顯示面板及顯示裝置的制造方法
【專利摘要】一種顯示面板及顯示裝置，該顯示面板包括一薄膜晶體管基板以及一顯示介質(zhì)層。顯示介質(zhì)層設(shè)置于薄膜晶體管基板上。薄膜晶體管基板包含一薄膜晶體管及一基板，薄膜晶體管設(shè)置于基板上，并具有一柵極、一金屬氧化物層、一源極、一漏極及一保護(hù)層，柵極與金屬氧化物層相對(duì)設(shè)置，保護(hù)層設(shè)置于金屬氧化物層上，源極及漏極分別經(jīng)由保護(hù)層的一開口與金屬氧化物層接觸，部分的柵極或金屬氧化物層的一側(cè)邊與這些開口的至少其中之一重迭設(shè)置。通過本發(fā)明的顯示面板及顯示裝置具有降低像素的前饋電壓或者提高開口率的功效而可提高顯示品質(zhì)。
【專利說明】
顯示面板及顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明關(guān)于一種顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著科技的進(jìn)步，平面顯示面板已經(jīng)廣泛地被運(yùn)用在各種領(lǐng)域，因具有體型輕薄、 低功率消耗及無(wú)福射等優(yōu)越特性，已經(jīng)漸漸地取代傳統(tǒng)陰極射線管顯示裝置，而應(yīng)用至許 多種類的電子產(chǎn)品中，例如移動(dòng)電話、可攜式多媒體裝置、筆記本電腦、電視及顯示屏幕等 等。
[0003] W液晶顯示面板為例，現(xiàn)有一種液晶顯示面板包含一薄膜晶體管基板、一彩色濾 光基板及一液晶層，薄膜晶體管基板與彩色濾光基板相對(duì)而設(shè)，而液晶層夾置于薄膜晶體 管基板與彩色濾光基板之間。由于市場(chǎng)的快速競(jìng)爭(zhēng)，顯示面板及顯示裝置的尺寸與顯示色 彩飽和度的需求也快速增加，同時(shí)也增加對(duì)薄膜晶體管電性表現(xiàn)與穩(wěn)定度的要求。其中， W金屬氧化物（Metal oxide-based, MOSs)作為半導(dǎo)體層材料的薄膜晶體管可在室溫中 制備，并且擁有良好的電流輸出特性、較低的漏電流與高于非晶娃薄膜晶體管（amorphous silicon thin film transistor, a-Si TFT)十倍W上的電子遷移率，可分別降低顯示面板 的功率消耗與提升顯示面板的操作頻率，因此，已成為下一代顯示面板及裝置中主流的驅(qū) 動(dòng)元件。
[0004] 然而，雖然金屬氧化物半導(dǎo)體層具有較佳的電性，但是于薄膜晶體管的后續(xù)制造 過程中常會(huì)造成金屬氧化物半導(dǎo)體層的電性被破壞。為了避免金屬氧化物半導(dǎo)體層的電 性遭到破壞，現(xiàn)有技術(shù)中一般會(huì)在薄膜晶體管的半導(dǎo)體層上加入一保護(hù)層來(lái)保護(hù)?？墒牵?由于薄膜晶體管的源極與漏極需與半導(dǎo)體層接觸，故一旦加入保護(hù)層之后，源極與漏極就 需通過保護(hù)層上的孔桐來(lái)接觸半導(dǎo)體層，但是保護(hù)層上孔桐的設(shè)置將使得源極與漏極需要 較大的布局面積，如此，將使源極或漏極與柵極之間的重迭面積變大，造成像素的前饋電壓 (fee化虹OU曲voltage)變大或開口率降低而影響顯示品質(zhì)。 陽(yáng)0化]因此，如何提供一種顯示面板及顯示裝置，可不因保護(hù)層的設(shè)置而使像素的前饋 電壓變大或開口率降低，進(jìn)而影響顯示品質(zhì)，已成為重要課題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的為提供一種顯示面板及顯示裝置，相較于現(xiàn)有技 術(shù)，本發(fā)明具有降低像素的前饋電壓或提高開口率的功效。
