一種通孔層的光學(xué)臨近修正方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種通孔層的光學(xué)臨近修正方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體的后段制造過(guò)程中，為了形成金屬互連線，需要在相鄰兩層金屬線之間形成通孔以實(shí)現(xiàn)上下層金屬互連。隨著電路密度增加和關(guān)鍵尺寸越來(lái)越小，金屬線之間的間隔及通孔的尺寸變得越來(lái)越小、越來(lái)越密，甚至達(dá)到次微米以下，容易導(dǎo)致通孔的光刻工藝窗口過(guò)小，影響產(chǎn)品的良率。與此同時(shí)，在掩模上的集成電路圖案通過(guò)曝光轉(zhuǎn)移到晶片上的光刻膠層時(shí)，由于光學(xué)臨近效應(yīng)，常常發(fā)生變形，且隨著關(guān)鍵尺寸的減小，其帶來(lái)的變形越明顯，圖案稀疏區(qū)域和圖案稠密區(qū)域同樣尺寸的通孔在圖案轉(zhuǎn)移后會(huì)產(chǎn)生不同的變形，孤立通孔容易產(chǎn)生盲孔。為了解決上述問(wèn)題，通常采用光學(xué)臨近修正(optical proximitycorrect1n，0PC)方法對(duì)掩模板上的圖案進(jìn)行修正，0PC常規(guī)的通孔修正一般是先將所有的通孔進(jìn)行整體放大，再用0PC模型對(duì)整體放大后的通孔進(jìn)行修正。
[0003]隨著集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)越來(lái)越小，通孔的整體放大尺寸很難控制。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中經(jīng)過(guò)常規(guī)0PC修正方法進(jìn)行整體放大之后的金屬線和通孔布圖；如圖1所示，若通孔的整體放大不足，孤立通孔的光刻工藝窗口會(huì)非常小。若通孔的整體放大過(guò)大，雖然孤立通孔的光刻工藝窗口會(huì)增大，但是不同電位通孔合并的風(fēng)險(xiǎn)也增大；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中經(jīng)過(guò)常規(guī)0PC修正方法整體放大之后進(jìn)行填孔后的布圖側(cè)視圖，如圖2所示，受干法刻蝕、濕法刻蝕、化學(xué)機(jī)械研磨等工藝的影響，通孔與上層金屬線的接觸面積比通孔與下層金屬線的接觸面積大得多，導(dǎo)致相鄰上層金屬線之間易發(fā)生短路，所以沒(méi)有對(duì)通孔層的0PC修正選定合適的整體放大尺寸，而且也沒(méi)有對(duì)特殊結(jié)構(gòu)的通孔進(jìn)行特殊的0PC修正。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本發(fā)明提供了一種通孔層的光學(xué)臨近修正方法，可以對(duì)通孔的0PC修正方法進(jìn)行優(yōu)化，在保證了這種通孔面積足夠的同時(shí)，又可以避免其與相鄰的上層金屬線或者不同電位的通孔連接而造成電路的短路。
[0005]本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種通孔層的光學(xué)臨近修正方法，所述方法包括:
[0007]提供多層金屬線及連接不同層所述金屬線的通孔；
[0008]在所述通孔的各個(gè)邊中選中到相鄰層金屬線的距離等于所述通孔的最小設(shè)計(jì)規(guī)則的邊；
[0009]固定所述選中的邊，將所述通孔其他的邊光學(xué)臨近修正方法向外移動(dòng)。
[0010]優(yōu)選的，所述多層金屬線及所述通孔設(shè)置于一金屬線和通孔布圖中。
[0011]優(yōu)選的，所述光學(xué)臨近修正后的通孔面積為原始面積的1.2-1.5倍。
[0012]優(yōu)選的，所述通孔的形狀為正方形。
[0013]優(yōu)選的，所述通孔的最小設(shè)計(jì)規(guī)則為所述通孔的邊長(zhǎng)。
[0014]一種通孔層的光學(xué)臨近修正方法，所述方法包括:
[0015]提供多層金屬線及連接不同層所述金屬線的通孔；
[0016]在各個(gè)所述通孔的各個(gè)邊中，選中相鄰的不同電位的通孔距離等于所述通孔的最小設(shè)計(jì)規(guī)則的邊；
[0017]固定所述選中的邊，將所述通孔其他的邊光學(xué)臨近修正方法向外移動(dòng)。
[0018]優(yōu)選的，所述多層金屬線包括第一層第一金屬線、第一層第二金屬線、第二層第一金屬線、第二層第二金屬線，以及
