性的，并且旨在為如權(quán)利要求所述的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。
【附圖說(shuō)明】
[0026]包括附圖是為提供對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步的理解，它們被收錄并構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并與本說(shuō)明書(shū)一起起到解釋本發(fā)明原理的作用。附圖中:
[0027]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的方法的流程圖。
[0028]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的流程圖。
[0029]圖3示出了掩模板圖形的局部示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]現(xiàn)在將詳細(xì)參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例?，F(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其示例在附圖中示出。在任何可能的情況下，在所有附圖中將使用相同的標(biāo)記來(lái)表示相同或相似的部分。此外，盡管本發(fā)明中所使用的術(shù)語(yǔ)是從公知公用的術(shù)語(yǔ)中選擇的，但是本發(fā)明說(shuō)明書(shū)中所提及的一些術(shù)語(yǔ)可能是申請(qǐng)人按他或她的判斷來(lái)選擇的，其詳細(xì)含義在本文的描述的相關(guān)部分中說(shuō)明。此外，要求不僅僅通過(guò)所使用的實(shí)際術(shù)語(yǔ)，而是還要通過(guò)每個(gè)術(shù)語(yǔ)所蘊(yùn)含的意義來(lái)理解本發(fā)明。
[0031]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的流程圖。如圖2所示，本發(fā)明的降低關(guān)鍵尺寸的光學(xué)鄰近修正的邊緣定位誤差的方法200主要包括以下步驟:
[0032]步驟201:對(duì)掩模板圖形(例如圖3中所示的掩模板圖形)進(jìn)行光學(xué)模擬，以模擬該掩模板圖形經(jīng)光刻后于硅片上所形成的圖像，該掩模板圖形中包含通孔(例如圖3中所示的通孔301)；
[0033]步驟202:解析該通孔的輪廓，其中該輪廓包含多條邊(例如，位于圖3中間位置處的通孔的上下兩條邊A和左右兩條邊B)；
[0034]步驟203:將解析出的通孔的輪廓同該通孔的目標(biāo)圖形(例如圖3中所示的目標(biāo)圖形304)進(jìn)行比較，以計(jì)算出該輪廓的邊緣定位誤差；
[0035]步驟204:判斷該輪廓的邊緣定位誤差是否達(dá)到預(yù)設(shè)的輪廓目標(biāo)范圍；
[0036]如果該輪廓的邊緣定位誤差超出該輪廓目標(biāo)范圍，則
[0037]步驟205:檢查該輪廓的多條邊中的每一條的優(yōu)先級(jí)；
[0038]步驟206:依照該優(yōu)先級(jí)的次序，對(duì)該掩模板圖形進(jìn)行修正，其中該修改包括:先調(diào)整該多條邊中的具有高優(yōu)先級(jí)的邊(例如圖3中所示的邊B)以使該具有高優(yōu)先級(jí)的邊的邊緣定位誤差達(dá)到其目標(biāo)范圍，然后再調(diào)整具有低優(yōu)先級(jí)的邊(例如圖3中所示的邊A)；
[0039]接著，用經(jīng)步驟206修