[0007] 為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種顯示面板，包括一薄膜晶體管基板W及一顯示 介質(zhì)層。顯示介質(zhì)層設(shè)置于薄膜晶體管基板上。薄膜晶體管基板包含一薄膜晶體管及一 基板，薄膜晶體管設(shè)置于基板上，并具有一柵極、一金屬氧化物層、一源極、一漏極及一保護(hù) 層，柵極與金屬氧化物層相對(duì)設(shè)置，保護(hù)層設(shè)置于金屬氧化物層上，源極及漏極分別經(jīng)由保 護(hù)層的一開口與金屬氧化物層接觸，且部分的柵極或金屬氧化物層的一側(cè)邊與運(yùn)些開口的 至少其中之一重迭設(shè)置。
[0008] 為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種顯示裝置，包括一顯示面板W及一背光模塊。顯 示面板包含一薄膜晶體管基板及一顯示介質(zhì)層。顯示介質(zhì)層設(shè)置于薄膜晶體管基板上。薄 膜晶體管基板包含一薄膜晶體管及一基板，薄膜晶體管設(shè)置于基板上，并具有一柵極、一金 屬氧化物層、一源極、一漏極及一保護(hù)層，柵極與金屬氧化物層相對(duì)設(shè)置，保護(hù)層設(shè)置于金 屬氧化物層上，源極及漏極分別經(jīng)由保護(hù)層的一開口與金屬氧化物層接觸，且部分的柵極 或金屬氧化物層的一側(cè)邊與運(yùn)些開口的至少其中之一重迭設(shè)置。背光模塊與顯示面板相對(duì) 而設(shè)。
[0009] 在一實(shí)施例中，金屬氧化物層為薄膜晶體管的一通道層，柵極與通道層之間具有 一介電層，且通道層的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體。
[0010] 在一實(shí)施例中，源極或漏極設(shè)置于運(yùn)些開口的其中之一內(nèi)，并接觸介電層或通道 層。
[0011] 在一實(shí)施例中，柵極具有兩相對(duì)第一側(cè)邊，且部分的運(yùn)些第一側(cè)邊分別與保護(hù)層 的兩個(gè)開口重迭。
[0012] 在一實(shí)施例中，金屬氧化物層為薄膜晶體管的一通道層，并具有兩相對(duì)第二側(cè)邊， 且部分的運(yùn)些第二側(cè)邊分別與保護(hù)層的兩個(gè)開口重迭。
[0013] 在一實(shí)施例中，柵極具有兩相對(duì)第一側(cè)邊，金屬氧化物層為薄膜晶體管的一通道 層，并具有兩相對(duì)第二側(cè)邊，且部分的運(yùn)些第一側(cè)邊及部分的運(yùn)些第二側(cè)邊分別與保護(hù)層 的兩個(gè)開口重迭。
[0014] 在一實(shí)施例中，位于運(yùn)些開口的其中之一內(nèi)的介電層具有一第一厚度，位于通 道層與柵極之間的介電層具有一第二厚度，第二厚度與第一厚度的差大于等于0,且小于 3000埃，或大于等于0,且小于保護(hù)層的厚度。
[0015] 在一實(shí)施例中，金屬氧化物層通過一緩沖層設(shè)置于基板上，金屬氧化物層具有一 通道區(qū)，柵極通過一介電層設(shè)置于通道區(qū)上，且通道區(qū)的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體。
[0016] 在一實(shí)施例中，金屬氧化物層還具有位于通道區(qū)兩側(cè)的二導(dǎo)電區(qū)，源極或漏極設(shè) 置于運(yùn)些開口的其中之一內(nèi)，并接觸緩沖層及運(yùn)些導(dǎo)電區(qū)的其中之一。
[0017] 承上所述，因本發(fā)明的顯示面板及顯示裝置中，薄膜晶體管基板的保護(hù)層設(shè)置于 金屬氧化物層上，而源極及漏極分別經(jīng)由保護(hù)層的一開口與金屬氧化物層接觸，且部分的 柵極或金屬氧化物層的一側(cè)邊與運(yùn)些開口的至少其中之一重迭設(shè)置。借此，在一些實(shí)施例 中，相較于現(xiàn)有技術(shù)而言，由于薄膜晶體管的部分柵極或金屬氧化物層的側(cè)邊與運(yùn)些開口 的其中之一為重迭設(shè)置，使得本發(fā)明的顯示面板及顯示裝置具有降低像素的前饋電壓或者 提高開口率的功效而可提高顯示品質(zhì)。