[0019]所述第二層第二金屬線與第一層第一金屬線和第一層第二金屬線連接。
[0020]優(yōu)選的，所述金屬線的通孔包括:
[0021]第一通孔，與所述第一層第一金屬線和所述第二層第二金屬線連接；
[0022]第二通孔，與所述第一層第二金屬線和所述第二層第三金屬線連接；
[0023]所述第一通孔與所述第二通孔為不同電位的通孔。
[0024]優(yōu)選的，所述第一通孔與所述第二通孔之間的距離等于所述不同電位通孔間距離的最小設(shè)計(jì)規(guī)則。
[0025]優(yōu)選的，所述第一通孔與所述第二層第一金屬線的距離為所述通孔與相鄰上層金屬間距離的最小設(shè)計(jì)規(guī)則。
[0026]優(yōu)選的，所述最小設(shè)計(jì)規(guī)則為所述第一通孔或所述第二通孔的邊長(zhǎng)。
[0027]本發(fā)明的有益效果是:
[0028]本發(fā)明提供的0PC修正方法，可以對(duì)后段銅互連中通孔層中某種特殊結(jié)構(gòu)的通孔的0PC修正方法進(jìn)行優(yōu)化，在保證了這種通孔面積足夠的同時(shí)，又可以避免其與相鄰的上層金屬線或者不同電位的通孔連接而造成電路的短路。
【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中經(jīng)過(guò)常規(guī)0PC修正方法進(jìn)行整體放大之后的金屬線和通孔布圖；
[0030]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中經(jīng)過(guò)常規(guī)0PC修正方法整體放大之后進(jìn)行填孔后的布圖側(cè)視圖；
[0031]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中0PC修正方法中初始的金屬線和通孔布圖；
[0032]圖4為本發(fā)明實(shí)施例中0PC修正方法中通孔進(jìn)行0PC修正后的金屬線和通孔布圖；
[0033]圖5為本發(fā)明實(shí)施例中經(jīng)過(guò)0PC修正方法進(jìn)行填孔后的布圖側(cè)視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，下述技術(shù)方案，技術(shù)特征之間可以相互組合。
[0035]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的說(shuō)明:
[0036]本實(shí)施例為了解決一種特殊結(jié)構(gòu)的通孔的尺寸放大問(wèn)題，這種結(jié)構(gòu)的通孔按照正常的0PC放大方法會(huì)存在與相鄰上層金屬線之間易發(fā)生短路的風(fēng)險(xiǎn)，本實(shí)施例通過(guò)采用新的0PC修正方法以消除這種風(fēng)險(xiǎn)。圖3為本發(fā)明實(shí)施例中0PC修正方法中初始的金屬線和通孔布圖；如圖3所示，初始的(在未進(jìn)行修正前的)金屬線和通孔布圖包括多層金屬線以及連接不同層金屬線的通孔，具體包括第一層金屬線和第二層金屬線。其中第一層金屬線包括第一層第一金屬線11，第一層第二金屬線12 ;第二層金屬線包括第二層第一金屬線21，與第一層第一金屬線11連接的第二層第二金屬線22和與第一層第二金屬線12連接的第二層第三金屬線23。
[0037]布圖還包括若干通孔，本實(shí)施例中的通孔可以包括，:連接第一層第一金屬線11和第二層第二金屬線22的第一通孔100，連接第一層第二金屬線12和第二層第三金屬線23的第二通孔200。第一通孔100與相鄰的上層金屬線21之間的距離等于其最小的設(shè)計(jì)規(guī)貝1J，且第一通孔100與相鄰不同電位的第二通孔200的距離等于其最小的設(shè)計(jì)規(guī)則。上述提及的金屬線與通孔可以為初始的金屬線和通孔布圖的金屬線和通孔部分的完整展示，或者僅為其一部分，只為達(dá)到展示本實(shí)施例的目的。
[0038]現(xiàn)有技術(shù)中，使用常規(guī)的0PC修正方法放大通孔時(shí)，會(huì)考慮到相鄰的不同電位的通孔之間的距離。第一通孔100和第二通孔200分別連接了不同的第一層金屬線和第二層金屬線，第一通孔100與第二通孔200屬于不同電位的通孔。第一通孔100的邊1003到相鄰的不同電位的第二通孔200的距離等于其最小的設(shè)計(jì)規(guī)則，所以會(huì)保持通孔100的邊1003不動(dòng)，將通孔100的邊1001、1002和1003向外移動(dòng)。同樣，第二通孔200的邊2001由于到第一通孔100的距離等于其最小的設(shè)計(jì)規(guī)則，所以會(huì)保持不動(dòng)，將通孔