【附圖說明】
[0018] 圖1A為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種顯示面板的俯視示意圖。
[0019] 圖1B為圖1A中，沿直線A-A的剖視示意圖。
[0020] 圖2A至圖4B分別為本發(fā)明較佳實(shí)施例不同實(shí)施態(tài)樣的顯示面板的俯視示意圖及 對(duì)應(yīng)的剖視示意圖。
[0021] 圖5為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種顯示裝置的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] W下將參照相關(guān)圖式，說明依本發(fā)明較佳實(shí)施例的顯示面板及顯示裝置，其中相 同的元件將W相同的參照符號(hào)加 W說明。
[0023] 請(qǐng)參照?qǐng)D1A及圖1B所示，其中，圖1A為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種顯示面板1的 俯視示意圖，而圖1B為圖1A中，沿直線A-A的剖視示意圖。于此，圖1B可對(duì)應(yīng)于顯示面板 1的一（次）像素結(jié)構(gòu)。
[0024] 本實(shí)施例的顯示面板1包括一薄膜晶體管基板11、一對(duì)向基板12 W及一顯示介質(zhì) 層13。薄膜晶體管基板11與對(duì)向基板12相對(duì)設(shè)置，而顯示介質(zhì)層13則夾置于薄膜晶體 管基板11與對(duì)向基板12之間。薄膜晶體管基板11與對(duì)向基板12可分別包含透光材質(zhì)， 并例如為一玻璃基板、一石英基板或一塑料基板，并不限定。另外，顯示面板1可為一液晶 顯示面板或一有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板。在本實(shí)施例中，顯示面板1是W液晶顯示面板為 例，故顯示介質(zhì)層13為一液晶層，且對(duì)向基板12為一彩色濾光基板。不過，若顯示面板1 為一有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板時(shí)，則顯示介質(zhì)層13可為一有機(jī)發(fā)光二極管層。在一實(shí)施例 中，若有機(jī)發(fā)光二極管層發(fā)出白光時(shí)，則對(duì)向基板12可為一彩色濾光基板；在另一實(shí)施例 中，若有機(jī)發(fā)光二極管層發(fā)出例如紅、綠、藍(lán)色光時(shí)，則對(duì)向基板12可為一保護(hù)基板（Cover plate)，W保護(hù)有機(jī)發(fā)光二極管層不受外界水氣或異物的污染?；蛘撸谟忠粚?shí)施例中，有 機(jī)發(fā)光二極管顯示面板也可不設(shè)置對(duì)向基板12,而是通過可透光的材質(zhì)（例如膠質(zhì)）覆蓋 在有機(jī)發(fā)光二極管層（顯示介質(zhì)層13)上，W保護(hù)有機(jī)發(fā)光二極管層不受外界水氣或異物 的污染。
[00巧]如圖1B所示，薄膜晶體管基板11包含一薄膜晶體管T、一基板111、一純化層PAS 及一第一電極陽(yáng)。
[00%] 薄膜晶體管T為像素的開關(guān)元件，并設(shè)置于基板111上，并具有一柵極G、一金屬氧 化物層A、一源極S、一漏極D及一保護(hù)層P。本實(shí)施例是W-下柵極化ottom-gate)薄膜晶 體管為例。其中，為了清楚說明本發(fā)明的特點(diǎn)，于圖1A中并未顯示圖1B的基板111、顯示介 質(zhì)層13、介電層I及純化層PAS。
[0027] 基板111為透光材質(zhì)所制成，其材料例如為玻璃、石英或塑料，并不限定。柵極G 設(shè)置于基板111上，且柵極G的材質(zhì)可為金屬（例如為侶、銅、銀、鋼、或鐵）或其合金所構(gòu) 成的單層或多層結(jié)構(gòu)。部分用W傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)的導(dǎo)線，可W使用與柵極G同層（俗稱為第 一金屬層M1，未顯示）且同一工藝的結(jié)構(gòu)，彼此電性相連，例如掃描線（圖未顯示）。介電 層I設(shè)置于柵極G及基板111上，且介電層I可為有機(jī)材質(zhì)例如為有機(jī)娃氧化合物，或無(wú)機(jī) 材質(zhì)例如為氮化娃、氧化娃、氮氧化娃、碳化娃、氧化侶、氧化給、或上述材質(zhì)的多層結(jié)構(gòu)，并 不限定。其中，介電層I需完整覆蓋柵極G，并可選擇部分或全部覆蓋基板111。
[0028] 金屬氧化物層A設(shè)置于介電層I上，并與柵極G相對(duì)設(shè)置，而源極S及漏極D設(shè) 置于金屬氧化物層A上，并分別接觸金屬氧化物層A。其中，源極S及漏極D之間具有一間 隔。于此，所謂?'司隔"表示源極S及漏極D之間未連接而相隔一距離。源極S與漏極D的 材質(zhì)可為金屬（例如侶、銅、銀、鋼、或鐵）或其合金所構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)（多層結(jié)構(gòu)例 如氮化鋼/侶/氮化鋼的多層金屬層）。部分用W傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)的導(dǎo)線，可W使用與源極S 與漏極D同層（俗稱為第二金屬層M2,未顯示）且同一工藝的結(jié)構(gòu)，例如數(shù)據(jù)線化。另外， 本實(shí)施例的金屬氧化物層A為薄膜晶體管T的一通道層C (或稱主動(dòng)層），且介電層I位于 柵極G與通道層C之間。金屬氧化物層A (通道層C)的材料例如可包含一金屬氧化物半導(dǎo) 體。其中，前述的金屬氧化物半導(dǎo)體包括金屬氧化物，且金屬氧化物包括銅、嫁、鋒及錫其中 之一，例如為氧化銅嫁鋒（Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO)。
[0029] 保護(hù)層P設(shè)置于金屬氧化物層A(通道層C)上。于此，保護(hù)層P為薄膜晶體管Τ 的一刻蝕阻擋（etch stop)層，而源極S與漏極D分別設(shè)置于金屬氧化物層A (通道層C) 上，且源極S及漏極D分別設(shè)置于保護(hù)層P的一開口 Η內(nèi)，且經(jīng)由保護(hù)層P的開口 Η與金屬 氧化物層A接觸。在本實(shí)施例中，保護(hù)層Ρ設(shè)置于通道層C上，并對(duì)應(yīng)于源極S與漏極D而 具有兩個(gè)開口 H，且運(yùn)些開口 Η使得通道層C露出，使得源極S或漏極D設(shè)置于運(yùn)些開口 Η 的其中之一內(nèi)，并接觸通道層C。于薄膜晶體管Τ的通道層C未導(dǎo)通時(shí)，源極S和漏極D電 性分離。保護(hù)層Ρ可為有機(jī)材質(zhì)例如為有機(jī)娃氧化合物，或單層無(wú)機(jī)材質(zhì)例如氮化娃、氧化 娃、氮氧化娃、碳化娃、氧化侶、氧化給、或上述材質(zhì)組合的多層結(jié)構(gòu)，并不限定。
[0030] 部分的柵極G或金屬氧化物層A的一側(cè)邊與開口 Η重迭設(shè)置。在本實(shí)施例中，如 圖1Α所示，于俯視的情況下，柵極G具有兩個(gè)相對(duì)的第一側(cè)邊sl，且部分的運(yùn)些第一側(cè)邊 si分別與保護(hù)層P的兩個(gè)開口 Η為重迭（由俯視來(lái)看，第一側(cè)邊si穿過開口 H)。另外，如 圖1B所示，于剖視的情況下，柵極G的兩個(gè)第一側(cè)邊si的部分對(duì)應(yīng)位于開口 Η之內(nèi)。
[0031] 純化層PAS設(shè)置并覆蓋于薄膜晶體管Τ上，并具有一通孔0。純化層PAS的材料 可為有機(jī)材質(zhì)例如為PFA或有機(jī)娃氧化合物，或可為無(wú)機(jī)材料，并例如為氧化娃（SiOx)或 氮化娃（Si化）的單層或多層結(jié)構(gòu)，并不限定。另外，第一電極PE設(shè)置于純化層PAS上，并 填入純化層PAS的通孔0內(nèi)而連接漏極D。在本實(shí)施例中，第一電極PE為一像素電極。另 夕F，對(duì)向基板12具有一第二電極（圖未顯示），且第二電極為一共同電極。第一電極PE或 第二電極的材料例如可為銅錫氧化物（IT0)、銅鋒氧化物（IZ0)、侶鋒氧化物（AZ0)、儒錫氧 化物（CT0)、氧化錫（Sn02)、或氧化鋒狂nO)等透明導(dǎo)電材料，并不限定。
[0032] 因此，當(dāng)顯示面板1的復(fù)數(shù)掃描線接收一掃描信號(hào)時(shí)可分別使各掃描線對(duì)應(yīng)的運(yùn) 些薄膜晶體管T導(dǎo)通，并將對(duì)應(yīng)每一行像素的一數(shù)據(jù)信號(hào)通過多條數(shù)據(jù)線化傳送至對(duì)應(yīng)像 素的第一電極PE，使顯示面板1可顯示影像畫面。
[0033] 承上，于現(xiàn)有技術(shù)中，薄膜晶體管T的柵極G的寬度幾乎與金屬氧化物層A (通道 層C) 一樣寬，因此，柵極G的兩相對(duì)第一側(cè)邊si并不與開口 Η重迭，而是位于開口 Η的外 偵U。但是本實(shí)施例的柵極G的第一側(cè)邊si的部分分別與保護(hù)層Ρ的兩個(gè)開口 Η為重迭設(shè) 置，使得柵極G的面積相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)來(lái)得小。由于前饋現(xiàn)象造成的前饋電壓與第一金屬 層Ml與第二金屬層M2的重迭面積有關(guān)，若第一金屬層Ml與第二金屬層M2的重迭面積較 大，則前饋電壓的值也相對(duì)較大，一般會(huì)對(duì)像素的顯示品質(zhì)造成不利的影響。因此，相較于 現(xiàn)有，本實(shí)施例的柵極G(第一金屬層Ml)與源極S、漏極D(第二金屬層M2)的重迭面積較 小，因此具有降低像素前饋電壓的功效而對(duì)顯示品質(zhì)的影響較小，故可提高顯示面板1的 顯不品質(zhì)。
[0034] 另外，請(qǐng)分別參照?qǐng)D2A至圖4B所示，其分別為本發(fā)明較佳實(shí)施例不同實(shí)施態(tài)樣的 顯示面板la、化、1(3的俯視示意圖及對(duì)應(yīng)的剖視示意圖。 陽(yáng)03引如圖2A及圖2B所示，顯示面板la與顯示面板1主要的不同在于，顯示面板la的 柵極G的兩相對(duì)第一側(cè)邊si位于對(duì)應(yīng)的開口 Η的外側(cè)，但是，金屬氧化物層A (通道層C) 具有兩相對(duì)的第二側(cè)邊s2,且部分的運(yùn)些第二側(cè)邊s2分別與保護(hù)層P的兩個(gè)開口 Η為重迭 設(shè)置，使得位于開口 Η內(nèi)的源極S與漏極D分別接觸介電層I與金屬氧化物層A。
[0036] 另外，于本實(shí)施例中，位于運(yùn)些開口 Η的其中之一內(nèi)的介電層I具有一第一厚度 dl，位于通道層C與柵極G之間的介電層I具有一第二厚度d2，第二厚度d2與第一厚度dl 的差大于等于0,且小于3000埃（0蘭（d2-dl) <3000,4 );或者，第二厚度d2與第一厚度 dl的差也可大于等于0,但小于保護(hù)層P的厚度（0 ^ (d2-dl) <保護(hù)層P的厚度，保護(hù)層 P的厚度例如為3()00A )。
[0037] 因此，在本實(shí)施例中，如圖2A所示，于俯視的情況下，通道層C具有兩相對(duì)的第二 側(cè)邊s2,且部分的運(yùn)些第二側(cè)邊s2分別與保護(hù)層P的兩個(gè)開口 Η為重迭（由俯視來(lái)看，第 二側(cè)邊s2穿過開口 Η)。另外，如圖2Β所示，于剖視的情況下，通道層C的兩個(gè)第二側(cè)邊s2 的部分對(duì)應(yīng)位于開口 Η之內(nèi)。此外，顯示面板la的其他技術(shù)特征可參照顯示面板1的相同 元件，不再寶述。
[0038] 承上，于現(xiàn)有技術(shù)中，薄膜晶體管T的金屬氧化物層A (通道層C)與柵極G的寬度 幾乎一樣寬，因此，金屬氧化物層A (通道層C)兩相對(duì)第二側(cè)邊s2并不與開口 Η重迭，而是 位于開口 Η的外側(cè)。但是本實(shí)施例的金屬氧化物層A的第二側(cè)邊s2的部分分別與保護(hù)層Ρ 的兩個(gè)開口 Η為重迭設(shè)置，使得金屬氧化物層A的面積相較于現(xiàn)有技術(shù)較小，故相對(duì)地，源 極S與漏極D的設(shè)置面積亦可較小。因此，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言，本實(shí)施例的柵極G(第一 金屬層Ml)與源極S、漏極D (第二金屬層M2)的重迭面積亦較小，因此，亦具有降低像素前 饋電壓的功效而可提高顯示品質(zhì)的功效。
[0039] 另外，如圖3A及圖3B所示，顯示面板化與顯示面板la主要的不同在于，除了金 屬氧化物層A (通道層C)的部分二側(cè)邊s2分別與保護(hù)層P的兩個(gè)開口 Η為重迭之外，顯示 面板化的柵極G的部分第一側(cè)邊si同樣也分別與保護(hù)層Ρ的兩個(gè)開口 Η為重迭，使得位 于開口 Η內(nèi)的源極S與漏極D分別接觸介電層I與金屬氧化物層Α。 W40] 因此，在本實(shí)施例中，如圖3Α所示，于俯視的情況下，柵極G的部分第一側(cè)邊si與 通道層C的部分第二側(cè)邊s2分別與保護(hù)層P的兩個(gè)開口 Η為重迭（由俯視來(lái)看，第一側(cè)邊 si與第二側(cè)邊s2穿過開口 Η)。另外，如圖3Β所示，于剖視的情況下，柵極G的兩個(gè)第一側(cè) 邊si的部分位于對(duì)應(yīng)的開口 Η之內(nèi)，且通道層C的兩個(gè)第二側(cè)邊s2的部分亦位于對(duì)應(yīng)的 開口 Η之內(nèi)。此外，顯示面板化的其他技術(shù)特征可參照顯示面板1的相同元件，不再寶述。
[0041] 承上，本實(shí)施例的柵極G的第一側(cè)邊si的部分與通道層C的第二側(cè)邊s2的部分 分別與保護(hù)層P的兩個(gè)開口 Η為重迭，使得柵極G與通道層C的面積均相較現(xiàn)有技術(shù)來(lái)得 小，相對(duì)地，源極S與漏極D的設(shè)置面積亦可對(duì)應(yīng)于通道層C的面積而縮小。因此，相對(duì)于 現(xiàn)有技術(shù)而言，本實(shí)施例的柵極G(第一金屬層Ml)與源極S、漏極D(第二金屬層M2)的重 迭面積亦較小，因此，具有降低像素前饋電壓的功效而可提高顯示品質(zhì)。另外，也因柵極G 與源極S、漏極D的重迭面積較小，使得純化層PAS的通孔0形成時(shí)可較靠近鄰近（左側(cè)） 的柵極G或通道層C的位置，因此使得像素的可透光區(qū)域變大而可提高像素的開口率。此 夕F，由于像素面積可W較小，因此本實(shí)施例可應(yīng)用于較高的解析度（PPI)的面板上。 陽(yáng)042] 另外，如圖4A及圖4B所示，顯示面板Ic與顯示面板1主要的不同在于，顯示面板 Ic的薄膜晶體管Tc為一上柵極（top-gate)薄膜晶體管。因此，顯示面板Ic的金屬氧化物 層A通過一緩沖層B設(shè)置于基板111上。其中，緩沖層B的材料例如但不限于為二氧化娃， W隔開金屬氧化物層A與基板111。本實(shí)施例的金屬氧化物層A具有一通道區(qū)C1及位于通 道區(qū)Cl兩側(cè)的二導(dǎo)電區(qū)C2。柵極G是通過一介電層I設(shè)置于通道區(qū)Cl上而與通道區(qū)Cl 相對(duì)而設(shè)，且通道區(qū)Cl的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體，例如為IGZO,并為薄膜晶體管Tc的主 動(dòng)層。另外，本實(shí)施例的源極S或漏極D亦設(shè)置于開口 Η內(nèi)，并接觸緩沖層B及運(yùn)些導(dǎo)電區(qū) C2的其中之一。
[0043] 此外，顯示面板Ic的其他技術(shù)特征可參照顯示面板1的相同元件，不再寶述。
[0044] 特別說明的是，如圖4B所示，本實(shí)施例的源極S與漏極D接觸導(dǎo)電區(qū)C2,并通過導(dǎo) 電區(qū)C2與通道區(qū)C1電連接。其中，導(dǎo)電區(qū)C2與通道區(qū)C1可統(tǒng)稱為金屬氧化物層A，而導(dǎo) 電區(qū)C2可由金屬氧化物層A通過離子轟擊而改變其特性，使得導(dǎo)電區(qū)C2與通道區(qū)C1的性 質(zhì)至少具有W下的差別：導(dǎo)電區(qū)C2的阻抗較通道區(qū)C1為低；導(dǎo)電區(qū)C2的載子濃度較通道 區(qū)C1為高；導(dǎo)電區(qū)C2的氨離子濃度較通道區(qū)C1為高；且導(dǎo)電區(qū)C2的氧離子濃度較通道區(qū) C1為低。 W45] 因此，在本實(shí)施例中，如圖4A所示，于俯視的情況下，金屬氧化物層A的部分運(yùn)些 第二側(cè)邊s2分別與保護(hù)層P的兩個(gè)開口 Η為重迭（由俯視來(lái)看，第二側(cè)邊s2穿過開口 H)。 另外，如圖4B所示，于剖視的情況下，金屬氧化物層A的兩個(gè)第二側(cè)邊s2的部分位于對(duì)應(yīng) 的開口 Η之內(nèi)。
[0046] 承上，本實(shí)施例的金屬氧化物層A的第二側(cè)邊s2的部分分別與保護(hù)層Ρ的兩個(gè)開 口 Η為重迭，使得金屬氧化物層A的面積相較于現(xiàn)有上柵極的薄膜晶體管來(lái)得小，因此，于 金屬氧化物層A在沒有黑色矩陣層遮蔽的一個(gè)實(shí)施例中，由于金屬氧化物層A的面積較小， 相對(duì)地像素的開口率可較現(xiàn)有技術(shù)高，且可應(yīng)用于較高的解析度（PPI)的面板上。
[0047] 另外，請(qǐng)參照?qǐng)D5所示，其為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種顯示裝置2的示意圖。
[0048] 顯示裝置2包括一顯示面板3 W及一背光模塊4(Backli曲t Mo化le)，顯示面板 3與背光模塊4相對(duì)設(shè)置。其中，顯示裝置2為一液晶顯示裝置，且顯示面板3可為上述的 顯示面板1、la~Ic的其中之一，或其變化態(tài)樣，具體技術(shù)內(nèi)容可參照上述，不再多作說明。 當(dāng)背光模塊4發(fā)出的光線E穿過顯示面板3時(shí)，可通過顯示面板3的各像素顯示色彩而形 成影像。
[0049] 綜上所述，因本發(fā)明的顯示面板及顯示裝置中，薄膜晶體管基板的保護(hù)層設(shè)置于 金屬氧化物層上，而源極及漏極分別經(jīng)由保護(hù)層的一開口與金屬氧化物層接觸，且部分的 柵極或金屬氧化物層的一側(cè)邊與運(yùn)些開口的至少其中之一重迭設(shè)置。借此，在一些實(shí)施例 中，相較于現(xiàn)有技術(shù)而言，由于薄膜晶體管的部分柵極或金屬氧化物層的側(cè)邊與運(yùn)些開口 的其中之一為重迭設(shè)置，使得本發(fā)明的顯示面板及顯示裝置具有降低像素的前饋電壓或者 提高開口率的功效而可提高顯示品質(zhì)。
[0050] W上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對(duì)其 進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于權(quán)利要求中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種顯示面板，其特征在于，包括： 一薄膜晶體管基板，包含一薄膜晶體管及一基板，該薄膜晶體管設(shè)置于該基板上，并具 有一柵極、一金屬氧化物層、一源極、一漏極及一保護(hù)層，該柵極與該金屬氧化物層相對(duì)設(shè) 置，該保護(hù)層設(shè)置于該金屬氧化物層上，該源極及該漏極分別經(jīng)由該保護(hù)層的一開口與該 金屬氧化物層接觸，且部分的該柵極或該金屬氧化物層的一側(cè)邊與所述開口的至少其中之 一重迭設(shè)置；以及 一顯示介質(zhì)層，設(shè)置于該薄膜晶體管基板上。2. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，該金屬氧化物層為該薄膜晶體管的一 通道層，該柵極與該通道層之間具有一介電層，且該通道層的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體。3. 如權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，該源極或該漏極設(shè)置于所述開口的其 中之一內(nèi)，并接觸該介電層或該通道層。4. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，該柵極具有兩相對(duì)第一側(cè)邊，且部分的 所述第一側(cè)邊分別與該保護(hù)層的兩個(gè)該開口重迭。5. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，該金屬氧化物層為該薄膜晶體管的一 通道層，并具有兩相對(duì)第二側(cè)邊，且部分的所述第二側(cè)邊分別與該保護(hù)層的兩個(gè)該開口重 迭。6. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，該柵極具有兩相對(duì)第一側(cè)邊，該金屬氧 化物層為該薄膜晶體管的一通道層，并具有兩相對(duì)第二側(cè)邊，且部分的所述第一側(cè)邊及部 分的所述第二側(cè)邊分別與該保護(hù)層的兩個(gè)該開口重迭。7. 如權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，位于所述開口的其中之一內(nèi)的該介電 層具有一第一厚度，位于該通道層與該柵極之間的該介電層具有一第二厚度，該第二厚度 與該第一厚度的差大于等于〇,且小于3000埃，或大于等于0,且小于該保護(hù)層的厚度。8. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，該金屬氧化物層通過一緩沖層設(shè)置于 該基板上，該金屬氧化物層具有一通道區(qū)，該柵極通過一介電層設(shè)置于該通道區(qū)上，且該通 道區(qū)的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體。9. 如權(quán)利要求8所述的顯示面板，其特征在于，該金屬氧化物層更具有位于該通道區(qū) 兩側(cè)的二導(dǎo)電區(qū)，該源極或該漏極設(shè)置于所述開口的其中之一內(nèi)，并接觸該緩沖層及所述 導(dǎo)電區(qū)的其中之一。10. -種顯示裝置，其特征在于，包括： 一顯示面板，包含一薄膜晶體管基板及一顯示介質(zhì)層，該顯示介質(zhì)層設(shè)置于該薄膜晶 體管基板上，該薄膜晶體管基板包含一薄膜晶體管及一基板，該薄膜晶體管設(shè)置于該基板 上，并具有一柵極、一金屬氧化物層、一源極、一漏極及一保護(hù)層，該柵極與該金屬氧化物層 相對(duì)設(shè)置，該保護(hù)層設(shè)置于該金屬氧化物層上，該源極及該漏極分別經(jīng)由該保護(hù)層的一開 口與該金屬氧化物層接觸，且部分的該柵極或該金屬氧化物層的一側(cè)邊與所述開口的至少 其中之一重迭設(shè)置；以及 一背光模塊，與該顯不面板相對(duì)而設(shè)。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK105988253SQ201510093628
【公開日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年3月3日
【發(fā)明人】黃惠敏, 林信宏, 宋立偉
【申請(qǐng)人】群創(chuàng)光電股份有限公司